JPH02248322A - Ｂｉ―Ｓｒ―Ｃａ―Ｃｕ―Ｏ系超伝導体の製造方法 - Google Patents
Ｂｉ―Ｓｒ―Ｃａ―Ｃｕ―Ｏ系超伝導体の製造方法Info
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- JPH02248322A JPH02248322A JP1067898A JP6789889A JPH02248322A JP H02248322 A JPH02248322 A JP H02248322A JP 1067898 A JP1067898 A JP 1067898A JP 6789889 A JP6789889 A JP 6789889A JP H02248322 A JPH02248322 A JP H02248322A
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
液体窒素温度以上の高い臨界温度（Ｔｃ）を持ったビス
マス−ストロンチウム−カルシウム−銅酸素（Ｂｉ −
Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０）系超伝導体の製造方法に
関し、 広い組成範囲のＢ ｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ混合物
を用いて効率よく１１０に相のＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ
−Ｃｕ −０系超伝導体を製造する方法を提供すること
を目的とし、Ｂｉ、 Ｓｒ、 Ｃａ、 Ｃｕからなる固
体材料を酸素を含む雰囲気中で、第１の温度Ｔ１でアニ
ールして第１の超伝導転移相を有する第１のＢｉ −Ｓ
ｒ −Ｃａ −Ｃｕ−〇系超伝導体を形成する第１工程
と、第１の８１− Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝
導体を酸素を含む雰囲気中で、第１の温度Ｔ１より高い
第２の温度Ｔ２でアニールして第１の超伝導転移相より
高い第２の超伝導転移相を有する第２のＢｉ −Ｓｒ
−Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体を形成する第２工程と
を含むように構成する。
マス−ストロンチウム−カルシウム−銅酸素（Ｂｉ −
Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０）系超伝導体の製造方法に
関し、 広い組成範囲のＢ ｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ混合物
を用いて効率よく１１０に相のＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ
−Ｃｕ −０系超伝導体を製造する方法を提供すること
を目的とし、Ｂｉ、 Ｓｒ、 Ｃａ、 Ｃｕからなる固
体材料を酸素を含む雰囲気中で、第１の温度Ｔ１でアニ
ールして第１の超伝導転移相を有する第１のＢｉ −Ｓ
ｒ −Ｃａ −Ｃｕ−〇系超伝導体を形成する第１工程
と、第１の８１− Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝
導体を酸素を含む雰囲気中で、第１の温度Ｔ１より高い
第２の温度Ｔ２でアニールして第１の超伝導転移相より
高い第２の超伝導転移相を有する第２のＢｉ −Ｓｒ
−Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体を形成する第２工程と
を含むように構成する。
［産業上の利用分野］
本発明は超伝導体の製造方法に関し、特に液体窒素温度
以上の高い臨界温度（Ｔｃ）を持ったビスマス−ストロ
ンチウム−カルシウム−銅−酸素（Ｂｉ −Ｓｒ −Ｃ
ａ −Ｃｕ −０）系超伝導体の製造方法に関する。
以上の高い臨界温度（Ｔｃ）を持ったビスマス−ストロ
ンチウム−カルシウム−銅−酸素（Ｂｉ −Ｓｒ −Ｃ
ａ −Ｃｕ −０）系超伝導体の製造方法に関する。
Ｂｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系酸化物超伝導体
は、従来用いていたニオビウム（Ｎｂ） 、窒化ニオビ
ウム（ＮｂＮ）、ニオビウム３ゲルマニウム（Ｗｂ３Ｇ
Ｏ）等の超伝導体に較べて、高い臨界温度（Ｔｃ）を持
ち、高価な液体ヘリウムを用いなくとも超伝導が得られ
るという特徴を有する。
は、従来用いていたニオビウム（Ｎｂ） 、窒化ニオビ
ウム（ＮｂＮ）、ニオビウム３ゲルマニウム（Ｗｂ３Ｇ
Ｏ）等の超伝導体に較べて、高い臨界温度（Ｔｃ）を持
ち、高価な液体ヘリウムを用いなくとも超伝導が得られ
るという特徴を有する。
使用温度が高くなると取り扱いも容易になり、より実用
に適していると考えられる。このような特徴を持った酸
化物超伝導体を高品質で特性の良い薄膜はバルク材料と
して作成することができれば、半導体素子の配線材料、
超伝導体線材、超伝導素子の材料等として利用できる。
に適していると考えられる。このような特徴を持った酸
化物超伝導体を高品質で特性の良い薄膜はバルク材料と
して作成することができれば、半導体素子の配線材料、
超伝導体線材、超伝導素子の材料等として利用できる。
［従来の技術］
Ｂｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体は、臨
界温度ＴＣが約２０°に付近にある２０に相、Ｔｃが約
８０’に付近にある８０に相、Ｔｃが約１１０°に付近
にある１１０に相の３つの超伝導相を有することが知ら
れている。８０に相の安定組成比はＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：
Ｃｕ＝２ ： ２ ： １ ： ２と知られている。ま
た１１０に相の安定組成比はＢｉ ： Ｓｒ： Ｃａ：
Ｃｕ＝ ２ 二２：２：３と知られている。８０に相
は広い温度範囲のアニールで作成できるが、ｌｌ０Ｋ相
を作ることのできるアニール温度範囲は狭い。
界温度ＴＣが約２０°に付近にある２０に相、Ｔｃが約
８０’に付近にある８０に相、Ｔｃが約１１０°に付近
にある１１０に相の３つの超伝導相を有することが知ら
れている。８０に相の安定組成比はＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：
Ｃｕ＝２ ： ２ ： １ ： ２と知られている。ま
た１１０に相の安定組成比はＢｉ ： Ｓｒ： Ｃａ：
Ｃｕ＝ ２ 二２：２：３と知られている。８０に相
は広い温度範囲のアニールで作成できるが、ｌｌ０Ｋ相
を作ることのできるアニール温度範囲は狭い。
これら３相の内、最も利用価値の高いのは最もＴｃの高
いｌｌ０Ｋ相である。
いｌｌ０Ｋ相である。
第２図（Ａ＞、（Ｂ）を参照して、従来１１０に相のＢ
ｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体を得るた
めに行っていた作成方法を説明する。第２図（Ａ）を参
照して説明すると、まず工程２５で示すように、Ｂｉ
−Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕの固体材料を作成する。ここで
固体材料の組成によってｌｌ０Ｋ相ができる可能性が決
まる。所定の組成比のＢ ｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ
の固体材料を作成した後、工程２６で示すように、温度
Ｔａでアニールを行う、このアニール温度Ｔａは組成、
酸素濃度等によって最適温度が決まる。
ｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体を得るた
めに行っていた作成方法を説明する。第２図（Ａ）を参
照して説明すると、まず工程２５で示すように、Ｂｉ
−Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕの固体材料を作成する。ここで
固体材料の組成によってｌｌ０Ｋ相ができる可能性が決
まる。所定の組成比のＢ ｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ
の固体材料を作成した後、工程２６で示すように、温度
Ｔａでアニールを行う、このアニール温度Ｔａは組成、
酸素濃度等によって最適温度が決まる。
組成と酸素濃度、アニール温度Ｔａ等を適当に選べば１
１０に相のＢｉ −ｓｒ −ｃａ −Ｃｕ −０系超伝
導体が作成できる。
１０に相のＢｉ −ｓｒ −ｃａ −Ｃｕ −０系超伝
導体が作成できる。
このアニール工程は、第２図（Ｂ）に示すように、まず
アニール温度Ｔａまで昇温する工程２１を行い、続いて
アニール温度Ｔａで所定時間保持するアニール工程２２
を行い、最後にアニール温度Ｔａから常温まで降温する
工程２３を行う、ここでアニール工程のパラメータとし
ては、昇温速度、アニール温度Ｔａ、保持時間Δｔ、冷
却速度（降温速度）、酸素濃度等がある。
アニール温度Ｔａまで昇温する工程２１を行い、続いて
アニール温度Ｔａで所定時間保持するアニール工程２２
を行い、最後にアニール温度Ｔａから常温まで降温する
工程２３を行う、ここでアニール工程のパラメータとし
ては、昇温速度、アニール温度Ｔａ、保持時間Δｔ、冷
却速度（降温速度）、酸素濃度等がある。
すなわち、混合物の組成比を最適値に選び、アニール工
程のパラメータを適切に制御することによって、１１０
に相のＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体
を最も多く含む結果物を得ようとしてきた。
程のパラメータを適切に制御することによって、１１０
に相のＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体
を最も多く含む結果物を得ようとしてきた。
［発明が解決しようとする課題］
以上述べた従来技術によると、ｌｌ０Ｋ相のＢ−Ｓｒ
−Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体を得るには、組成比を
極めて狭い範囲から選ばなければならなかった。
−Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体を得るには、組成比を
極めて狭い範囲から選ばなければならなかった。
たとえば、スパッタリングにより膜を生成し、酸素雰囲
気中でアニールを行うことにより、１１０に相の超伝導
体薄膜を得る場合、スパッタリング用のターゲットが使
用と共に組成を変化させると、１１０に相が得られなく
なる可能性があった。
気中でアニールを行うことにより、１１０に相の超伝導
体薄膜を得る場合、スパッタリング用のターゲットが使
用と共に組成を変化させると、１１０に相が得られなく
なる可能性があった。
本発明の目的は、広い組成範囲のＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ混合物を用いて効率よ＜ １１０に相のＢｉ−Ｓｒ−
Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体を製造する方法を提供す
ることである。
ｕ混合物を用いて効率よ＜ １１０に相のＢｉ−Ｓｒ−
Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体を製造する方法を提供す
ることである。
たな事実である。
［課題を解決するための手段］
第１図は本発明の原理説明図である。まず工程１で示す
ように、Ｂｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕの固体材料を適
当な組成比で作成する４次に工程２で示すように、第１
の温度Ｔ１でアニールを行って、８０に相のＢｉ −Ｓ
ｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体を作成する。
ように、Ｂｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕの固体材料を適
当な組成比で作成する４次に工程２で示すように、第１
の温度Ｔ１でアニールを行って、８０に相のＢｉ −Ｓ
ｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体を作成する。
次に工程３で示すように、第１の温度Ｔ１よりも高い第
２の温度Ｔ２でアニールを行って、１１０に相のＢｉ
−Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体を作成する。
２の温度Ｔ２でアニールを行って、１１０に相のＢｉ
−Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体を作成する。
すなわち、最初に８０に相を作り、その後８０に相の超
伝導体を１１０に相の超伝導体に変換する。
伝導体を１１０に相の超伝導体に変換する。
［作用］
最初８０に相のＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ −０系超伝導
体を作成した後、１１０に相のＢ ｉ −Ｓｒ −Ｃａ
−Ｃｕ −０系超伝導体を作成すると、広い組成範囲
で１１０に相を作成できることは、本発明者が発見した
新［実施例］ 第３図に本発明の実施例によるＢ ＋ −Ｓｒ −Ｃａ
−Ｃｕ−０系超伝導体を作成するための温度プログラ
ムを示す。
体を作成した後、１１０に相のＢ ｉ −Ｓｒ −Ｃａ
−Ｃｕ −０系超伝導体を作成すると、広い組成範囲
で１１０に相を作成できることは、本発明者が発見した
新［実施例］ 第３図に本発明の実施例によるＢ ＋ −Ｓｒ −Ｃａ
−Ｃｕ−０系超伝導体を作成するための温度プログラ
ムを示す。
まず、室温から第１の温度Ｔ１へ昇温する（工程４）。
次に、第１の温度Ｔ１で所定時間アニールをする（工程
５）、この工程により、８０に相のＢｉ −８ｒ −Ｃ
ａ −Ｃｕ −０系超伝導体が多く形成される。
５）、この工程により、８０に相のＢｉ −８ｒ −Ｃ
ａ −Ｃｕ −０系超伝導体が多く形成される。
次に、第１の温度Ｔ１から第２の温度Ｔ２へ温度を上昇
させる（工程６）。
させる（工程６）。
次に、第２の温度Ｔ２で所定時間アニールを行う（工程
７）、この第２の温度Ｔ２のアニールで１１０に相のＢ
ｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体（組成
２；２：２；３）が作成される。８０に相のＢ−Ｓｒ
−Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体（組成２：２：１：２
）が周囲の組成物と化合して１１０に相の８Ｓｒ −Ｃ
ａ −Ｃｕ −０系超伝導体（組成２：２：２：３）を
作成するものと考えられる。
７）、この第２の温度Ｔ２のアニールで１１０に相のＢ
ｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体（組成
２；２：２；３）が作成される。８０に相のＢ−Ｓｒ
−Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体（組成２：２：１：２
）が周囲の組成物と化合して１１０に相の８Ｓｒ −Ｃ
ａ −Ｃｕ −０系超伝導体（組成２：２：２：３）を
作成するものと考えられる。
第２の温度Ｔ２でのアニールの後、室温まで降温する（
工程８）。
工程８）。
これらの工程は酸素を含む雰囲気、たとえば、Ｈｅと０
２を混合した雰囲気中で行う。
２を混合した雰囲気中で行う。
すなわち本実施例によれば、まず第１の温度Ｔ１で８０
に相のＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体
を作成し、その後より高い第２の温度Ｔ２でさらにアニ
ールすることによって１１０に相の８＋−８ｒＣａ −
Ｃｕ −ｏ系超伝導体を作成する。
に相のＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体
を作成し、その後より高い第２の温度Ｔ２でさらにアニ
ールすることによって１１０に相の８＋−８ｒＣａ −
Ｃｕ −ｏ系超伝導体を作成する。
以下、この実施例による１具体例をより詳細に説明する
。
。
まず、Ｂｉ ： Ｓｒ： Ｃａ： Ｃｕ＝ １ ： ０
．９２ ： ０．８６＋１．７５の混合物を作成し、基
板上にスパッタリングで薄膜試料を作成した。これを従
来法および上述の実施例による１方法でアニールをして
、Ｂｉ−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導体を作成した。
．９２ ： ０．８６＋１．７５の混合物を作成し、基
板上にスパッタリングで薄膜試料を作成した。これを従
来法および上述の実施例による１方法でアニールをして
、Ｂｉ−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導体を作成した。
従来法による場合、この組成は８０に相を作ることはで
きるが１１０に相はほとんど作成することができない相
である。
きるが１１０に相はほとんど作成することができない相
である。
まず、上記の組成のＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ混合
物膜をスパッタ法でＨ（１０基板上に堆積した。
物膜をスパッタ法でＨ（１０基板上に堆積した。
膜の形成は、スパッタ法のほか蒸着、分子線エピタキシ
（ＭＢＥ）、化学気相エピタキシ（ＣＶＤ）等が利用で
きる。
（ＭＢＥ）、化学気相エピタキシ（ＣＶＤ）等が利用で
きる。
また、基板としてはＩＧＩＯ（酸化マグネシウム）のほ
か、ｖｓｚ ｔイツトリウム安定化ジルコニア）、ＨＱ
ＡＩ２０４ （？グネシアースビネル） 、ＳｒＴ＋
０３（チタン酸ストロンチウム）等が利用できる。
か、ｖｓｚ ｔイツトリウム安定化ジルコニア）、ＨＱ
ＡＩ２０４ （？グネシアースビネル） 、ＳｒＴ＋
０３（チタン酸ストロンチウム）等が利用できる。
この膜を、たとえば７〜８％酸素濃度の酸素・ヘリウム
混合ガス雰囲気（約１気圧）中でアニールした。
混合ガス雰囲気（約１気圧）中でアニールした。
本発明の実施例の場合は、第４図に示す温度プログラム
に従ってアニールした。まず１時間で室温から８２０℃
まで昇温しな（工程４）。
に従ってアニールした。まず１時間で室温から８２０℃
まで昇温しな（工程４）。
次に、８２０℃で約１時間、第１のアニールを行った（
工程ら）、この第１アニール工程で８０に相のＢｉ −
Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体を作成する。
工程ら）、この第１アニール工程で８０に相のＢｉ −
Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体を作成する。
次に、約１０分で、第１のアニール温度８２０℃から第
２のアニール温度８３４℃まで昇温した。
２のアニール温度８３４℃まで昇温した。
続いて８３４℃で、約１時間第２のアニールを行った（
工程７）、この第２７ニールＩ程で８０に相のＢｉ −
Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体をｌｌ０Ｋ相の
Ｂｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体４：：
Ｒ換Ｌ タ。
工程７）、この第２７ニールＩ程で８０に相のＢｉ −
Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体をｌｌ０Ｋ相の
Ｂｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体４：：
Ｒ換Ｌ タ。
その後、約１０分間で８３４℃から室温まで降温しな（
工程８）。
工程８）。
雰囲気の酸素濃度を変化すると最適な第１のアニール温
度Ｔ１、第２のアニール温度Ｔ２が変化する。たとえば
、最適の第２のアニール温度Ｔ２は、酸素濃度が７％の
場合８４０℃、８％の場合８４５℃、１０％の場合８５
０℃というように酸素濃度と共に上昇する傾向がある。
度Ｔ１、第２のアニール温度Ｔ２が変化する。たとえば
、最適の第２のアニール温度Ｔ２は、酸素濃度が７％の
場合８４０℃、８％の場合８４５℃、１０％の場合８５
０℃というように酸素濃度と共に上昇する傾向がある。
−殻内に酸素濃度が７〜８％の場合、第２のアニール温
度としては８２０〜８７０’Ｃが適当である。また第１
のアニール温度Ｔ１は第２のアニール温度Ｔ２よりも５
〜５０’Ｃ低い温度に選ぶのが適当である。
度としては８２０〜８７０’Ｃが適当である。また第１
のアニール温度Ｔ１は第２のアニール温度Ｔ２よりも５
〜５０’Ｃ低い温度に選ぶのが適当である。
通常、第２のアニール温度Ｔ２は、従来法によって同一
組成の原料から１１０に相を作るのに適したアニール温
度とほぼ同じである。
組成の原料から１１０に相を作るのに適したアニール温
度とほぼ同じである。
第５図を参照して、上述の具体例を従来技術と較べてさ
らに説明する。
らに説明する。
第５図において、中段に示す曲線１１が第１の温度Ｔ１
の第１７ニールを行った後の試料のＸ線回折のデータで
ある。下段の曲線１２が第２の温度Ｔ２の第２アニール
を行った後の試料のＸ線回折のデータである。
の第１７ニールを行った後の試料のＸ線回折のデータで
ある。下段の曲線１２が第２の温度Ｔ２の第２アニール
を行った後の試料のＸ線回折のデータである。
上段に示す曲線２８は、従来技術にしたがってアニール
を行った結果書た試料のＸ線回折データである。
を行った結果書た試料のＸ線回折データである。
図中、Δ印を付したピークは８０に相のピークを示し、
Ｏ印を付したピークは１１０に和のピクを示す。
Ｏ印を付したピークは１１０に和のピクを示す。
第１のアニール（Ｔ１）を行った後の試料は、主として
８０に相のピーク（Δ印を付したもの）を示しているが
、微かに１１０に相のピークの存在も認められる。
８０に相のピーク（Δ印を付したもの）を示しているが
、微かに１１０に相のピークの存在も認められる。
第２の温度Ｔ２のアニールを行った後の回折データは、
主として１１０に相のピークで占められる。すなわち、
８０に相の超伝導体が１１０に相の超伝導体に変換した
ことが判る。
主として１１０に相のピークで占められる。すなわち、
８０に相の超伝導体が１１０に相の超伝導体に変換した
ことが判る。
これに対し、上段に示す従来技術による結果は、主とし
て８０に相のピークを示している。すなわち、従来技術
ではｌｌ０Ｋ相を作り難かった。
て８０に相のピークを示している。すなわち、従来技術
ではｌｌ０Ｋ相を作り難かった。
本発明の実施例によれば、同じ組成比の原料がらまず８
０に相を作り、次に１１０に相を作ることで１１０に相
を効率よく作成することができる。
０に相を作り、次に１１０に相を作ることで１１０に相
を効率よく作成することができる。
次に、第６図を参照して本発明の他の実施例によるアニ
ールを説明する。第６図の温度プログラムは、まず室温
から第１の温度Ｔ１までの昇温工程を行い（工程４）、
次に第１の温度Ｔ１で所定時間第１のアニールを行う（
工程５）ことは第１の実施例と同様であるが、その後温
度を一旦降下させる（工程１３）、そして、所望する時
間低温に保持した後（工程１４）、今度は第１の温度Ｔ
１より高い第２の温度Ｔ２まで昇温する（工程１５）、
そして、Ｔ２で所定時間第２のアニールを行う（工程７
）、そして、アニール後常温まで降温する（工程８）。
ールを説明する。第６図の温度プログラムは、まず室温
から第１の温度Ｔ１までの昇温工程を行い（工程４）、
次に第１の温度Ｔ１で所定時間第１のアニールを行う（
工程５）ことは第１の実施例と同様であるが、その後温
度を一旦降下させる（工程１３）、そして、所望する時
間低温に保持した後（工程１４）、今度は第１の温度Ｔ
１より高い第２の温度Ｔ２まで昇温する（工程１５）、
そして、Ｔ２で所定時間第２のアニールを行う（工程７
）、そして、アニール後常温まで降温する（工程８）。
すなわち、第１の実施例と比較した場合、８０に相を作
るための第１のアニールを行った後、ただちにｌｌ０Ｋ
相を作るための第２のアニールに稈らず、一旦低温に降
温し、その後新たに昇温して、１１０相を作るための第
２のアニールを行う。
るための第１のアニールを行った後、ただちにｌｌ０Ｋ
相を作るための第２のアニールに稈らず、一旦低温に降
温し、その後新たに昇温して、１１０相を作るための第
２のアニールを行う。
このような温度プログラムによっても、第１の実施例と
同様に、一旦８０に相のＢ ｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃ
ｕ−〇系超伝導体を作成し、それをｌｌ０Ｋ相に変換す
ることができる。
同様に、一旦８０に相のＢ ｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃ
ｕ−〇系超伝導体を作成し、それをｌｌ０Ｋ相に変換す
ることができる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば従来技術ではｌｌ
０Ｋ相を作成することが困難であった組成範囲において
も、１１０に相を効率的に作成することができる。
０Ｋ相を作成することが困難であった組成範囲において
も、１１０に相を効率的に作成することができる。
スパッタリングターゲット等の一定のソースがらＢｉ
−Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ混合物を蒸着等により作成した
場合、ソースの組成が幾分変化しても安定して１１０に
相を作成することができる。
−Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ混合物を蒸着等により作成した
場合、ソースの組成が幾分変化しても安定して１１０に
相を作成することができる。
さらに、１１０に相の組成（２：２：２：３）の８＋−
８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ混合物を用いてｌｌ０Ｋ相のみからな
る超伝導体を作成することも期待される。
８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ混合物を用いてｌｌ０Ｋ相のみからな
る超伝導体を作成することも期待される。
第１図は本発明の原理説明図、
第２図（Ａ）、（Ｂ）は従来技術を説明する図であり、
第２図（Ａ）はフローチャート、第２図（Ｂ）は温度プ
ログラムを示すグラフ、第３図は本発明の実施例による
温度プログラムを示すグラフ、 第４図は、本発明の実施例による具体例の温度プログラ
ムを示すグラフ、 第５図は、本発明の具体例によるＸ線回折データを従来
方法によるデータと比較して示すグラフ、第６図は、本
発明の他の実施例による温度プログラムを示すグラフで
ある。 図において、 １ 固定材料作成工程 ２ ８０に相作成アニール ３ １１０に相作成アニール 第１の温度Ｔ１への昇温工程 第１の温度Ｔ１でのアニール 工程 第２の温度Ｔ２への昇温工程 第２の温度Ｔ２でのアニール 工程 第２の温度Ｔ２からの降温工程 第１の温度Ｔ１での第１のアニ ール後のＸ線回折データ 第２の温度Ｔ２での第２のアニ ール後のＸ線回折データ 第１の温度Ｔ１でのアニール後 の降温工程 第１のアニール後の低温保持 工程 第２の温度Ｔ２への昇温工程 昇温工程 アニール工程 降温工程 固体材料作成工程 １１０に相伴成工程 従来技術によるＸ線回折データ 第１図 （Ａ）フローチャート （Ｂ）温度プログラム 時開を 第２図 本発明の夾施剥による温度プログラム 第３図 時間 具体例 第４図 Ｘ！凹針折 角ｅ（つ 具体例の比較データ
第２図（Ａ）はフローチャート、第２図（Ｂ）は温度プ
ログラムを示すグラフ、第３図は本発明の実施例による
温度プログラムを示すグラフ、 第４図は、本発明の実施例による具体例の温度プログラ
ムを示すグラフ、 第５図は、本発明の具体例によるＸ線回折データを従来
方法によるデータと比較して示すグラフ、第６図は、本
発明の他の実施例による温度プログラムを示すグラフで
ある。 図において、 １ 固定材料作成工程 ２ ８０に相作成アニール ３ １１０に相作成アニール 第１の温度Ｔ１への昇温工程 第１の温度Ｔ１でのアニール 工程 第２の温度Ｔ２への昇温工程 第２の温度Ｔ２でのアニール 工程 第２の温度Ｔ２からの降温工程 第１の温度Ｔ１での第１のアニ ール後のＸ線回折データ 第２の温度Ｔ２での第２のアニ ール後のＸ線回折データ 第１の温度Ｔ１でのアニール後 の降温工程 第１のアニール後の低温保持 工程 第２の温度Ｔ２への昇温工程 昇温工程 アニール工程 降温工程 固体材料作成工程 １１０に相伴成工程 従来技術によるＸ線回折データ 第１図 （Ａ）フローチャート （Ｂ）温度プログラム 時開を 第２図 本発明の夾施剥による温度プログラム 第３図 時間 具体例 第４図 Ｘ！凹針折 角ｅ（つ 具体例の比較データ
Claims (4)
- （１）、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｃｕからなる固体材料を酸
素を含む雰囲気中で、第１の温度Ｔ１でアニールして第
１の超伝導転移相を有する第１のＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−Ｏ系超伝導体を形成する第１工程（２）と、 第１のＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導体を酸素を
含む雰囲気中で、第１の温度Ｔ１より高い第２の温度Ｔ
２でアニールして第１の超伝導転移相より高い第２の超
伝導転移相を有する第２のＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ
系超伝導体を形成する第２工程（３）とを含むことを特
徴とするＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導体の製造
方法。 - （２）、前記第２の温度Ｔ２が８２０〜８７０℃であり
、前記第１の温度Ｔ１が第２の温度より５〜５０℃低い
温度であることを特徴とする請求項１記載のＢｉ−Ｓｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導体の製造方法。 - （３）、前記第１工程後ただちに温度を上昇させて前記
第２工程を行うことを特徴とする請求項１ないし２記載
のＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導体の製造方法。 - （４）、前記第１工程後、一旦温度を降下させ、その後
前記第２工程を行うことを特徴とする請求項１ないし２
記載のＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1067898A JPH02248322A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | Ｂｉ―Ｓｒ―Ｃａ―Ｃｕ―Ｏ系超伝導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1067898A JPH02248322A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | Ｂｉ―Ｓｒ―Ｃａ―Ｃｕ―Ｏ系超伝導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02248322A true JPH02248322A (ja) | 1990-10-04 |
Family
ID=13358177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1067898A Pending JPH02248322A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | Ｂｉ―Ｓｒ―Ｃａ―Ｃｕ―Ｏ系超伝導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02248322A (ja) |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP1067898A patent/JPH02248322A/ja active Pending
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