JPH0224801A - 熱磁気記録媒体 - Google Patents

熱磁気記録媒体

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JPH0224801A
JPH0224801A JP17469588A JP17469588A JPH0224801A JP H0224801 A JPH0224801 A JP H0224801A JP 17469588 A JP17469588 A JP 17469588A JP 17469588 A JP17469588 A JP 17469588A JP H0224801 A JPH0224801 A JP H0224801A
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magnetic
film
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  • Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序で本発明を説明する。
Ａ　産業上の利用分野 Ｂ　発明の概要 Ｃ従来の技術 Ｄ　発明が解決しようとする課題 Ｅ　課題を解決するための手段 Ｆ　作用 Ｇ　実施例 Ｇ−１熱磁気記録媒体 Ｇ−２実施例Ｉ Ｇ−３実施例２ Ｇ−４実施例３ Ｇ−５記録特性 Ｇ−６実施例４ Ｈ発明の効果 Ａ　産業上の利用分野 本発明は、熱磁気記録方法例えばレーザー光照射による
熱磁気記録方法に関わる。
Ｂ　発明の概要 本発明は、熱磁気記録媒体の基本構造が、垂直磁気異方
性を有する第１及び第２の磁性薄膜が、面内磁気異方性
もくしは小さい垂直磁気異方性を有する第３の磁性薄膜
を介して順次磁気的に結合されて積層された構成を採り
、この媒体に対して膜面に垂直方向の所定の外部磁場Ｈ
ｅｘが付与された状態で、その第１の磁性薄膜のほぼキ
ュリー温度ＴＣ１以上であって第２の磁性薄膜の磁気モ
ーメントを反転させることのない第１の温度Ｔ１　　に
よる第１の加熱状態と、はぼ上記キ５１Ｊ−温度ＴＣＩ
以上で第２の磁性薄膜の磁気モーメントを反転させるに
充分な第２の温度Ｔ２　による第２の加熱状態とを、記
録しようとする情報に応じて切り換え変調して第１の磁
性薄膜に情報ビット（磁区）を形成し、第１及び第２の
加熱状態からの冷却過程で第１及び第２の磁性薄膜の磁
化の向きの関係が相違する最終的に２つの状態を得て情
報の記録を行い、かつこの記録を他の情報に書き換える
いわゆるオーバーライド（ｏｖｅｒｖｒｉｔｅ）　　が
可能な状態にするものであり、特に第３の磁性薄膜の存
在によって磁界印加の装置の簡略化を図る。
Ｃ従来の技術 光磁気相互作用によって情報ビット（磁区）の読み出し
を行う記録媒体に対してのその情報の熱磁気記録方法に
おいては、垂直磁化膜による磁性薄膜を有する記録媒体
に対し、その磁化の方向を膜面に垂直な一方向に予め揃
えるいわゆる初期化を施しておき、この磁化方向と反対
向きの垂直磁化を有する磁区をレーザー光照射等の局部
加熱により形成することよって、２値化された情報ビッ
トとして情報を記録している。
熱磁気記録方法においては、情報の書き換えに先立って
記録された情報の消去（上記初期化に相当）の過程すな
わち消去のための時間を要し、高転送レートでの記録を
実現できない。これに対し、このような独立の消去過程
の時間が不要とされたオーバーライド方式による記録方
法が種々提案されている。このオーバーライド方式の熱
磁気記録方法の中で有望視されている方法としては、例
えば媒体に対する外部磁場変調法と、記録用のヘッドの
他に消去用のヘッドを設ける２ヘツド法とが知られてい
る。外部磁場変調法とは、例えば特開昭６０−４８８０
６号公報に開示されているように、膜面に垂直な磁化容
易軸を有する非晶質フェリ磁性薄膜記録媒体に対する昇
温用ビームの照射領域に入力デジタル信号電流の状態に
対応する極性の磁場を印加することにより記録を行うも
のである。
Ｄ　発明が解決しようとする課題 ところで、上述のような外部磁場変調法によって情報転
送レートの高い高速記録を行おうとすると、例えばＭＨ
ｚオーダで動作する電磁石が必要となり、このような電
磁石の作製は困難であり、作製できたとしても消費電力
及び発熱が大きく実用的でないという問題点がある。ま
た、２ヘツド法では、余分なヘッドを必要とし、２つの
ヘッドを離して設置しなければならず、ドライブシステ
ムへの負担が大きく、経済性が悪く、量産にも向かない
等の問題点を有している。
本発明は、レーザー光等による媒体の加熱温度を切換制
御するのみで容易に書き換えすなわちオーバーライドが
可能とされ上述した諸問題の解決をはかったものである
。
尚、本出願人は、先にこのような問題点の解決をはかる
熱磁気記録方法を、特願昭６１−１９４９６１号出願、
及び特願昭６１−１９４９６２号出願で提供した。
これら出願で提案された熱磁気記録方法は、第１及び第
２の希土類−遷移金属磁性薄膜の積層構造による熱磁気
記録媒体を用い、所要の第１の外部磁場の印加の下に第
１の磁性薄膜のほぼキコリー温度ＴＣＩ以上でかつ第２
の磁性薄膜の副格子磁化の反転が生じない第１の温度Ｔ
１　に加熱する第１の加熱状態と、温度Ｔｃ＋以上でか
つ第２の磁性薄膜の副格子磁化を反転させるに充分な第
２の温度Ｔ２　に加熱する第２の加熱状態とを、記録し
ようとする情報例えば“０”、“１′″に応じて切換変
調し、冷却過程で、第１及び第２の交換結合力により第
１の磁性薄膜の副格子磁化の向きを第２の磁性薄膜の副
格子磁化の向きに揃えて、例えば“０″′“１“の記録
ビット（磁区）を第１の磁性薄膜に形成すると共に、第
２の外部磁場によって、或いは第２の磁性薄膜組成を、
その補償温度が室温から第２の温度１２間に存在するよ
うに選定することによって、室温で第１の外部磁場のみ
によって第２の磁性薄膜の副格子磁化が反転するように
して、オーバーライドが可能な状態を得るようにするも
のである。
この場合、消去のための特別の過程（時間）を要するこ
とがなく高転送レート化を図ることができるとか、上述
した２ヘッド方式あるいは外部磁場変調方式による場合
の諸課題を解決できる。
本発明においては、上述の特願昭６１−１９４９６１号
出願による熱磁気記録方法を基本とし、これに加えて上
述した第２の磁場の省略ないしは低減化を図ることを課
題とし、これによってこの記録方法を実施する装置の、
より簡略化を図ることができるようにする。
上記特願昭６１−１９４９６１号出願による熱磁気記録
方法について説明すると、この記録方法では、第１２図
に温度Ｔに対応して上述した第１及び第２の各磁性薄膜
（１）及び（２）における各磁化状態を短い矢印をもっ
て模式的に示すように、室温Ｔ、下において、両磁性薄
膜（１）及び（２）の磁化の向きが同一である状態Ａと
、互いに逆向きの状態Ｂとの２態様によって例えば“０
″、“１″の情報の記録がなされる。そして、これら記
録は、外部磁場Ｈｅｘの印加と、レーザー光照射による
第１及び第２の加熱温度Ｔ１　　とＴ２　による加熱に
よって行われる。まず例えば状態Ａにある部位に対して
レーザー光を照射して、このレーザー光の強度あるいは
照射時間を記録信号に応じて変調制御してその加熱温度
Ｔを、第１の磁性薄膜（１）のほぼキニリー温度Ｔｃ＋
以上でかつ所要の外部磁場Ｈｅｙ、によって第２の磁性
薄膜（２）に磁化反転の生じない第１の加熱温度ＴＩに
加熱する。このような加熱を行うと第１の磁性薄膜（１
）は磁化を失う状態Ｃを示すが、この加熱が終了して磁
性薄膜（１）及び（２）の積層膜が温度Ｔ　ｃ　＋に下
がると第１の磁性薄膜（１）に磁化が生じる。このとき
、第２の磁性薄膜（２）との交換結合力が支配的となる
ようになされていて、これによって第１の磁性薄膜（１
）の磁化の向きは、第２の磁性薄膜（２）と同一の向き
とされる。つまり状態Ａを生じさせて、例えば“０”の
情報の記録を行う。
一方、加熱温度Ｔを、上述の温度Ｔ１　以上でかつ第２
の磁性薄膜（２）の磁化を外部磁場Ｈｅｙ、により反転
させるに充分な第２の加熱温度Ｔ２に加熱する。このよ
うな加熱を行うと第１の磁性薄膜（１）は磁化を失い、
第２の磁性薄膜（２）の磁化が反転した状態りが生じる
が、この加熱が終了して磁性薄膜（１）及び（２）の積
層膜が温度Ｔｅｌに下がると第１の磁性薄膜（１）に第
２の磁性薄膜（２）による交換結合力によって状態Ｅす
なわちもとの初期状態とその磁化の向きが逆の状態が形
成されるが、このとき外部補助磁場）（ｓｕｎ　の印加
によって室温Ｔ、近傍で第２の磁性薄膜（２）の磁化の
向きを反転させ両磁性薄膜（１）及び（２）間には磁壁
（３）が生じた磁化状態８１つまり磁化状態Ａとは第１
の磁性薄膜（１）の磁化の向きのみが反転した状態Ｂを
生じさせて例えば“１′″の情報の記録を行う。
このように状態Ａ及び状！ｌＢにより情報“Ｏ”。
ｌ”の記録がなされるものである。そして、この場合こ
れら状態Ａ及び状態Ｂのいずれに右いてもこれの上に光
強度変調オーバーライドが可能である。すなわちいずれ
の状態Ａ１状態Ｂからも温度ＴＩ　及びＴ２　の加熱を
行う場合、状態Ｃの過程を経ることによって前述したと
同様に温度Ｔ１　及びＴ２　の選定によって初期の状態
が状態Ａであるか状態Ｂであるかを問わず情報″′０”
及び“１”によって状！！ｍＡ及び状態Ｂのオーバーラ
イドが可能となる。
上述の構成による磁気記録媒体において、その第１及び
第２の磁性薄膜（１）及び（２）の積層膜の界面には、
交換エネルギーが働いており、このために第１の状態Ｂ
では磁壁（３）が発生するものであり、磁壁エネルギー
σＷは、 １７ｙ　　＝２（〜Ａ　＋　Ｋ　＋　＋５７に２）　　
　−−−−（１）（ＡＩ　及びＡ２．に＋　及びに２　
は第１及び第２の磁性薄膜（１）及び（２）の交換定数
、垂直磁気異方性定数）そして、そのオーバーライドの
ために必要な条件は、室温（−２０℃〜６０℃）におい
て状態Ｂから状態Ａへの移行が生じることがないように
するための条件は、 Ｈｃ＋　＞　Ｈｗｌ　＝σｗ／２Ｍｓ＋ｈ＋　　　　　
　”　”（２）である。
また状態Ｂから状ａＥへの移行が生じないようにするた
めの条件は Ｈｅ２＞　ＨＩ３　＝　６　ｗ／２　Ｍｓ２ｈｉ　　　
　”　・・（３）の条件を満足することが必要である。
さらにまた状態Ｅにおいて、その第１の磁性薄膜（１）
が、外部補助磁場Ｈ５゜によって反転してしまうことが
ないようにするためには、 ＨＣＩ±Ｈｗ＋　＞　Ｈｓｔ＋ｓ　　　　　　　　”　
・・（４＋）を満足する必要がある。ここに左辺の十−
は、第１の磁性薄膜〔１）が希土類金属優勢膜であり、
第２の磁性薄膜（２）が遷移金属優勢膜である場合は「
＋」となり、第１及び第２の磁性薄膜（１）及び（２）
が共に遷移金属優勢膜である場合は「−」となる。
一方状態Ｅから状態Ｂへの移行を生ぜしめるためには、 Ｈｃｚ　＋　ＨＩ３　＜　Ｈｓｕｉ＋　　　　　　　　
・・・・（４ａ）を満足することが必要である。
また、さらに加熱温度が第１の磁性薄膜（１）のキュリ
ー温度ＴＣＩ近傍において、状態Ｃから状態へへの移行
、すなわち第１の磁性薄膜（１）の磁化の向きが第２の
磁性薄膜（２）の磁化の向きに揃えられるためには、 Ｈｗｌ　＞　Ｈｃ＋　十Ｈｅｘ　　　　　　　　”　”
　（５）式の条件が満足されることが必要であり、さら
に状ＨＣから状！！Ｅへの移行が生じないために、Ｈｃ
ｚ　　ＨＷ！　＞　Ｈｅｘ　　　　　　　　　　　＋＋
　＋＋（６）式の条件が満足されることが必要である。
尚、上記各式においてＨｗｌ及びＨｗ　２は（２）　（
３）式で定義された量、Ｈｏ及びＨｃ、、　ＭＳ、及び
Ｍｓｚ、ｈ＋及びｈ２はそれぞれ第１及び第２の磁性薄
膜の保磁力、飽和磁化、厚さである。
これらより明らかなように、室温においては上記（２）
式及び（３）式を満足し得る上で磁壁エネルギーσ１は
小さい方が望ましいが、例えば文献：インターマグ’　
８７　（Ｉ　ｎｔｅｒｍａｇ’　８７）　８Ｂ−０７よ
りに〜４×ｌＱ’ｅｒｇ／ｃｄ、　　Ａ　＝　２　ＸＩ
Ｑ−’ｅｒｇ／ｃｍと推定すると、σｗ　　＝２．５ｅ
ｒｇ／　ｃｄ きなる。
一方、２層膜ヒステリシスループからの実測値ではｅｗ
＝　３〜８ｅｒｇ／ｃｎにある。今、仮にｃｒ、＝５ｅ
ｒｇ／ｃＩ１１とし、ＨｃＭｓ＝０．４５　ｘｌＯ’ｅ
ｒｇ／ａＩＩｉを用いてＨｅｗ　＝２ｋＯｅとして上記
（６）式を室温Ｔ１　で確保するには、すなわちＨｃ２
Ｈｗｚ　＞２ｋＯｅを確保するには、ｈ　２＝１１００
人、　　Ｈｃ２＝４ｋＯｅ、　　Ｈｗｚ≦２ｋＯｅ程度
となり、第２の磁性薄膜（２）の膜厚ｈ２　が大きくな
るとともに（４，）式より外部補助磁場）（ｓｕｎ　が
大きくなるという課題が生じる。
Ｅ　課題を解決するための手段 本発明においては、上述した室温での磁壁エルネギ−密
度σ、を小さくし、かつ上記（５）式を満足させるよう
なσ。の温度特性を改善することによって第２の磁性薄
膜（２）の膜厚及び外部補助磁場ＨｓｌＪｌｌ　の減少
を図る。
すなわち、本発明においては、第１図に示すように熱磁
気記録媒体（１０）を用意する。この熱磁気記録媒体（
ｌＯ）は、垂直磁気異方性を有する第１及び第２の磁性
薄膜（１１）及び（１２）が面内磁気異方性もくしは小
さい垂直磁気異方性を有する第３の磁性薄膜（１３）を
介して順次磁気的に結合されて積層された積層膜（１４
）を有してなる。この第３の磁性薄膜（１３）は、垂直
磁気異方性を有する場合でも第１及び第２の磁性薄膜（
１１）及び（１２）の垂直磁気異方性よりも充分に小な
るたとえばＩ　Ｘ１０’ｅｒｇ／ｃｒＩ以下であるのが
好ましい。
本発明においては、この記録媒体（１０）に対してレー
ザー光照射による温度Ｔを第１図で説明したと同様に第
２に示すように第１及び第２の温度Ｔ１及びＴ２　に加
熱することによる情報記録を行う。
すなわち、第１の磁性薄膜（１１）のほぼキコリー温度
ＴＣＩ以上でかつ第２の磁性薄膜（１２）の磁気モーメ
ントの反転の生じない第１の温度Ｔ１　に加熱する第１
の加熱状態と、第１の磁性薄膜（１１）のキュリー温度
Ｔ　ｃ　＋以上でかつ第２の磁性薄膜（１２）の磁気モ
ーメントを反転させるに充分な第２の温度Ｔ２に加熱す
る第２の加熱状態とを、記録しようとする情報信号に応
じて変調し、それぞれの加熱状態から冷却することによ
り上述した状態Ａ及び状態Ｂを得る。
Ｆ　作用 上述した本発明によれば、第１及び第２の磁性薄膜（１
１）及び（１２〉においての磁化状態によって情報記録
を行うものであるが、両者間に第３の磁性薄膜（１３）
が介在されたことによって第１及び第２の磁性薄膜（１
１）及び（１２）間の磁壁エネルギーσＷが制御され、
これによって前記（５）式の条件を満足し易くなる。
すなわち、本発明によれば、第２図に示すように第１２
図で説明したと同様の状態Ａ−Ｅを採って、状態Ａ及び
Ｂ１すなわち第１及び第２の磁性薄膜（１１）及び（１
２）が同一の向きに磁化された状ａＡと逆向きの状態已
による情報の記録がなされ、この場合第３の磁性薄膜（
１３）の存在によって、界面磁壁の存在する状態を安定
化することにより磁性膜の特性設計上のマージンを広げ
るとともに、磁壁エネルギーを下げ、状態Ｅから状態Ｂ
への転位に必要な外部補助磁場を小さくすることが出来
る。
Ｇ　実施例 Ｇ−１熱磁気記録媒体 本発明で用いられる熱磁気記録媒体（１０）は、第１図
に示すように、ガラス板やアクリル板等の光透過性基板
（１５）の一方の面に、保護膜または干渉膜となる透明
の誘電体膜（１６）を介して第１の磁性薄膜（１１）、
第３の磁性薄膜（１３）、第２の磁性薄膜（１２）を順
次例えば連続スパッタリングによって積層した積層膜（
１４）を形成し、さらにこれの上に非磁性金属膜あるい
は誘電体膜よりなる保護［（１７）が被着形成されてな
る。しかしながら、この熱磁気記録媒体（ｌＯ）におい
て誘電体膜（１６）及び保護膜（１７）はこれを省略す
ることができる。
Ｇ、２　　実施例１ 第１の磁性薄膜（１１）としての希土類優勢膜の例えば
ＴｂＦｅＣｏ５　よりなる厚さ１１＋＝６００人、　Ｍ
ＳＩ＝６０ｅｍｕ／ｃｃ上にＦｅＣｏ５　よりなりＭＳ
３　＝１５ＱＱｅ＋ｎｕ／ｃｃの第３の磁性薄膜（１３
）と、遷移金属優勢膜の７ｂＦｅＣＯｓよりなる厚さｈ
　２＝６００人、　　ＭＳ２　＝２００ｅｍｕ／ｃｃ　
の第２の磁性薄膜（１２）とを順次連続スパッタリング
によって形成した積層膜（１４）を構成する。ここに第
３の磁性薄膜（１３）は強力な内面異方性を持ち、その
厚さｈ３　はその面内異方性（Ｋ、＜０）が強い場合は
薄く、弱い場合は厚く選定され、概ねに、ｈ３１かに＋
　ｈＩｎ　Ｋ２　ｈ２　と同程度になるように選定する
ことが望ましい。このような構成による積層膜（１４）
のファラデーヒステリシスループから得られたＨＷ２＝
σｗｚ／２Ｍ５ｚＬの第３の磁性薄膜（１３）の厚さり
、に対する依存性を第３図に示す。
同図にふいて、曲線（３１）　（◇印）、曲線（３２）
（◆印）、曲線（３３）　（マ印）はそれぞれ（Ｈｃ＋
＋Ｈｗ＋）、　　（ＨＯ２＋　Ｈ１１２）、　　（ＨＯ
２Ｈ１１２）　　の実測結果であり、曲線（３４）　（
△印）及び曲線（３５）　（・印）は、各測定結果から
求めた計算結果である。また、第４図及び第５図はそれ
ぞれ計算機シミュレーションによる第３の磁性薄膜の厚
さｈ３　に対する依存性を示したもので、第４図曲線（
４２）は（ＨＣ２＋Ｈｗ２）、曲線（４３）は（Ｈｃ２
Ｈ−２）　　、曲線（４４）はＨＣ２、曲線（４５）は
ＨＷ２のｈ３　に対する依存性をそれぞれ示し、第５図
中曲線（５０）はσ、のｈ３に対する依存性を示す。こ
の場合、第１及び第２の各磁性薄膜（１）及び（２）の
厚さり、及びｈ２は６００人とし、また各第１〜第３の
磁性薄膜（１）〜（３）の各特性値は、表１に示す値と
した。
表　　　　１ 尚、ここでＭ、のマイナス符号は第１の磁性薄膜（１１
）が希土類優性膜であることを示す。
第４図及び第５図の計算機シミュレーションの結果は、
第３図の実測と良く合致しており、これらによれば、第
３の磁性薄膜ｈ３　によってσ。
したがってＨ，□が制御できることがわかる。そしてＨ
ｗ２が極小となるｈｓ＝１５人付近に第３の磁性薄膜の
厚さを選定すれば室温でＨＷ２が小さいため（４２）式
を満足しやすくなりＨ８ｌｌ１１　を小さくできた上で
昇温、すれば動作点が極小からずれて相対的にσ、が大
きくなって前記（５）式を満足し易くなる。
また第３図による特性においてそのＨｌｌｌ　したがっ
てσ、が室温で谷を示す部分（点ａ）の組成に選定する
と、温度の上昇によって垂直異方性、磁化等の温度特性
が第１〜第３の磁性薄膜（１１）〜（１３）で異なるた
めにσ６の膜厚り、に対する極小点からずれて第３図に
おいて点すまたは点Ｃに向かって移動し、温度上昇によ
るσ、の上昇または少なくともσ、の減少が緩やかにな
ることが期待できＴｅｌ近傍の温度’ｒ：ＴＣ，−δに
おいて）（ｗ＋　−Ｈｃ＋　＞　Ｈｅｘが実現し易くな
る。
Ｇ−３実施例２ この例においては、室温でのσ、を下げることによって
（５）式が満たされなくなることを避けるために第１の
磁性薄膜（１１）を第６図に示すように、それぞれ磁性
薄膜より成る２層の第１及び第２の構成膜（１１，）　
及び（ＩＬａ）　　によって構成した場合である。この
場合第１の構成膜（１１，）　　は例えばＴｂＦｅ磁性
膜よりなりそのキュリー温度ＴＣＩ＋　　は１３０℃、
また下層の第２の構成膜（ｌ１２）　　はＴｂＦｅＣｏ
よりなりキュリー温度ＴＣ１□が約１６０℃のものを用
い得る。
また、第３の磁性薄膜（１３）は例えばＦｅＣｏより構
成し、第２の磁性薄膜（１２）はＧｄＴｂＦｅＣｏでキ
ュリー温度ＴＣ２が約２２０℃の磁性薄膜によって構成
し得る。
この構造による場合、前記（５）式に代わってσｗ／２
　Ｍｓ＋’ｈ１２＝　Ｈｗ＋　’＞　Ｈｃ＋　＋Ｈｅｘ
ｔ　　・・・・（５ａ）となる、すなわちこの場合では
、１層目の膜厚がｈｌ　から見かけ上ｈ１２に薄くなっ
たことになるので前記（５）式より（５ａ）式の方がそ
の条件を満足し易くなる。
Ｇ−４実施例３ 周知のいわゆる２Ｐ法（Ｐｈｏｔｏ　Ｐｏｌｙｍａｒ＋
ｚａｔ＋ｏｎ法）　により案内溝の形成されたガラス基
板よりなる透明基板（１５）上に、第７図に示すように
５１３Ｎ４よりなる透明誘電体膜（１６）を被着形成し
、これの上に第１の磁性薄膜（１１）を構成する第１及
び第２の構成膜（ｉｔ、）及び（１１□）と、さらにこ
れの上に第３の磁性薄膜（１３）と、またさらにこれの
上に第２の磁性薄膜（１２）を構成する第１及び第２の
構成膜（１２，）　及び（１２２）　　を被着形成する
。これら各磁性薄膜の構成材料及び諸特性を表２に示す
。
表　　２ この構造による熱磁気記録媒体（１ｏ〉では室温で第３
の磁性薄膜（１３）の付近に界面磁壁が形成されると考
えられ、第３の磁性薄膜（１３〉を設けることにより、
第１の磁性薄膜（１１）の第２の構成膜（１１□）と第
２の磁性薄膜（１２）の第１の構成膜（１２，）　　の
層間の界面磁壁エネルギーσ、は、１．５ｅｒｇ／ｃａ
ｔとなり、第３の磁性薄膜（１３）及び第２の磁性薄膜
（１２）の第１の構成膜（１２，）　　を室温で磁化反
転させるために必要な外部補助磁場ＨＳＵＩ　は２．５
ｋＯｅとなった。
この第３の磁性薄膜（１３）の磁気異方性定数に、＝１
、　ＯＸ　］０’ｅｒｇ／　ｃＩ！１と面内異方性を示
している。第３の磁性薄膜（１３）がない場合は（Ｆｌ
ｌ　は２．８ｅｒｇ／　ｃｉとなり、第２の磁性薄膜（
１２）の第１の構成膜（１２，）を１０００　Ａと厚く
しなければオーバーライドの条件が満足されず、しかも
このような膜厚に選定した場合においてもその外部補助
磁場）ｉｓｕａ　は３．５ｋＯｅ必要であることから、
この実施例３によれば外部補助磁場の低減化が図られる
ことがわかる。
Ｇ−５記録特性 実施例３で形成した熱磁気記録媒体を用いて形成したデ
ィスクへの記録特性を評価しこの諸特性を表３に示す。
測定は線速度ＩＱｍ／ｓｅｃでの記録によるものであり
またＣ／Ｎ　はオーバーライド時のそれを示す。画表３
にはディスクＢとして前出の表２における第３の磁性薄
膜（１３）を有さず、第２の磁性薄膜として、第１の構
成膜（１２，）　　の材料を１０００人単層で形成した
場合、またディスクＣとして、ディスクＡの第１及び第
２の構成膜（１１，）　　及び（１１２）　　にかえて
、第１の構成膜＜１１．）の材料でその膜厚を５５０人
とした単層膜により第１の磁性薄膜を構成した場合をあ
わせて掲載しである。
表　　３ この表３かられかるように、第３の磁性薄膜（１３）を
設けることにより外部補助磁場）（ｓｕｅ　の低減化を
図ることができ、また記録保存環境温度が上昇する。一
方、第１の磁性薄膜（１１）をキュリー点の異なる２層
に分割することにより外部補助磁場Ｈｓ　ｕ　ｍ　及び
記録パワーを一定に保ちかつＣ／Ｎを向上させることが
可能であることがわかる。つまり条件式（５）が完全に
満足されていることによってＣ／Ｎが良好となり、また
前記（２）及び（３）式を満足し易いことによって記録
保存環境温度の安定領域が拡大される。
Ｇ−６実施例４ ガラス基板よりなる透明基板（１５）上に、希土類優勢
膜の、厚さｈ　、　＝６０ＯＡ　、飽和磁化Ｍｓ＋＝６
０ｅｍｕ／ｃｎｔのＴｂＦｅＣＯ５膜よりなる第１の磁
性薄膜（１１）と、これの上に同様に希土類優勢膜のＴ
ｂＦｅＣＯ５で飽和磁化Ｍｓｓ　＝２００ｅｍｕ／ｃａ
ｔのＴｂＦｅＣｏ５　よりなる第３の磁性薄膜（１３）
と、これの上に遷移金属優勢膜のＴｂＦｅＣｏ５　で膜
厚ｔＬ２＝６００人、飽和磁化Ｍ、２＝２００ｅＩＴＩ
ｕ／ｃＩＩＩの第２の磁性薄膜（１２）を順次スパッタ
リングによって被着形成した熱磁気記録媒体（１０）を
用いた。この場合の第３の磁性薄膜（１３）の厚さり、
に対する８ｗ２　＝σｗ／２Ｍ５２ｈ２の依存性の測定
結果を第８図に示す。同図において、曲線（８１）　（
◇印）、曲線（８２）　（◆印）、曲線（８３）　（マ
印）はそれぞれ（Ｈｃ＋＋Ｈｗ＋）、（Ｈｃｚ＋Ｈｗ２
）、　　（ＨＣｌ−Ｈｗ２　）　　の実測結果であり、
曲線（８４）　（△印）及び曲線（８５）　（・印）は
、各測定結果から求めた計算結果である。また、第９図
及び第１０図はそれぞれ計算機シミュレーションによる
第３の磁性薄膜（１３）の厚さｈ３　に対する依存性を
示したもので、第９図曲線（９２）は（ＨＣｌ　＋　Ｈ
Ｉ３）　、曲線（９３）は（ＨＣｌ　　Ｈ−２＞、曲線
（９４）はＨＣｌ、曲線（９５）は８ｗ２の各り、に対
する依存性を示す。この計算機シミュレーションは、Ｋ
３−０として行ったが、この結果から垂直異方性が弱い
第３の磁性薄膜を用いることによってもσ１を下げるこ
とができることがわかる。また、第１０図中曲線（１０
０）　　及び（１０１）はそれぞれ第３の磁性薄膜（１
３）の異方性定数Ｋ。
を、Ｋ３　＝０．２　Ｘ　１０１０−６（ｅ／　ｃ＋＋
ｆ）、Ｋｙ＝　　Ｉ　Ｘｌ０−’（ｅｍｕ／ｃｕｔ）と
したときのσ。のり、の依存性を示す。
この場合、第１及び第２の各磁性薄膜（１１）及び（１
２）の厚さり、及びｈ　、　は６００人とし、また各第
１〜第３の磁性薄膜（１１）〜（１３）の各特性値は、
表４に示す値とした。
これらによれば、第３の磁性薄膜（１３）が弱い垂直異
方性を有するものであってもσ、　　したがってＨｗ□
が制御できることがわかる。
また第３の磁性薄膜（１３）として、室温での飽和磁化
Ｍ、が大で、温度ＴがＴＣＩ近傍でＭ、が小さい、すな
わちこの付近で第１１図に示すような補償温度特性を有
する磁性膜を用いる。すなわちに＝Ｋｕ−２πＭｓ２．
　σｍ　＝４　ＦＴ（Ｋｕ　は１軸異方性定数）である
のでＭＳ　が大きいときσ胃は小であリＭｓが小のとき
び璽は大となる。
このようにすればσ、の温度特性が室温で小さく、温度
ＴがＴＣ、近傍で相対的に大きい記録媒体の実現が可能
となる。
Ｈ発明の効果 本発明においては、第１の磁性薄膜（１１）と第２の磁
性薄膜（１２）との間に面内異方性もしくは垂直磁気異
方性の小さい第３の磁性薄膜（１３）を介在させたこと
によって界面磁壁の安定化を図ることができることによ
り、安定した確実な記録すなわちＣ／Ｎの高い記録を行
うことができる。
また、室温における磁壁エネルギーσ１の低減化により
外部補助磁場Ｈｓ　ｕ　ｓ　の低減化したがって装置の
簡略化を図ることができる。
さらにまたσ、の低減化により前記（３）及び（６）式
の成立する範囲の拡大を図ることができ、さらにまた前
述したように第１の磁性薄膜を２層構造とする場合、条
件（５）式が条件（５ａ）となることによってその成立
範囲が拡大され、設計上の裕度が大となる。
【図面の簡単な説明】
第１図、第６図及び第７図はそれぞれ本発明の熱磁気記
録媒体の路線的断面図、第２図は磁性積層膜の磁化状態
の説明図、第３図〜第５図、第８図〜第１０図は第３の
磁性薄膜の膜厚ｈ３　の依存性を示す特性曲線図、第１
１図は補償特性曲線図、第１２図は比較例の磁性積層膜
の磁化状態の説明図である。 （１１）〜（１３）は第１〜第３の磁性薄膜、（１４）
はその積層膜、（１５）は透明基板、（１０）は熱磁気
記録媒体である。 代　　理　　人　　　　　伊　　藤　　　　　真岡 松　　隈　　秀　　盛 状ＨＡ 状態Ｃ 状ａＤ 廿−入記録」俸の断面Ｌ 第１図 才１′　層　８費　の　石室にイと、イ欠　ａ　図第２
図 Ｘ膚丁− 第５図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 垂直磁気異方性を有する第１及び第２の磁性薄膜が、面
    内磁気異方性もしくは小さい垂直磁気異方性を有する第
    ３の磁性薄膜を介して順次磁気的に結合されて積層され
    た積層膜を含む熱磁気記録媒体を用い、 上記第１の磁性薄膜のほぼキュリー温度Ｔ＿Ｃ＿１以上
    でかつ上記第２の磁性薄膜の磁気モーメントの反転の生
    じない温度Ｔ＿１に加熱する第１の加熱状態と、上記温
    度Ｔ＿Ｃ＿１以上でかつ上記第２の磁性薄膜の磁気モー
    メントを反転させるに充分な温度Ｔ＿２に加熱する第２
    の加熱状態とを、記録しようとする情報信号に応じて変
    調し、 上記それぞれ加熱状態から冷却することにより上記熱磁
    気記録媒体に記録磁化を形成することを特徴とする熱磁
    気記録方法。
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