JPH02239175A - Formation of thin film - Google Patents

Formation of thin film

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Publication number
JPH02239175A
JPH02239175A JP1060210A JP6021089A JPH02239175A JP H02239175 A JPH02239175 A JP H02239175A JP 1060210 A JP1060210 A JP 1060210A JP 6021089 A JP6021089 A JP 6021089A JP H02239175 A JPH02239175 A JP H02239175A
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JP
Japan
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film
substrate
layer
forming
heater
Prior art date
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Application number
JP1060210A
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Japanese (ja)
Inventor
Noriko Morita
森田 訓子
Susumu Hoshinouchi
星之内 進
Hiroshi Onishi
寛 大西
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPH02239175A publication Critical patent/JPH02239175A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/52Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Surface Heating Bodies (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a thin film having satisfactory adhesive property by previously forming a glassy coating layer on a smooth ceramic substrate, firing the layer, forming a desired thin film on the layer and carrying out heat treatment. CONSTITUTION:An Al2O3 substrate is used as a ceramic substrate 1. A glassy coating soln. is sprayed on the Al2O3 substrate and dried to form a glassy coating layer 3. This layer 3 is melt-bonded to the substrate by firing in vacuum or in gaseous hydrogen or argon. A film of a desired thickness is then formed by sputtering and wet or dry-etched in the form of a desired pattern.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野) 本発明は薄膜の形成方法に関する。さらに詳しくは、高
温加熱用小型ヒータまたは電子銃用ヒータのように使用
混度が1000℃程度の薄型高温ヒータ用の抵抗体薄膜
などの製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method of forming a thin film. More specifically, the present invention relates to a method of manufacturing a thin resistor film for a thin high-temperature heater such as a small heater for high-temperature heating or a heater for an electron gun that uses a temperature of about 1000°C.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、平板型ヒータは、たとえば特開昭55−2464
6号公報に記載されているように、スクリーン印刷など
のいわゆる厚膜回路形成技術を用いて製造されている。
Conventionally, flat plate heaters have been proposed, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 55-2464.
As described in Japanese Patent No. 6, it is manufactured using a so-called thick film circuit forming technique such as screen printing.

前記従来の平板型ヒータを第4図に示す。第4図は従来
の薄型高温ヒータを利用した電子管カソード装置を示す
断面模式図であり、セラミックス基板(至)上にパター
ン化された抵抗体(発熱体)層(Il+が形成されてお
り、そのうえに絶縁層0ク、カソード材層C、カソード
リード層(14}、ベースメタル層6がこの順に形成さ
れている。この平板型ヒータを製造する際には、まずセ
ラミックス基板(K))を構成する原材料を用意し、ロ
ール間を通す押し出し法またはキャスティング法などの
印刷技術によってシート上に所望のパターン形状の抵抗
体(発熱体)層01)を形成する。この抵抗体く発熱体
)層01)はヒータ材に焼成助剤を添加したペーストを
基板(ト)上にスクリーン印刷して形成される。スクリ
ーン印刷後、高温(1000〜2000℃》で焼成処理
され、平板型ヒータが形成される。
The conventional flat plate heater is shown in FIG. Figure 4 is a schematic cross-sectional view showing an electron tube cathode device using a conventional thin high-temperature heater. An insulating layer 0, a cathode material layer C, a cathode lead layer (14), and a base metal layer 6 are formed in this order.When manufacturing this flat heater, first a ceramic substrate (K)) is formed. A raw material is prepared, and a resistor (heating element) layer 01) having a desired pattern is formed on a sheet by a printing technique such as an extrusion method or a casting method in which the material is passed between rolls. This resistor (heating element) layer 01) is formed by screen printing a paste containing a heater material and a firing aid on the substrate (g). After screen printing, a baking treatment is performed at a high temperature (1000 to 2000° C.) to form a flat plate heater.

この方法では、抵抗体層01)とセラミックス基板(ト
)}との付着力が高く、しかも製造時に高温処理過程が
入るのでヒータをこの処理温度以下で使用するばあいの
抵抗の経時変化が小さい、などのヒータとしての高温長
期安定性が期待されうる。しかし、スクリーン印刷によ
ってえられるパターン精度は低く、しかも発熱体@01
1の厚さ制1[I(薄型化)が困難なため、消費電力が
大きいという問題点や、さらに基板上に複数のヒータを
設けたぱあい、ヒータ間では抵抗のばらつきが大きいと
いう問題点もある。そのため、精度よくパターンの形成
ができる手法としてPVDやCVDによる前記抵抗体な
どの成膜法の開発が進められていた。
In this method, the adhesion between the resistor layer 01) and the ceramic substrate (g) is high, and since a high temperature treatment process is involved during manufacturing, the change in resistance over time is small when the heater is used at a temperature below this treatment temperature. High-temperature, long-term stability as a heater can be expected. However, the pattern accuracy obtained by screen printing is low, and the heating element @01
1 Thickness control 1 [I (thinness) is difficult, so there is a problem that power consumption is large, and there is also a problem that there is a large variation in resistance between heaters due to the number of heaters provided on the board. There is also. Therefore, the development of film forming methods for resistors and the like using PVD and CVD has been progressing as a method for forming patterns with high precision.

第5a〜5b図に従来の薄膜形成法による平板薄型ヒー
タの製造方法を示す。すなわち、平滑なセラミックス基
板■上にヒータ用の抵抗体(発熱体)gaoを一様に形
成し、つぎにエッチングなどより所望のヒータパターン
を形成し、これにリード線Q4を接合するという手法で
平板薄型ヒータが実現されていた。
5a and 5b show a method of manufacturing a flat thin heater using a conventional thin film forming method. In other words, a heater resistor (heating element) gao is uniformly formed on a smooth ceramic substrate (2), a desired heater pattern is formed by etching, etc., and a lead wire Q4 is bonded to this. A flat plate thin heater was realized.

(発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、以上のような従来の成膜法による平板薄
型ヒータはリード線に電圧を印加しヒータとして使用し
ているあいだに膜の基板からの剥離が生じるという問題
がある。これは主として抵抗体膜の基板への付着力が元
々弱いこと、使用時の熱履歴により内部応力のつりあい
に変化が生じること、基板と膜との熱膨張係数が異なる
ことなどに起因する。そのため、前記従来の成膜法で製
造した平板薄型ヒータは剥離により熱容量の変化が生じ
たり、抵抗値が変動したり、抵抗体パターン内での断線
が生じたりし、ヒータとしては不安定で長期信頼性に欠
けるという欠点を有する。
(Problems to be Solved by the Invention) However, flat plate thin heaters using the conventional film forming method as described above have a problem in that the film peels off from the substrate while applying voltage to the lead wires and using it as a heater. This is mainly due to the fact that the adhesion of the resistor film to the substrate is originally weak, that the internal stress balance changes due to the thermal history during use, and that the thermal expansion coefficients of the substrate and film are different. As a result, flat thin heaters manufactured using the conventional film-forming method suffer from changes in heat capacity due to peeling, fluctuations in resistance, and disconnections within the resistor pattern, making the heater unstable. It has the disadvantage of lacking long-term reliability.

本発明は、前記従来の方法の問題点を解決するためにな
されたもので、使用時に剥離の生じない、付着力の高い
薄膜の形成方法を提供すること、とくに、付着力の高い
抵抗体膜の形成方法を提供し、信頼性の高い薄型高温ヒ
ータを実現することを目的としている。
The present invention has been made in order to solve the problems of the conventional methods, and it is an object of the present invention to provide a method for forming a thin film with high adhesive strength that does not cause peeling during use. The purpose of this research is to provide a method for forming a thin, high-temperature heater with high reliability.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

たとえば薄型高温ヒータ用抵抗体などの製造に適用しう
る本発明のiilll!形成法は、平滑なセラミックス
基板などの絶縁基板上にガラス質のコーティング層を設
け、これを焼成し、そののちヒータ用の抵抗体などの所
望の薄膜を形成し、高温で熱処理するという工程で行わ
れ、この手法により前記目的を達成しようとするもので
ある。
For example, the iill! of the present invention can be applied to the manufacture of resistors for thin high-temperature heaters. The formation method involves applying a glassy coating layer on a smooth insulating substrate such as a ceramic substrate, firing it, forming the desired thin film such as a resistor for a heater, and heat-treating it at high temperatures. This method aims to achieve the above objective.

すなわち、本発明は洗浄ざれた絶縁基板上にガラス質か
らなるコーティング層を形成し、これを焼成したのち、
そのうえに所望の薄膜を形成し、熱処理を施すことを特
徴とする薄膜の形成方法に関する。
That is, in the present invention, a coating layer made of glass is formed on a cleaned insulating substrate, and after firing the coating layer,
The present invention relates to a method for forming a thin film, which comprises forming a desired thin film thereon and subjecting it to heat treatment.

(作 用〕 本発明においては、焼成されたガラス質層はセラミック
ス基板などの絶縁基板と抵抗体膜などの薄膜とのあいだ
に融着しシールコートとして働き付着力を高めるように
作用する。一方、最後の熱処理過程では、膜の内部応力
の緩和や再結晶化が促され、付着力向上、抵抗の安定化
に作用する。
(Function) In the present invention, the fired glassy layer is fused between an insulating substrate such as a ceramic substrate and a thin film such as a resistor film, and acts as a seal coat to enhance adhesion. In the final heat treatment process, the internal stress of the film is relaxed and recrystallization is promoted, which improves adhesion and stabilizes resistance.

〔実施例〕〔Example〕

以下に本発明の一実施例について図に基づいて説明する
。第1図は本発明の一実施例による薄型高温ヒータの製
造工程および断面構造を示す図である。第1図において
(1)はセラミックス基板(絶縁基板)、(2はヒータ
用の抵抗体膜、(3)はガラス質のコーティング層、(
4)はリード線である。
An embodiment of the present invention will be described below based on the drawings. FIG. 1 is a diagram showing the manufacturing process and cross-sectional structure of a thin high-temperature heater according to an embodiment of the present invention. In Figure 1, (1) is a ceramic substrate (insulating substrate), (2 is a resistor film for a heater, (3) is a glassy coating layer, (
4) is a lead wire.

それぞれの材料に対しては、たとえば、次のような要求
を満たすことが望ましい。
It is desirable for each material to satisfy, for example, the following requirements.

基板(1)に対しては、熱伝導性が良く、熱膨張率が抵
抗体膜のそれに近いこと、良絶縁体であること、高温で
絶縁破壊しないこと、平滑なことが望ましい。そのよう
な材料の具体例としては、入手性から考えてM N, 
M 20 3などがあげられる。
It is desirable for the substrate (1) to have good thermal conductivity, a coefficient of thermal expansion close to that of the resistor film, a good insulator, no dielectric breakdown at high temperatures, and smoothness. Specific examples of such materials include M N,
Examples include M203.

抵抗体膜(2)に対しては、高温域での蒸気圧が低いこ
と、高温域での電気特性が安定なことが望ましい。その
ような材料の具体例としては、HO、一、Pt, Ta
, Tic , TiNなどがあげられる。
It is desirable for the resistor film (2) to have a low vapor pressure in a high temperature range and to have stable electrical characteristics in a high temperature range. Specific examples of such materials include HO, Pt, Ta
, Tic, TiN, etc.

ガラス質コーティング層(3)に対しては、高温での拡
散が小さいこと、使用温度以上の軟化点あるいは融点を
有することが望ましい。そのような材料の具体例として
は、Si02、#203などの高軟化点、高融点で安定
なガラス質からなるコーティング層があげられる。たと
えば、S i O2であれば軟化点1710℃《水晶)
、融点1470℃(結晶)、AI203であれば融点2
030℃である。また、CaO、Y203などのように
焼成時に外部へ飛散するものを含んだものでもよい。
It is desirable for the glassy coating layer (3) to have low diffusion at high temperatures and to have a softening point or melting point higher than the operating temperature. A specific example of such a material is a coating layer made of stable glass with a high softening point and a high melting point, such as Si02 and #203. For example, for S i O2, the softening point is 1710°C (crystal)
, melting point 1470℃ (crystal), melting point 2 for AI203
030°C. Furthermore, the material may contain substances such as CaO and Y203 that are scattered to the outside during firing.

リード線(4)に対しては、抵抗体膜の特性と同等なこ
と、抵抗体膜の拡散係数と同等なことが望ましく、抵抗
体膜と同材料が最も望ましい。
It is desirable that the lead wire (4) has the same characteristics as the resistor film and the same diffusion coefficient as the resistor film, and is most preferably made of the same material as the resistor film.

ここでは、前記条件に鑑み、セラミックス基板としてA
j2Qt(アルミナ、サファイヤ)を用い、抵抗体膜と
して讐をスパツタ法で形成し、ガラス質の保護コーティ
ング層の一例としてS102を主成分とするガラス質の
塗布液を塗布した薄型高温ヒータの製造方法について述
べる。
Here, in view of the above conditions, A is used as a ceramic substrate.
A method for manufacturing a thin high-temperature heater using j2Qt (alumina, sapphire), forming a resistor film by a sputtering method as a resistor film, and applying a vitreous coating liquid containing S102 as a main component as an example of a vitreous protective coating layer. Let's talk about.

Aj203基板上に、ガラス賀の前記塗布液をスブレイ
し、乾燥させ、ガラス質コーティング層を形成する。つ
ぎに真空中または水素もしくはアルゴン中で5〜10分
間焼成し、基板に融着させる。この時の処理温度は前記
塗布液の組成によって異なるが、800〜1400℃程
度である。つぎにスバッタ法により所望の厚さ(数虜〜
10I!y!)の一膜を一様に形成する。そののち、所
望のパターン形状に湿式または乾式法でエッチングする
。たとえば湿式法であれば次の工程でエッチングを行う
The above-mentioned glass coating solution is sprayed onto the Aj203 substrate and dried to form a vitreous coating layer. Next, it is baked for 5 to 10 minutes in vacuum or in hydrogen or argon to fuse it to the substrate. The processing temperature at this time varies depending on the composition of the coating liquid, but is approximately 800 to 1400°C. Next, use the spatter method to obtain the desired thickness (several ~
10I! Y! ) to form a uniform film. Thereafter, it is etched into a desired pattern using a wet or dry method. For example, if a wet method is used, etching is performed in the next step.

レジスト塗布→マスク設定→露光→ レジスト除去→Wのエッチング (たとえばK 3 [Fe(CM)@]+Nal液)→
レジスト除去 パターン作製前または作製後に800〜1000℃の高
温熱処理を行い、最後にリード線を所望の場所に抵抗溶
接などの手法で接合する。
Resist coating → Mask setting → Exposure → Resist removal → W etching (for example, K 3 [Fe(CM)@]+Nal solution) →
A high-temperature heat treatment at 800 to 1000° C. is performed before or after the resist removal pattern is created, and finally the lead wire is joined to a desired location by a method such as resistance welding.

ガラス質コーティング層を形成する前記塗布液としては
酸化物のいわゆるガラス質を含んだ溶液が用いられうる
。そのような塗布液の具体例として、第1表にA,B.
Cの3種類の塗布液の組成(重量%)を示す。
As the coating liquid for forming the vitreous coating layer, a solution containing a so-called vitreous oxide may be used. As specific examples of such coating liquids, A, B.
The compositions (weight %) of three types of coating liquids of C are shown.

これらはグラスタイプ・セラミックスコーティング材と
して市販ざれているものの一例である。
These are examples of glass-type ceramic coating materials that are commercially available.

第1表中フリットと呼ばれるものの組成(重量%)を第
2表に示すが、これが酸化物のいわゆるガラス質である
The composition (% by weight) of the material called frit in Table 1 is shown in Table 2, which is a so-called glassy oxide.

第   2   表 このガラス質はヒータとしての使用中抵抗体膜にわずか
に生じた金属酸化物を溶解し、金属と金属の間隙を埋め
てシールコートとして働き、抵抗体膜とセラミックス基
板の両方に対する密着性もすぐれているため、躾と基板
の高付着力化に寄与する。また、ガラス質であるので電
気絶縁性が高く、基板の一部として考えることができ、
高温用ヒータとしての機能に支障をきたすことはない。
Table 2 This vitreous material dissolves a small amount of metal oxide formed on the resistor film during use as a heater, fills the gaps between metals, and acts as a seal coat, providing close contact with both the resistor film and the ceramic substrate. It also has excellent adhesive properties, contributing to high adhesion between the material and the substrate. In addition, since it is glassy, it has high electrical insulation properties and can be considered as part of the board.
It does not interfere with its function as a high temperature heater.

第1図では、基板前面にガラス質層をコーティングする
例を示したが、第2a〜20図に示すようにガラス質層
(3)をコーティングする際にマスク(5]を用い、後
工程で抵抗体liI(2)のパターンが形成される部分
のみガラス質層を形成した(第2a図参照)のち、抵抗
体膜(2)を形成すれば(第2b図参照)、ガラス質(
3)上では付着力が大きく、基板(1)上では付着力が
小さいため、エッチングによるパターン形成時の抵抗体
111(2)のパターン精度がより高くなる。
Fig. 1 shows an example of coating a glassy layer on the front surface of the substrate, but as shown in Figs. 2a to 20, a mask (5) is used when coating the glassy layer (3), and a After forming a glassy layer only in the portion where the pattern of the resistor liI (2) is formed (see Figure 2a), if the resistor film (2) is formed (see Figure 2b), the glassy layer (see Figure 2b) is formed.
3), the adhesive force is large on the substrate (1), and the adhesive force is small on the substrate (1), so that the pattern accuracy of the resistor 111 (2) when forming the pattern by etching becomes higher.

また、第3図に示すようにセラミックス基板の両面をま
た大面積にわたって処理することも可能である。第3図
においても、(1)は絶縁基板、(2)は抵抗体膜、{
3}はガラス質コーティング層、(4)はリード線を示
す。
Furthermore, as shown in FIG. 3, it is also possible to process both sides of the ceramic substrate over a large area. Also in Figure 3, (1) is an insulating substrate, (2) is a resistor film, {
3} is a glassy coating layer, and (4) is a lead wire.

なお、実施例は塗布液を塗布してガラス質コーティング
層を形成する方法について説明したが、ガラス質のター
ゲツ1〜を用意してスバツタ法で成膜するなど、PVD
 , CVDの手法でガラス質のコーティング層を形成
することができることはいうまでもない。
In addition, in the example, a method of forming a glassy coating layer by applying a coating liquid was explained, but other methods such as preparing glassy targets 1 to 1 and forming a film by a sputtering method, etc.
, It goes without saying that a glassy coating layer can be formed using the CVD method.

ガラス質の組成に対しては、第2表に示したような複合
組成でなくてもs r o2、N203などのような単
一組成であってもよい。たとえば基板が# 20 3で
あれば+Aj 20 3をコーティングすると基板の一
部として考えることができるので、あらかじめコーティ
ング層の厚さ分だけ薄い基板を用意しておけば熱容量な
どの寸法設計も容易となり、しかも不純物や拡散の影響
を考慮しなくてもよくなるなどのメリットもある。
For glassy compositions, it does not have to be a composite composition as shown in Table 2, but may be a single composition such as s r o2, N203, etc. For example, if the board is #203, if you coat it with +Aj203, it can be considered as part of the board, so if you prepare a board as thin as the coating layer in advance, it will be easier to design dimensions such as heat capacity. Moreover, it also has the advantage of not having to take into account the effects of impurities and diffusion.

また、実施例ではW膜をスバツタ法により形成して抵抗
体膜(薄膜)を形成する方法について′説明したが、電
子ビーム蒸着、レーザPVD法、イオンブレーティング
などのいわゆるPVD法やWF6、W(CO)s、IA
CIajjスなどを用イタCvD法なト17)方法で形
成することができることはいうまでもない。
In addition, in the embodiment, a method of forming a resistor film (thin film) by forming a W film by a sputtering method was explained, but it is also possible to use so-called PVD methods such as electron beam evaporation, laser PVD method, and ion blating, WF6, W film, etc. (CO)s, IA
It goes without saying that CIajj and the like can be formed using the CvD method or the like.

また、W以外のたとえばHOなどの膜を形成するばあい
も同様である。
The same applies when a film other than W, such as HO, is formed.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明してきたように、本発明によれば薄型高温ヒー
タ用抵抗体膜などの所望の薄膜を形成するに際し、平滑
なセラミックス基板上にあらかじめガラス質のコーティ
ング層を設け、これを焼成し、そののちヒータ用の抵抗
体膜などの前記薄膜を形成し、高温で熱処理するという
工程で製造するので、付着性の良好な薄膜かえられる。
As explained above, according to the present invention, when forming a desired thin film such as a resistor film for a thin high-temperature heater, a glassy coating layer is provided on a smooth ceramic substrate in advance, and this is fired. Since the thin film, such as a resistor film for a heater, is subsequently formed and heat-treated at a high temperature, a thin film with good adhesion can be obtained.

とくに、抵抗体膜を形成するぱあいには、ヒータの使用
時の抵抗体躾の剥離が生じない高付着力の抵抗体膜が形
成でき、長期信頼性の高い薄型高温ヒータを提供できる
という効果を奏する。
In particular, in the area where the resistor film is formed, it is possible to form a resistor film with high adhesion that prevents the resistor from peeling off when the heater is used, resulting in the provision of a thin, high-temperature heater with high long-term reliability. play.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は一本発明の方法の一実施例によってえられる薄
型高温ヒータの断面構造および製造工程を示す模式図、
第2a〜2C図はそれぞれ本発明の方法の別な実施例に
よる薄型高温ヒータの製造工程を示す模式図、第3図は
本発明の方法のさらに別な実施例によってえられる薄型
高温ヒータの断面構造を示す模式図、第4図は従来の薄
型高温ヒータを利用した電子管カソード装置を示す断面
模式図、第5a〜5d図はそれぞれ従来の薄膜形成法に
よる薄型高温ヒータの製造工程を示す模式図である。 (図面の主要符号) (1):セラミックス基板(絶縁基板)(z:抵杭体膜
(薄膜) (3):ガラス質コーティング層 (4):リード線 代  理  人 大  岩  増  雄 才 ツ 才20図 2。抵抗体膜 4:リード線 才 3ツ オ 4図
FIG. 1 is a schematic diagram showing the cross-sectional structure and manufacturing process of a thin high-temperature heater obtained by an embodiment of the method of the present invention;
2a to 2C are schematic diagrams showing the manufacturing process of a thin high-temperature heater according to another embodiment of the method of the present invention, and FIG. 3 is a cross-section of a thin high-temperature heater obtained by yet another embodiment of the method of the present invention. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an electron tube cathode device using a conventional thin high-temperature heater, and FIGS. 5a to 5d are schematic diagrams showing the manufacturing process of a thin high-temperature heater using a conventional thin film forming method. It is. (Main symbols in the drawings) (1): Ceramic substrate (insulating substrate) (z: Resistance film (thin film)) (3): Glass coating layer (4): Lead wire agent Masu Iwa, Nihon University, Yuzai Tsusai 20 Figure 2. Resistor film 4: Lead wires 3 and 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)洗浄された絶縁基板上にガラス質からなるコーテ
ィング層を形成し、これを焼成したのち、そのうえに所
望の薄膜を形成し、熱処理を施すことを特徴とする薄膜
の形成方法。
(1) A method for forming a thin film, which comprises forming a coating layer made of glass on a cleaned insulating substrate, baking it, forming a desired thin film thereon, and subjecting it to heat treatment.
JP1060210A 1989-03-13 1989-03-13 Formation of thin film Pending JPH02239175A (en)

Priority Applications (1)

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JP1060210A JPH02239175A (en) 1989-03-13 1989-03-13 Formation of thin film

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04279007A (en) * 1991-03-07 1992-10-05 Fuji Xerox Co Ltd Resistor and manufacture thereof

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JPH04279007A (en) * 1991-03-07 1992-10-05 Fuji Xerox Co Ltd Resistor and manufacture thereof

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