JPH02239251A - レジスト組成物 - Google Patents
レジスト組成物Info
- Publication number
- JPH02239251A JPH02239251A JP6003689A JP6003689A JPH02239251A JP H02239251 A JPH02239251 A JP H02239251A JP 6003689 A JP6003689 A JP 6003689A JP 6003689 A JP6003689 A JP 6003689A JP H02239251 A JPH02239251 A JP H02239251A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- general formula
- homopolymer
- ester
- copolymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
二層レジスト法の上層に使用するレジスト組成物に関し
、 耐酸素プラズマエッチング性と解像性が優れた電子線レ
ジストを実用化することを目的とし、下記一般式（１）
で示されるシリコン含有α置換アクリノレ系エステノレ
のホモポリマ、または８亥シリコン含脊α置換アクリル
系エステルと下記一般式（２）で示される２，２．２−
｝リフルオロエチル（α一 トリフルオロメチル）ア
クリレートとのコーポリマに、ジアジド化合物を混合し
てレジスト組成物を構成する。
、 耐酸素プラズマエッチング性と解像性が優れた電子線レ
ジストを実用化することを目的とし、下記一般式（１）
で示されるシリコン含有α置換アクリノレ系エステノレ
のホモポリマ、または８亥シリコン含脊α置換アクリル
系エステルと下記一般式（２）で示される２，２．２−
｝リフルオロエチル（α一 トリフルオロメチル）ア
クリレートとのコーポリマに、ジアジド化合物を混合し
てレジスト組成物を構成する。
χ
ＣＩ！＝Ｃ ・・・・・・（１
）ｃｏｚＲ コ一テｘはＣＦｓ．Ｃｌ ｌＣＨ３，ＣＮ，ＣＨｚＣＯ
ｚＹＹはＣＦＩ ｌｌｇａ＊＋（ｎ ｓ＝１ 〜４）＋
−０＋−ＣＨｚ−Ｏ，−Ｓｉ（ＣＨａ）ｘＬ．−ＣＨｇ
Ｓｉ（ＣＨｓ）Ｒ＋ Ｒｌ −ｃｏｗまたは−ＣＨ２Ｓｉ（ＣＨａ） ｓＲは
−Ｓｉ（ＣＨ，）Ｊ＋． −ＣＨｚＳｉ（ＣＬ）Ｒ＋〔
産業上の利用分野〕 本発明は耐酸素プラズマエッチング性と解像性に優れた
レジスト組成物に関する． 半導体集積回路の形成には薄膜形成技術と写真蝕刻技術
（フォトリソグラフィ或いは電子線リソグラフィ）が多
用されており、これらの技術の進歩によって半導体単位
素子は益々微細化されてＬＳＩやＶＬＳＩのような集積
回路が実用化されている。
）ｃｏｚＲ コ一テｘはＣＦｓ．Ｃｌ ｌＣＨ３，ＣＮ，ＣＨｚＣＯ
ｚＹＹはＣＦＩ ｌｌｇａ＊＋（ｎ ｓ＝１ 〜４）＋
−０＋−ＣＨｚ−Ｏ，−Ｓｉ（ＣＨａ）ｘＬ．−ＣＨｇ
Ｓｉ（ＣＨｓ）Ｒ＋ Ｒｌ −ｃｏｗまたは−ＣＨ２Ｓｉ（ＣＨａ） ｓＲは
−Ｓｉ（ＣＨ，）Ｊ＋． −ＣＨｚＳｉ（ＣＬ）Ｒ＋〔
産業上の利用分野〕 本発明は耐酸素プラズマエッチング性と解像性に優れた
レジスト組成物に関する． 半導体集積回路の形成には薄膜形成技術と写真蝕刻技術
（フォトリソグラフィ或いは電子線リソグラフィ）が多
用されており、これらの技術の進歩によって半導体単位
素子は益々微細化されてＬＳＩやＶＬＳＩのような集積
回路が実用化されている。
すなわち、配線パターンについて言えば、被処理基板上
に形成した配線形成材料からなる薄膜の上にレジストを
被覆し、これに選択的に紫外線露光を施した後に現像し
てレジストパターンを作り、これにウエットエッチング
或いはドライエッチングを行って微細な配線パターンを
形成する方法、或いは電子線の径を微少に絞ってレジス
ト上を走査し、現像を行ってレジストパターンを作り、
エッチングにより微細な配線パターンを形成する方法が
使用されている。
に形成した配線形成材料からなる薄膜の上にレジストを
被覆し、これに選択的に紫外線露光を施した後に現像し
てレジストパターンを作り、これにウエットエッチング
或いはドライエッチングを行って微細な配線パターンを
形成する方法、或いは電子線の径を微少に絞ってレジス
ト上を走査し、現像を行ってレジストパターンを作り、
エッチングにより微細な配線パターンを形成する方法が
使用されている。
このように薄膜形成技術と写真蝕刻技術とによって微細
パターンが形成されているが、最少パターン幅が１μｍ
未満まで微細化が進んできた＼め、露光光源として紫外
線に代わって電子線が使用されるようになった。
パターンが形成されているが、最少パターン幅が１μｍ
未満まで微細化が進んできた＼め、露光光源として紫外
線に代わって電子線が使用されるようになった。
すなわち、紫外線露光による微細パターンの形成は波長
による制限から１μｍ程度に限られるのに対し、電子線
の波長は加速電圧により異なるもの＼０．１人程度と格
段に短いため、サブミクロン領域の微細パターンの形成
が可能となる。
による制限から１μｍ程度に限られるのに対し、電子線
の波長は加速電圧により異なるもの＼０．１人程度と格
段に短いため、サブミクロン領域の微細パターンの形成
が可能となる。
そこで耐ドライエッチング性がよく、感度と解像性が優
れた電子線レジストの実用化が要望されでいる。
れた電子線レジストの実用化が要望されでいる。
ＬＳＩ，ＶＬＳＩのような半導体素子製造プロセスにお
いては、回路の多層化が必要であり、この際、下層に配
線パターンが存在すると、この上に膜形成する絶縁層の
表面に１〜２μｍの段差を生ずることが多く、か＼る場
合に従来の単層レジスト法を適用すると微細パターンを
高精度に形成することが不可能になる。
いては、回路の多層化が必要であり、この際、下層に配
線パターンが存在すると、この上に膜形成する絶縁層の
表面に１〜２μｍの段差を生ずることが多く、か＼る場
合に従来の単層レジスト法を適用すると微細パターンを
高精度に形成することが不可能になる。
・そこで、まず下層レジストを用いて平坦化し、この上
に耐酸素ドライエッチング性の優れた上層レジストを薄
く形成してドライエッチングし、微細パターンを形成す
る二層構造レジストが用いられている． 二層構造レジストは下層レジストとしてフェノールノボ
ラック権脂或いはクレゾールノボラック樹脂のように酸
素（０．）プラズマにより容易にドライエッチングされ
る材料を例えば２μｍ程度にスビンコートして平坦化し
、この上に上層レジストとしてボジ型の場合は、電子線
照射により原子間の結合（ボンド）が切れて現像剤に対
して可溶な状態となるが、非照射部は０２プラズマに対
して耐性のある高分子材料を０．２〜０．３μｍ程度に
薄く塗布することにより形成されている。
に耐酸素ドライエッチング性の優れた上層レジストを薄
く形成してドライエッチングし、微細パターンを形成す
る二層構造レジストが用いられている． 二層構造レジストは下層レジストとしてフェノールノボ
ラック権脂或いはクレゾールノボラック樹脂のように酸
素（０．）プラズマにより容易にドライエッチングされ
る材料を例えば２μｍ程度にスビンコートして平坦化し
、この上に上層レジストとしてボジ型の場合は、電子線
照射により原子間の結合（ボンド）が切れて現像剤に対
して可溶な状態となるが、非照射部は０２プラズマに対
して耐性のある高分子材料を０．２〜０．３μｍ程度に
薄く塗布することにより形成されている。
こ一で、ＯＪＩＥ耐性に優れたボジ型の電子線レジスト
として下記の一般式（３）に示すメタクリル酸（トリメ
チルシリルメチル）エステルのホモポリマまたはこのメ
タクリル酸（トリメチルシリルメチル）エステルと一般
式（２）に示した２．２．２− ｝リフルオ口エチル（
α一 トリフルオロメチル）アクリレートとの共重合体
などが提案されている。
として下記の一般式（３）に示すメタクリル酸（トリメ
チルシリルメチル）エステルのホモポリマまたはこのメ
タクリル酸（トリメチルシリルメチル）エステルと一般
式（２）に示した２．２．２− ｝リフルオ口エチル（
α一 トリフルオロメチル）アクリレートとの共重合体
などが提案されている。
＼Ｃ（ｈｃＨｚｓｉｃＨｚ
？し、このこれらの材料は耐０■プラズマ性に優れるも
の＼、イソブロビルアルコールやトルエンなど多くの有
機溶剤に可溶なため、露光部と未露光部との溶解度差が
充分な現像液がなく、従ってサブミクロン・パターンに
対応できる安定した解像性が得られていなかった。
の＼、イソブロビルアルコールやトルエンなど多くの有
機溶剤に可溶なため、露光部と未露光部との溶解度差が
充分な現像液がなく、従ってサブミクロン・パターンに
対応できる安定した解像性が得られていなかった。
そのため、解像性が優れ且つ高感度のボジ型レジストの
開発が要望されていた。
開発が要望されていた。
先に記したように、二層構造をとるボジ型上層レジスト
としてシリコン（Ｓｔ）原子を含むメタクリル酸（トリ
メチルシリルメチル）エステルのホモポリマ、或いはこ
れとアクリル酸エステルの共重合体の使用が提案されて
いる。
としてシリコン（Ｓｔ）原子を含むメタクリル酸（トリ
メチルシリルメチル）エステルのホモポリマ、或いはこ
れとアクリル酸エステルの共重合体の使用が提案されて
いる。
然し、これらのレジストは耐Ｏｔプラズマ性に優れるも
のへ、多くの有機溶剤に可溶なために充分な解像度を得
ることができない． そのため、解像性の優れたボジ型レジストを開発するこ
とが課題である。
のへ、多くの有機溶剤に可溶なために充分な解像度を得
ることができない． そのため、解像性の優れたボジ型レジストを開発するこ
とが課題である。
上記の課題は下記一般式（１）で示されるシリコン含有
α置換アクリル系エステルのホモポリマ、または、この
シリコン含有α置換アクリル系エステルと下記一般式（
２）で示される２．２．２− トリフルオロエチル（α
一 トリフルオロメチル）アクリレートとのコーポリマ
に、ジアジド化合物を混合してなるレジスト組成物の使
用により解決することができる。
α置換アクリル系エステルのホモポリマ、または、この
シリコン含有α置換アクリル系エステルと下記一般式（
２）で示される２．２．２− トリフルオロエチル（α
一 トリフルオロメチル）アクリレートとのコーポリマ
に、ジアジド化合物を混合してなるレジスト組成物の使
用により解決することができる。
Ｙ
こ＼でＸはＣＦ３． Ｃｌ ，ＣＨ！Ｉ，ＣＮ．ＣＨｚ
ＣＯｚＹＹはＣ， Ｌ，１＋＋（ｎ ＝１ 〜４），−
＜Ｅ），−Ｃｌｌｚ−Ｑ， −Ｓｔ （ＣＨ３） ｚＲ
＋．−ＣＨｚＳｉ（ＣＨｓ）Ｒ＋ Ｒ． −ＣＨ３または−ＣＨｚＳｒ ＣＣＨＪ ｘＲは
−Ｓｉ （ＣＨｚ） ｚＲ１， −ＣＨｚＳｉ（ＣＨｚ
）Ｒ＋〔作用〕 本発明はＳｔ含有メタクリル酸エステルのモノポリマ或
いはこれとアクリル酸エステルとのコーポリマからなる
レジストの解像性を向上する方法として、ジアジド化合
物を添加して混合するものである。
ＣＯｚＹＹはＣ， Ｌ，１＋＋（ｎ ＝１ 〜４），−
＜Ｅ），−Ｃｌｌｚ−Ｑ， −Ｓｔ （ＣＨ３） ｚＲ
＋．−ＣＨｚＳｉ（ＣＨｓ）Ｒ＋ Ｒ． −ＣＨ３または−ＣＨｚＳｒ ＣＣＨＪ ｘＲは
−Ｓｉ （ＣＨｚ） ｚＲ１， −ＣＨｚＳｉ（ＣＨｚ
）Ｒ＋〔作用〕 本発明はＳｔ含有メタクリル酸エステルのモノポリマ或
いはこれとアクリル酸エステルとのコーポリマからなる
レジストの解像性を向上する方法として、ジアジド化合
物を添加して混合するものである。
すなわち、これらのレジストの解像性が劣る理由は露光
部は勿論のこと、未露光部もイソプロビルアルコールや
トルエンなどを初めとして殆どの有機溶剤に溶けること
が原因である． そこで、発明者等はこれらのモノボリマ或いはコーポリ
マを架橋させることにより溶解性を減少させることを考
え、架橋剤として選んだのがジアジド化合物である， こへで、ジアジド化合物はアジド化合物と共に架橋剤と
して知られており、上記のモノボリマ或いはコーポリマ
と混合して加熱するとジアジド化合物が相互間に入って
架橋が進行すると云う性質がある。
部は勿論のこと、未露光部もイソプロビルアルコールや
トルエンなどを初めとして殆どの有機溶剤に溶けること
が原因である． そこで、発明者等はこれらのモノボリマ或いはコーポリ
マを架橋させることにより溶解性を減少させることを考
え、架橋剤として選んだのがジアジド化合物である， こへで、ジアジド化合物はアジド化合物と共に架橋剤と
して知られており、上記のモノボリマ或いはコーポリマ
と混合して加熱するとジアジド化合物が相互間に入って
架橋が進行すると云う性質がある。
そこで、本発明はジアジド化合物を含むＳｔ含有メタク
リル酸エステルのモノポリマ或いはこれとアクリル酸エ
ステルとのコーポリマをレジストとして用いるものであ
って、このレジストを被処理基板上に塗布して乾燥させ
る熱処理工程を利用して架橋を生じさせ、脊機溶剤に対
する溶解性を変えるものである。
リル酸エステルのモノポリマ或いはこれとアクリル酸エ
ステルとのコーポリマをレジストとして用いるものであ
って、このレジストを被処理基板上に塗布して乾燥させ
る熱処理工程を利用して架橋を生じさせ、脊機溶剤に対
する溶解性を変えるものである。
こ＼で、写真蝕刻技術（フォトリソグラフフィ）におい
ては殆どの場合、スビンコート法により被処理基板上へ
のレジスト塗布が行われており、塗膜形成処理の後、溶
剤除去のための乾燥が行われるが、この熱処理工程中に
架橋を進行させるものである． 実験の結果、熱架橋を進行させるための熱処理温度は１
３０゜Ｃ以上が適当である。
ては殆どの場合、スビンコート法により被処理基板上へ
のレジスト塗布が行われており、塗膜形成処理の後、溶
剤除去のための乾燥が行われるが、この熱処理工程中に
架橋を進行させるものである． 実験の結果、熱架橋を進行させるための熱処理温度は１
３０゜Ｃ以上が適当である。
なお、ジアジド化合物としては次の一殻弐で示すものが
代表的である。
代表的である。
４．４ −ジアジドカルコン
Ｎ，−Ｑ−ＣＨ冨ＣＭ−ＣＯ−Ｑ−Ｎｆｆ ・・
・・・・（４）４，４ −ジアジドジフエニールメタ
ンＮ：Ｉ−（Ｅ）−ＣＨ＊− （Ｅ）−Ｎｓ
−−（５）４．４′−ジアジドスチルベンゼン Ｎ ｓ − （）− Ｃ ｝ｌ ＝ Ｃ Ｈ − ＜Ｅ
＞ − Ｎ ｓ ・・・・・・（６）４，４′
−ジアジドベンザルアセトン Ｎ３−（Ｅ）−Ｃｌ ＝Ｃｌｌ−ＣＯ−ＣＩ＝Ｃ｝Ｉ−
＜Ｅ）−Ｎ３・・・（７）さて、以上記したようにジ
アジド化合物を加えて熱架橋させると未露光部の耐薬品
性が向上しているので、現像液の選択の幅が増し、結果
として解像性を向上することができる。
・・・・（４）４，４ −ジアジドジフエニールメタ
ンＮ：Ｉ−（Ｅ）−ＣＨ＊− （Ｅ）−Ｎｓ
−−（５）４．４′−ジアジドスチルベンゼン Ｎ ｓ − （）− Ｃ ｝ｌ ＝ Ｃ Ｈ − ＜Ｅ
＞ − Ｎ ｓ ・・・・・・（６）４，４′
−ジアジドベンザルアセトン Ｎ３−（Ｅ）−Ｃｌ ＝Ｃｌｌ−ＣＯ−ＣＩ＝Ｃ｝Ｉ−
＜Ｅ）−Ｎ３・・・（７）さて、以上記したようにジ
アジド化合物を加えて熱架橋させると未露光部の耐薬品
性が向上しているので、現像液の選択の幅が増し、結果
として解像性を向上することができる。
なお、効果が顕著であるジアジド化合物の添加量はボリ
マの分子量がｅｏｏ．ｏｏｏ以下の場合はボリマ重量の
１〜１５％であるが、分子量がこれ以上の場合は１〜５
％が適当である。
マの分子量がｅｏｏ．ｏｏｏ以下の場合はボリマ重量の
１〜１５％であるが、分子量がこれ以上の場合は１〜５
％が適当である。
実施例１： （ホモポリマの使用例）
Ｓｔ含有α置換アクリル系エステルとして一般式（３）
で示したメタクリル酸（ トリメチルシリルメチル）エ
ステルを用い、このホモポリマ（分子量約２００，００
０）を合成した。
で示したメタクリル酸（ トリメチルシリルメチル）エ
ステルを用い、このホモポリマ（分子量約２００，００
０）を合成した。
次に、このホモポリマ３０ｇを１ｊ２のエチルベンゼン
に溶解し、これにボリマ重量の５％の４．４一ジアジド
カルコン〔一般式（４）〕を加えて良く混合してレジス
ト液を作った。
に溶解し、これにボリマ重量の５％の４．４一ジアジド
カルコン〔一般式（４）〕を加えて良く混合してレジス
ト液を作った。
これをＳｉウエハ上に約３０００人の厚さにスピンコー
トし、窒素（Ｎ２）雰囲気中で温度２００゜Ｃで１時間
に亙って加熱乾燥した。
トし、窒素（Ｎ２）雰囲気中で温度２００゜Ｃで１時間
に亙って加熱乾燥した。
次に、加速電圧２０ Ｋ ｅＶの電子線で露光した後、
メタノールを現像液として５分間現像した結果、９．６
μＣ／ｃｍ”の感度を得ることができ、０．３ μｍ
のライン・アンド・スペースを解像することができた。
メタノールを現像液として５分間現像した結果、９．６
μＣ／ｃｍ”の感度を得ることができ、０．３ μｍ
のライン・アンド・スペースを解像することができた。
比較例１： （ジアジドを加えない場合）実施例ｌの組
成でジアジド化合物を含まないレジスト液を用いた以外
は実施例１と同様にレジストを塗布して露光を行った。
成でジアジド化合物を含まないレジスト液を用いた以外
は実施例１と同様にレジストを塗布して露光を行った。
これをメタノールを現像液として用いると総て溶解して
しまい現像できなかった。
しまい現像できなかった。
次に、イソブロビルアルコールに水を１０：１の割合に
加えて現像液とし、これを用いて１０分間現像した結果
、感度は６４μＣ／ｃｍ”と悪く、また３．０μ目のラ
イン・アンド・スペースも解像することはできなかった
． 比較例２： （ジアジドの添加量が適性でない場合）実
施例１において、４，４′−ジアジドカルコンの添加量
が０．０５％と少ないときは現像液に対する溶解性の変
化は見られず、加えない場合と同じである。
加えて現像液とし、これを用いて１０分間現像した結果
、感度は６４μＣ／ｃｍ”と悪く、また３．０μ目のラ
イン・アンド・スペースも解像することはできなかった
． 比較例２： （ジアジドの添加量が適性でない場合）実
施例１において、４，４′−ジアジドカルコンの添加量
が０．０５％と少ないときは現像液に対する溶解性の変
化は見られず、加えない場合と同じである。
また、添加量が２０％と多い場合は露光部が溶けにく一
なり、ボジ型のレジストパターンを得ることができなか
った。
なり、ボジ型のレジストパターンを得ることができなか
った。
実施例ｔ； （他のジアジド化合物を用いた場合）実施
例１において４．４ −ジアジドカルコンの代わりに
、４．４′〜ジアジドフエニルメタン〔一般式（５））
， ４．４ −ジアジドスチルベンゼン〔一般式（
６）） ， ４．４ −ジアジドベンザルアセトン〔
一般式（６）〕をそれぞれボリマ重量の５％を加えて３
種類のレジスト液を作り、実施例１で記したと同じよう
にＳｉウエハ上に約３０００人の厚さにスビンコートし
、窒素（Ｎ２）雰囲気中で温度２００ ’Ｃで１時間に
亙って加熱乾燥した。
例１において４．４ −ジアジドカルコンの代わりに
、４．４′〜ジアジドフエニルメタン〔一般式（５））
， ４．４ −ジアジドスチルベンゼン〔一般式（
６）） ， ４．４ −ジアジドベンザルアセトン〔
一般式（６）〕をそれぞれボリマ重量の５％を加えて３
種類のレジスト液を作り、実施例１で記したと同じよう
にＳｉウエハ上に約３０００人の厚さにスビンコートし
、窒素（Ｎ２）雰囲気中で温度２００ ’Ｃで１時間に
亙って加熱乾燥した。
次に、加速電圧２０ＫａＶの電子線で露光した後、メタ
ノールを現像液として５分間現像した結果、実施例１と
同様に９．６μＣ／ｃｍ２の感度を得ることができ、０
．３μｍのライン・アンド・スペースを解像することが
できた。
ノールを現像液として５分間現像した結果、実施例１と
同様に９．６μＣ／ｃｍ２の感度を得ることができ、０
．３μｍのライン・アンド・スペースを解像することが
できた。
実施例３（ホモポリマの分子量が異なる場合）実施例１
において一般式（３）で示したメタクリル酸（トリメチ
ルシリルメチル）エステルの分子量約８００ ， ００
０のポリマに一般式（４）に示す４−４′−ジアジドカ
ルコンを２％加えた以外は実施例１と同様にして実験し
、シクロヘキサンで３０秒現像した結果、９．６μＣ／
ｃＩＩ１２の感度を得ることができ、０．３μｍのライ
ン・アンド・スペースを解像することができた。
において一般式（３）で示したメタクリル酸（トリメチ
ルシリルメチル）エステルの分子量約８００ ， ００
０のポリマに一般式（４）に示す４−４′−ジアジドカ
ルコンを２％加えた以外は実施例１と同様にして実験し
、シクロヘキサンで３０秒現像した結果、９．６μＣ／
ｃＩＩ１２の感度を得ることができ、０．３μｍのライ
ン・アンド・スペースを解像することができた。
比較例３：
実施例３において、一般式（４）に示す４−４′−ジア
ジドカルコンを５％加えると露光部が溶けなくなった。
ジドカルコンを５％加えると露光部が溶けなくなった。
また、分子量８００．０００のボリマに４−４ −ジ
アジドカルコンを加えなかった場合はイソプロビルアル
コール；水＝５：１の現像液で５分間現像して感度は１
４μＣ／ｃｆｆ１！であり、０．５μｍのライン・アン
ド・スペースを解像した。
アジドカルコンを加えなかった場合はイソプロビルアル
コール；水＝５：１の現像液で５分間現像して感度は１
４μＣ／ｃｆｆ１！であり、０．５μｍのライン・アン
ド・スペースを解像した。
実施例４： （共重合体使用例）
一般式（３）で示すメタクリル酸（トリメチルシリルメ
チル）エステルと一般式（２）で示す２，２．２− ト
リフルオロエチル（α一 トリフルオロメチル）アクリ
レートとの共重合体（共重合比７：３，分子量３００，
０００）について実施例１と同様の実験を行い、トルエ
ンを用いて現像した結果、８．０ μＣ／ＣＩｍ２の感
度を得ることができ、０．５μｍのライン・アンド・ス
ペースを解像することができた。
チル）エステルと一般式（２）で示す２，２．２− ト
リフルオロエチル（α一 トリフルオロメチル）アクリ
レートとの共重合体（共重合比７：３，分子量３００，
０００）について実施例１と同様の実験を行い、トルエ
ンを用いて現像した結果、８．０ μＣ／ＣＩｍ２の感
度を得ることができ、０．５μｍのライン・アンド・ス
ペースを解像することができた。
比較例４：
実施例４においてジアジド化合物を混合しない場合、現
像液としてシクロヘキサンを用いる場合は総て溶解して
しまって現像ができなかった。
像液としてシクロヘキサンを用いる場合は総て溶解して
しまって現像ができなかった。
また、ｎ−オクチルアルコール：メタノール＝５：１の
混合液を現像液とする場合は、４分現像して怒度は５０
μＣ／ｃｍ” と悪＜、３．０ μｍのライン・アンド
・スペースも解像することができなかった。
混合液を現像液とする場合は、４分現像して怒度は５０
μＣ／ｃｍ” と悪＜、３．０ μｍのライン・アンド
・スペースも解像することができなかった。
実施例５：
Ｓｉ含有α置換アクリル系エステルとして下記の一般式
（８）で示すものを用い、この分子量５００，０００の
ホモポリマについし実施例１と同様の実験を行った。
（８）で示すものを用い、この分子量５００，０００の
ホモポリマについし実施例１と同様の実験を行った。
占
但し、レジストの溶媒としてはシクロヘキサンを使用し
、また現像液としてイソプロビルアルコールを使用し５
分間現像した。
、また現像液としてイソプロビルアルコールを使用し５
分間現像した。
その結果、９．６μＣ／ｃｍ”の感度を得ることができ
、０．５μ信のライン・アンド・スペースを解像するこ
とができた． 比較例５： 実施例５においてジアジド化合物を加えなかった場合は
水：イソプロビルアルコール＝１：ｉｏの現像液を用い
、２０分現像した結果、感度は６４μＣ／ｃｍ”と悪く
、３．０μｌのライン・アンド・スペースも解像するこ
とができなかった． 〔発明の効果〕 本発明の実施により今まで劣っていた解像性を向上する
ことができ、二層構造の上層レジストとしての実用化が
可能となる。
、０．５μ信のライン・アンド・スペースを解像するこ
とができた． 比較例５： 実施例５においてジアジド化合物を加えなかった場合は
水：イソプロビルアルコール＝１：ｉｏの現像液を用い
、２０分現像した結果、感度は６４μＣ／ｃｍ”と悪く
、３．０μｌのライン・アンド・スペースも解像するこ
とができなかった． 〔発明の効果〕 本発明の実施により今まで劣っていた解像性を向上する
ことができ、二層構造の上層レジストとしての実用化が
可能となる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記一般式（１）で示されるシリコン含有α置換アクリ
ル系エステルのホモポリマ、または該シリコン含有α置
換アクリル系エステルと下記一般式（２）で示される２
、２、２−トリフルオロエチル（α−トリフルオロメチ
ル）アクリレートとのコーポリマに、ジアジド化合物を
混合してなることを特徴とするレジスト組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（１） こゝでＸはＣＦ＿３、Ｃｌ、ＣＨ＿３、ＣＮ、ＣＨ＿２
ＣＯ＿２Ｙ ＹはＣ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１（ｎ＝１〜４）、▲数式
、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、−Ｓｉ（ＣＨ＿３
）＿２Ｒ＿１、 −ＣＨ＿２Ｓｉ（ＣＨ＿３）Ｒ＿１ Ｒ＿１−ＣＨ＿３または−ＣＨ＿２Ｓｉ（ＣＨ＿３）＿
３ Ｒは−Ｓｉ（ＣＨ＿３）＿２Ｒ＿１、−ＣＨ＿２Ｓｉ（
ＣＨ＿３）Ｒ＿１ ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（２）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6003689A JPH02239251A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6003689A JPH02239251A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | レジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02239251A true JPH02239251A (ja) | 1990-09-21 |
Family
ID=13130443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6003689A Pending JPH02239251A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02239251A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5192643A (en) * | 1990-01-24 | 1993-03-09 | Fujitsu Limited | Pattern-forming method and radiation resist for use when working this pattern-forming method |
| US5856071A (en) * | 1993-09-24 | 1999-01-05 | Fujitsu Limited | Resist material including si-containing resist having acid removable group combined with photo-acid generator |
-
1989
- 1989-03-13 JP JP6003689A patent/JPH02239251A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5192643A (en) * | 1990-01-24 | 1993-03-09 | Fujitsu Limited | Pattern-forming method and radiation resist for use when working this pattern-forming method |
| US5856071A (en) * | 1993-09-24 | 1999-01-05 | Fujitsu Limited | Resist material including si-containing resist having acid removable group combined with photo-acid generator |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100478781C (zh) | 蚀刻方法和用于形成蚀刻保护层的组合物 | |
| JP2919004B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| US6753129B2 (en) | Method and apparatus for modification of chemically amplified photoresist by electron beam exposure | |
| JP2021527949A (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用接着層 | |
| JP2001053068A (ja) | 反射防止ハードマスク組成物 | |
| JP2003502698A (ja) | 電子線露光による１９３ｎｍ感光性フォトレジスト材料の改変 | |
| JPH0511450A (ja) | フオトレジスト | |
| US6340556B1 (en) | Tailoring of linewidth through electron beam post exposure | |
| JP2023020960A (ja) | レジスト下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法 | |
| JP2707785B2 (ja) | レジスト組成物およびパターン形成方法 | |
| JP2653148B2 (ja) | レジスト組成物 | |
| US6451501B1 (en) | Acid sensitive copolymer, resist composition and resist pattern forming method | |
| JPH02239251A (ja) | レジスト組成物 | |
| JP4356090B2 (ja) | シリコン含有レジスト組成物、およびパターニングされた材料を基板上に形成する方法（２層式リソグラフィ用の低シリコン・ガス放出レジスト） | |
| JP3766245B2 (ja) | パタン形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP2025169227A (ja) | レジスト下層膜用組成物、およびこれを用いたパターン形成方法 | |
| JP3001606B2 (ja) | フオトレジスト構造の縮小方法 | |
| JP2725351B2 (ja) | Ｘ線レジスト組成物 | |
| JP2025170762A (ja) | レジスト下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法 | |
| KR20050038125A (ko) | 미세 콘택홀 형성방법 | |
| JPS62222247A (ja) | ポジ型フオトレジスト材料 | |
| JPS62159142A (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| JPH08181052A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2618978B2 (ja) | レジスト材料およびこのレジスト材料を使用するパターン形成方法 | |
| JPH02275462A (ja) | 電子ビームレジストのパターン形成方法 |