JPH0224035B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は回路基板の製造方法に係り、特に網状
化反応により硬化する樹脂を用いた回路基板の製
造方法に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

従来、樹脂を基材とした回路基板で実用化され
ているものでは、紙−フエノール基板、ガラスマ
ツト・ポリエステル基板、ガラス・エポキシ基板
等の熱硬化性樹脂を主体としたものが知られてい
る。そしてこの種の回路基板では従来、銅張の熱
硬化性樹脂板を用い、レジストを印刷しエツチン
グにより下要の銅を溶解・除去することにより回
路パターンを形成していた。

このように従来上記の如き熱硬化性樹脂を主体
としたものが一般的であつた主な理由は、熱可塑
性樹脂は、熱に弱いことである。すなわち、一般
的には回路基板は、部品との接続において半田付
けを必要とし、通常用いられるSnとPbの共晶組
成の半田では、220℃〜260℃に耐えることが要求
される。これに対して熱可塑性樹脂は、上述の温
度に耐えることができないためである。

一方、回路の実装密度を高めるため回路パター
ンの多層化が行なわれている。この場合、従来各
層間の回路パターンを接続するにあたり、無電解
メツキを応用した銅スルホールが多用されてい
る。すなわち、銅帳積層板をエツチングしたもの
とプリプレグとを交互に重ね合せ熱圧着後、穿孔
して得られた孔壁に無電解メツキを施し、表裏面
を所望パターンにエツチングして多層化するとい
う工程により各層間の回路パターンを接続するも
のである。しかし、この方法は工程が複雑である
ため、回路基板が高価となる欠点がある。

多層回路基板の他の例としては、絶縁基板上に
導体ペーストを印刷・焼成し、次いで絶縁体ペー
ストを印刷・焼成するという工程を繰り返して多
層化する厚膜回路基板がある。この方式はスルー
ホール加工、つまり孔壁への導体被着という工程
が不要であるため工程的には簡単であるが、印刷
の繰り返しにより多層化するほど段差が蓄積さ
れ、４層以上の多層になると実際上印刷が困難と
なるという問題があつた。

さらに、上述した多層回路基板はいずれも絶縁
性基板面と回路パターン面とが同一平面上にな
く、回路パターン面が基板面より数十μm程度突
出することが多い。従つて、回路基板と摺動を要
する部品、例えばコネクタとの結合動作あるいは
スイツチや可変抵抗器の接点の摺動において動作
が不安定となり易く、機械的摩耗や電気アークの
発生を伴うという問題があつた。

〔発明の目的〕

本発明は、上記欠点に鑑みなされたもので、そ
の目的とするところは網状化反応によつて硬化す
る樹脂を用いることによつて簡単な製造工程によ
り得られる層数の制約のない回路基板の製造方法
を提供することにあり、更に詳しくは回路パター
ンが絶縁性基板の表面に突出しない回路基板の製
造方法を提供することにある。

他の目的は、網状化反応によつて硬化する樹脂
を用いることによつて簡単な製造工程で多層化が
容易に行なえ、また立体化配線が可能な回路基板
の製造方法を提供することにある。

更に他の目的は、半田付けを必要とせずに部品
との接続が可能な回路基板の製造方法を提供する
ことにある。

〔発明の概要〕

本発明は、Ｂステージ状態にある網状化反応を
おこして硬化する樹脂によつて第１の絶縁性部材
である基材を形成し、この基材上に同じくＢステ
ージ状態の硬化性樹脂をバインダーとする導電性
樹脂組成物によつて回路パターンを形成し、この
回路パターン上にＢステージもしくはＣステージ
状態の第２の絶縁性部材を形成し、これら第１及
び第２の絶縁性部材を互いに熱圧着することによ
つてＢステージ状態の硬化性樹脂を塑性変形さ
せ、回路パターンの一部を第２の絶縁性部材に設
けられた穿孔部もしくは切欠部を介して第２の絶
縁性部材の表面まで盛り上げるようにしたことを
特徴とする回路基板の製造方法である。

〔発明の効果〕

本発明によれば、Ｂステージ状態の硬化性樹脂
で絶縁性部材を形成し、また同ステージ状態にあ
る硬化性樹脂をバインダーとする導電性樹脂組成
物で回路パターンを形成し、所定の部分に穿孔部
もしくは切欠部を有する絶縁性フイルムで回路パ
ターンを覆い、これらを熱圧着するようにしてい
るので、熱圧着によつてＢステージ状態の硬化性
樹脂からなる基材とＢステージ状態のバインダー
を含む回路パターンとは共に塑性変形し、回路パ
ターンの一部が上記穿孔部もしくは切欠部を介し
て断線することなく絶縁性フイルム表面まで盛り
上る。従つて孔壁に無電解メツキ等を施すことな
くスルーホールを形成することができ、また多層
にした場合の基板表面での回路パターンの突出も
ない。さらに他の電気部品との接続も半田付け工
程を用いることなく行なうことが可能となる。こ
のように本発明によれば、多層化が極めて容易で
かつ安価な回路基板の製造方法を提供することが
できる。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例について第１図ａ〜ｄ
を参照して説明する。

本発明においては、網状化反応を起して硬化す
る樹脂が使用される。この樹脂は、常温ではＢス
テージと呼ばれる半固体状で、熱を加えることに
よつて可塑性を呈するが、成形後は更に熱或いは
放射線を加えることにより、網状化反応を起して
硬化するものである。

第１図ａにおいて１はＢステージの熱硬化性樹
脂からなる基材でこの基材１の一方の面上に第１
図ｂに示すように後で詳しく述べる方法により回
路パターン２が形成される。回路パターン２は基
材１と同種または異種のＢステージの熱硬化性樹
脂をバインダとし、金属粉または半導電性粉を混
入させた導電性樹脂組成物で形成されている。

ここで、基材１および回路パターン２に用いら
れる回路基板材料としては熱硬化樹脂に限定され
るものではなく紫外線等の放射線を照射して網状
化反応を起して硬化するものであつてもよい。実
用可能な電気絶縁性、耐湿性、耐熱性を兼ね備え
た熱硬化樹脂として例えばエポキシ樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、１，２ポリブタジエン樹脂、
熱硬化型アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ノボ
ラツク型フエノール樹脂、ポリイミド樹脂、キユ
メンバーオキサイド等の過酸化物を含むスチレン
ージビニルベンゼン共重合体、過酸化物を含むポ
リエチレン系樹脂等が使用され、また放射線硬化
樹脂として例えばポリエチレン系樹脂が使用され
る。また、導電性樹脂組成物に使用する金属粉と
しては、金、銀、銅、ニツケル、タングステン、
モリブデン、白金、アルミニウム、錫およびこれ
らを主体とする合金あるいは複合粉等が挙げら
れ、半導電性粉としてはカーボン粉、炭化珪素
物、五酸化バナジウム粉等あるいはこれらの混合
粉が挙げられる。基材１と回路パターン２に使用
される熱硬化性樹脂は同種であることが最も望ま
しいが、必ずしも同種でなくともよく、上記に挙
げたプレポリマーとほぼ同等の性質を有するもの
であれば、異種の組合わせでもよい。導電性樹脂
組成物を所望パターンに形成する方法としては、
印刷による方法が好ましく、その例として導電性
組成物を溶剤に溶かしてペースト化し、スクリー
ン印刷、オフセツト印刷、インクジエツト方式に
よる印刷等の、所要の図形になるように移動させ
ながら描画を行なうデスペンサー方式、あるいは
導電性樹脂組成物を粉体状にして静電印刷する方
式、さらに導電性組成物に感熱性を付与せしめ選
択的に加熱してパターン化する方式等がある。

次に、第１図ｃに示すように回路パターン２の
上面をＢステージの絶縁性フイルム３によつて覆
う。この絶縁性フイルム３はやはり熱もしくは放
射線によつて網状化反応を起こす硬化性樹脂から
あるものであり、基材１と同種であることが好ま
しいが、必ずしも同種である必要はなく、接着性
において組合せが悪い場合は接着剤層を形成した
絶縁性フイルムであつてもよい。また、この絶縁
フイルム３は予めシート状に形成しておき単に回
路パターン２上に静置してもよいし、印刷、プレ
ス、ラミネートなどにより形成してもよい。この
絶縁性シート３には、前記回路パターン２の特定
部分に対応する領域に穿孔４または切欠部５が形
成されている。

そして、第１図ｃの状態で基材１と絶縁性フイ
ルム３とを所望の温度と圧力で熱圧着することに
より、基材１、回路パターン２及び絶縁性フイル
ム３は塑性変形し、第１図ｄに示すように回路パ
ターン２の表面が絶縁性フイルム３の穿孔４また
は切欠部５を介して絶縁性フイルム３と同一平面
上に露出する。次いでさらに温度を上昇させもし
くは放射線を照射して網状化反応をおこなわせし
めることにより前記基材、回路パターン及び絶縁
性フイルムを硬化させ、回路板６が得られる。

尚、絶縁性フイルム３はＣステージの熱硬化性
樹脂を用いてもよい。この場合は、上記熱圧着に
よつて基材１及び回路パターン２が塑性変形し、
回路パターン２の表面がＣステージの絶縁性フイ
ルム３の穿孔又は切欠部を介して絶縁性フイルム
３と同一表面に露出する。

第１図ｄに示す回路板６の断面領域（導電性露
出面）７および８を拡大した様子を第２図に示
す。すなわち第２図において、断面領域１０の扇
形部分は第１図の絶縁性フイルム３に対応し、断
面領域１１の台形部分は第１図の基材１と回路パ
ターン２に対応している。本図から明らかなよう
に断面領域１０および１１の境界領域１２では回
路パターン２がなめらかな曲線を描いており、し
かも、ほぼ平滑な露出面（図の左上部）に連続し
て一体化形成されていることが判る。

以上説明したことから明らかなように、本発明
によれば、第１図ｄおよび第２図に示すごとく、
基材１、回路パターン２および絶縁性フイルム３
を網状化反応によつて硬化する樹脂を用いて一体
成形することにより、回路パターンと絶縁材との
境界領域で回路パターン２が断線することなく、
絶縁性フイルムと同一平面上まで盛り上つて電気
的接続を確保することができる。従つて第１図ｃ
に相当するものを予め複数個用意しておき、それ
らを熱圧着することにより回路パターンを相互に
接続することができ、かつ平滑な面を保持するこ
とができる。

このように本発明を多層回路基板に適用した実
施例を第３図を参照して説明する。

まず、第３図ａに示すように、第１図ｂで説明
した工程により得られた回路基板３０，３１，３
２を用意する。第１層目の回路基板３０には、下
面側に回路パターン３０１，３０３が形成され、
右端側に穿孔３０２が形成されている。第２層目
の回路基板３１には上下両面に回路パターン３１
１，３１４および３１２，３１５が形成され、左
端側に穿孔３１３が形成されている。さらに第３
層目の回路基板３２には上面側に回路パターン３
２１，３２３，３２４，３２５が形成され、右端
側に穿孔３２２が形成されている。また、この例
では多層回路基板に付髄する個別部品として例え
ば第１層目と第２層目の回路基板３０，３１の回
路パターン３０３と３１４との間に抵抗３３が介
在され、回路基板３１，３２の間にダイオード３
４が介在される。

この状態で３枚の回路基板３０，３１，３２を
熱圧着により一体化すると、第３図ｂに示すよう
になる。すなわち、第２層目の回路基板３１上の
回路パターン３１１および３１２は、穿孔３０２
および３２２をそれぞれ通して基板３０および３
２の上面および下面と同一平面上に盛り上つて露
出する。また、回路パターン３０１および３２１
は回路基板３１に設けられた穿孔３１３を通して
互いの方向に盛り上つてこの穿孔３１３内で接触
し、導通状態となる。また抵抗３３の上電極３３
１は回路パターン３０３に、そして下電極３３２
は回路パターン３１４に接続される。このとき、
抵抗３３は第３図ｂに示すように回路基板３０と
３１に埋設されるような形態になる。一方、ダイ
オード３４の左電極３４１は回路基板３２の回路
パターン３２３と、また右電極３４２は回路パタ
ーン３２４とそれぞれ接続される。このとき、ダ
イオード３４は抵抗３３と同様に回路基板３１と
３２に埋設された形となる。そして、回路パター
ン３１５と３２５は上下に相対応する位置にある
ので、熱圧着時に一体化される。次いでこの塑性
変形後加熱もしくは放射線照射により硬化反応を
行わせしめる。

このように３枚の回路基板３０，３１，３２を
一体化することによつて、回路基板３枚分の厚さ
とほぼ同等あるいはそれ以下の厚みで一体化され
た３層構造の回路基板が形成される。

このように本発明によれば回路パターンが熱圧
着時、断線を生じることなく塑性変形できるた
め、多層にした場合でも基板表面に回路パターン
が突出することがない。また半田付け工程を用い
ることなく他の電気部品を回路パターンに接続す
ることができる。

尚、層数が増えて一回の工程で熱圧着ができな
い場合は、上或いは下の回路基板から順に位置合
せして圧着していくようにすればよい。

更にまた本発明によれば、回路基板の回路パタ
ーンが熱圧着時、断線を生じることなく塑性変形
が可能であるため、回路基板の立体化が可能にな
る。すなわち、Ｂステージの絶縁性フイルムを用
いて第４図ａに示すような回路基板４０を第１図
で説明した方法でつくる。図において、４１は回
路パターンである。この回路基板４０を加温状態
にして、塑性変形し得る状態にしてから、押し出
し或いは真空成形または冷間加工法等によつて、
第４図ｂに示すように所定形状に配線を立体化す
ることが可能になる。この立体配置は、一面側を
絶縁層、他面側を回路層とすれば、電子機器の筐
体として利用可能になり、実用的価値が極めて大
なる効果がある。

以上説明した本発明の実施例をさらに具体的に
説明する。

具体例 １ 第１図の製造工程において、５％のジシアンジ
アミドを含む平均分子量2500のビスフエノールＡ
型のＢステージ状態のエポキシ樹脂からなる３mm
厚の基材１に、これと同じＢステージエポキシ樹
脂からなるプレポリマー100重量部に対してシク
ロヘキサノンとｎブチルカルビトールを１対１に
配合した混合溶剤330重量部を加温下で均一溶液
となし、さらにこの溶液に850重量部の平均粒径
5μの銀粉を添加し、ペイントロールで混練して
導電性樹脂組成物を得た。これを前記基材１にス
クリーン印刷法により第１図ｂのように印刷した
後、常温・減圧下で１時間乾燥を行ない、回路パ
ターン２を形成した。次いで、0.1mm厚の前述と
同様のプレポリマよりなる絶縁性フイルム３の所
定個所に３mmφの孔をあけ、この絶縁性フイルム
３により基材１上に印刷された回路パターン２を
第１図ｃに示すごとく覆つて熱圧着を行なつた。
熱圧着の条件は80℃，５Kg／cm²（樹脂圧）で時間
は30分とした。次いで、これを網状化しＣステー
ジに移行させるために同じ圧力で100℃，30分、
120℃，20分、150℃，１時間網状化反応を行なわ
しめた。この結果、第１図ｄに示したように絶縁
性フイルム３と回路パターン２の表面とが同一平
面上にある回路基板が得られた。また回路パター
ン２の露出部と内層部分の接続を測定したところ
接続は完全になされていた。また第５図に示すよ
うにフイルム状の絶縁性基板に２mmφの孔５１を
あけ、これを10mmピツチで50個連続させ、これら
の孔５１に端部が一部重なるように基板の表裏面
に１mm幅の回路パターン（導体路）５２を交互に
印刷して熱圧着を行つたところ、表裏面の導体路
は各々基板に埋めこまれ、かつ表裏面の導体路が
孔５１内で接続され、一端から他端まで連続した
導体路が形成された。そしてその抵抗値も25Ωと
十分に低かつた。また、この回路基板を変形・屈
曲させても抵抗値の変化はほとんど認められなか
つた。

具体例 ２ 第６図ａに示すように、0.5％のキユメンパー
オキサイドおよび重量比で50％の平均粒径10μm
のフユーズドシリカを含むＢステージ１，２ポリ
ブタジエン樹脂（日本曹達社製ポロブタジエンＢ
−4000）をプレスで成型して得た0.8mm厚の基材
６１に2.4×1.2mmの孔６２，６３をあけ、次いで
ここに第６図ｂに示すように、2.4×1.2×0.8mmの
チツプ抵抗６４と、3.0×1.8×0.8mmのチツプコン
デンサ６５を圧入し、表面を略平担化した。な
お、６６ａ，６６ｂ，６７ａ，６７ｂは端子であ
る。次いで、Ｂステージ１，２ポリブタジエン樹
脂（日本曹達社製、ポリブタジエン樹脂Ｂ−
2000）に２％のキユメンパーオキサイドと平均粒
径5μmの銀粒を80％加え、若干量のテトラリンを
添加して３本ロールにて導電性樹脂組成物を調製
し、この導電性樹脂組成物を印刷し、減圧・乾燥
して第６図ｃに示す如く回路パターン６８を形成
した。次に、第６図ｄに示すように基材６１と同
じ樹脂のプレポリマからなるプレポリマシートの
特定位置に孔７０をあけた絶縁性フイルム６９を
回路パターン６８の上に積み重ね、さらに裏面に
絶縁フイルム７１（0.1mm厚）を置いて、加熱お
よび加圧できる型内に収容し、常温で10Kg／cm²
（樹脂圧）を加えることによつて部品一体化回路
基板を得た。次いでこれを熱圧着することによ
り、第６図ｅに示すように絶縁性フイルム６９と
同一平面上に回路パターン６８の露出面７３が形
成された。次いでこれを両面を型で押えながら
180℃に昇温させ網状化反応を行なわせしめた。
こうして得られた回路基板の接続をチエツクした
ところ、断線等はなく回路は正常に動作した。

具体例 ３ 第７図ａに示すように、樹脂ポリマに重量比で
20％のガラス繊維を添加したプレポリマからなる
基材８０，８０′の所定個所に１mmφの孔８１を
あけ、表裏面から導電性樹脂組成物よりなる回路
パターン８２，８３を印刷した。このとき孔８１
内には導電性樹脂組成物が流れ込み、図示のよう
に表裏の回路パターンは接続された。その後これ
を常温で24時間放置して乾燥を行なつた。ここで
導電性樹脂組成物は、前記具体例２で使用したの
と同じものを用い、印刷はロール転写方式で行な
つた。

次いで、このように調製した異なる導体パター
ンを有する２枚の基材の間に、特定の部分に孔９
０，９１を有する基材８０と同一材質からなる
100μm厚の絶縁性フイルム８５を介在させ、さら
に最外層に特定の部分に孔８７〜８９を有する
100μm厚の絶縁性フイルム８４，８６を配置し、
60℃，10Kg／cm²（樹脂圧）で加熱・加圧プレスを
行ない、さらに180℃，60Kg／cm²で30分間加熱・
加圧プレスを行なつて、冷却後、取出した。得ら
れた回路基板の断面は略第７図ｂに示したような
構造を有しており、上下回路の回路パターンの電
気的接続は良好に保たれていた。

具体例 ４ 0.5mm厚のＢステージポリエチレン樹脂のシー
トを基材とし、一方、Ｂステージポリエチレン樹
脂10部、テトラリン80部、平均粒径5μmの銅粒80
部およびピロカロール0.2部からなる導電性樹脂
組成物を調製した。この場合、約60℃に加熱した
熱ロールで配合物を混練してペーストを調製し
た。次いで、この導電性樹脂組成物を加温したま
ま、約60℃に加温した前記基材上に所定パターン
にスクリーン印刷し、減圧下40〜５℃で乾燥し、
前記ポリエチレンフイルムを重ね合せ、130℃，
５〜10Kg／cm²（樹脂厚）になるようにして熱ロー
ルでラミネートした。この操作を２回繰り返し
た。

次いで、得られた回路基板シートを第４図ｂに
示したような雌型をもつ型を用い、シートを160
℃に予熱して真空成型を行つたところ、第４図ｂ
に示したような立体回路基板が得られた。次い
で、これにβ線を主体とする放射線を照射して網
状化反応を行なわせしめた。得られた回路基板は
回路パターンの切断等もなく、回路基板として十
分に使用できることが確認された。

次に第８図および第９図を参照して、本発明の
変形例を説明する。すなわち第１図で説明した実
施例によれば、回路パターンが回路基板と同一平
面上に露出するごとく形成されている。この回路
パターンは、導電性材料にバインダーとして樹脂
を含んだ組成物で形成されているため、耐摩耗性
或いは他の端子との接続強度の点で弱い問題があ
る。それを補うための保護層の形成について述べ
たものである。

すなわち、第８図ａ乃至ｄの工程は、第１図ａ
乃至ｄまでの工程と同じである。次に回路パター
ン２の露出面７にCu或いはNiメツキを施した後、
（第８図ｅを参照）金或いは銀メツキ等の保護層
７ａを施した後、再度熱圧着してこの保護層７ａ
を絶縁フイルム中に圧入した（第８図ｆ）もので
ある。

第９図は、絶縁性フイルム３の穿孔４に予め金
或いは銀の薄片７ｂを挿入して（第９図ｃ参照）、
これを熱圧着することにより、第９図ｄに示すよ
うに金或いは銀の薄片を絶縁フイルムと同一平面
上に露出させ、電気的接続関係を保つて盛り上つ
た回路パターン２の保護層７ｂを形成した例であ
る。

以上説明したように本発明によれば、半田付け
工程或いはスルホール等の接続技術を使用するこ
となく、多層配線が可能になる。そのため近年厚
さ１mm以下の基体に集積回路を埋設し、所望の使
用形態に沿つて使用される外部からの入力を自己
の基本回路によつて処理した上で新たな信号を出
力するような薄型実装における例えば電卓、キヤ
シユカード或いはクレジツトカード等に幅広く適
用出来るという効果がある。

本発明においては、要旨を変更しない範囲で
種々の応用、変形が考えられることは勿論いうま
でもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る回路基板の製造方法の
一実施例を説明するための工程図、第２図は、第
１図の製造工程により得られる本発明回路基板の
回路パターンと絶縁フイルムの境界領域の状態を
拡大して示す断面図、第３図乃至第７図は、本発
明の具体例を説明するための工程図および平面
図、第８図および第９図は、本発明の変形例を説
明するための製造工程図である。 １……回路基板、２，１１……回路パターン、
３，１０……絶縁フイルム、４……穿孔、７，８
……導電露出面。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ Ｂステージ状態にある網状化反応をおこして
   硬化する樹脂によつて第１の絶縁性部材を形成す
   る工程と、Ｂステージ状態にある網状化反応をお
   こして硬化する樹脂をバインダーとした導電性樹
   脂組成物からなる回路パターンを前記第１の絶縁
   性部材上に形成する工程と、Ｂステージもしくは
   Ｃステージ状態にある網状化反応をおこして硬化
   する樹脂からなり前記回路パターンの所定部に対
   応する領域に穿孔部もしくは切欠部を有する第２
   の絶縁性部材を少なくとも前記回路パターンを覆
   うように形成する工程と、前記第１及び第２の絶
   縁性部材と前記回路パターンとを互いに熱圧着し
   て前記回路パターンの一部を前記穿孔部もしくは
   切欠部を通して前記第２の絶縁性部材と略同一表
   面になるまで盛り上げる工程と、前記絶縁性部材
   と前記回路パターンとを硬化させる工程とを備え
   たことを特徴とする回路基板の製造方法。 ２ 前記第１、第２の絶縁性部材及び前記回路パ
   ターンを形成するために用いる樹脂は熱硬化樹脂
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の回路基板の製造方法。 ３ 前記熱硬化樹脂は、エポキシ樹脂、不飽和ポ
   リエステル樹脂、１，２ポリブタジエン樹脂、熱
   硬化型アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ノボラ
   ツク型フエノール樹脂、ポリイミド樹脂、過酸化
   物を含むスチレンージビニルベンゼン共重合体、
   過酸化物を含むポリエチレン系樹脂から選ばれた
   少なくとも１つであることを特徴とする特許請求
   の範囲第２項記載の回路基板の製造方法。 ４ 前記第１、第２の絶縁性部材及び前記回路パ
   ターンを形成するために用いる樹脂は放射線硬化
   樹脂であることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の回路基板の製造方法。 ５ 前記放射線硬化樹脂は、ポリエチレン系樹脂
   であることを特徴とする特許請求の範囲第４項記
   載の回路基板の製造方法。 ６ 前記回路パターンを形成する前記導電性樹脂
   組成物は金属粉もしくは半導電性粉を含むことを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の回路基板
   の製造方法。 ７ 前記金属粉は、金、銀、銅、ニツケル、タン
   グステン、モリブデン、白金、アルミニウム、錫
   から選ばれた少なくとも一種もしくはこれらのう
   ちの二種以上の合金であることを特徴とする特許
   請求の範囲第６項記載の回路基板の製造方法。 ８ 前記半導電性粉は、カーボン、炭化珪素、五
   酸化パナジウムから選ばれた少なくとも一種であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の
   回路基板の製造方法。 ９ Ｂステージ状態にある網状化反応をおこして
   硬化する樹脂によつて第１及び第２の絶縁性部材
   を形成する工程と、Ｂステージ状態にある網状化
   反応をおこして硬化する樹脂をバインダーとした
   導電性樹脂組成物からなる回路パターンを前記第
   １及び第２の絶縁性部材上に対向させて形成する
   工程と、ＢステージもしくはＣステージ状態にあ
   る網状化反応をおこして硬化する樹脂からなり前
   記第１及び第２の絶縁性部材上に対向して形成さ
   れた前記回路パターンの所定部に対応する領域に
   穿孔部を有する第３の絶縁性部材を前記第１の絶
   縁性部材と前記第２の絶縁性部材との間に形成す
   る工程と、前記第１乃至第３の絶縁性部材を熱圧
   着することにより前記第１の絶縁性部材上に形成
   された前記回路パターンと前記第２の絶縁性部材
   上に形成された前記回路パターンとを前記第３の
   絶縁性部材の穿孔部中で接続する工程と、その後
   前記絶縁性部材と前記回路パターンとを硬化させ
   る工程とを備えたことを特徴とする回路基板の製
   造方法。 １０ Ｂステージ状態にある網状化反応をおこし
   て硬化する樹脂によつて第１及び第２の絶縁性部
   材を形成する工程と、Ｂステージ状態にある網状
   化反応をおこして硬化する樹脂をバインダーとし
   た導電性樹脂組成物からなる回路パターンを前記
   第１及び第２の絶縁性部材上に対向させて形成す
   る工程と、ＢステージもしくはＣステージ状態に
   ある網状化反応をおこして硬化する樹脂からなり
   前記回路パターンの所定部に対応する領域に穿孔
   部を有する第３の絶縁性部材を形成する工程と、
   Ｂステージ状態にある網状化反応をおこして硬化
   する樹脂をバインダーとした導電性樹脂組成物か
   らなる回路パターンを前記第３の絶縁性部材の少
   なくとも一方の面上に形成する工程と、前記回路
   パターンが形成された前記第３の絶縁性部材を前
   記第１の絶縁性部材と前記第２の絶縁性部材との
   間に介在させるとともに前記第３の絶縁性部材と
   前記第１及び第２の絶縁性部材のうちの少なくと
   も一方の部材との間に電気部品を介在させる工程
   と、前記第１乃至第３の絶縁性部材を熱圧着する
   ことにより前記第１の絶縁性部材上に形成された
   前記回路パターンと前記第２の絶縁性部材上に形
   成された前記回路パターンとを前記第３の絶縁性
   部材の穿孔部中で接続するとともに前記第１及び
   第２の絶縁性部材のうちの少なくとも一方の部材
   上に形成された前記回路パターンと前記第３の絶
   縁性部材上に形成された前記回路パターンとを前
   記電気部品の電極に接続する工程と、その後前記
   絶縁性部材と前記回路パターンとを硬化させる工
   程とを備えたことを特徴とする回路基板の製造方
   法。