JPH02237340A - 超高周波変調回路 - Google Patents
超高周波変調回路Info
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- JPH02237340A JPH02237340A JP1058895A JP5889589A JPH02237340A JP H02237340 A JPH02237340 A JP H02237340A JP 1058895 A JP1058895 A JP 1058895A JP 5889589 A JP5889589 A JP 5889589A JP H02237340 A JPH02237340 A JP H02237340A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C7/00—Modulating electromagnetic waves
- H03C7/02—Modulating electromagnetic waves in transmission lines, waveguides, cavity resonators or radiation fields of antennas
- H03C7/025—Modulating electromagnetic waves in transmission lines, waveguides, cavity resonators or radiation fields of antennas using semiconductor devices
- H03C7/027—Modulating electromagnetic waves in transmission lines, waveguides, cavity resonators or radiation fields of antennas using semiconductor devices using diodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、導波管を使用したバスレングス型の超高周
波変調回路に関するものである。
波変調回路に関するものである。
［従来の技術］
第６図において、主導波管ＧＭの途中に挿入したサーキ
ュレータＣに短絡導波管ＧＢを分岐接続し、この短絡導
波管ＧＢの短絡端ＴＳからλｇ／４（λｇは管内波長）
だけサーキュレータＣの側に戻った個所のＨ面にダイオ
ードＤを装荷してこれに変調信号としてパルスを印加す
ると、主導波管ＧＭの入力側（第６図の左方）から入力
した搬送波信号かダイオードＤのスイッヂ動作のオン・
オフに同期してＯ相−π相変調を受けるので、被変調波
出力としてＰＳＫ信号が主導波管ＧＭの出力側（第６図
の右方）に得られることは既知である。
ュレータＣに短絡導波管ＧＢを分岐接続し、この短絡導
波管ＧＢの短絡端ＴＳからλｇ／４（λｇは管内波長）
だけサーキュレータＣの側に戻った個所のＨ面にダイオ
ードＤを装荷してこれに変調信号としてパルスを印加す
ると、主導波管ＧＭの入力側（第６図の左方）から入力
した搬送波信号かダイオードＤのスイッヂ動作のオン・
オフに同期してＯ相−π相変調を受けるので、被変調波
出力としてＰＳＫ信号が主導波管ＧＭの出力側（第６図
の右方）に得られることは既知である。
［発明か解決しようとする課題］
第６図の変調回路の問題点
（１）ダイオートＤの挿入によって、ダイオートＤがオ
フのときの通過損失かある（例えばミリメートル波て約
２ ｄＢ）ので、短絡端ＴＳから反射する波に対しては
往復で２倍（約４ｄＢ） となる。これはダイオード
Ｄがオン・オフ動作をするに従って主導波管ＧＭの被変
調波出力に振幅変調を与える欠点がある。
フのときの通過損失かある（例えばミリメートル波て約
２ ｄＢ）ので、短絡端ＴＳから反射する波に対しては
往復で２倍（約４ｄＢ） となる。これはダイオード
Ｄがオン・オフ動作をするに従って主導波管ＧＭの被変
調波出力に振幅変調を与える欠点がある。
（２）ダイオードＤがオンのときの短絡効果が完全ては
なく、このとき短絡端ＴＳから反射する波も生ずるのて
、被変調波出力の振幅と位相が変化し、即ち０相一π相
のオン・オフ比が低くなる欠点がある。
なく、このとき短絡端ＴＳから反射する波も生ずるのて
、被変調波出力の振幅と位相が変化し、即ち０相一π相
のオン・オフ比が低くなる欠点がある。
（３）短絡導波管ＧＢの長さが固定されているので、出
力側における搬送波の周波数の調整が困難であり、微調
整を行い難い欠点がある。
力側における搬送波の周波数の調整が困難であり、微調
整を行い難い欠点がある。
的］
この発明はこのような欠点を解消し、ダイオートの導通
短絡時とオフ時とにかかわらず、被変調波出力のレベル
が可及的に等しくなるようにするパスレングス型の超高
周波変調回路を得ることを目的とする。
短絡時とオフ時とにかかわらず、被変調波出力のレベル
が可及的に等しくなるようにするパスレングス型の超高
周波変調回路を得ることを目的とする。
［目
［課題を解決するための手段］
この発明は、主導波管から第１短絡回路を分岐し、第１
短絡回路から第２短絡回路を分岐して変調回路の基本構
成を行う。この場合、第２短絡回路は第１短絡回路の短
絡端から局波長またはその整数倍の長さたけ戻った個所
においてＨ面スリット結合によって分岐し、この第２短
絡回路はその分岐点から％波長またはその整数倍の長さ
の個所を短絡終端し、この短絡端から図波長または局波
長に局波長の整数倍を加えた長さだけ分岐点の側に戻っ
た個所にスイッヂ用のダイオードを接続し、これに変調
信号としてのパルスを印加して２相ＰＳＫ変調回路を構
成する。
短絡回路から第２短絡回路を分岐して変調回路の基本構
成を行う。この場合、第２短絡回路は第１短絡回路の短
絡端から局波長またはその整数倍の長さたけ戻った個所
においてＨ面スリット結合によって分岐し、この第２短
絡回路はその分岐点から％波長またはその整数倍の長さ
の個所を短絡終端し、この短絡端から図波長または局波
長に局波長の整数倍を加えた長さだけ分岐点の側に戻っ
た個所にスイッヂ用のダイオードを接続し、これに変調
信号としてのパルスを印加して２相ＰＳＫ変調回路を構
成する。
さらに、必要により、第１短絡回路の短絡端に電磁波吸
収体を取付ける。この電磁波吸収体の面積、形状、厚さ
、取付位置、材質、加工処理などを選択することによっ
てこの個所におりる損失量を設定的に調整するようにす
れば、ダイオードのオン・オフ動作に伴う被変調波出力
のレベルの等化改善度か増大する。
収体を取付ける。この電磁波吸収体の面積、形状、厚さ
、取付位置、材質、加工処理などを選択することによっ
てこの個所におりる損失量を設定的に調整するようにす
れば、ダイオードのオン・オフ動作に伴う被変調波出力
のレベルの等化改善度か増大する。
また、このような構成の変調回路を２組直列に接続して
その一方の変調回路におりる２番目の短絡回路のダイオ
ードを、その短絡回路の短絡端から屍波長または（局士
ス）×波長の整数倍だけ戻った個所に接続することによ
り、被変調波出力に４相ＰＳＫ侶号を得ることができる
。
その一方の変調回路におりる２番目の短絡回路のダイオ
ードを、その短絡回路の短絡端から屍波長または（局士
ス）×波長の整数倍だけ戻った個所に接続することによ
り、被変調波出力に４相ＰＳＫ侶号を得ることができる
。
［実 施 例］
（第１の実施例）
第１図はこの発明の第１の実施例を示すもので、矩形導
波管を使用して２相（０相−π相）のＰＳＫ出力を得る
場合のものである。モードはＴ Ｅ ，ｏを使用するこ
とを前提とする。
波管を使用して２相（０相−π相）のＰＳＫ出力を得る
場合のものである。モードはＴ Ｅ ，ｏを使用するこ
とを前提とする。
なお、回路の分岐個所とかダイオードの接続個所とかに
ついて、波長λｇとの関係において第２図中に括弧を付
して示した長さ（Ｉｔ） ， （Ｕｚ） ，（又３）は
、最も短い場合（ｍ＝１，ｎ＝０）のものてある。
ついて、波長λｇとの関係において第２図中に括弧を付
して示した長さ（Ｉｔ） ， （Ｕｚ） ，（又３）は
、最も短い場合（ｍ＝１，ｎ＝０）のものてある。
第１図において、主導波管ＧＭからサーキュレータＣを
介して導波管を分岐して短絡終端する。この導波管を第
１短絡回路ＧＢＩとしてその短絡端を第１短絡端ＴＳＩ
とする。第１短絡回路ＧＢＩにおいて、第１短絡端ＴＳ
Ｉからλｇ／２だけサーキュレータＣの側に戻った個所
で、一方のＨ面からＥ面Ｔ分岐によりもう１つの導波管
を分岐してその分岐点（第１短絡回路ＧＢＩＯＨ面）か
らλｇ／２の長さの個所を短絡終端する。この、第１短
絡回路ＧＢＩから分岐したもう１つの導波管を第２短絡
回路ＧＢ２としてその短絡端を第２短絡端ＴＳ２とする
。
介して導波管を分岐して短絡終端する。この導波管を第
１短絡回路ＧＢＩとしてその短絡端を第１短絡端ＴＳＩ
とする。第１短絡回路ＧＢＩにおいて、第１短絡端ＴＳ
Ｉからλｇ／２だけサーキュレータＣの側に戻った個所
で、一方のＨ面からＥ面Ｔ分岐によりもう１つの導波管
を分岐してその分岐点（第１短絡回路ＧＢＩＯＨ面）か
らλｇ／２の長さの個所を短絡終端する。この、第１短
絡回路ＧＢＩから分岐したもう１つの導波管を第２短絡
回路ＧＢ２としてその短絡端を第２短絡端ＴＳ２とする
。
この場合、第２短絡回路ＧＢ２を形成ずる導彼管の第１
短絡端ＴＳＩＯ側に位置する管壁の内面の第１短絡端Ｔ
ＳＩからの距離がλｇ／２であるようにする。
短絡端ＴＳＩＯ側に位置する管壁の内面の第１短絡端Ｔ
ＳＩからの距離がλｇ／２であるようにする。
さらにこの場合、第２短絡回路ＧＢ２が第１短絡回路Ｇ
ＢＩから分岐する個所において、第２短絡回路ＧＢ２の
導波管か第１短絡回路ＧＢＩの導波管に接合する断面は
、第１短絡回路ＧＢＩの導波管のＨ面を残したままとし
、その残したＨ面の部分において第２短絡回路Ｇ’Ｂ
２の導波管の接合断面の中央部の個所に第１短絡回路Ｇ
Ｂ１の導波管の軸に直交する方向のスリットＳを設ける
。即ち、このスリットＳは第２短絡回路ＧＢ２の導波管
の断面に含まれていてその断面の長辺に平行であり、且
つその短辺方向（第１短絡回路ＧＢＩの導波管の軸方向
）についてその断面の中央である。
ＢＩから分岐する個所において、第２短絡回路ＧＢ２の
導波管か第１短絡回路ＧＢＩの導波管に接合する断面は
、第１短絡回路ＧＢＩの導波管のＨ面を残したままとし
、その残したＨ面の部分において第２短絡回路Ｇ’Ｂ
２の導波管の接合断面の中央部の個所に第１短絡回路Ｇ
Ｂ１の導波管の軸に直交する方向のスリットＳを設ける
。即ち、このスリットＳは第２短絡回路ＧＢ２の導波管
の断面に含まれていてその断面の長辺に平行であり、且
つその短辺方向（第１短絡回路ＧＢＩの導波管の軸方向
）についてその断面の中央である。
この如き構成の第２短絡回路ＧＢ２において、第２短絡
端ＴＳ２からλｇ／４だけ分岐個所の側に戻った個所で
、双方のＨ面の間にダイオードＤを装荷する。
端ＴＳ２からλｇ／４だけ分岐個所の側に戻った個所で
、双方のＨ面の間にダイオードＤを装荷する。
これらの主導波管ＧＭ、サーキュレータＣ５第１短絡回
ＦａｒＧＢ１，第２短絡回路ＧＢ２の相互の関係の立体
構造の基本概念ならびにこれらに設りたスリットＳ、ダ
イオードＤの配置関係を第２図に示す。ただし、第２図
においては、第１短絡回路ＧＢ １，第２短絡回路ＧＢ
２の各々はその途中から切断して示してあるので、第１
短絡端ＴＳ１、第２短絡端ＴＳ２は第２図には現われて
いない。またサーキュレータＣの具体的構成は既知であ
ってここではそれを問わないものとして第２図にはこれ
を抽象的に６面体のように示した。
ＦａｒＧＢ１，第２短絡回路ＧＢ２の相互の関係の立体
構造の基本概念ならびにこれらに設りたスリットＳ、ダ
イオードＤの配置関係を第２図に示す。ただし、第２図
においては、第１短絡回路ＧＢ １，第２短絡回路ＧＢ
２の各々はその途中から切断して示してあるので、第１
短絡端ＴＳ１、第２短絡端ＴＳ２は第２図には現われて
いない。またサーキュレータＣの具体的構成は既知であ
ってここではそれを問わないものとして第２図にはこれ
を抽象的に６面体のように示した。
また第１図に模式的に示すように、必要により、第１短
絡端ＴＳＩに電磁波吸収体ＭＡを取イ」ける。
絡端ＴＳＩに電磁波吸収体ＭＡを取イ」ける。
第１図において、パルスの印加によってダイオードＤが
オン（導通）のときこのダイオードＤが短絡端として作
用するので、第２短絡回路ＧＢ２内の搬送波はこのダイ
オードＤの装荷点て反射される。またダイオードＤがオ
フ（非導通）のときはスリットＳが短絡される。
オン（導通）のときこのダイオードＤが短絡端として作
用するので、第２短絡回路ＧＢ２内の搬送波はこのダイ
オードＤの装荷点て反射される。またダイオードＤがオ
フ（非導通）のときはスリットＳが短絡される。
スリットＳ（第２短絡回路ＧＢ２の人口）と第２短絡端
ＴＳ２との距離がλｇ／２、スリットＳとダイオードＤ
との距離がλｇ／４なので、ダイオードＤのオンのとき
とオフのときとで、第２短絡回路ＧＢ２内において搬送
波の行路差が往復でλｇ／２となって位相差πが生ずる
から、被変調波出力はダイオードＤのオン・オフ動作に
伴って（〇一π）位相変調を受けている。
ＴＳ２との距離がλｇ／２、スリットＳとダイオードＤ
との距離がλｇ／４なので、ダイオードＤのオンのとき
とオフのときとで、第２短絡回路ＧＢ２内において搬送
波の行路差が往復でλｇ／２となって位相差πが生ずる
から、被変調波出力はダイオードＤのオン・オフ動作に
伴って（〇一π）位相変調を受けている。
第１図の実施例の場合、第１短絡端ＴＳＩに電磁波吸収
体ＭＡを取付けていなくても、被変調波出力のスイッチ
比が第６図の従来例の場合に比べて改善されている。
体ＭＡを取付けていなくても、被変調波出力のスイッチ
比が第６図の従来例の場合に比べて改善されている。
処で、ダイオードＤはオンのとき完全な短絡端にならず
、いくらかの残留抵抗があるので、これによって搬送波
エネルギーの損失が生じるから、このことが被変調波出
力の信号のＯ相のとぎとπ相のときとで振幅に差を生じ
させることとなる。
、いくらかの残留抵抗があるので、これによって搬送波
エネルギーの損失が生じるから、このことが被変調波出
力の信号のＯ相のとぎとπ相のときとで振幅に差を生じ
させることとなる。
これについて、第１図に示した構成において第１短絡端
ＴＳＩに電磁波吸収体ＭＡを取付けない場合でも、被変
調波出力のＯ相一π相の振幅差は第６図に示す従来例の
ものの被変調波出力に生ずるＯ相一π相の振幅差に比べ
てはかなり（約４ ｄＢ）改善されている。
ＴＳＩに電磁波吸収体ＭＡを取付けない場合でも、被変
調波出力のＯ相一π相の振幅差は第６図に示す従来例の
ものの被変調波出力に生ずるＯ相一π相の振幅差に比べ
てはかなり（約４ ｄＢ）改善されている。
電磁波吸収体ＭＡを第１短絡端ＴＳＩに装填することは
この改善の度合いをさらに増大ずる。ダイオートＤがオ
フのときの電磁波吸収休ＭＡを有する第１短絡端ＴＳＩ
からの反射と、ダイオー１〜Ｄがオンのときの第２短絡
回路ＧＢＺ内でダイオードＤからの反射との差が可及的
に無くなるように電磁波吸収体ＭＡを設定すれば、被変
調波出力のＯ相−π相での振幅の差を可及的に小さくす
ることかでき、ないしはその差を無くすことができる。
この改善の度合いをさらに増大ずる。ダイオートＤがオ
フのときの電磁波吸収休ＭＡを有する第１短絡端ＴＳＩ
からの反射と、ダイオー１〜Ｄがオンのときの第２短絡
回路ＧＢＺ内でダイオードＤからの反射との差が可及的
に無くなるように電磁波吸収体ＭＡを設定すれば、被変
調波出力のＯ相−π相での振幅の差を可及的に小さくす
ることかでき、ないしはその差を無くすことができる。
（第２の実施例）
第３図は、この発明の第２の実施例を示すもので、矩形
断面の導波管を使用して被変調波出力に４相ＰＳＫの信
号を得る場合のものである。これをＴＥ＋ｏモードで考
える。
断面の導波管を使用して被変調波出力に４相ＰＳＫの信
号を得る場合のものである。これをＴＥ＋ｏモードで考
える。
バスレングス型の変調回路を主導波管に直列に接続して
４相ＰＳＫ出力を得る技術は既知てあるが、第３図の実
施例は２つの変調回路のうちの一方に第１図、第２図と
同様のものを用い、他方に第１図の回路構成の一部を変
更したものを用いることにより、主導波管ＧＭの出力側
に４相ＰＳＫ信号を得るものである。
４相ＰＳＫ出力を得る技術は既知てあるが、第３図の実
施例は２つの変調回路のうちの一方に第１図、第２図と
同様のものを用い、他方に第１図の回路構成の一部を変
更したものを用いることにより、主導波管ＧＭの出力側
に４相ＰＳＫ信号を得るものである。
第３図において、第１サーキュレータＣ１、第１短絡回
路ＧＢＩ．第２短絡回路ＧＢ２を基本にして第１変調回
路を構成し、また第２サーキュレータＣ２、第３短絡回
路ＧＢ３、第４短絡回路ＧＢ４を基本にして第２変調回
路を構成する。
路ＧＢＩ．第２短絡回路ＧＢ２を基本にして第１変調回
路を構成し、また第２サーキュレータＣ２、第３短絡回
路ＧＢ３、第４短絡回路ＧＢ４を基本にして第２変調回
路を構成する。
第１変調回路は、立体構成および波長と位相の観点から
見た回路構成は第１図および第２図に示した第１の実施
例の場合と同様である。
見た回路構成は第１図および第２図に示した第１の実施
例の場合と同様である。
第１変調回路において、第１短絡回路ＧＢＩから第２短
絡回路ＧＢ２を分岐する個所を第１分岐個所とし、第１
分岐個所に設けたスリットＳ１を第１スリットとする。
絡回路ＧＢ２を分岐する個所を第１分岐個所とし、第１
分岐個所に設けたスリットＳ１を第１スリットとする。
第２短絡回路ＧＢ２の第１短絡端ＴＳＩ側の管壁の内面
を第１短絡端ＴＳ１からλｇ／２の位置に設定すること
、第１分岐個所において、第１スリットＳ１が第２短絡
回路ＧＢ２の第１短絡回路ＧＢＩとの接合断面に含まれ
てその接合断面の長辺に平行であり、且つ第１短絡回路
ＧＢ１の管軸方向に沿って接合断面内の中央部に位置す
ることは第１図の実施例の場合と同様てあり、また第２
短絡回路ＧＢＺ内において第２短絡端ＴＳ２からλｇ／
４だけ第１分岐個所の側に戻った個所のＨ面にダイオー
ドＤｉ（これを第１ダイオードとする）を装荷すること
も第１図の実施例の場合と同様である。
を第１短絡端ＴＳ１からλｇ／２の位置に設定すること
、第１分岐個所において、第１スリットＳ１が第２短絡
回路ＧＢ２の第１短絡回路ＧＢＩとの接合断面に含まれ
てその接合断面の長辺に平行であり、且つ第１短絡回路
ＧＢ１の管軸方向に沿って接合断面内の中央部に位置す
ることは第１図の実施例の場合と同様てあり、また第２
短絡回路ＧＢＺ内において第２短絡端ＴＳ２からλｇ／
４だけ第１分岐個所の側に戻った個所のＨ面にダイオー
ドＤｉ（これを第１ダイオードとする）を装荷すること
も第１図の実施例の場合と同様である。
第２変調回路において第３短絡回路ＧＢ３は第１変調回
路の第１短絡回路ＧＢＩと同様であり、また第２変調回
路の第４短絡回路ＧＢ４は第１変調回路の第２短絡回路
ＧＢ２に対応し、主導波管ＧＭ、第２サーキュレータＣ
２、第３短絡回路ＧＢ３、第４短絡回路ＧＢ４の立体関
係は、第２図に見るものに準じて第２図の記号Ｃのもの
を第２サーキュレータＣ２に、記号ＧＢ１のものを第３
短絡回路ＧＢ３に、記号ＧＢ２のものを第４短絡回路Ｇ
Ｂ４にそれそれ読み替えたものである。
路の第１短絡回路ＧＢＩと同様であり、また第２変調回
路の第４短絡回路ＧＢ４は第１変調回路の第２短絡回路
ＧＢ２に対応し、主導波管ＧＭ、第２サーキュレータＣ
２、第３短絡回路ＧＢ３、第４短絡回路ＧＢ４の立体関
係は、第２図に見るものに準じて第２図の記号Ｃのもの
を第２サーキュレータＣ２に、記号ＧＢ１のものを第３
短絡回路ＧＢ３に、記号ＧＢ２のものを第４短絡回路Ｇ
Ｂ４にそれそれ読み替えたものである。
ここで、第３短絡回路ＧＢ３の短絡端を第３短絡端ＴＳ
３とし、第４短絡回路ＧＢ４の短絡端を第４短絡端ＴＳ
４とする。また第３短絡回路ＧＢ３のＨ面の１つから第
４短絡回路ＧＢ４をＥ面Ｔ分岐によって分岐し、この分
岐個所を第２分岐個所とする。この第２分岐個所におい
て、第４短絡回路ＧＢ４の第３短絡端ＴＳ３側の管壁の
内面の位置を第３短絡端ＴＳ３からλｇ／２の距離にと
ること、ならびに第２分岐個所において、第３短絡回路
ＧＢ３のＨ面に第３短絡回路ＧＢ３の軸に直交する方向
のスリツ１・Ｓ２（これを第２スリットとする）を設り
ることおよひその第２スリットＳ２が第４短絡回路ＧＢ
４の接合部断面の長辺に平行してその接合部断面内に位
置し、且つ第３短絡回路ＧＢ３の軸方向に沿って接合部
断面の中央部に位置することは、第１変調回路の第１ス
リットＳ１の設定の仕方と同様である。
３とし、第４短絡回路ＧＢ４の短絡端を第４短絡端ＴＳ
４とする。また第３短絡回路ＧＢ３のＨ面の１つから第
４短絡回路ＧＢ４をＥ面Ｔ分岐によって分岐し、この分
岐個所を第２分岐個所とする。この第２分岐個所におい
て、第４短絡回路ＧＢ４の第３短絡端ＴＳ３側の管壁の
内面の位置を第３短絡端ＴＳ３からλｇ／２の距離にと
ること、ならびに第２分岐個所において、第３短絡回路
ＧＢ３のＨ面に第３短絡回路ＧＢ３の軸に直交する方向
のスリツ１・Ｓ２（これを第２スリットとする）を設り
ることおよひその第２スリットＳ２が第４短絡回路ＧＢ
４の接合部断面の長辺に平行してその接合部断面内に位
置し、且つ第３短絡回路ＧＢ３の軸方向に沿って接合部
断面の中央部に位置することは、第１変調回路の第１ス
リットＳ１の設定の仕方と同様である。
第２変調回路においては、第４短絡回路ＧＢ４において
第４短絡端ＴＳ４から３λｇ／８だけ第２分岐個所の側
に戻フた個所の双方のＨ面の間にダイオードＤ２（これ
を第２ダイオードとする）を装荷する。
第４短絡端ＴＳ４から３λｇ／８だけ第２分岐個所の側
に戻フた個所の双方のＨ面の間にダイオードＤ２（これ
を第２ダイオードとする）を装荷する。
第３図の実施例においても第１図の場合と同様に、各短
絡回路ＧＢＩ， ＧＢ２， ＧＢ３， ＧＢ４およびこ
れらの分岐点、これらに装荷するダイオードの接続個所
について、λｇとの関係において示した（ρＩ） ．
（．ｉ！２） ． （ρ３） ． （Ｌｌ） ． （．
ｉ！５） ， （λ６）の長さは、それそれ最も短い
場合（ｍ＝１，ｎ＝Ｏｐ−０）を示してある。
絡回路ＧＢＩ， ＧＢ２， ＧＢ３， ＧＢ４およびこ
れらの分岐点、これらに装荷するダイオードの接続個所
について、λｇとの関係において示した（ρＩ） ．
（．ｉ！２） ． （ρ３） ． （Ｌｌ） ． （．
ｉ！５） ， （λ６）の長さは、それそれ最も短い
場合（ｍ＝１，ｎ＝Ｏｐ−０）を示してある。
第６図の構成の変調回路を２組直列に接続して４相ＰＳ
Ｋ出力を得る場合、各々の変調回路の短絡導波管に接続
したダイ才一トを駆動するとき、所要の論理回路を双方
のダイオートの間に介在させ、且つ双方のダイオードに
印加するパルスが同期する必要があることは既知である
が、第３図の場合もこの事情は同様であって、第１ダイ
オートＤ１、第２ダイオードＤ２に印加する変調信号と
してのパルスＰｉ，Ｐ２については所要の論理回路を介
在させ、且つ周期、パルス幅、位相か一致しているパル
ス列信号を使用する。
Ｋ出力を得る場合、各々の変調回路の短絡導波管に接続
したダイ才一トを駆動するとき、所要の論理回路を双方
のダイオートの間に介在させ、且つ双方のダイオードに
印加するパルスが同期する必要があることは既知である
が、第３図の場合もこの事情は同様であって、第１ダイ
オートＤ１、第２ダイオードＤ２に印加する変調信号と
してのパルスＰｉ，Ｐ２については所要の論理回路を介
在させ、且つ周期、パルス幅、位相か一致しているパル
ス列信号を使用する。
第３図の実施例で、第１変調回路によって（０−π）相
の動作をし・、第２変調回路か（０−π／２）相の動作
をして、その組合せで（０−π／２−π− ３π／２）
相による４相出力を得る。
の動作をし・、第２変調回路か（０−π／２）相の動作
をして、その組合せで（０−π／２−π− ３π／２）
相による４相出力を得る。
第３図において、第１ダイオードＤ１，第２タイオード
Ｄ２に論理回路を経てパルスを印加すると、第１変調回
路については第１図の場合と同様であり、第２変調回路
については第４短絡回路ＧＢ４において第２ダイオード
Ｄ２が第４短絡端ＴＳ４から３λｇ／８の個所にあるの
で、第２ダイオードＤ２のオンのときとオフのときとで
第４短絡回路ＧＢ４内での搬送波の行路差が３λｇ／４
となり、これによって第２ダイ才一ドＤ２のオン・オフ
動作に伴って（０−π／２）相信号が得られる。
Ｄ２に論理回路を経てパルスを印加すると、第１変調回
路については第１図の場合と同様であり、第２変調回路
については第４短絡回路ＧＢ４において第２ダイオード
Ｄ２が第４短絡端ＴＳ４から３λｇ／８の個所にあるの
で、第２ダイオードＤ２のオンのときとオフのときとで
第４短絡回路ＧＢ４内での搬送波の行路差が３λｇ／４
となり、これによって第２ダイ才一ドＤ２のオン・オフ
動作に伴って（０−π／２）相信号が得られる。
従って、第１変調回路と第２変調回路との合成によって
、被変調波出力として４相ＰＳＫ信号を得ることができ
る。
、被変調波出力として４相ＰＳＫ信号を得ることができ
る。
第３図の実施例の場合、第１短絡端ＴＳ １／第３短絡
端ＴＳ３に、必要により、電磁波吸収体ＭＡ１／ＭＡ２
を取付けることにより、４相ＰＳＫ信号出力にお６づる
レヘル等化改善度の増大を図ることは第１図の実施例の
場合と同様である。
端ＴＳ３に、必要により、電磁波吸収体ＭＡ１／ＭＡ２
を取付けることにより、４相ＰＳＫ信号出力にお６づる
レヘル等化改善度の増大を図ることは第１図の実施例の
場合と同様である。
（第３の実施例）
第４図は、この発明の第３の実施例を示すもので、第３
図におりる第４短絡回路ＧＢ４において、第２ダイオー
ドＤ２を第４短絡端ＴＳ４からλｇ／Ｂの個所に装荷し
たものである。
図におりる第４短絡回路ＧＢ４において、第２ダイオー
ドＤ２を第４短絡端ＴＳ４からλｇ／Ｂの個所に装荷し
たものである。
第４図の構成な導波管（矩形断面、ＴＥ，ｏモートによ
って実施するについての第１ 変［］路、第２変調回路
の各々の立体構成が第２図に示すものに従うことは、第
３図の実施例の場合と同様であり、この第４図の実施例
の場合、第４短絡回路ＧＢ４の第２ダイオートＤ２の装
荷点か異る以外は第３図の実施例の場合と同様である。
って実施するについての第１ 変［］路、第２変調回路
の各々の立体構成が第２図に示すものに従うことは、第
３図の実施例の場合と同様であり、この第４図の実施例
の場合、第４短絡回路ＧＢ４の第２ダイオートＤ２の装
荷点か異る以外は第３図の実施例の場合と同様である。
なお、第４図は慣用の簡略図法によって示した。
第４図において、第１ダイ才一ドＤ１、第２ダイオード
Ｄ２に所要の論理回路を介してパルス信号を印加したと
き、第２ダイオードＤ２がオンのときとオフのときとで
第４短絡回路ＧＢ４内における搬送波の行路差が％λｇ
になるので、この第４短絡回路ＧＢ４によって（Ｏ−π
／２）相の信号を得られるから、第１変調回路と第２変
調回路との合成によって被変調波出力に４相ＰＳＫ信号
を得ることかでぎる。
Ｄ２に所要の論理回路を介してパルス信号を印加したと
き、第２ダイオードＤ２がオンのときとオフのときとで
第４短絡回路ＧＢ４内における搬送波の行路差が％λｇ
になるので、この第４短絡回路ＧＢ４によって（Ｏ−π
／２）相の信号を得られるから、第１変調回路と第２変
調回路との合成によって被変調波出力に４相ＰＳＫ信号
を得ることかでぎる。
第１短絡端ＴＳ １／第３短絡端ＴＳ３に、必要により
、電磁波吸収体ＭＡＩ／ＭＡ２を取付けることの意味は
第３図の場合と同様である。
、電磁波吸収体ＭＡＩ／ＭＡ２を取付けることの意味は
第３図の場合と同様である。
［発明の効果コ
第１図の実施例の場合で、第１短絡端に電磁波吸収体を
取付けていないとき、前述の如く、第６図の従来構成の
ものに比して、ダイオードＤのオン・オフ動作に伴う被
変調波出力の振幅等化度は約４ｄＢ改善される。
取付けていないとき、前述の如く、第６図の従来構成の
ものに比して、ダイオードＤのオン・オフ動作に伴う被
変調波出力の振幅等化度は約４ｄＢ改善される。
第１図の回路構成について電磁波吸収体を第１短絡端に
取付けた場合は、この改善度合いがさらに増大される。
取付けた場合は、この改善度合いがさらに増大される。
第５図は、第１図の回路構成によって実験した場合の例
を示すものてあり、この例の場合、電磁波吸収体は、面
積が第１短絡端（導波管断面）の面積の約１０％、形状
は大よそ円形、材質はカーボン含浸スヂロール、第１短
絡端の略中夫に置いたものであり、９ ＧＨｚ付近の周
波数で試行している。
を示すものてあり、この例の場合、電磁波吸収体は、面
積が第１短絡端（導波管断面）の面積の約１０％、形状
は大よそ円形、材質はカーボン含浸スヂロール、第１短
絡端の略中夫に置いたものであり、９ ＧＨｚ付近の周
波数で試行している。
この第５図は、中心周波数ｆ０においてダイオードがオ
ンのときのレベルとオフのときの被変調波出力のレベル
を一致させて、中心周波数ｆ．の上下に周波数が△ｆ偏
移したときのダイオードのオンとオフとに伴う被変調波
出力のレベルの差の変化を示すものである。
ンのときのレベルとオフのときの被変調波出力のレベル
を一致させて、中心周波数ｆ．の上下に周波数が△ｆ偏
移したときのダイオードのオンとオフとに伴う被変調波
出力のレベルの差の変化を示すものである。
第５図に見るように、中心周波数から上下に偏移しても
、ダイ才一ドのオン・オフ動作に伴う被変調波出力の振
幅差はあまり変らないので微調整を行うことができる。
、ダイ才一ドのオン・オフ動作に伴う被変調波出力の振
幅差はあまり変らないので微調整を行うことができる。
第３図、第４図による４相ＰＳＫ出力を得る場合も、第
１変調回路、第２変調回路の各々において、第１短絡＠
／第３短絡端に電磁波吸収体を装填すれは、同様に被変
調波出力の等化改善度が増犬ずる。
１変調回路、第２変調回路の各々において、第１短絡＠
／第３短絡端に電磁波吸収体を装填すれは、同様に被変
調波出力の等化改善度が増犬ずる。
なお、電磁波吸収体は、その面積、形状、厚さ、取付位
置、彬Ｌ加工処理などについて所要最適のものを見出す
には実験試行を経る必要がある。
置、彬Ｌ加工処理などについて所要最適のものを見出す
には実験試行を経る必要がある。
また、第１図、第３図、第４図の各変調回路は、第６図
の変調回路に比して、被変調波出力のスイッチ比が改善
されている。
の変調回路に比して、被変調波出力のスイッチ比が改善
されている。
第１図はこの発明の第１の実施例を示す回路構成図、第
２図は第１図の実施例の立体構成の一部を示す部分斜視
図、第３図はこの発明の第２の実施例を示す回路構成図
、第４図はこの発明の第３の実施例を示す回路構成図、
第５図は第１図の実施例の場合の実験結果を示すグラフ
、第６図は従来例を説明する回路構成図である。 ＧＭ・・・主導波管 Ｃ・・・サーキュレータ Ｃ１・・・第１サーキュレータ Ｃ２・・・第２サーキュレータ ＧＢ・・・短絡導波管 ＧＢ１・・・第１短絡回路 ＧＢ２・・・第２短絡回路 ＧＢ３・・・第３短絡回路 ＧＢ４・・・第４短絡回路 ＴＳ・・・短絡端 ＴＳＩ・・・第１短絡端 ＴＳ２・・・第２短絡端 ＴＳ３・・・第３短絡端 ＴＳ４・・・第４短絡端 Ｓ・・・スリット Ｓ１・・・第１スリット Ｓ２・・・Ｓ２スリット Ｄ・・・ダイオード Ｄ１・・・第１ダイオード Ｄ２・・・第２ダイオード ＭＡ ＭＡ１．ＭＡ２・・・電磁波吸収体一（第３図
中の黒矢印）・・・電気力線の代表表示他４名 手続補正書 平成 ／年 Ｋ月 ２日
２図は第１図の実施例の立体構成の一部を示す部分斜視
図、第３図はこの発明の第２の実施例を示す回路構成図
、第４図はこの発明の第３の実施例を示す回路構成図、
第５図は第１図の実施例の場合の実験結果を示すグラフ
、第６図は従来例を説明する回路構成図である。 ＧＭ・・・主導波管 Ｃ・・・サーキュレータ Ｃ１・・・第１サーキュレータ Ｃ２・・・第２サーキュレータ ＧＢ・・・短絡導波管 ＧＢ１・・・第１短絡回路 ＧＢ２・・・第２短絡回路 ＧＢ３・・・第３短絡回路 ＧＢ４・・・第４短絡回路 ＴＳ・・・短絡端 ＴＳＩ・・・第１短絡端 ＴＳ２・・・第２短絡端 ＴＳ３・・・第３短絡端 ＴＳ４・・・第４短絡端 Ｓ・・・スリット Ｓ１・・・第１スリット Ｓ２・・・Ｓ２スリット Ｄ・・・ダイオード Ｄ１・・・第１ダイオード Ｄ２・・・第２ダイオード ＭＡ ＭＡ１．ＭＡ２・・・電磁波吸収体一（第３図
中の黒矢印）・・・電気力線の代表表示他４名 手続補正書 平成 ／年 Ｋ月 ２日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ バスレングス型の変調回路において、第１短絡回路
の短絡端から［ｍ×１／２×波長：ｍは正の整数：以下
同じ］の長さの個所で［ｍ×１／２×波長］の長さの第
２短絡回路をスリット結合により分岐し、上記第２短絡
回路の第２短絡端から［１／４（２ｎ＋１）×波長：ｎ
は０または正の整数、以下同じ］の長さの個所にスイッ
チ用のダイオードを接続したことを特徴とする超高周波
変調回路。 ２ 請求項１記載の超高周波変調回路を直列に接続し、
第１変調回路において第１短絡回路の第１短絡端から［
ｍ×１／２×波長］の長さの個所で［ｍ×１／２×波長
］の長さの第２短絡回路をスリット結合により分岐し、
上記第２短絡回路の第２短絡端から［１／４（２ｎ＋１
）×波長］の長さの個所にスイッチ用の第１のダイオー
ドを接続し、第２変調回路において第３短絡回路の第３
短絡端から［ｍ×１／２×波長］の長さの個所で［ｍ×
１／２×波長］の長さの第４短絡回路をスリット結合に
より分岐し、上記第４短絡回路において第４短絡端から
［（１／２ｐ±１／８）×波長：ｐは０または正の整数
。但し、ｐ＝０のとき複号は正号のみ適用。以下同 じ］の長さの個所にスイッチ用の第２のダイオードを取
付けたことを特徴とする超高周波変調回路。 ３ 請求項１記載の超高周波変調回路において、第１短
絡端に電磁波吸収体を取付けたことを特徴とする超高周
波変調回路。 ４ 請求項２記載の超高周波変調回路において、第１短
絡端／第３短絡端に電磁波吸収体を取付けたことを特徴
とする超高周波変調回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1058895A JPH0693703B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 超高周波変調回路 |
| US07/483,566 US5017893A (en) | 1989-03-10 | 1990-02-22 | Microwave modulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1058895A JPH0693703B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 超高周波変調回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02237340A true JPH02237340A (ja) | 1990-09-19 |
| JPH0693703B2 JPH0693703B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=13097528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1058895A Expired - Lifetime JPH0693703B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 超高周波変調回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5017893A (ja) |
| JP (1) | JPH0693703B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3117598B2 (ja) | 1994-03-15 | 2000-12-18 | アルプス電気株式会社 | 平衡型誘電体フィルタ及び平衡型誘電体フィルタを用いた高周波回路 |
| RU2107384C1 (ru) * | 1996-09-24 | 1998-03-20 | Алексей Иванович Маматов | Свч-модулятор |
| DE10202824A1 (de) * | 2002-01-24 | 2003-07-31 | Marconi Comm Gmbh | Hohlleiter-Koppelvorrichtung |
| JP3892461B2 (ja) * | 2002-07-08 | 2007-03-14 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 光ファイバーコネクタおよびその製造方法、並びに光接続装置 |
| JP5858176B2 (ja) | 2013-01-08 | 2016-02-10 | 株式会社村田製作所 | スペクトラム拡散通信装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5018354A (ja) * | 1973-05-14 | 1975-02-26 | ||
| JPS5033758A (ja) * | 1973-07-26 | 1975-04-01 |
-
1989
- 1989-03-10 JP JP1058895A patent/JPH0693703B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-02-22 US US07/483,566 patent/US5017893A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5018354A (ja) * | 1973-05-14 | 1975-02-26 | ||
| JPS5033758A (ja) * | 1973-07-26 | 1975-04-01 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5017893A (en) | 1991-05-21 |
| JPH0693703B2 (ja) | 1994-11-16 |
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