JPH02243532A - フッ化物光ファイバ用線引き炉 - Google Patents

フッ化物光ファイバ用線引き炉

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JPH02243532A
JPH02243532A JP6086089A JP6086089A JPH02243532A JP H02243532 A JPH02243532 A JP H02243532A JP 6086089 A JP6086089 A JP 6086089A JP 6086089 A JP6086089 A JP 6086089A JP H02243532 A JPH02243532 A JP H02243532A
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furnace core
gas
chamber
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泰丈 大石
Shiro Takahashi
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    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/02Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
    • C03B37/025Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor from reheated softened tubes, rods, fibres or filaments, e.g. drawing fibres from preforms
    • C03B37/029Furnaces therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00Type of glass produced
    • C03B2201/80Non-oxide glasses or glass-type compositions
    • C03B2201/82Fluoride glasses, e.g. ZBLAN glass

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、高強度のフッ化物光ファイバを作製するフッ
化物光ファイバ用線引き炉に関する。
〈従来の技術〉 Z r F4を主成分とするフッ化物ガラス光ファイバ
(以下「フッ化物光ファイバ」という。)は、石英系フ
ァイバを凌ぐ10−”dB/に+m以下の伝送損失を持
つため、将来の長距離大容量通信媒体として覆々実用化
に向けて開発が行なわれている。
その一つとして、フッ化物光ファイバの機械的強度を向
上させることが挙げられているが、線引きされた光ファ
イバは容易に劣化してしまい、実用に耐え得る強度を持
った高強度フッ化物光ファイバは作製されていない。
この強度が劣化する原因は、線引き時にプリフォームが
加熱されたとき、加水分解を受けたプリフォームの表面
が、下記(1)式のように脱水反応を起こし、酸化物が
生成され、この酸化物が結晶核となり該表面で結晶成長
が著しく進むためである。
・・(1) 従来において、ファイバの強度を向上させるために、H
Fガスを用いて表面処理し、プリフォームの表面に形成
された水酸化物層を除去することで劣化を防いでいる。
(S、 Sakaguehiat al ;J、Mat
、Sei、Lett、、Vo16.P1440〜144
2゜(19g?))。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、従来の処理方法では、プリフォームを処
理する処理装置と線引き炉とが別々に設けられ、−度プ
リフォームを処理した後に、線引きするまでに空気中の
水分により再度加水分解を受け、従来の全く処理を施さ
ない場合よりは強度が向上するものの、IGPs (ギ
ガパスカル)以上の強度を実現することはできないとい
う問題がある。
本発明は、以上述べた事情に鑑み、簡易な構造で線引き
時の酸化物の表面結晶化を抑えることができると共に高
強度のフッ化物光ファイバを製造できろフッ化物光ファ
イバ用線引き炉を提供することを目的とする。
く課題を解決するための手段〉 前記目的を達成するための本発明のフッ化物光ファイバ
用先引き炉の構成は、炉芯管内にフッ化物光ファイバ用
プリフォームを設置し、該プリフォームを加熱軟化させ
つつ延伸してフッ化物光ファイバに線引きするフッ化物
光ファイバ用線引き炉であって、 上記炉芯管の上部に設けられてフッ素系ガス又は不活性
ガスを導入するガス供給チャンバと、 上記炉芯管の下部にシャッタを介して直列に連結される
と共に各シャッタが形成するファイバ引き出し孔を介し
て連通される少なくとも二つのチャンバとを設け、且つ
上記チャンバの少なくとも一つをガスを排気する排気チ
ャンバとすると共にこの排気チャンバの下側を不活性ガ
スを供給する不活性ガス供給チャンバとしたこと特徴と
する。
く作   用〉 前記構成により、炉芯管内に導入されたフッ素系ガス又
は不活性ガスは炉芯管下部に設けられた排気チャンバに
送られると共に排気チャンバの下側に設けられた供給チ
ャンバからの不活性ガスも該排気チャンバ内に導入され
、ここで効果的に外部へ排出され、炉芯管内雰囲気と外
気とが隔離されろ。
く実 施 例〉 以下、本発明の好適な一実施例を図面を参照にして詳細
に説明する。
第1図は本実施例のフッ化物光ファイバ用線引き炉の概
略断面図である。同図に示すように、本実施例に係るフ
ッ化物光ファイバ用線引き炉(以下、「線引炉」という
。)10には、発熱体11及び炉芯管12が設けられて
おり、該炉芯管12の上部開口部12aからフッ化物光
ファイバ用プリフォーム13を挿入し、線引きされたフ
ッ化物光ファイバ14を炉芯管12の下部開口部12b
から綿引きするようになっている。
ここで、炉芯管12の上部開口部12aには、該炉芯管
12内部と連通ずると共にOリング15を介してボルト
16によって固定されろガス供給チャンバ17が設けら
れている。
このガス供給チャンバ17の上部には、プリフォーム1
3を挿入・保持するためのサポート管18がOリング1
9を介してボルト20によって固設されている。また、
該ガス供給チャンバ17内にフッ素系ガス又は、不活性
ガス等のガスを導入するガス導入管21及び圧力検出手
段゛Pが、該チャンバ17の壁面に設けられている。
この炉芯Iv!!:12の下端には、0リング15を介
して袋ねじ22によって固定される炉芯管受け23が設
けられており、炉芯管12を支持している。
との炉芯管受け23の下部には、2つのチャンバzs、
zsが各々シャッタ24JS!介して、光ファイバの線
引き方向直列で、且っ0リング15を介して気密性を保
つように、各々連結されている。このチャンバ25,2
6は、各シャッタ24が形成するファイバ引き出し孔2
4aを介して連通されている。
上記チャンバ25,26ば、これらのうちの炉芯管12
の下部側のチャンバ25を、ガス排気用の排気チャンバ
とすると共に、この排気チャンバ25の下側のチャンバ
26を、He、N2等の不活性ガスを供給する不活性ガ
ス供給チャンバとしてる。この排気チャンバ25の壁面
には、線引き炉の内部に導入されたガスを図示しないガ
ス処理装置へ排気する排気管27及び圧力検出手段Pが
設けられている。また、不活性ガス供給チャ′ンバ26
の壁面には、例えばHe、N2等の不活性ガスを供給す
るガス導入管28及び圧力検出手段Pが設けられている
このような構成の線引き炉1oにおいて、各圧力検出手
段Pを常に検出、ガス供給チャンバ17及び炉芯管12
の内部と、線引き炉10の下端に設けられた不活性ガス
供給チャンバ26の内部とが陽圧に、また炉芯管12の
下部に設けられた排気チャンバz5の内部が陽圧になる
ようtこ、各々調節するようにしている。
本実施例のおいては、0リング15,19以外の素材と
して、アルミニウム製のものを用いた。
次に、本実施例の綿引き炉1oを用いてフッ化物光ファ
イバを線引きする実施例について以下説明するが、該線
引き炉10を用いることにより、線引き前にプリフォー
ム13の表面の脱OH処理を行うことができる。
組成ZrF4(62モル%)−BaF2(30モル%)
−LaF3(4%ル%)−A1.F3(4モル%)のフ
ッ化物光ファイバ用フリフオーム13を炉芯管12内に
設置し、発熱体11により、290℃に加熱した。この
とき、線引き炉の上部のガス供給チャンバ17の内部に
、ガス導入管21よりF、(10%) −Ar(90%
)の混合ガスを導入すると共に、線引き炉の最下端の不
活性ガス供給チャンバ26の内部ガス導入管28より乾
燥N2ガスを導入した。また、炉芯v:12の下側の排
気チャンバ25の排気ノズル27からは、内部に導入し
たガスを排気した。このときのガスの導入量及び排気量
は、各チャンバに設けた圧力検出手段Pを測定し、ガス
供給チャンバ17及び炉芯管lz内と、不活性ガス供給
チャンバ26とが陽圧、排気チャンバ25が陽圧となる
ように調節した。これにより、炉芯If!7g雰囲気と
外気とを隔離して説OH処理することができた。
ここで脱OH処理を行う上記F2/Arのガス化りとし
て、HF、ClF3.SF6.NF、と不活性ガスとの
混合ガスを月いてもよい。
この脱OH処理を3時間行った後、プリフォーム13を
380℃に加熱し、プリフォーム13の線引きを行った
。尚、線引き中の炉芯管12内部の雰囲気は、上記処理
時と同一とした。
その後、線引きされた光ファイバ14に紫外線硬化樹脂
をコートしてファイバ心線を得た。
この得られたファイバ心線の強度を曲げ強度測定により
求めたところ、ファイバの強度が1.5GPaはどあっ
た。これは、従来法で得られろファイバの強度(0,5
0Pa)より、約3倍の強度向上が図られることとなる
尚、本実施例においては0リング15及び発熱体11以
外の素材としてアルミニウムを用いたが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、含フツ素ガスを導入しても
各部材が腐食しないものであればいずれでもよく、例え
ばニッケル、モネル合金、銅等の耐フツ素性の金属等を
挙げることができろ。
また、本実施例おいては、炉芯管の下部にシャッタ24
を介して設けられるチャンバを2つとしてが、本発明は
これに限定されず、2つ以上のチャンバを設けて、更に
機密性の高い線引き炉を得ることもできる。
更に、本実施例においては脱OH処理を行った後、同一
条件で発熱体11の温度のみを高くして線引きしたが、
導入ガスのフッ素系ガスを不活性ガスに切換えて線引き
を行うこともできる。
〈発明の効果〉 以上実施例と共に詳しく述べたように、本発明のフッ化
物光ファイバ用線引き炉は、簡易な構造で、フッ化物光
ファイバ用プリフォームの表面処理と線引きとを連続し
て行うことができるので、従来法で防げなかった、水分
による二次汚染を抑制でき、高強度のフッ化物光ファイ
バを提供することができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本実施例のフッ化物光ファイバ用線引き炉の概
略断面図である。 図  面  中、 10はフッ化物光ファイバ用線引き炉、12は炉芯管、 13はフッ化物光ファイバ用フリフオーム、14は光フ
ァイバ、 17はガス供給チャンバ、 24はシャッタ、 25は排気チャンバ、 26は不活性ガス供給チャンバである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 炉芯管内にフッ化物光ファイバ用プリフォームを設置し
    、該プリフォームを加熱軟化させつつ延伸してフッ化物
    光ファイバに線引きするフッ化物光ファイバ用線引き炉
    であって、 上記炉芯管の上部に設けられてフッ素系ガス又は不活性
    ガスを導入するガス供給チャンバと、上記炉芯管の下部
    にシャッタを介して直列に連結されると共に各シャッタ
    が形成するファイバ引き出し孔を介して連通される少な
    くとも二つのチャンバとを設け、 且つ上記チャンバの少なくとも一つをガスを排気する排
    気チャンバとすると共にこの排気チャンバの下側を不活
    性ガスを供給する不活性ガス供給チャンバとしたこと特
    徴とするフッ化物光ファイバ用線引き炉。
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