JPH02240527A - 半導体光検出装置 - Google Patents
半導体光検出装置Info
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- JPH02240527A JPH02240527A JP1061670A JP6167089A JPH02240527A JP H02240527 A JPH02240527 A JP H02240527A JP 1061670 A JP1061670 A JP 1061670A JP 6167089 A JP6167089 A JP 6167089A JP H02240527 A JPH02240527 A JP H02240527A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- UKUVVAMSXXBMRX-UHFFFAOYSA-N 2,4,5-trithia-1,3-diarsabicyclo[1.1.1]pentane Chemical compound S1[As]2S[As]1S2 UKUVVAMSXXBMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000283986 Lepus Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021167 banquet Nutrition 0.000 description 1
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子によって特定の波長帯域の光を検出
する半導体光検出装置に関し、特に装置の構造に関する
ものである。
する半導体光検出装置に関し、特に装置の構造に関する
ものである。
従来、特定の波長帯域の光を検出するのには、−船釣に
光センサの前面に光フィルタを配置し、この光フィルタ
のＨする特性を検出する光の波長帯に応じたものとする
ことにより、被検出光の中から特定の波長帯域の光成分
、例えば赤〜赤外光や紫外光〜青等の特定の波長帯域を
有する光成分を検出していた。または、光センサの前面
にプリズム等の分光器を配置することにより特定の波長
帯域の光を検出していた。
光センサの前面に光フィルタを配置し、この光フィルタ
のＨする特性を検出する光の波長帯に応じたものとする
ことにより、被検出光の中から特定の波長帯域の光成分
、例えば赤〜赤外光や紫外光〜青等の特定の波長帯域を
有する光成分を検出していた。または、光センサの前面
にプリズム等の分光器を配置することにより特定の波長
帯域の光を検出していた。
しかしながら、上記従来の構成による特定波長帯域の光
の検出は、光フィルタおよび分光器が高価なものである
ためにコストがかかるという課題がある。また、こ゛れ
ら光フィルタおよび分光器は吸湿することによって透過
率が低下し、経年的に劣化して信頼性に劣るという課題
があった。さらには、装置が大形化し、種々の機器にこ
の光検出装置を組み込む際にはスペースを要し、これら
機器の小型化が図れないという課題を有していた。
の検出は、光フィルタおよび分光器が高価なものである
ためにコストがかかるという課題がある。また、こ゛れ
ら光フィルタおよび分光器は吸湿することによって透過
率が低下し、経年的に劣化して信頼性に劣るという課題
があった。さらには、装置が大形化し、種々の機器にこ
の光検出装置を組み込む際にはスペースを要し、これら
機器の小型化が図れないという課題を有していた。
本発明はこれら課題を解消し、種々の機器にスペースを
要さずに内蔵することの可能な小型の光検出装置を提供
することを目的とし、しかもこれを安砒でかつ信頼性を
高くして提供することを目的とする。
要さずに内蔵することの可能な小型の光検出装置を提供
することを目的とし、しかもこれを安砒でかつ信頼性を
高くして提供することを目的とする。
本発明は、第１導電型の不純物領域に第２導電型の不純
物領域が形成された第１の受光部と、この第１の受光部
の光検出特性と異なるように第１導電型の不純物領域に
第２導′ＲＳ型の不純物領域が形成された第２の受光部
とが電気的に絶縁されて同一基板に形成され、第１の受
光部の第２導電型の不純物領域は第２の受光部の第１導
電型の不純物領域に電気的に接続され、第２の受光部の
第２導電型の不純物領域は第１の受光部の第１導電型の
不純物領域に電気的に接続されたものである。
物領域が形成された第１の受光部と、この第１の受光部
の光検出特性と異なるように第１導電型の不純物領域に
第２導′ＲＳ型の不純物領域が形成された第２の受光部
とが電気的に絶縁されて同一基板に形成され、第１の受
光部の第２導電型の不純物領域は第２の受光部の第１導
電型の不純物領域に電気的に接続され、第２の受光部の
第２導電型の不純物領域は第１の受光部の第１導電型の
不純物領域に電気的に接続されたものである。
第１および第２の各受光部に同一の光が照射されると各
受光部には異なる出力が発生し、第１の受光部の第２導
電型の不純物領域に接続された配線と第２の受光部の第
２導電型の不純物領域に接続された配線との配線間には
各受光部で発生した出力の差が現れ、この出力の差は被
検出光のうちの特定波長帯域の光成分に比例するものに
なる。
受光部には異なる出力が発生し、第１の受光部の第２導
電型の不純物領域に接続された配線と第２の受光部の第
２導電型の不純物領域に接続された配線との配線間には
各受光部で発生した出力の差が現れ、この出力の差は被
検出光のうちの特定波長帯域の光成分に比例するものに
なる。
第１図は本発明の一実施例を表す断面図であり、赤〜赤
外光の特定波長帯の光成分を選択して検出するものであ
る。
外光の特定波長帯の光成分を選択して検出するものであ
る。
半導体光検出装置は大別して第１の受光部ＰＤ１と第２
の受光部ＰＤ２と分離領域１とから構成され、これらは
同一の基板に構成されている。
の受光部ＰＤ２と分離領域１とから構成され、これらは
同一の基板に構成されている。
分離領域１はシリコン（Ｓｉ）を材料としてボロン（Ｂ
）が拡散されることによりｐ型に形成される。第１の受
光部ＰＣＩおよび第２の受光部ＰＤ２の分１１１１１／
ｉ域１と接する不純物領域２および４は、リン（Ｐ）が
選択拡散されることにより、分離領域１と逆の導電型で
あるｎ型に形成される。
）が拡散されることによりｐ型に形成される。第１の受
光部ＰＣＩおよび第２の受光部ＰＤ２の分１１１１１／
ｉ域１と接する不純物領域２および４は、リン（Ｐ）が
選択拡散されることにより、分離領域１と逆の導電型で
あるｎ型に形成される。
さらに、各不純物領域２．４にはリンを高濃度に含むｎ
型の不純物領域６，７および８が形成される。また、
同一製造工程において、ボロンを不純物領域２，６に選
択拡散することにより、ｐ型の不純物領域３．５が同一
形状でしかも同一濃度で形成される。
型の不純物領域６，７および８が形成される。また、
同一製造工程において、ボロンを不純物領域２，６に選
択拡散することにより、ｐ型の不純物領域３．５が同一
形状でしかも同一濃度で形成される。
次に、アルミニウム（１）を用いた配線パターンニング
により、第１の受光部ＰＤＩのｐ型の不純物領域３と第
２の受光部ＰＤ２のｎ 型の不純物領域７とが電気的に
接続されて端子Ｘに引き出され、また、第２の受光部Ｐ
Ｄ２のｐ型の不純物領域５と第１の受光部ＰＣＩのｎ
型の不純物領域８とが電気的に接続されて端子ｙに引き
出される。
により、第１の受光部ＰＤＩのｐ型の不純物領域３と第
２の受光部ＰＤ２のｎ 型の不純物領域７とが電気的に
接続されて端子Ｘに引き出され、また、第２の受光部Ｐ
Ｄ２のｐ型の不純物領域５と第１の受光部ＰＣＩのｎ
型の不純物領域８とが電気的に接続されて端子ｙに引き
出される。
このため、上記構造をした半導体光検出装置はその等価
回路が第２図のように示される。すなわち、第１の受光
部ＰＤＩによって構成されるホトダイオード９と、第２
の受光部ＰＤ２によって構成されるホトダイオード１０
とは逆並列に接続され、各端子ｘ ７間には各受光部Ｐ
ＤＩ、ＰＤ２において発生した光電流１ 、Ｉ の
差電流が現Ｂ れる構成になっている。
回路が第２図のように示される。すなわち、第１の受光
部ＰＤＩによって構成されるホトダイオード９と、第２
の受光部ＰＤ２によって構成されるホトダイオード１０
とは逆並列に接続され、各端子ｘ ７間には各受光部Ｐ
ＤＩ、ＰＤ２において発生した光電流１ 、Ｉ の
差電流が現Ｂ れる構成になっている。
また、ｐ型の不純物領域３とｎ型の不純物領域２とは第
１の受光部ＰＤＩのｐｎ接合を形成し、ｐ型の不純物領
域５とｎ 型の不純物領域６とは第２の受光部ＰＤ２の
ｐｎ接合を形成する。これら各ｐｎ接合に基づく各受光
部ＰＤＩ、ＰＤ２の光検出特性は第３図のグラフに示さ
れる。なお、同図の横軸は光の波長［ｎｍｌ、縦軸は感
度を表す。第１の受光部ＰＤＩは特性曲線１１に示され
る特性を有し、紫外光の短波長帯域から赤外光の長波長
帯域を含む光成分を検出する。第２の受光部ＰＤ２は特
性曲線１２に示される特性を有し、赤〜赤外先の長波長
帯域は含まず、紫外光〜可視光の短波長帯域の光成分を
検出する。また、各特性曲線１１．１２は短波長帯域に
おいて同一の特性を有するが、これは各受光部ＰＤＩ、
Ｆ’Ｄ２の不純物領域３，５゛が同様に形成されている
ためである。
１の受光部ＰＤＩのｐｎ接合を形成し、ｐ型の不純物領
域５とｎ 型の不純物領域６とは第２の受光部ＰＤ２の
ｐｎ接合を形成する。これら各ｐｎ接合に基づく各受光
部ＰＤＩ、ＰＤ２の光検出特性は第３図のグラフに示さ
れる。なお、同図の横軸は光の波長［ｎｍｌ、縦軸は感
度を表す。第１の受光部ＰＤＩは特性曲線１１に示され
る特性を有し、紫外光の短波長帯域から赤外光の長波長
帯域を含む光成分を検出する。第２の受光部ＰＤ２は特
性曲線１２に示される特性を有し、赤〜赤外先の長波長
帯域は含まず、紫外光〜可視光の短波長帯域の光成分を
検出する。また、各特性曲線１１．１２は短波長帯域に
おいて同一の特性を有するが、これは各受光部ＰＤＩ、
Ｆ’Ｄ２の不純物領域３，５゛が同様に形成されている
ためである。
このような構成において、赤〜赤外光を含む被検出光が
半導体光検出装置に照射されると、ｎ型の各不純物領域
２．４にはキャリアが生成される。
半導体光検出装置に照射されると、ｎ型の各不純物領域
２．４にはキャリアが生成される。
−船釣に、短波長の光成分は基板の深い位置まで達する
ことがなく、浅い位置でキャリアを生成し、長波長の光
成分は基板の深い位置でキャリアを生成する。また、第
１の受光部ＰＤＩにおける空乏層は表面近傍の浅い位置
には現れず、第２の受光部ＰＤ２における空乏層はｎ＋
型の不純物領域６により浅い位置に形成される。また、
空乏層にキャリアが捕えられる範囲（キャリアの拡散距
離内）は、第１の受光部ＰＤＩは基板の深い位置にまで
あり、第２の受光部ＰＤ２は基板の浅い位置にある。こ
のため、第１の受光部ＰＤＩは短波長帯域７から長波長
帯域の光成分によって生成されたキャリアを検出し、第
２の受光部ＰＤ２は短波長帯域の光成分によって生成さ
れたキャリアを検出する。
ことがなく、浅い位置でキャリアを生成し、長波長の光
成分は基板の深い位置でキャリアを生成する。また、第
１の受光部ＰＤＩにおける空乏層は表面近傍の浅い位置
には現れず、第２の受光部ＰＤ２における空乏層はｎ＋
型の不純物領域６により浅い位置に形成される。また、
空乏層にキャリアが捕えられる範囲（キャリアの拡散距
離内）は、第１の受光部ＰＤＩは基板の深い位置にまで
あり、第２の受光部ＰＤ２は基板の浅い位置にある。こ
のため、第１の受光部ＰＤＩは短波長帯域７から長波長
帯域の光成分によって生成されたキャリアを検出し、第
２の受光部ＰＤ２は短波長帯域の光成分によって生成さ
れたキャリアを検出する。
従って、被検出光は各光成分ごとに電流に変換され、第
１の受光部ＰＤＩによって検出された光成分はｎ型の不
純物領域２からｐ型の不純物領域３に流れる電流■いに
なり、第２の受光部ＰＤ２によって検出された光成分は
ｎ＋型の不純物領域６からｐ型の不純物領域５に流れる
電流ＩＢになる。
１の受光部ＰＤＩによって検出された光成分はｎ型の不
純物領域２からｐ型の不純物領域３に流れる電流■いに
なり、第２の受光部ＰＤ２によって検出された光成分は
ｎ＋型の不純物領域６からｐ型の不純物領域５に流れる
電流ＩＢになる。
各受光部ＰＤＩ、ＰＤ２に発生した電流ＩＡ。
！、は、第２図の等価回路図から容易に理解されるよう
に、端子ｘ、ｙ間にこれらの差電流となって現れる。こ
の差電流の値は第２の受光部ＰＤ２の不純物領域６の形
成の仕方によって所定の値に決定されものであり、赤〜
赤外光の特定の波長帯域を有する光成分に対応したもの
になる。すなわち、電流！＾は第３図に示された特性曲
線１１の感度に比例したものであり、電流ＩＢは特性曲
線１２の感度に比例したものである。このため、端子ｘ
、ｙ間に現れるこれらの差電流は、同図に太い実線で示
される特性曲線１３の感度に比例したものとなり、赤〜
赤外光の波長帯域の光成分を有する光のみを検出するこ
とが可能になる。
に、端子ｘ、ｙ間にこれらの差電流となって現れる。こ
の差電流の値は第２の受光部ＰＤ２の不純物領域６の形
成の仕方によって所定の値に決定されものであり、赤〜
赤外光の特定の波長帯域を有する光成分に対応したもの
になる。すなわち、電流！＾は第３図に示された特性曲
線１１の感度に比例したものであり、電流ＩＢは特性曲
線１２の感度に比例したものである。このため、端子ｘ
、ｙ間に現れるこれらの差電流は、同図に太い実線で示
される特性曲線１３の感度に比例したものとなり、赤〜
赤外光の波長帯域の光成分を有する光のみを検出するこ
とが可能になる。
このため、上記実施例によれば従来の高価で信頼性の劣
る光フィルタや分光器を用いることなく特定波長帯域の
赤〜赤外先の光成分を検出することが出来るようになる
。また、本装置は全て半導体素子によって構成されるた
め、従来の光フィルタや分光器等と異なり極めて小型化
することが出来、ワンチップ化することも可能である。
る光フィルタや分光器を用いることなく特定波長帯域の
赤〜赤外先の光成分を検出することが出来るようになる
。また、本装置は全て半導体素子によって構成されるた
め、従来の光フィルタや分光器等と異なり極めて小型化
することが出来、ワンチップ化することも可能である。
このため、種々の機器にスペースを要することなく内蔵
することが出来るようになり、光検出機能を用いる機器
の用途を拡大することが可能になる。しかも、本装置は
同一基板上に簡単な製造工程を経るのみで実現すること
が出来るため、安価でかつ信頼性の高いものを容易に提
供することが可能になる。
することが出来るようになり、光検出機能を用いる機器
の用途を拡大することが可能になる。しかも、本装置は
同一基板上に簡単な製造工程を経るのみで実現すること
が出来るため、安価でかつ信頼性の高いものを容易に提
供することが可能になる。
なお、上記実施例においては第１導電型としてｎ型、第
２導電型としてｐ型の場合について説明したがこれに限
定される必要は無く、第１導電型としてｐ型、第２導電
型としてｎ型としても良く、上記実施例と同様な効果を
奏する。
２導電型としてｐ型の場合について説明したがこれに限
定される必要は無く、第１導電型としてｐ型、第２導電
型としてｎ型としても良く、上記実施例と同様な効果を
奏する。
第４図は本発明の他の一実施例を表す断面図であり、紫
外光〜青の特定波長帯の光成分を選択して検出するもの
である。
外光〜青の特定波長帯の光成分を選択して検出するもの
である。
半導体光検出装置は上記実施例の場合と同様に第１の受
光部ＰＤＩと第２の受光部ＰＤ２と分離領域２１とから
構成され、これらは同一の基板に構成されている。
光部ＰＤＩと第２の受光部ＰＤ２と分離領域２１とから
構成され、これらは同一の基板に構成されている。
分離領域２１はシリコン（Ｓｉ）を材料としてリン（Ｐ
）が拡散されることによりｎ型に形成される。第１の受
光部ＰＣＩおよび第２の受光部ＰＤ２の分離領域２１と
接する不純物領域２２および２４は、ボロン（Ｂ）が選
択拡散されることにより、分離領域２１と逆の導電型で
あるｐ型に形成される。さらに、各不純物領域２２．２
４にはボロンを高濃度に含むｐ＋型の不純物領域２８゜
２７が形成される。また、不純物領域２２には砒素（Ａ
ｓ）を含むｎ型の不純物領域２３が０． ５μｍ程度の
深さに形成され、不純物領域２４にはリンを含むｎ型の
不純物領域２５が１．５μｍ程度の深さに形成される。
）が拡散されることによりｎ型に形成される。第１の受
光部ＰＣＩおよび第２の受光部ＰＤ２の分離領域２１と
接する不純物領域２２および２４は、ボロン（Ｂ）が選
択拡散されることにより、分離領域２１と逆の導電型で
あるｐ型に形成される。さらに、各不純物領域２２．２
４にはボロンを高濃度に含むｐ＋型の不純物領域２８゜
２７が形成される。また、不純物領域２２には砒素（Ａ
ｓ）を含むｎ型の不純物領域２３が０． ５μｍ程度の
深さに形成され、不純物領域２４にはリンを含むｎ型の
不純物領域２５が１．５μｍ程度の深さに形成される。
次に、アルミニウムを用いた配線パターンニングにより
、第１の受光部ＰＤＩのｎ型の不純物領域２３と第２の
受゛光部ＰＤ２のｐ＋型の不純物領域２７とが電気的に
接続されて端子Ｘに引き出され、また、第２の受光部Ｐ
Ｄ２のｎ型の不純物類＠２５と第１の受光部ＰＣＩのｐ
＋型の不純物領域２８とが電気的に接続されて端子ｙに
引き出される。
、第１の受光部ＰＤＩのｎ型の不純物領域２３と第２の
受゛光部ＰＤ２のｐ＋型の不純物領域２７とが電気的に
接続されて端子Ｘに引き出され、また、第２の受光部Ｐ
Ｄ２のｎ型の不純物類＠２５と第１の受光部ＰＣＩのｐ
＋型の不純物領域２８とが電気的に接続されて端子ｙに
引き出される。
上記構造をした半導体光検出装置はその等価回路が第５
図のように示される。すなわち、第１の受光部ＰＤＩに
よって構成されるホトダイオード２つと、第２の受光部
ＰＤ２によって構成されるホトダイオード３０とは逆並
列に接続され、各端子ｘ、ｙ間には各受光部ＰＤＩ、Ｐ
Ｄ２において発生した光電流の差電流が現れる構成にな
っている。なお、前述した実施例の第２図の等価回路と
は６ホトダイオードの接続される極性が異なっている。
図のように示される。すなわち、第１の受光部ＰＤＩに
よって構成されるホトダイオード２つと、第２の受光部
ＰＤ２によって構成されるホトダイオード３０とは逆並
列に接続され、各端子ｘ、ｙ間には各受光部ＰＤＩ、Ｐ
Ｄ２において発生した光電流の差電流が現れる構成にな
っている。なお、前述した実施例の第２図の等価回路と
は６ホトダイオードの接続される極性が異なっている。
また、ｎ型の不純物領域２３とｐ型の不純物領域２２と
は第１の受光部ＰＤＩのｐｎ接合を形成し、ｎ型の不純
物領域２５とｐ型の不純物領域２４とは第２の受光部Ｐ
Ｄ２のｐｎ接合を形成する。これら各ｐｎ接合に基づく
各受光部ＰＤ １゜ＰＤ２の光検出特性は第６図のグラ
フに示される。
は第１の受光部ＰＤＩのｐｎ接合を形成し、ｎ型の不純
物領域２５とｐ型の不純物領域２４とは第２の受光部Ｐ
Ｄ２のｐｎ接合を形成する。これら各ｐｎ接合に基づく
各受光部ＰＤ １゜ＰＤ２の光検出特性は第６図のグラ
フに示される。
なお、同図の横軸は光の波長［ｎｍｌ、縦軸は感度を表
す。第１の受光部ＰＤＩは特性曲線３１に示される特性
を有し、紫外光の短波長帯域から赤外光の長波長帯域を
含む光成分を検出する。第２の受光部ＰＤ２は特性曲線
３２に示される特性を有し、紫外光〜青の短波長帯域は
含まず、可視光〜赤外光の長波長帯域の光成分を検出す
る。
す。第１の受光部ＰＤＩは特性曲線３１に示される特性
を有し、紫外光の短波長帯域から赤外光の長波長帯域を
含む光成分を検出する。第２の受光部ＰＤ２は特性曲線
３２に示される特性を有し、紫外光〜青の短波長帯域は
含まず、可視光〜赤外光の長波長帯域の光成分を検出す
る。
このような構成において、紫外光〜青を含む被検出光が
半導体光検出装置に照射されると、ｐ型の各不純物領域
２２．２４にはキャリアが生成される。また、浅（形成
された第１の受光部ＰＤＩにおける空乏層は表面近傍に
形成され、深く形成された第２の受光部ＰＤ２における
空乏層は浅い位置には現れない。また、空乏層にキャリ
アが捕えられる範囲は、第１の受光部ＰＤＩは浅い位置
から深い位置にまであり、第２の受光部ＰＤ２は深い位
置にある。このため、第１の受光部ＰＤＩは短波長帯域
から長波長帯域の光成分によって生成されたキャリアを
検出し、第２の受光部ＰＤ２は長波長帯域の光成分によ
って生成されたキャリアを検出する。このため、被検出
光は各光成分ごとに電流に変換され、第１の受光部ＰＣ
Ｉによって検出された光成分はｎ型の不純物領域２３か
らｐ型の不純物領域２２に流れる電流ｌＡになり。
半導体光検出装置に照射されると、ｐ型の各不純物領域
２２．２４にはキャリアが生成される。また、浅（形成
された第１の受光部ＰＤＩにおける空乏層は表面近傍に
形成され、深く形成された第２の受光部ＰＤ２における
空乏層は浅い位置には現れない。また、空乏層にキャリ
アが捕えられる範囲は、第１の受光部ＰＤＩは浅い位置
から深い位置にまであり、第２の受光部ＰＤ２は深い位
置にある。このため、第１の受光部ＰＤＩは短波長帯域
から長波長帯域の光成分によって生成されたキャリアを
検出し、第２の受光部ＰＤ２は長波長帯域の光成分によ
って生成されたキャリアを検出する。このため、被検出
光は各光成分ごとに電流に変換され、第１の受光部ＰＣ
Ｉによって検出された光成分はｎ型の不純物領域２３か
らｐ型の不純物領域２２に流れる電流ｌＡになり。
第２の受光部ＰＤ２によって検出された光成分はｎ型の
不純物領域２５からｐ型の不純物領域２４に流れる電流
Ｉｎになり、前述した実施例とは逆の向きになる。
不純物領域２５からｐ型の不純物領域２４に流れる電流
Ｉｎになり、前述した実施例とは逆の向きになる。
各受光部ＰＤＩ、ＰＤ２に発生した電流ＩＡ。
ＩＢは、端子ｘ、ｙ間にこれらの差電流となって現れる
。この差電流の値は、各受光部ＰＣＩおよびＰＤ２の不
純物領域２３および２５が形成される深さの相違によっ
て所定の値に決定されものであり、紫外光〜青の特定の
波長帯域を有する光成分に対応したものになる。すなわ
ち、電流■いは第６図の特性曲線３１に示された光検出
感度に比例したものであり、電流ＩＢは特性曲線３２の
光検出感度に比例したものである。このため、端子ｘ、
ｙ間に現れるこれらの差電流は、太い実線で示された特
性曲線３３に示される光検出感度に比例したものとなり
、紫外光〜青の波長帯域の光成分を有する光のみを検出
することが可能になる。
。この差電流の値は、各受光部ＰＣＩおよびＰＤ２の不
純物領域２３および２５が形成される深さの相違によっ
て所定の値に決定されものであり、紫外光〜青の特定の
波長帯域を有する光成分に対応したものになる。すなわ
ち、電流■いは第６図の特性曲線３１に示された光検出
感度に比例したものであり、電流ＩＢは特性曲線３２の
光検出感度に比例したものである。このため、端子ｘ、
ｙ間に現れるこれらの差電流は、太い実線で示された特
性曲線３３に示される光検出感度に比例したものとなり
、紫外光〜青の波長帯域の光成分を有する光のみを検出
することが可能になる。
このため、上記実施例によっても前述した実施例と同様
な効果を奏する。
な効果を奏する。
なお、上記実施例においては第１導電型としてｐ型、第
２導電型としてｎ型の場合について説明したがこれに限
定される必要は無く、第１導電型としてｎ型、第２導電
型としてｐ型としても良く、上記実施例と同様な効果を
奏する。
２導電型としてｎ型の場合について説明したがこれに限
定される必要は無く、第１導電型としてｎ型、第２導電
型としてｐ型としても良く、上記実施例と同様な効果を
奏する。
なお、上述した２つの各実施例は各受光部ＰＤ１、ＰＤ
２が同一基板に形成されたものについて説明したが、各
受光部ＰＤＩ、ＰＤ２を別々の基板に形成し、外部回路
を設けて各受光部に発生する各光電流の差電流を演算す
ることも考えれる。
２が同一基板に形成されたものについて説明したが、各
受光部ＰＤＩ、ＰＤ２を別々の基板に形成し、外部回路
を設けて各受光部に発生する各光電流の差電流を演算す
ることも考えれる。
しかし、このような構成をした光検出装置は以下のよう
な問題があり、上述した本装置の方が有効なものと思わ
れる。つまり、各基板に分けて各受光部を形成すると、
第１に、被検出光が照射されて１７られる光電流の差電
流を演算する外部回路が必要になって装置が大きなもの
となる。第２に、各受光部ごとに入力信号線、出力信号
線および接地線が必要になるため、各受光部ＰＣＩ、Ｐ
Ｄ２および外部回路の３者を接続する配線数が増えてし
まう。この結果、各基板ごとに受光部を設ける光検出装
置は、信頼性が低下し、さらには製造コストが低減され
なくなる。しかし、上述したように、上記各実施例によ
る本装置にあってはこのようなことはない。
な問題があり、上述した本装置の方が有効なものと思わ
れる。つまり、各基板に分けて各受光部を形成すると、
第１に、被検出光が照射されて１７られる光電流の差電
流を演算する外部回路が必要になって装置が大きなもの
となる。第２に、各受光部ごとに入力信号線、出力信号
線および接地線が必要になるため、各受光部ＰＣＩ、Ｐ
Ｄ２および外部回路の３者を接続する配線数が増えてし
まう。この結果、各基板ごとに受光部を設ける光検出装
置は、信頼性が低下し、さらには製造コストが低減され
なくなる。しかし、上述したように、上記各実施例によ
る本装置にあってはこのようなことはない。
また、上述した２つの各実施例においては分離領域に不
純物を拡散することによりこれらの間の電気的絶縁を＆
１１１♀するようにしたが、分離領域を誘電体からなる
電気絶縁物によって構成するようにしても良く、上記各
実施例と同様な効果を奏する。
純物を拡散することによりこれらの間の電気的絶縁を＆
１１１♀するようにしたが、分離領域を誘電体からなる
電気絶縁物によって構成するようにしても良く、上記各
実施例と同様な効果を奏する。
以上説明したように本発明は、第１の受光部と第２の受
光部とを電気的に絶縁して同一基板に形成し、各受光部
のｐｎ接合を逆並列に接続したことにより、各受光部に
同一の光が照射されると各受光部には異なる出力が発生
し、各接合部の配線間には各受光部で発生した出力の差
が現れ、この出力の差は被検出光のうちの特定波長帯域
の光成分に比例するものになる。
光部とを電気的に絶縁して同一基板に形成し、各受光部
のｐｎ接合を逆並列に接続したことにより、各受光部に
同一の光が照射されると各受光部には異なる出力が発生
し、各接合部の配線間には各受光部で発生した出力の差
が現れ、この出力の差は被検出光のうちの特定波長帯域
の光成分に比例するものになる。
このため、従来の高価で信頼性の劣る光フィルタや分光
器は必要無くなり、安価でかつ信頼性を有する装置によ
り特定波長の光検出が可能になるという効果を有する。
器は必要無くなり、安価でかつ信頼性を有する装置によ
り特定波長の光検出が可能になるという効果を有する。
さらに、装置は全て半導体素子により構成されるため、
装置は極めて小形化され、種々の機器に容易に内蔵する
ことが出来るという効果も有する。
装置は極めて小形化され、種々の機器に容易に内蔵する
ことが出来るという効果も有する。
第１図は本発明による装置の一実施例を表す断面図、′
￥４２図は第１図に示された装置の等砿回路図、第３図
は第１図に示された装置の光検出特性を表すグラフ、第
４図は本発明による装置の他の一実施例を表す断面図、
第５図は第４図に示された装置の等価回路図、第６因は
第４図に示された装置の光検出特性を表すグラフである
。 １・・・分離領域（ｐ型）、２．４・・・第１導電中（
ｎ型）の不純物領域、３，５・・・第２導電型（ｐ型）
の不純物領域、６．７，８・・・高濃度の第１導電型の
不純物領域。 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社代理人弁理士
長谷用 芳 樹間 塩
ＩｆＪ 辰 已−冥茨ｆｌＪの函賀を 第 １ 図 一夷方一列の′ｌ！１己回２１ ７２ 図 −叉売グｊの光夜工ｉｉミ 萬 での實方日デｊの１面 第 図 七の宴方式列Ｏ再価回路 第５図 慣の漬功！「」の光挟土冴守牲
￥４２図は第１図に示された装置の等砿回路図、第３図
は第１図に示された装置の光検出特性を表すグラフ、第
４図は本発明による装置の他の一実施例を表す断面図、
第５図は第４図に示された装置の等価回路図、第６因は
第４図に示された装置の光検出特性を表すグラフである
。 １・・・分離領域（ｐ型）、２．４・・・第１導電中（
ｎ型）の不純物領域、３，５・・・第２導電型（ｐ型）
の不純物領域、６．７，８・・・高濃度の第１導電型の
不純物領域。 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社代理人弁理士
長谷用 芳 樹間 塩
ＩｆＪ 辰 已−冥茨ｆｌＪの函賀を 第 １ 図 一夷方一列の′ｌ！１己回２１ ７２ 図 −叉売グｊの光夜工ｉｉミ 萬 での實方日デｊの１面 第 図 七の宴方式列Ｏ再価回路 第５図 慣の漬功！「」の光挟土冴守牲
Claims (1)
- 第１導電型の不純物領域に第２導電型の不純物領域が
形成された第１の受光部と、この第１の受光部の光検出
特性と異なるように第１導電型の不純物領域に第２導電
型の不純物領域が形成された第２の受光部とが電気的に
絶縁されて同一基板に形成され、前記第１の受光部の第
２導電型の不純物領域は前記第２の受光部の第１導電型
の不純物領域に電気的に接続され、前記第２の受光部の
第２導電型の不純物領域は前記第１の受光部の第１導電
型の不純物領域に電気的に接続されたことを特徴とする
半導体光検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1061670A JPH0621815B2 (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | 半導体光検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1061670A JPH0621815B2 (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | 半導体光検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02240527A true JPH02240527A (ja) | 1990-09-25 |
| JPH0621815B2 JPH0621815B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=13177905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1061670A Expired - Fee Related JPH0621815B2 (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | 半導体光検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621815B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005338062A (ja) * | 2004-04-05 | 2005-12-08 | Pmd Technologies Gmbh | 信号処理技術 |
| JP2007067331A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 紫外線センサ |
| EP2806456A4 (en) * | 2012-03-29 | 2015-03-18 | Asahi Kasei Microdevices Corp | LIGHT CRADLE |
-
1989
- 1989-03-14 JP JP1061670A patent/JPH0621815B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005338062A (ja) * | 2004-04-05 | 2005-12-08 | Pmd Technologies Gmbh | 信号処理技術 |
| JP2007067331A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 紫外線センサ |
| EP2806456A4 (en) * | 2012-03-29 | 2015-03-18 | Asahi Kasei Microdevices Corp | LIGHT CRADLE |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0621815B2 (ja) | 1994-03-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |