JPH02238648A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH02238648A
JPH02238648A JP1059109A JP5910989A JPH02238648A JP H02238648 A JPH02238648 A JP H02238648A JP 1059109 A JP1059109 A JP 1059109A JP 5910989 A JP5910989 A JP 5910989A JP H02238648 A JPH02238648 A JP H02238648A
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spinner table
frame
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Hisahiro Okamoto
九弘 岡本
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要] 本発明はフルカット後のウェハーの洗浄と紫外線照射を
同時に行う半導体装置の製造方法に関し,スループット
の短縮,シリコン片の付着防止,テープの温度上昇を防
ぐことを目的とし,UVテープに貼り付けたウェハーを
フルカットした後,該ウェハーのスピンナーによる水洗
と紫外線照射を同時に行うことにより構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明はフルカット後のウェハーの洗浄と紫外線照射を
同時に行う半導体装置の製造方法に関する。
近年,集積回路の高集積化とともに,高い信頼性が要求
されている。
このため,ウェハーのダイシング工程において,ウェハ
ーをフルカットし,チップをピックアップする方法が主
流になっているが,スルーブットが長くなり,ダイシン
グ時に使用するダイシング用UVテープに対して紫外線
を照射した時に,  UVテープに温度が加わり,伸び
てテープが撓み,チップ同士の端がぶつかり欠けてしま
う。
又,ピックアップの際に,溝の中のシリコン片が飛び出
し,電極パッド間のショートの問題となるため,これら
の問題を除去する必要がある。
〔従来の技術〕
第3図は従来例の工程順説明図である。
25はUVテープ,26はフレーム,27はウェハー2
8はスピンナーテーブル,29は送水パイプ,30は送
りテーブル,31はランプハウス,32は紫外線ランプ
,33はビックアップ用の針,34はチップ135はコ
レットである。
先ず,第1図(a)に示したように,UVテープ25を
フレーム26に皺の寄らないようにして貼り,UVテー
プ25にウェハー27の裏面を貼り付ける。
次に,第十図(b)に示すように,フレーム26をダイ
サーにセットして,ツールでウェハー27をフルカット
する。
フルカットしたウェハー27は,UVテープ25に貼り
つけたまま,第q図(C)に示すように,フレーム26
毎,スピナー洗浄機のスピンナーテーブル28にセット
し,送水パイプ29より噴射した洗浄水でウェハー27
の表面を洗浄する。
洗浄の済んだウェハー27は,第t図(d)に示すよう
に,紫外線照射機の上の送りテーブル30にセットし,
横に移動しながら,ランプハウス31内の紫外線ランプ
32を点灯して,ウェハー27の裏面に紫外線を当てて
,UVテープ25の粘着力を失わ続いて,第1図(e)
に拡大して示したようにUVテープ25を通して ウェ
ハー27の裏面からビックアップ用の針33で千ップ3
4を一つづつ.順に押し上げて,チップ吸着のコレッl
−35でチノブ34を順次ピックアップしていく。
このように,従来のフルカット工程は,フルカットのダ
イシングの後,スピンナー洗浄2続いて紫外線照射,そ
の後,ビックアップとなる。
従って,スループットも長く,紫外線照射時にUVテー
プも加熱されるので,テープが伸びることにより,テー
プが撓んでチップ同士が当たり端部が欠けるという問題
があった。
又,ピックアップの際に,第1図(g)に部分拡大図で
示したように.チップ間の溝の中のシリコン片が,チッ
プとともに,勢い良く飛び出しあちこちに付着する現象
が生しる欠点があった。
〔発明が解決しようとする課題] このため,従来のフルカット工程では,スルーブン1・
,シリコン片の付着,テープの温度の上昇等,いずれを
とってみても,改良が困難で上記の問題を生じていた。
本発明は,スループットの短縮,シリコン片の付着防止
,テープの温度上昇を防ぐことを目的として提供された
ものである。
〔課題を解決するための手段〕
第1図は本発明の原理説明図である。
図において,1はウェハー,2はUVテープ,3はフレ
ーム.4はスピンナーテーブル,5は石英ガラス,6は
止め金具,7は送水パイプ,8はランプハウス,9は紫
外線ランプである。
フルカットされたウェハーは,現在,グイサーに付いて
いるスピンナーテーブル,或いは,スピンナーテーブル
を有する専用の洗浄機で洗浄されている。しかるのちに
,専用の紫外線照射機でフル力ットウェハーの裏面を照
射し,続いてピックアッ゛プを行っている。
そこで,スピンナーテーブルの下にUVランプを設け,
ウェハーの洗浄と紫外線照射を同時に行うことにより,
上記の問題点は解決される。
即ち,本発明では,第1図に示すように.フルカットし
たウェハー1を貼り付けたUVテーブ2をフレーム3に
固定したものを,ウェハー1の表面を上にして,装置上
部のスピンナーテーブル4に嵌め込んだ石英ガラス5の
上に載せ,フレーム3をスピンナーテーブル4に止め金
具6で固定する。
次に,スピンナーテーブル4を回転して,ウェハー1も
同時に回転し,ウェハー1の上部の送水バイプ7より送
られた洗浄水を噴射して,フルカットしたウェハー1の
チップ表面及びチップ間を良く洗浄して,シリコン片の
残渣や汚れを除去する。
そして,洗浄している間に,同時に,ランプハウス8内
の紫外線ランプ9を点灯して,ウェハー1裏面のUVテ
ープ2に紫外線を短時間照射して,UVテープ2中の感
光性樹脂を重合しi,uvテーブ2の粘着力を殆どなく
して,チップ間のダイシングの隙間に付着したシリコン
片の残渣等を完全に除去する。
〔作用〕
本発明では,第1図のように,UV光を透過するスピン
ナーテーブルの下に,紫外線ランプが配置されるため,
フルカット後のウェハー洗浄と紫外線照射が同時に行え
,水洗を行いながら紫外線を照射するので,テープ及び
ウェハーの温度が上昇せず,テープの伸びも防止できる
又,溝の中のシリコン片は,紫外線照射によりUVテー
プの粘着力がなくなるので,水洗の圧力と回転の遠心力
で除去することができる。
〔実施例] 第2図に本発明の一実施例の装置構成図を示す。
図において, 10はUVテープ,11はフレーム12
はウェハー513はヘアリング,14はスピンナーテー
ブル,15はモーター,16はプーリー,17はベルl
−.18は石英ガラス,19は止め金具,20は噴射ノ
ズル,21は送水パイプ,22はランプハウス,23は
紫外線ランプ,24はシャッターである。
ここで,先ず本発明の装置の構造について説明する。
本装置は上部の水洗部と下部の紫外線照射部とで構成さ
れている。
即ち,上部にはスピンナーテーブル14があり装置本体
の上にベアリング13を介して載せられている。スピン
ナーテーブル14はモーター15で回転するプーリー1
6を介して,ヘルト17により回転する。
スピンナーテーブルI4の中心はくり抜かれ,透明な厚
い石英ガラス18が嵌め込まれている。
U■テープ10に貼り付けたフルカットのウェハー13
は,フレーム11毎,スピンナーテーブル14に止め金
具19で固定される。
又,スピンナーテーブル14の上方には,噴射ノズル2
0が設置され,送水管パイプ21を通って洗浄水が噴出
する。又送水パイプ管21は左右に振ることが出来,ウ
ェハー12の任意の位置へ洗浄水を噴射出来るようにな
っている。
石英ガラス18の下には紫外線ランプハウス22があり
,紫外線ランプ23として120Wの水銀ランプ或いは
メタルハライドランプがセントされる。又ランブハウス
22の内面は反射板となっており,効率良く紫外線がウ
ェハー裏面に照射できるようになっている。又ランプハ
ウス22の外部から遠隔走査でシャノタ−24の開閉が
できる。
次に本発明の一実施例について,説明する。
ダイシング用の市販のUVテープ10をステンレス製の
フレーム11に皺のないように引張りながら貼り付け.
フレーム11の枠に沿ってU■テープ10の縁をカッタ
ーで切り取る。
ダイシングする5インチの素子形成済のウェハー12の
裏面を上にして作業台の上におき,UVテプ10の接着
面を下にして,フレーム11毎ウェハー12の上におく
。ローラーで静かに力を加えてU■テープ10をウェハ
ー12の裏面に接着する。この際,気泡が残らないよう
に,ウェハー12の中央から端に向けて静かにローラー
を掛ける。
続いて,フレーム11をグイサーにセットして,ダイヤ
モンドツールでウェハー12の表面から.ダイシングラ
インにそってフルカットする。この場合,ウェハー12
をフルカットすると同時にUVテープ10にも,UVテ
ープ10の厚さ80μの半分の40μ迄ツールで切り込
む。
フルカットしたウェハー12はフレーム11毎,本発明
の装置にセットする。先ず1 ウェハー12の表面を上
にして,スピンナーテーブル14の位置決めに合わせて
,フレーム11をセットし,止め金具19でフレーム1
1をスピンナーテーブル14に固定する。
次に.モーター15を回して,プーリー16を経由して
ヘルト17を回転させ,スピンナーテーブル14を1,
800rpm/minで回しながら,送水バイプ21よ
り純水をウェハー12上に142/minの水量で噴射
して1表面を30秒間洗浄し,シリコン片等の残渣を洗
い流す。
同時に,紫外線のランプハウス22のシャッター24を
開き,石英ガラス18を通して紫外線をウェハー12裏
面のUVテープ10に2〜3秒照射して,Uq ■テープ10の接着剤の粘着力を弱める。
これにより1 チップ間のダイシングラインの溝に付着
しているシリコン片が水洗時の圧力と回転の遠心力では
しき飛ばされて除去される。
(発明の効果〕 以上説明したように,本発明によれば,ウェハー洗浄と
紫外線照射を同時に行うことにより,シリコン片の付着
防止,工程の短縮,そして,  UVテープの伸びによ
るチップの欠けが防止でき,半導体素子の品質向上に大
きく寄与する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理説明図 第2図は本発明の一実施例の装置構成図,第3図は従来
例の工程順説明図 である。 図において 1はウェハー,   2はUVテーブ 3はフレーム,   4はスピンナーテーブル,5は石
英ガラス, 7は送水パイプ, 9は紫外線ランプ, 11はフレーム 13はヘアリング 15はモーター 6は止め金具 8はランプハウス 10はUVテープ 12はウェハー 14はスピンナーテーブル、 16はプーリー

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. UVテープ(2)に貼り付けたウェハー(1)をフルカ
    ットした後、該ウェハー(1)のスピンナーによる水洗
    と紫外線照射を同時に行うことを特徴とする半導体装置
    の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8661655B2 (en) * 2002-05-24 2014-03-04 Koninklijke Philips N.V. Method suitable for transferring a component supported by a carrier to a desired position on a substrate, and a device designed for this

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8661655B2 (en) * 2002-05-24 2014-03-04 Koninklijke Philips N.V. Method suitable for transferring a component supported by a carrier to a desired position on a substrate, and a device designed for this

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