JPH02237483A - 熱電発電装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、熱電発電装置に関するもので、詳しくは、タ
ービンや発電機を介さないで、熱エネルギーを直接電気
エネルギーに変換する装置に関するものである。

〔従来の技術〕

従来の熱エネルギーを電気エネルギーに変換する原子力
発電設備は、たとえば、第１２図に示すような構成から
なっている。

第１２図において、６１は原子炉格納容器、６２は原子
炉、６３は１次系高温溶融ナトリウムライン、６４は中
間熱交換器、６５は２次系高温溶融ナトリウムライン、
６６は高温高圧の蒸気発生器、６７は蒸気ライン、６８
は蒸気タービン、６９は交流発電機、７０は電力送電ラ
インである。

すなわち、原子炉６２で加熱された１次系高温溶融ナト
リウムは中間熱交換器６４で２次系高温溶融ナトリウム
と熱交換し、この熱交換した２次系高温ナトリウムは蒸
気発生器６６で水を加熱して蒸気を発生させる。この蒸
気は蒸気タービン６８に供給され、該タービン６８は回
転して交流発電機６９を回転駆動し、該発電機６９で交
流電力が発生されて電力送電ライン７０から需用先に供
給される。

〔発明が解決しようとする課題〕

前述のように、熱エネルギーを電気エネルギーに変換す
る従来の技術においては、中間熱交換器６４、蒸気発生
器６６、蒸気タービン６８、発電機６９などを必要とす
るので、設備としては、多数の機器およびそれに伴なう
多くの配管などを必要とし、かつ、それらの保守や点検
などに多くの費用がかかるという問題点がある。また可
動部分による機械的損失および騒音゛などにも問題点が
ある。

本発明は、このような問題点を解決しようとするもので
ある。すなわち、本発明は、熱を直接電気に変換するこ
とによって、蒸気発生器、タービン、発電機などが不要
となり、静的化ならびに単純化が可能となって、保守や
点検が容易となるとともに、安全性および信転性を大幅
に向上させることができる熱電発電装置を提供すること
を目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、．本発明の熱電発電装置は
、内面に高温流体が接触して流れるようにして該高温流
体の流路を形成している熱の導体である壁体と、該壁体
の外面に密着された薄膜型の熱電素子集合体とを有し、
かつ、該熱電素子集合体の外面に接触して低温流体が流
れるようにした熱電発電器を備え、しかも、前記熱電素
子集合体が、該壁体の外面に密着されて電気的には不良
導体で熱的には良導体である第１薄膜層と、該第１薄膜
層の外面に密着されて電気的にも熱的にも良導体である
第２薄膜層と、該第２薄膜層の外面に密着されて電気的
にも熱的にも不良導体であるものを介してＰ型アモルフ
ァス半導体熱電素材とＮ型アモルファス半導体熱電素材
が対をなしている熱電素子の多数からなる第３薄膜層と
、該第３薄膜層の外面に密着されて電気的にも熱的にも
良導体である第４薄膜層と、該第４薄膜層の外面に密着
されて電気的には不良導体で熱的には良導体である第５
薄膜層とからなり、さらに、前記第３薄膜層の各Ｐ型ア
モルファス半導体熱電素材と各Ｎ型アモルファス半導体
熱電素材が該第２薄膜層と第４薄膜層によって高温側と
低温側と交互に順に電気的に接続されて全体として直列
に接続されているものとした。

〔作　用〕

本発明によれば、内面に高温流体が接触して流れるよう
にして該高！！流体の流路を形成している熱の導体であ
る壁体と、該壁体の外面に密着された熱電素子集合体と
を有し、かつ、該熱電素子集合体の外面に接触して低温
流体が流れるようにしだ熱電発電器を備えているので、
前記高温流体の流路に高温流体を流すことによって、該
熱電素子集合体の各熱電素子の高温側に連続的に熱が与
えられ、同時に、該熱電素子集合体の外面に接触させて
低温流体を流すことによって前記各熱電素子の低温側か
ら熱が連続的に奪われる。これによって、前記各熱電素
子には起電力が発生する。しかも、前記各熱電素子は電
気的に直列に接続されているので、その起電力の総和の
比較的大きな直流電力が得られる。また前記熱電素子集
合体は薄膜型であるため、高温流体からの該熱電素子へ
の熱の伝達および・該熱電素子からの低温流体への熱の
伝達が良好であって、熱電発電のための熱利用効率が向
上し、かつ、熱電発電装置の小型化が可能となるととも
に、製作上のコストダウンを図ることができる。

〔実施例〕

第１図は本発明の第１実施例を示している。

第１図において、１は原子炉格納容器、２は原子炉、３
は後述する熱電発電装置、４は溶融ナトリウム供給ライ
ン、５は溶融ナトリウム排出ライン、６は電磁ボンブ、
７は冷却水供給ライン、８は冷却水排出ライン、９は直
流を交流に変換する変換器、１０は電力送電ラインであ
る。

すなわち、原子炉２で約５００゜Ｃに加熱された高温溶
融ナトリウムは、熱電発電装置３に連続的に供給され、
熱電発電装置３の後述する高温側を加熱して約４００゜
Ｃに低下し、電磁ボンブ６によって高温溶融ナトリウム
排出ライン５から原子炉２に戻される。一方、海水など
の約２５゜Ｃの冷却水は、冷却水供給ライン７から流入
し、熱電発電装置３の後述する低温側を冷却して約３２
゜Ｃとなって冷却水排出ライン８から排出される。

これによって、熱電発電装置３の熱電素子に起電力が発
生し、その直流電力は変換器９によって交流電力に変換
されて電力送電ライン１０から需用先へ送電される。

第２図は前記熱電発電装置３０半導体による熱電発電の
原理の説明図で、１１はＰ型アモルファス半導体熱電素
材、ｌ２はＮ型アモルファス半導体熱電素材、１３は電
気絶縁物、１４は正孔（＋）、１５は電子（−）、１６
は導線、１６ａは高温側電気導体、１６ｂ，１６ｃは低
温側電気導体、１７は電球である。

この熱電発電の原理は、公知の温度測定用の熱電対と同
様に、前記両熱電素材１１　．　１２の高温側と低温側
の温度差によって、前記両熱電素材１１　．　１２の間
に起電力が発生し、これに電球ｌ７を接続すれば点灯す
る。

この熱電発電効率は、性能指数Ｚが大きいほど、理想効
率（カルノー効率）に近づき、また温度差が大きいほど
、効率が上昇する。

ここで、性能指数Ｚは次の式で表わされる。

Ｋ ただし、 したがって、上記（１）式から、熱雷素子は、ゼーベツ
ク係数が大きく、電気を良く通し、熱は通さない物質が
望ましい。

第１表は主な物質の性能指数を表わしている。

第３図は熱電発電の熱効率ηと性能指数Ｚとの関係を示
している。

前記第１表と第３図から、アモルファスＰｅＳｉｚは性
能指数Ｚが１０−”であり、また原料も安価であるため
、アモルファス半導体熱電素材としては、前記ＦｅＳｉ
ｚが望ましい。

第４図は第１図の熱電発電装置３を示した一部切欠正面
断面図である。

第４図において、１８は円筒状の外殻、１９は主管板、
２０は補助管板、２１は後述する熱電発電器、２２は第
１図の溶融ナトリウム供給ライン４を接続するナトリウ
ム人口、２３は同じく溶融ナトリウム排出ライン５を接
続するナトリウム出口、２４は第１図の冷却水供給ライ
ン７を接続する冷却水入口、２５は同じく冷却水排出ラ
イン８を接続する冷却水出口、２６は該外殻ｌ８内での
冷却水の上昇流を蛇行状にするための邪魔板、２７は該
主管板１９と補助管板２０の間に設けられて気体を封入
するための気体入口である。

そして、熱電発電器２１は多数立設されており、各熱電
発電器２ｌは電気的に並列に接続されている。

第５図は第４図の熱電発電器２１を拡大して示した一部
切欠正面断面図である。

熱電発電器２ｌは、内面に高温溶融ナトリウムが接触し
て流れるようにして該高温溶融ナトリウムの流路を形成
している熱良導体の円管２９と、この円管２９の壁体で
ある管壁３０の外面に密着された薄膜型の熱電素子集合
体３１とを有し、この熱電素子集合体３．１の外面に接
触して低温流体である海水などの冷却水が流れるように
なっている。つまり、この実施例では、熱電発電器２ｌ
の高温流体の流路が円管型のもので形成されている。

そして、熱電素子集合体３１は、第１薄膜層３２、第２
薄膜層３３、第３薄膜層３４、第４薄膜層３５、第５薄
膜層３６からなっている。

前記第１薄膜層３２は、管壁３０の外周面に密着された
酸化ベリリウム薄膜まははダイヤモンド薄膜などの電気
的には不良導体で熱的には良導体である薄膜からなって
いる。

前記第２薄膜層３３は、第１薄膜層３２の外周面に密着
された銅薄膜などの電気的にも熱的にも良導体である薄
膜からなっている。

前記第３薄膜Ｎ３４は、第２薄′膜Ｎ３３の外周面に密
着されていて、電気的にも熱的にも不良導体である絶縁
物３７を介してＰ型アモルファスＦｅＳｉ．半導体熱電
素材３８とＮ型アモルファスＦｅＳｉｚ半導体熱電素材
３９が対をなしている薄膜の熱電素子４０の多数からな
っている。

前記第４薄膜層３５は、第３薄膜層３４の外周面に密着
された銅薄膜などの電気的にも熱的にも良導体である薄
膜からなっている。

前記第５薄膜層３６は、第４薄膜層３５の外周面に密着
された酸化ベリリウム薄膜またはダイヤモンド薄膜など
の電気的には不良導体で熱的には良導体である薄膜から
なっている。

しかも、前記第３薄膜層３４の各Ｐ型アモルファスＦｅ
Ｓｉ．半導体熱電素材３８と各Ｎ型アモルファスＦｅＳ
ｉｚ半導体熱電素材３９が第２薄膜層３３ど第４薄膜層
３５によって高温側と低温側と交互に順に電気的に接続
されて全体として直列に接続されている。

なお前記各薄膜Ｎ３２　，　３３　，　３４　，　３５
　．　３６の密着手段は、たとえば、ＰＶＤ　（フイジ
カル・ベーバー・デポジション）法、ＣＶＯ　　（ケミ
カル・ベーバー・デポジション）法、溶射法などによる
ことが好ましく、また熱電素子集合体３１の厚さは２ｍ
ｍ以下の薄膜型にすることが望ましい。

第５図に示すように構成された熱電発電器２１において
は、高温溶融ナトリウムが円管２９を流下することによ
って、熱電素子集合体３１の各熱電素子４０の高温側が
加熱され、同時に各熱電素子４０の低温側が冷却水によ
って冷却されるので、第２図で説明したように、各熱電
素子４０には起電力が発生し、しかも、各熱電素子４０
は電気的に直列に接続されているので、その起電力の総
和の直流電力が得られる。また第４図にみ′られる主管
板ｌ９、補助管板２０、円管２９の間を気密構造とし、
第４図および第５図の矢印２８で示すように、ＨｅやＮ
！等の不活性ガスを封入し、導線１６の絶縁性を良好に
する。

第６図は本発明の第２実施例を示した熱電発電装置３の
一部切欠正面断面図であり、第７図は第６図の熱電発電
器２ｌを拡大して示した一部切欠正面断面図である。

この第６図が前述の第４図と異なる点は、外殻１８の下
部では、管仮については、主管板１９だけであり、上部
では、主管ｖｉ．１９と補助管板２０の間に中間管仮４
２を設け、また第７図に示すように、高温溶融ナトリウ
ムを流す円管が、内側円管４３と外側円管４４の２重管
からなり、それらを支持材４１で支持している。そして
、高温溶融ナトリウムが内側円管４３では下降流となり
、外側円管４４では上昇流となる。．したがって、第６
図に示すように、ナトリウム出口２３を主管板ｌ９と中
間管板４２の間に設け、冷却水人口２４を比較的上方に
設け、冷却水出口２５を比較的下方に設けたことである
。

このように、高温溶融ナトリウムを流す円管を内側円管
４３と外側円管４４にすることにより、上部はナトリウ
ム（Ｎａ）のみの領域、下部は冷却水の領域と、Ｎａ・
水の分離が行なわれ、Ｎａ・水の反応の発生が防げる。

その他は、第４図および第５図に示した第１実施例と同
様である。

第８図は本発明の第３実施例を示している。

この第３実施例の熱電発電器２１は高温流体である高温
溶融ナトリウムの流路４５を形成している熱良導体の壁
体４６が平板型のものからなっていて、その外面に薄膜
型の熱電素子集合体３Ｉが密着されている。

すなわち、この第３実施例では、第５図に示した円管型
を平板型にしたものに相当する。つまり、形状が異なる
だけで、熱電素子集合体３ｌは、第５図の場合と同様な
第１薄膜層３２、第２薄膜層３３、第３薄膜層３４、第
４薄膜［３５、第５薄膜層３６が順に密着されたものか
らなっており、また前記第３薄膜層３４の各Ｐ型アモル
ファスＦｅＳｉｚ半導体熱電素材３８と各Ｎ型アモルフ
ァスＦｅＳ　ｉ．半導体熱電素材３９が第２薄膜層３３
と第４薄膜層３５によって高温側と低温側と交互に順に
電気的に接続されて全体として直列に接続されている。

第９図は第８図の熱電発電器２１の多数を外殻４７に組
み込んだ一例を示している。

第９図に示すように構成された熱電発電装置においては
、第４図および第５図の説明と同様に、高温溶融ナトリ
ウムが外殻４７のナトリウム人口２２から入り、熱電発
電器２１の流路４５を連続的に通ることによって、熱電
素子集合体３１の各熱電素子４０の高温側が加熱され、
ナトリウム出口２３から出る。同時に、各熱電素子４０
の低温側が冷却水人口２４から流入して冷却水出口２５
から流出する冷却水によって連続的に冷却されるので、
各熱電素子４０には起電力が発生する。

第１０図は本発明の第４実施例を示している。

この第４実施例では、円筒状の外殻ｌ８にガス入口４８
とガス出口４９を設け、高温流体として高温ヘリウムを
使用する場合である。すなわち、第１０図に示した実施
例が第４図に示した実施例と異なるのは、高温流体の種
類が異なるだけで、？の他の点は、第４図の場合と同様
である。

第１１図は本発明の第５実施例の熱電素子のみを示した
もので、第１１図（ａ）は平面図、第１１図（ｂ）は断
面図、第１１図（Ｃ）は各部分の温度こう配の説明図、
第１１図（ｄ）は性能指数と温度の関係の説明図である
。

これは、特性の異なるアモルファスＰｅｓｔ２半導体熱
電素材ｉ　　ＩＩ，　ＩＩＩを多層域化することにより
、熱を有効利用することができる熱電素子５０を示して
いる。

第１１図において、５ｌは絶縁物、５２は高温側の導体
、５３は低温側の導体であり、また低温側の導体５３で
の温度はＴ。、高温側の導体５２での温度はＴ３、その
中間では温度がＴ，とＴ，であり、それぞれ、第１１図
（Ｃ）のように、Ｔｏ＜Ｔ＋　＜Ｔｚ　＜Ｔ３の関係に
ある。

すなわち、熱電素子５０内の温度こう配に適合するよう
な温度依存性を有する性能指数を持ったそれぞれのアモ
ルファスＦｅＳｉ■半導体熱電素材を一体構造に成型す
る。

このようにすると、取り出されるエネルギーは以下のよ
うになる。

起電力をＥ、温度をＴ、それぞれの性能指数をＺＡ，Ｚ
ｍ．Ｚｃ　とすると、 Ｅづ：二Ｚ　（Ｔ）ｄ　　Ｔ 二のため、１つの材料を使用するより、はるかに大きな
起電力が得られる。第１１図（ｄ）のＡ，ＢＣとしては
、それぞれＣｚＨｔ，Ｏｚプラズマ雰囲気中で作られた
アモルファスＦｅＳ　ｉ．半導体熱電素材等が考えられ
る。

なお前述の各実施例では、高温流体として、高温溶融ナ
トリウム（Ｎａ）または高温ヘリウム（Ｈｅ）を使用す
る場合を例示したが、これらはリチウム（Ｌｉ）やナッ
ク（ＮａＫ）あるいは燃焼ガスまたは燃焼排ガスなどを
使用してもよく、また低温流体として冷却水を使用する
場合を例示したが、これは冷却空気などを使用してもよ
い。さらに、第４図、第６図または第１０図などでは、
各熱電発電器２ｌの間が、電気的に並列に接続されてい
るが、これらは並列以外に、直列あるいは直列と並列を
組み合わせたものでもよい。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、内面に高温流体
が接触して流れるようにして該高温流体の流路を形成し
ている熱の導体である壁体と、該壁体の外面に．密着さ
れた熱電素子集合体とを有し、かつ、該熱電素子集合体
の外面に接触して低温流体が流れるようにしだ熱電発電
器を備えているので、前記高温流体の流路に高温流体を
流すことによって、該熱電素子集合体の各熱電素子の高
温側に連続的に熱が与えられ、同時に、該熱電素子集合
体の外面に接触させて低温流体を流すことによって前記
各熱電素子の低温側から熱が連続的に奪われる。これに
よって、前記各熱電素子には起電力が発生する。しかも
、前記各熱電素子は電気的に直列に接続されているので
、その起電力の総和の比較的大きな直流電力が得られる
。また前記熱電素子集合体は、順に密着された第１薄膜
層、第２薄膜層、第３薄膜層、第４薄膜層、第５薄膜層
からなる薄膜型であるため、高温流体からの該熱電素子
への熱の伝達および該熱電素子からの低温流体への熱の
伝達が良好であり、つまり、前記各層が薄膜であること
と、それらの層および該第１薄膜層が前記壁体に密着さ
れていることとによって、前記各層およびそれらの眉間
の熱抵抗が著しく小さいため、熱の通過量を増大するこ
とができて、アモルファス半導体熱電素材等で構成され
ている前記第３薄膜層の高温側と低温側の温度差が、高
温流体の流路を形成している前記壁体の外面と低温流体
の温度差に、ほぼ等しくなり、したがって、前記第３薄
膜層が薄膜にもかかわらず、熱電発電のための熱利用効
率が向上する。しかも、電気的にも、前記第３薄膜層が
薄膜であるため、熱電素子の内部抵抗が小さくなり、そ
れだけ大きな直流電力をとり出すことができる。さらに
、構造的にも、熱電発電装置の小型化が可能となるとと
もに、必要な材料費を低減することができて、製作上の
コストダウンを図ることができる。また前記熱電素子集
合体が壁体に密着している該熱電素子集合体の第１薄膜
層は、電気的には不良導体で熱的には良導体であるため
、高温流体の流路を形成している前記壁体を電気伝導度
の良い金属製にしても、該壁体は、電気の良導体である
前記第２薄膜層との間で、電気的には絶縁されているの
で、全く支障がなく、しかも、高温流体は該壁体の内側
を流れ、低温流体は該熱電素子集合体の外側を流れるた
め、該熱電素子集合体は高温流体に直接接触することが
なく、高温流体による損傷が避けられ、長期使用に供す
ることができる。

このように、本発明によれば、タービンや発電機を介さ
ないで、熱エネルギーを直接電気エネルギーに変換する
ことができるので、タービンや発電機およびその付属機
器ならびに長い配管などが不要となって、静的化ならび
に単純化が可能となり、したがって、設備費を著しく低
減することができ、かつ、保守や点検などが容易となり
、また安全性および信鎖性を大幅に向上させることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例を示した説明図、第２図は
熱電発電の原理の説明図、第３図は熱電発電の熱効率と
性能指数との関係の説明図、第４図は第１図の熱電発電
装置を示した一部切欠正面断面図、第５図は第４図の熱
電発電器を拡大して示した一部切欠正面断面図、第６図
は本発明の第２実施例を示した熱電発電装置の一部切欠
正面断面図、第７図は第６図の熱電発電器を拡大して示
した一部切欠正面断面図、第８図は本発明の第３実施例
の熱電発電器のみを示した一部切欠斜視図、第９図は第
８図の熱電発電器を用いた熱電発電装置の断面図、第１
０図は本発明の第４実施例を示した熱電発電装置の一部
切欠正面断面図、第１１図（ａ），　（ｂ），　（ｃ）
，　（ｄ）は本発明の第５実施例の熱電素子のみを示し
た説明図、第１２図は従来の技術の一例を示した説明図
である。 ２・・・原子炉、　　　　　３・・・熱電発電装置、４
・・・溶融ナトリウム供給ライン、 ５・・・溶融ナトリウム排出ライン、 ７・・・冷却水供給ライン、 ８・・・冷却水排出ライン、 １０・・・電力送電ライン、２１・・・熱電発電器、２
２・・・ナトリウム入口、２３・・・ナトリウム出口、
２４・・・冷却水入口、　　２５・・・冷却水出口、２
９・・・円管、　　　　　３０・・・管壁、３１・・・
熱電素子集合体、３２・・・第１薄膜層、３３・・・第
２薄膜層、　　３４・・・第３薄膜層、３５・・・第４
ＦＩＭ層、　　　３６・・・第５薄膜層、３７・・・絶
縁物、 ３８・・・Ｐ型アモルファスＦｅＳｉｚ半導体熱電素材
、３９・・・Ｎ型アモルファスＦｅＳｉｚ半導体熱電素
材、４０・・・熱電素子、　　　　４３・・・内側円管
、４４・・・外側円管、　　　　４５・・・流路、４６
・・・壁体、　　　　　５０・・・熱電素子。 茶 図 高　ｉそｉイ到　２饗し４ジ！（’Ｃ）茶 図 Ｕ 隼 図 茅 図 Ｌ −ｈ ｌ３ 第 閉

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、内面に高温流体が接触して流れるようにして該高温
   流体の流路を形成している熱の導体である壁体と、該壁
   体の外面に密着された薄膜型の熱電素子集合体とを有し
   、かつ、該熱電素子集合体の外面に接触して低温流体が
   流れるようにした熱電発電器を備え、しかも、前記熱電
   素子集合体が、該壁体の外面に密着されて電気的には不
   良導体で熱的には良導体である第１薄膜層と、該第１薄
   膜層の外面に密着されて電気的にも熱的にも良導体であ
   る第２薄膜層と、該第２薄膜層の外面に密着されて電気
   的にも熱的にも不良導体であるものを介してＰ型アモル
   ファス半導体熱電素材とＮ型アモルファス半導体熱電素
   材が対をなしている熱電素子の多数からなる第３薄膜層
   と、該第３薄膜層の外面に密着されて電気的にも熱的に
   も良導体である第４薄膜層と、該第４薄膜層の外面に密
   着されて電気的には不良導体で熱的には良導体である第
   ５薄膜層とからなり、さらに、前記第３薄膜層の各Ｐ型
   アモルファス半導体熱電素材と各Ｎ型アモルファス半導
   体熱電素材が該第２薄膜層と第４薄膜層によつて高温側
   と低温側と交互に順に電気的に接続されて全体として直
   列に接続されていることを特徴とする、熱電発電装置。 ２、高温流体を加熱する熱源として原子炉を有する請求
   項１記載の熱電発電装置。 ３、高温流体が高温溶融金属である請求項１または２記
   載の熱電発電装置。 １４、高温溶融金属が高温溶融ナトリウムである請求項
   ３記載の熱電発電装置。 ５、高温流体が高温ガスである請求項１または２記載の
   熱電発電装置。 ６、高温ガスが高温ヘリウムである請求項５記載の熱電
   発電装置。 ７、高温ガスが高温燃焼ガスである請求項５記載の熱電
   発電装置。 ８、高温ガスが高温燃焼排ガスである請求項５記載の熱
   電発電装置。 ９、低温流体が水である請求項１、２、３、４、５、６
   、７または８記載の熱電発電装置。 １０、多数の熱電発電器を有し、かつ、それら熱電発電
   器間の電気的接続が、直列、並列、直列と並列の組み合
   わせ、のいずれかになつている請求項１、２、３、４、
   ５、６、７、８または９記載の熱電発電装置。 １１、円管型のもので高温流体の流路が形成されている
   請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０
   記載の熱電発電装置。 １２、平板型のもので高温流体の流路が形成されている
   請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０
   記載の熱電発電装置。 １３、Ｐ型アモルフアス半導体熱電素材およびＮ型アモ
   ルファス半導体熱電素材が、ともに、ＦｅＳｉ＿２から
   なる請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０
   、１１または１２記載の熱電発電装置。 １４、高温流体を流す流路が２重管で形成されている請
   求項１１記載の熱電発電装置。