JPH0223717B2 - - Google Patents
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- JPH0223717B2 JPH0223717B2 JP57098907A JP9890782A JPH0223717B2 JP H0223717 B2 JPH0223717 B2 JP H0223717B2 JP 57098907 A JP57098907 A JP 57098907A JP 9890782 A JP9890782 A JP 9890782A JP H0223717 B2 JPH0223717 B2 JP H0223717B2
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
- H02M7/42—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/53—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
- H02M7/5387—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Control Of Positive-Displacement Pumps (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はインバータポンプ用インバータ回路に
係り、特にポンプ本体に内蔵され、直流電源を電
源として交流モータを駆動するインバータポンプ
用インバータ回路の改良に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an inverter circuit for an inverter pump, and more particularly to an improvement of an inverter circuit for an inverter pump that is built into a pump body and drives an AC motor using a DC power source as a power source.
従来この種のインバータポンプ用インバータ回
路としては、第１図に示されるものが知られてい
る。第１図は従来のインバータポンプ用インバー
タ回路を示すブロツク構成図である。第１図にお
いて、１は直流電源、２はスイツチング制御回
路、３は各トランジスタ３ａ，３ｂ，３ｃ，３
ｄ，３ｅ，３ｆをスイツチとする出力回路、４は
交流モータ、５は出力回路３を流れる電流の大き
さを電圧の大きさに変換するための低抵抗値を有
する抵抗器、６は抵抗器５の両端に発生する降下
電圧を検出し、この電圧が所定値以上の電圧とし
て一定時間続く時、出力回路３の出力を停止する
ようにスイツチング制御回路２に信号を送る停止
回路である。しかして、上記抵抗器５及び停止回
路６は、ポンプ（図示しない）が機械的に異常事
故などを起した時、出力回路３のスイツチである
各トランジスタ３ａ〜３ｆが焼損しないように保
護するためのものである。 Conventionally, as this type of inverter circuit for an inverter pump, the one shown in FIG. 1 is known. FIG. 1 is a block diagram showing a conventional inverter circuit for an inverter pump. In FIG. 1, 1 is a DC power supply, 2 is a switching control circuit, and 3 is each transistor 3a, 3b, 3c, 3.
d, 3e, and 3f are output circuits as switches, 4 is an AC motor, 5 is a resistor with a low resistance value for converting the magnitude of the current flowing through the output circuit 3 into the magnitude of voltage, and 6 is a resistor. This is a stop circuit that detects the voltage drop occurring across the terminal 5 and sends a signal to the switching control circuit 2 to stop the output of the output circuit 3 when this voltage continues for a certain period of time as a voltage higher than a predetermined value. Therefore, the resistor 5 and the stop circuit 6 are used to protect the transistors 3a to 3f, which are the switches of the output circuit 3, from burning out when a mechanical abnormality occurs in the pump (not shown). belongs to.
次に、上記第１図の動作について説明する。ポ
ンプが機械的に異常事故などを起してロツクする
と交流モータ４が停止され、出力回路３の各トラ
ンジスタ３ａ〜３ｆには大電流が流れる。この大
電流が所定期間以上長く流れると、各トランジス
タ３ａ〜３ｆはその消費電力が大きくなつて焼損
することがある。これを防止するため、出力回路
３に流れる電流を抵抗器５により電圧に変換し、
この電圧を停止回路６で検出して、ポンプのロツ
ク時における電流Ｉが限定時間Ｔ以上出力回路３
に流れた時、出力回路３の各トランジスタ３ａ〜
３ｆがOFFするように構成されている。ここで、
上記限界時間Ｔは、インバータ回路の配設される
最高周囲温度と各トランジスタ３ａ〜３ｆの許容
ジヤンクシヨン温度、及びインバータポンプを流
れる液体による各トランジスタ３ａ〜３ｆの冷却
効果に基づいた各トランジスタ３ａ〜３ｆでの許
容消費電力から選定される。 Next, the operation shown in FIG. 1 will be explained. When the pump becomes locked due to an abnormal mechanical accident, the AC motor 4 is stopped and a large current flows through each of the transistors 3a to 3f of the output circuit 3. If this large current flows for a longer period than a predetermined period, the power consumption of each transistor 3a to 3f increases and may burn out. In order to prevent this, the current flowing through the output circuit 3 is converted into voltage by the resistor 5,
This voltage is detected by the stop circuit 6, and the output circuit 3
When the current flows to , each transistor 3a~ of the output circuit 3
It is configured so that 3f is turned off. here,
The above limit time T is determined for each transistor 3a to 3f based on the maximum ambient temperature at which the inverter circuit is arranged, the allowable junction temperature of each transistor 3a to 3f, and the cooling effect of each transistor 3a to 3f by the liquid flowing through the inverter pump. Selected based on the allowable power consumption.
ところで、従来のインバータポンプ用インバー
タ回路は以上のように構成されているので、イン
バータポンプが予想以上の悪環境下で使用された
場合、インバータ回路がポンプ本体のケースの内
部に内蔵されるような構成では、例えばインバー
タポンプを空運転、すなわちポンプを流れる液体
が存在しない状態でポンプを運転すると、液体に
よる冷却結果が無くなるため、インバータポンプ
のロツク電流が同一であつても、各トランジスタ
３ａ〜３ｆのジヤンクシヨン温度が非常に高くな
り、ついには各トランジスタ３ａ〜３ｆは焼損を
してしまうという欠点があつた。 By the way, the inverter circuit for conventional inverter pumps is configured as described above, so if the inverter pump is used in a harsher environment than expected, the inverter circuit may be built inside the case of the pump body. In the configuration, for example, if the inverter pump is operated idly, that is, when the pump is operated in a state where there is no liquid flowing through the pump, there will be no cooling effect due to the liquid, so even if the lock current of the inverter pump is the same, each transistor 3a to 3f The junction temperature of the transistors becomes extremely high, and each of the transistors 3a to 3f eventually burns out.
本発明は上記のような従来のものの欠点を除去
するためになされたもので、ポンプ本体に内蔵さ
れ、直流電源を電源として交流モータを駆動する
インバータポンプ用インバータ回路において、出
力回路のスイツチにMOS型電界効果トランジス
タを使用し、該MOS型電界効果トランジスタの
チツプ温度に比例するドレイン−ソース間の電圧
を検出し、該電圧の所定値以上の電圧を検出した
時、前記出力回路の出力を停止させるよう制御す
る構成を有し、前記インバータポンプが予想以上
の悪環境下で使用される時でも、前記出力回路の
MOS型電界効果トランジスタの焼損を防止する
ようにしたインバータポンプ用インバータ回路を
提供することを目的としている。 The present invention was made in order to eliminate the drawbacks of the conventional ones as described above.In an inverter circuit for an inverter pump that is built into the pump body and drives an AC motor using a DC power source, the output circuit switch is equipped with a MOS A type field effect transistor is used, a drain-source voltage proportional to the chip temperature of the MOS type field effect transistor is detected, and when a voltage equal to or higher than a predetermined value is detected, the output of the output circuit is stopped. Even when the inverter pump is used in a harsher environment than expected, the output circuit
An object of the present invention is to provide an inverter circuit for an inverter pump that prevents burnout of MOS field effect transistors.
以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。第２図は本発明の一実施例であるインバータ
ポンプ用インバータ回路を示すブロツク構成図で
ある。第２図において、１は直流電源、２はスイ
ツチング制御回路、３は各MOS型電界効果トラ
ンジスタ（以下、MOS FETという）３ｇ，３
ｈ，３ｉ，３ｊ，３ｋ，３ｌをスイツチとする出
力回路、６はMOS FET３ｈの導通と同期して、
このMOS FET３ｈのドレインＤ−ソースＳ間
の降下電圧VDSを検出し、この電圧VDSの所定値
以上の電圧を検出した時、出力回路３の出力が停
止するようにスイツチング制御回路２に信号を送
る停止回路である。 Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a block diagram showing an inverter circuit for an inverter pump according to an embodiment of the present invention. In Figure 2, 1 is a DC power supply, 2 is a switching control circuit, 3 is each MOS type field effect transistor (hereinafter referred to as MOS FET) 3g, 3
Output circuit with switches h, 3i, 3j, 3k, and 3l, 6 synchronizes with conduction of MOS FET 3h,
The voltage drop V DS between the drain D and source S of this MOS FET 3h is detected, and when a voltage higher than a predetermined value of this voltage V DS is detected, a signal is sent to the switching control circuit 2 so that the output of the output circuit 3 is stopped. This is a stop circuit that sends
次に、上記第２図の動作について説明する。さ
て、第２図に示すインバータ回路が動作状態にあ
る時、出力回路３の各MOS FET３ｇ〜３ｌの
それぞれに流れる電流は等しく、また、各MOS
FET３ｇ〜３ｌが同一特性であり、同一のドレ
イン電流に対して導通時のドレイン−ソース間の
電圧は等しいものとする。停止回路６はMOS
FET３ｈのゲートＧの信号に同期し、MOS
FET３ｈの導通時のドレインＤ−ソースＳ間の
電圧VDSを検出するが、このドレインＤ−ソース
Ｓ間の電圧VDSは、MOS FET３ｈに流れるドレ
イン電流をID、MOS FET３ｈのON抵抗をRDSと
すると、VDS＝ID×RDSとなる。なお、一般にポン
プロツク時の電流が最大であり、電源電圧を一定
とすると主としてモータ巻線抵抗で制限される電
流もほぼ一定となるためポンプロツク時の条件で
説明する。又バイポーラトランジスタの場合コレ
クターエミツタ間飽和電圧のチツプ温度特性は温
度に対する電圧の変化が小さく、しかも温度に逆
比例する領域があるのに反し、MOS FETの抵
抗はチツプ温度に対しほぼ線形に比例するのでチ
ツプ温度が決まればON抵抗RDSが決まるので、
上記ON抵抗RDSはMOS FET３ｈのチツプ温度
に比例するため、各MOS FET３ｇ，３ｈのチ
ツプの最高許容温度時のON抵抗をR′DSとし、ま
たインバータポンプがロツクした時にMOS
FET３ｈに流れる電流をI′Dとすると、上記ロツ
ク時における電流IDは常にほぼ一定と見なし得る
ので、インバータポンプがロツクした時、停止回
路６が検出する電圧VDS＝RDS×I′Dは、MOS
FET３ｈのチツプ温度を検出することになる。
したがつて、停止回路６がスイツチング制御回路
２に対して停止信号を出力する検出電圧VDSのレ
ベル電圧V′DSを、V′DS＝R′DS×I′Dに設定すれば、
インバータ回路における上記出力回路３のスイツ
チである各MOS FET３ｇ〜３ｌを焼損から保
護することができる。 Next, the operation shown in FIG. 2 will be explained. Now, when the inverter circuit shown in FIG. 2 is in operation, the current flowing through each of the MOS FETs 3g to 3l of the output circuit 3 is equal,
It is assumed that the FETs 3g to 3l have the same characteristics and have the same drain-source voltage when conducting for the same drain current. Stop circuit 6 is MOS
Synchronized with the gate G signal of FET3h, MOS
The voltage V DS between the drain D and source S when the FET3h is conductive is detected. DS , then V DS = ID × R DS . Generally, the current during pump lock is the maximum, and if the power supply voltage is kept constant, the current, which is mainly limited by the motor winding resistance, will also be approximately constant, so the explanation will be based on the conditions during pump lock. Also, in the case of a bipolar transistor, the chip temperature characteristic of the collector-emitter saturation voltage has a small change in voltage with respect to temperature, and there is a region where it is inversely proportional to the temperature, whereas the resistance of a MOS FET is almost linearly proportional to the chip temperature. Therefore, once the chip temperature is determined, the ON resistance R DS is determined, so
Since the above ON resistance R DS is proportional to the chip temperature of MOS FET 3h, the ON resistance at the maximum allowable temperature of each MOS FET 3g and 3h chip is R' DS , and when the inverter pump is locked, the MOS
If the current flowing through FET 3h is I' D , the current I D at the time of locking can be considered to be almost constant, so when the inverter pump locks, the voltage detected by the stop circuit 6 is V DS = R DS × I' D is MOS
The chip temperature of FET3h will be detected.
Therefore, if the level voltage V' DS of the detection voltage V DS at which the stop circuit 6 outputs a stop signal to the switching control circuit 2 is set to V' DS = R' DS ×I' D ,
Each of the MOS FETs 3g to 3l, which are switches of the output circuit 3 in the inverter circuit, can be protected from burnout.
以上のように、本発明に係るインバータポンプ
用インバータ回路によれば、出力回路のスイツチ
としてMOS FETを使用し、このMOS FETの
チツプ温度に比例するドレイン−ソース間の電圧
を検出して、前記出力回路の保護動作を行なうよ
うにした構成となしたので、インバータポンプが
どのような環境条件下において使用される場合に
も、出力回路のスイツチとして使用するMOS
FETを焼損から有効的に保護することができる
という優れた効果を奏するものである。 As described above, according to the inverter circuit for an inverter pump according to the present invention, a MOS FET is used as a switch of the output circuit, and the drain-source voltage proportional to the chip temperature of this MOS FET is detected. The configuration is designed to protect the output circuit, so no matter what environmental conditions the inverter pump is used in, the MOS used as the output circuit switch
This has the excellent effect of effectively protecting the FET from burnout.
第１図は従来のインバータポンプ用インバータ
回路を示すブロツク構成図、第２図は本発明の一
実施例であるインバータポンプ用インバータ回路
を示すブロツク構成図である。
１……直流電源、２……スイツチング制御回
路、３……出力回路、４……交流モータ、６……
停止回路、３ｇ〜３ｌ……MOS型電界効果トラ
ンジスタ（MOS FET）。なお、図中、同一符号
は同一、又は相当部分を示す。
FIG. 1 is a block diagram showing a conventional inverter circuit for an inverter pump, and FIG. 2 is a block diagram showing an inverter circuit for an inverter pump according to an embodiment of the present invention. 1...DC power supply, 2...Switching control circuit, 3...Output circuit, 4...AC motor, 6...
Stop circuit, 3g to 3l...MOS type field effect transistor (MOS FET). In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts.
Claims (1)
て交流モータを駆動するインバータポンプ用イン
バータ回路において、出力回路のスイツチに
MOS型電界効果トランジスタを使用し、該MOS
型電界効果トランジスタのチツプ温度に比例する
ドレイン−ソース間の電圧を検出し、該電圧の所
定値以上の電圧を検出した時、前記出力回路の出
力を停止させるよう制御する構成となし、前記イ
ンバータポンプがロツクした場合に、前記MOS
型電界効果トランジスタを、そこを流れる大電流
による焼損から防止するようにしたことを特徴と
するインバータポンプ用インバータ回路。1.In the inverter circuit for an inverter pump that is built into the pump body and drives an AC motor using a DC power source, the output circuit switch
A MOS type field effect transistor is used, and the MOS field effect transistor is used.
The inverter is configured to detect a drain-source voltage that is proportional to the chip temperature of the type field effect transistor, and to control the output of the output circuit to stop when a voltage equal to or higher than a predetermined value is detected. If the pump locks, the MOS
An inverter circuit for an inverter pump, characterized in that a type field effect transistor is prevented from being burned out by a large current flowing through it.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57098907A JPS58217786A (en) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | Inverter circuit for inverter pump |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57098907A JPS58217786A (en) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | Inverter circuit for inverter pump |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58217786A JPS58217786A (en) | 1983-12-17 |
| JPH0223717B2 true JPH0223717B2 (en) | 1990-05-25 |
Family
ID=14232198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57098907A Granted JPS58217786A (en) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | Inverter circuit for inverter pump |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58217786A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0765571B2 (en) * | 1985-10-31 | 1995-07-19 | 澤藤電機株式会社 | In-vehicle refrigerator overcurrent protection device |
| JP2016113871A (en) * | 2014-12-18 | 2016-06-23 | 植村 誠 | Jack control method for open shield machine |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS551156U (en) * | 1978-06-19 | 1980-01-07 | ||
| JPS6059840B2 (en) * | 1979-10-11 | 1985-12-26 | 三菱電機株式会社 | Electric motor drive device |
-
1982
- 1982-06-09 JP JP57098907A patent/JPS58217786A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58217786A (en) | 1983-12-17 |
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