JPH02246206A - 半導体ウエハー露光方法と露光用水銀灯 - Google Patents
半導体ウエハー露光方法と露光用水銀灯Info
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- JPH02246206A JPH02246206A JP1066375A JP6637589A JPH02246206A JP H02246206 A JPH02246206 A JP H02246206A JP 1066375 A JP1066375 A JP 1066375A JP 6637589 A JP6637589 A JP 6637589A JP H02246206 A JPH02246206 A JP H02246206A
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- semiconductor wafer
- mercury lamp
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、微細パターン焼き付けに適した半導体ウェハ
ー露光方法と露光用水銀灯に関するものである。
ー露光方法と露光用水銀灯に関するものである。
半導体ウェハーを露光するためには、水銀灯から放射さ
れる４３６ｎｍの光（以下ｇ線と称する）もしくは３６
５ｎｍの光（以下ｉ線と称する）が主に利用されている
が、水銀灯からはこれらｇ線もしくはｉ線のほかにも種
々の光が放出されており、必要とする光以外は露光装置
内の光学フィルターや反射ミラーでカットされる。そし
て、レンズ系やフォトマスクを介して半導体ウェハーに
はｇＮｓもしくはｉｖＡの光が照射されるようになって
いる。
れる４３６ｎｍの光（以下ｇ線と称する）もしくは３６
５ｎｍの光（以下ｉ線と称する）が主に利用されている
が、水銀灯からはこれらｇ線もしくはｉ線のほかにも種
々の光が放出されており、必要とする光以外は露光装置
内の光学フィルターや反射ミラーでカットされる。そし
て、レンズ系やフォトマスクを介して半導体ウェハーに
はｇＮｓもしくはｉｖＡの光が照射されるようになって
いる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、露光装置内の光学フィルターや反射ミラ
ーでは、ｇ線を利用する場合は４２６ｎ−以下と４４６
１−以上の光、ｉ線を利用する場合は３５５ｎ−以下と
３７５０−以上の光は完全にカットされて問題とならな
いが、ｇ線の場合の４３６ｎ■±Ｉｏｎ−以内の光、ｉ
線の場合の３６５±Ｉｏｎ■以内の光はカントしきれな
いのが実情である。そして近年、半導体ウェハーの回路
パターンが微細化するにしたがって、光が光学レンズ系
を通過する際の色収差が問題となってきているが、ｇａ
もしくは五線を用いて半導体ウェハーを露光するときに
、色収差が問題とならない範囲は、４３６±４ｎｓ、３
６５±４０■の範囲とされており、露光装置内の光学フ
ィルターや反射ミラーではカントしきれない範囲の光が
露光時のボケの原因となっている。この露光時のボケを
少なくするためには、前記の定義で決まるｇ線もしくは
ｉ線のスペクトル純度を高くすれば良いが、従来の半導
体ウェハー露光用水銀灯はこのスペクトル純度が８５％
未満であり、満足できる値ではなかった。
ーでは、ｇ線を利用する場合は４２６ｎ−以下と４４６
１−以上の光、ｉ線を利用する場合は３５５ｎ−以下と
３７５０−以上の光は完全にカットされて問題とならな
いが、ｇ線の場合の４３６ｎ■±Ｉｏｎ−以内の光、ｉ
線の場合の３６５±Ｉｏｎ■以内の光はカントしきれな
いのが実情である。そして近年、半導体ウェハーの回路
パターンが微細化するにしたがって、光が光学レンズ系
を通過する際の色収差が問題となってきているが、ｇａ
もしくは五線を用いて半導体ウェハーを露光するときに
、色収差が問題とならない範囲は、４３６±４ｎｓ、３
６５±４０■の範囲とされており、露光装置内の光学フ
ィルターや反射ミラーではカントしきれない範囲の光が
露光時のボケの原因となっている。この露光時のボケを
少なくするためには、前記の定義で決まるｇ線もしくは
ｉ線のスペクトル純度を高くすれば良いが、従来の半導
体ウェハー露光用水銀灯はこのスペクトル純度が８５％
未満であり、満足できる値ではなかった。
本発明は以上のような従来技術の有する問題点に鑑みて
なされたものであり、その目的とするところは、ｇ線も
しくはｉ線のスペクトル純度が高く、ボケの原因となる
光の放射を少なくした半導体ウェハー露光用水銀灯を提
供しようとするものである。
なされたものであり、その目的とするところは、ｇ線も
しくはｉ線のスペクトル純度が高く、ボケの原因となる
光の放射を少なくした半導体ウェハー露光用水銀灯を提
供しようとするものである。
本発明の半導体ウェハー露光方法は、半導体ウェハー露
光装置に、発光管の中央に発光空間膨出部が形成され、
該発光空間膨出部内に一対の電極が対向配置されるとと
もに、水銀の封入量を１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃ
の範囲から選択し、希ガスの封入量を静圧で０．２５乃
至５気圧の範囲になるように選択して、該水銀と希ガス
を封入してなる水銀灯を配置し、該水銀灯を直流電源で
点灯させるとともに、消費電力をＷ、電圧をＶ、電流を
Ａとしたとき、Ｗ＝Ｖ×Ａにおいて、ＶＩＡで点灯せし
めて半導体ウェハーを露光することを特徴とする。
光装置に、発光管の中央に発光空間膨出部が形成され、
該発光空間膨出部内に一対の電極が対向配置されるとと
もに、水銀の封入量を１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃ
の範囲から選択し、希ガスの封入量を静圧で０．２５乃
至５気圧の範囲になるように選択して、該水銀と希ガス
を封入してなる水銀灯を配置し、該水銀灯を直流電源で
点灯させるとともに、消費電力をＷ、電圧をＶ、電流を
Ａとしたとき、Ｗ＝Ｖ×Ａにおいて、ＶＩＡで点灯せし
めて半導体ウェハーを露光することを特徴とする。
また露光用放電灯は、発光管の中央に発光空間膨出部が
形成され、該発光空間膨出部内に一対の電極が対向配置
されるとともに、水銀と希ガスが封入されてなる半導体
ウェハー露光用水銀灯であって、当該水銀の封入量を１
．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃの範囲から選択し、希ガ
スの封入量を静圧で０．２５乃至５気圧の範囲になるよ
うに選択して、下記の定義で決まるｇ線もしくはｉｖＡ
のスペクトル純度を８５％以上にしたことを特徴とする
。
形成され、該発光空間膨出部内に一対の電極が対向配置
されるとともに、水銀と希ガスが封入されてなる半導体
ウェハー露光用水銀灯であって、当該水銀の封入量を１
．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃの範囲から選択し、希ガ
スの封入量を静圧で０．２５乃至５気圧の範囲になるよ
うに選択して、下記の定義で決まるｇ線もしくはｉｖＡ
のスペクトル純度を８５％以上にしたことを特徴とする
。
水銀の封入量を１．１５乃至１１．５ａ＋ｇ／ｃｃの範
囲から選択し、希ガスの封入量を静圧で０．２５乃至５
気圧の範囲になるように選択して、該水銀と希ガスを封
入してなる水銀灯を配置し、該水銀灯を直流電源で点灯
させるとともに、消費電力をＷ、電圧をＶ、電流をＡと
したとき、Ｗ−ＶＸＡにおいて、ＶＩＡで点灯せしめて
半導体ウェハーを露光するようにしたので、微細パター
ン焼き付けに適した露光方法とすることができ、また水
銀と希ガスの封入量を前記した範囲から選択して、前記
の定義テ決マるｇａＩもしくはｉ線のスペクトル純度を
８５％以上にしたので、露光時にボケの原因となる光の
放射量が少なくなり、半導体ウェハーの微細パターン露
光用に適した水銀灯とすることができる。
囲から選択し、希ガスの封入量を静圧で０．２５乃至５
気圧の範囲になるように選択して、該水銀と希ガスを封
入してなる水銀灯を配置し、該水銀灯を直流電源で点灯
させるとともに、消費電力をＷ、電圧をＶ、電流をＡと
したとき、Ｗ−ＶＸＡにおいて、ＶＩＡで点灯せしめて
半導体ウェハーを露光するようにしたので、微細パター
ン焼き付けに適した露光方法とすることができ、また水
銀と希ガスの封入量を前記した範囲から選択して、前記
の定義テ決マるｇａＩもしくはｉ線のスペクトル純度を
８５％以上にしたので、露光時にボケの原因となる光の
放射量が少なくなり、半導体ウェハーの微細パターン露
光用に適した水銀灯とすることができる。
（実施例〕
以下本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
第１図は、本発明に係わる半導体ウェハー露光用水銀灯
の説明図であり、１の発光管の中央には略楕円球状をし
た発光空間膨出部１１が形成され、この発光空間膨出部
１１の両サイドに気密封止部１２．１３が伸びている。
の説明図であり、１の発光管の中央には略楕円球状をし
た発光空間膨出部１１が形成され、この発光空間膨出部
１１の両サイドに気密封止部１２．１３が伸びている。
そして、この気密封止部１２．１３内にはそれぞれ金属
箔２１．２２が埋設され、金属箔２１１２２カラハ、内
導線３１．３２ト外導！４１．４２カツれぞれ伸びてお
り、一方の内導線３１の先端には陽極５１が取りつけら
れ、他方の内導線３２の先端には陰極５２が取りつけら
れて、発光空間膨出部ｌｌ内で対向配置されている。
箔２１．２２が埋設され、金属箔２１１２２カラハ、内
導線３１．３２ト外導！４１．４２カツれぞれ伸びてお
り、一方の内導線３１の先端には陽極５１が取りつけら
れ、他方の内導線３２の先端には陰極５２が取りつけら
れて、発光空間膨出部ｌｌ内で対向配置されている。
この半導体ウェハー露光用水銀灯の発光空間膨出部１１
内には、１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃの範囲から選
択された水銀と、静圧で０．２５乃至５気圧の範囲にな
るよう選択された希ガスが封入され、封入される水銀と
希ガスの量は、前記したｇ線もしくは１線のスペクトル
純度が８５％以上となる値から選択される。この封入さ
れる水銀の量を１．１５−ｇ／ｃｃ以下から選択すると
、ｇＨもしくはｉ線の有効なスペクトル強度（ｇ線の場
合は４３６±ｂの場合は３６５±４０−の範囲の積分値
）が弱くなりすぎるし、逆に水銀の封入量が１１．５ｓ
＋ｇ／ｃｃ以上の範囲から選択すると、前記した定義で
決まるｇＷＡもしくはｉｖＡのスペクトル純度を８５％
以上にすることが困難となる。そして、希ガスの圧力が
静圧で５気圧以上になる範囲から希ガスの封入量を選択
すると、前記した範囲から水銀の封入量を選択しても、
ｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度を８５％以上にする
ことが困難となり、また希ガスの圧力が静圧で０．２５
気圧以下になる範囲から希ガスの封入量を選択すると、
ランプ電流値が高くなりすぎるので好ましくない、そし
て、この半導体ウェハー露光用水銀灯を直流電源で点灯
するにあたって、ランプ電圧■とランプ電流Ａとの関係
をＶＩＡとなるように制御して点灯せしめて半導体ウェ
ハー露光させれば、前記したｇ線もしくはｉ線の純度が
ほぼ８５％以上になり、ボケの少ない露光方法とするこ
とができる。
内には、１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃの範囲から選
択された水銀と、静圧で０．２５乃至５気圧の範囲にな
るよう選択された希ガスが封入され、封入される水銀と
希ガスの量は、前記したｇ線もしくは１線のスペクトル
純度が８５％以上となる値から選択される。この封入さ
れる水銀の量を１．１５−ｇ／ｃｃ以下から選択すると
、ｇＨもしくはｉ線の有効なスペクトル強度（ｇ線の場
合は４３６±ｂの場合は３６５±４０−の範囲の積分値
）が弱くなりすぎるし、逆に水銀の封入量が１１．５ｓ
＋ｇ／ｃｃ以上の範囲から選択すると、前記した定義で
決まるｇＷＡもしくはｉｖＡのスペクトル純度を８５％
以上にすることが困難となる。そして、希ガスの圧力が
静圧で５気圧以上になる範囲から希ガスの封入量を選択
すると、前記した範囲から水銀の封入量を選択しても、
ｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度を８５％以上にする
ことが困難となり、また希ガスの圧力が静圧で０．２５
気圧以下になる範囲から希ガスの封入量を選択すると、
ランプ電流値が高くなりすぎるので好ましくない、そし
て、この半導体ウェハー露光用水銀灯を直流電源で点灯
するにあたって、ランプ電圧■とランプ電流Ａとの関係
をＶＩＡとなるように制御して点灯せしめて半導体ウェ
ハー露光させれば、前記したｇ線もしくはｉ線の純度が
ほぼ８５％以上になり、ボケの少ない露光方法とするこ
とができる。
第２図は、本発明に係わる半導体ウェハー露光用水銀灯
と従来の半導体ウェハー露光用水銀灯を実際に点灯して
測定したスペクトル分布図の比較であり、実線は、水銀
の封入量を３．７ ｍｇ／ｃｃ 、希ガスの封入量を静
圧で１．２５気圧とした、消費電カフ００Ｗの本発明に
係わる半導体ウェハー露光用水銀灯のスペクトル分布図
であり、また点線は、水銀の封入量を４０．５ｍｇ／ｃ
ｃ 、希ガスの封入量を静圧で０．２５気圧とした、同
じ消費電力である従来の半導体ウェハー露光用水銀灯の
スペクトル分布図であるが、同図に於いて、本発明の水
銀灯はスペクトル線が非常にシャープになっており、前
記した定義のｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度は、本
発明の水銀灯が９０％、従来の水銀灯が７０％となって
いる。またスペクトル線がシャープになった分、露光エ
ネルギーが低くなっているが、この点に関しては露光時
間を長くするか、水銀灯への入力を大きくすることによ
り解決することができる。そしてランプ電圧とランプ電
流の関係は、本発明の方は２５Ｖ、１４Ａに制御して点
灯されるので、■〈Ａの関係になるが、従来の方は５０
ＶＳ１４Ａで点灯され、ＶＩＡの関係になっている。
と従来の半導体ウェハー露光用水銀灯を実際に点灯して
測定したスペクトル分布図の比較であり、実線は、水銀
の封入量を３．７ ｍｇ／ｃｃ 、希ガスの封入量を静
圧で１．２５気圧とした、消費電カフ００Ｗの本発明に
係わる半導体ウェハー露光用水銀灯のスペクトル分布図
であり、また点線は、水銀の封入量を４０．５ｍｇ／ｃ
ｃ 、希ガスの封入量を静圧で０．２５気圧とした、同
じ消費電力である従来の半導体ウェハー露光用水銀灯の
スペクトル分布図であるが、同図に於いて、本発明の水
銀灯はスペクトル線が非常にシャープになっており、前
記した定義のｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度は、本
発明の水銀灯が９０％、従来の水銀灯が７０％となって
いる。またスペクトル線がシャープになった分、露光エ
ネルギーが低くなっているが、この点に関しては露光時
間を長くするか、水銀灯への入力を大きくすることによ
り解決することができる。そしてランプ電圧とランプ電
流の関係は、本発明の方は２５Ｖ、１４Ａに制御して点
灯されるので、■〈Ａの関係になるが、従来の方は５０
ＶＳ１４Ａで点灯され、ＶＩＡの関係になっている。
以上説明したように、本発明の半導体ウェハー露光用水
銀灯は、水銀の封入量を１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃ
ｃの範囲から選択し、静圧での希ガスの封入量を０．２
５乃至５気圧の範囲から選択して、該水銀灯を直流を源
で点灯させるにあたって、消費電力をＷ、電圧をｖ、、
を流をＡとしたとき、Ｗ＝Ｖ×Ａにおいて、Ｖ＜Ａで点
灯させるように設計したので、微細パターン焼き付けに
適した露光方法とすることができ、また前記の定義で決
まるｇ線もしくは１線のスペクトル純度を８５％以上と
したので、露光時にボケの原因となる光の放射が少なく
、微細パターン焼き付けに適した半導体ウェハー露光用
水銀灯とすることができる。
銀灯は、水銀の封入量を１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃ
ｃの範囲から選択し、静圧での希ガスの封入量を０．２
５乃至５気圧の範囲から選択して、該水銀灯を直流を源
で点灯させるにあたって、消費電力をＷ、電圧をｖ、、
を流をＡとしたとき、Ｗ＝Ｖ×Ａにおいて、Ｖ＜Ａで点
灯させるように設計したので、微細パターン焼き付けに
適した露光方法とすることができ、また前記の定義で決
まるｇ線もしくは１線のスペクトル純度を８５％以上と
したので、露光時にボケの原因となる光の放射が少なく
、微細パターン焼き付けに適した半導体ウェハー露光用
水銀灯とすることができる。
第１図は本発明に係わる半導体ウェハー露光用水銀灯の
説明図、第２図は本発明と従来の半導体ウェハー露光用
水銀灯の放射スペクトル分布の比較図である。
説明図、第２図は本発明と従来の半導体ウェハー露光用
水銀灯の放射スペクトル分布の比較図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体ウェハー露光装置に、 発光管の中央に発光空間膨出部が形成され、該発光空間
膨出部内に一対の電極が対向配置されるとともに、水銀
の封入量を１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃの範囲から
選択し、希ガスの封入量を静圧で０．２５乃至５気圧の
範囲になるように選択して、該水銀と希ガスを封入して
なる水銀灯を配置し、 該水銀灯を直流電源で点灯させるとともに、消費電力を
Ｗ、電圧をＶ、電流をＡとしたとき、Ｗ＝Ｖ×Ａにおい
て、Ｖ＜Ａで点灯せしめて半導体ウェハーを露光するこ
とを特徴とする半導体ウェハー露光方法。 ２）発光管の中央に発光空間膨出部が形成され、該発光
空間膨出部内に一対の電極が対向配置されるとともに、
水銀と希ガスが封入されてなる半導体ウェハー露光用水
銀灯であって、当該水銀の封入量を１．１５乃至１１．
５ｍｇ／ｃｃの範囲から選択し、希ガスの封入量を静圧
で０．２５乃至５気圧の範囲になるように選択して、下
記の定義で決まるｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度を
８５％以上にしたことを特徴とする半導体ウェハー露光
用水銀灯。 ｇ線純度＝（４３２ｎｍ〜４４０ｎｍの積分エネルギー
／４２６ｎｍ〜４４６ｎｍの積分エネルギー）×１００ ｉ線純度＝（３６１ｎｍ〜３６９ｎｍの積分エネルギー
／３５５ｎｍ〜３７５ｎｍの積分エネルギー）×１００
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1066375A JP2730001B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 半導体ウエハー露光方法と露光用水銀灯 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1066375A JP2730001B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 半導体ウエハー露光方法と露光用水銀灯 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02246206A true JPH02246206A (ja) | 1990-10-02 |
| JP2730001B2 JP2730001B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=13314019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1066375A Expired - Lifetime JP2730001B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 半導体ウエハー露光方法と露光用水銀灯 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2730001B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04249847A (ja) * | 1991-01-07 | 1992-09-04 | Ushio Inc | ｉ線ステッパー用ショートアーク型水銀蒸気放電灯 |
| JPH0613047A (ja) * | 1992-03-27 | 1994-01-21 | General Electric Co <Ge> | 高輝度放電光源 |
| KR100349800B1 (ko) * | 1994-06-21 | 2002-12-18 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 방전램프 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS615259A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-11 | Fuji Xerox Co Ltd | 両面複写機用制御装置 |
| JPS61189636A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-23 | Ushio Inc | キセノン・水銀放電灯による半導体ウエハ−の露光方法 |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP1066375A patent/JP2730001B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS615259A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-11 | Fuji Xerox Co Ltd | 両面複写機用制御装置 |
| JPS61189636A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-23 | Ushio Inc | キセノン・水銀放電灯による半導体ウエハ−の露光方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04249847A (ja) * | 1991-01-07 | 1992-09-04 | Ushio Inc | ｉ線ステッパー用ショートアーク型水銀蒸気放電灯 |
| JPH0613047A (ja) * | 1992-03-27 | 1994-01-21 | General Electric Co <Ge> | 高輝度放電光源 |
| KR100349800B1 (ko) * | 1994-06-21 | 2002-12-18 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 방전램프 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2730001B2 (ja) | 1998-03-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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