JPH02248955A - フォトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルお
よび芳香族ポリヒドロキシ化合物を含有するポジ型に機
能するフォトレジスト組成物、ポジ型画像を製造する方
法、そしてポジ型に機能する製版フェスとしてのおよび
集積回路を製造するための微細リソグラフィにおける該
組成物の使用に関する。

〔従来の技術および発明が解決しようとする課題〕

低分子量フェノールを１．２−ナフトキノン−２−ジア
ジド−５−スルホニルクロライドでモノ−、ジーまたは
トリエステル化することにより取得される増悪剤を含有
するポジ型に機能するフォトレジストは、米国特許明細
書４６２６　４９２号に開示されている。

これらの組成物は、染料とトリヒドロキシベンゾフェノ
ンを追加して含有する。

これらのフォトレジスト組成物は良好な感度を持ってい
るものの、現時点では、レジストプロファイル（ｒｅｓ
ｉｓｔ　ｐｒｏｆｉｌｅ）の品質（コントラスト）、分
解能および露光エナージーが変化する場合のレジスト線
の幅の変化に関して、高分解能フォトレジスト用の材料
を構成するための要求を満たしていない。

本発明の目的は、優れたプロファイルコントラスト（ｐ
ｒｏｆｉｌｅ　ｃｏｎｔｒａｓｔ）と線幅の極小のばら
つきにより特に顕著であるポジ型に機能するフォトレジ
スト組成物を提供することにある。該組成物は、勿論価
れた感度と耐熱性を持つ。

〔課題を解決するための手段〕

従って本発明は、フォトレジスト組成物に基づいて２３
ないし２７％の式■ （式中、置換基Ｘの一つは水素原子または式ＩＩの基を
表し：そして他のＸは式ＩＩの基を表す）で表される少
なくとも一種の化合物；および前記組成物に基づいて６
−１１％の式■（式中、Ｘは直接結合、−Ｏ−−５− −ｓｏ、　−−ｃｏ−または Ｃ（Ｒａ　）（Ｒ？　）−を表し； そしてＲ＋　、Ｒ１、Ｒｓ　、ＲａおよびＲ％は各々互
いに独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１な
いし４のアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルコキ
シ基または水酸基を表し； そしてＲ６とＲ１は各々互いに独立して水素原子、　Ｃ
Ｈ３または−ＣＦ　ｓを表す）で表される少なくとも一
種のポリヒドロキシ化合物を含有するポジ型に機能する
フォトレジスト組成物に関する。

式Ｉの化合物は公知であり、例えば西独特許公開公報１
　１１８　６０６号に開示されている。これらの感光性
エステルはそれ自体が知られている方法、例えば、特に
１．２−ナフトキノンジアジドスルホン酸のスルホニル
クロライドを２．４．２’、４’−テトラヒドロキシジ
フェニルスルフィドと反応させることにより得られる。

特に適当な１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸の
エステルは、１．２−ナフト°キノンー２−ジアジド−
４−スルホン酸、好ましくは１．２−ナフトキノン−２
−ジアジド−５−スルホン酸から合成されるそれらであ
る。

このエステルを製造するためには、２成分（スルホン酸
は通常スルホニルクロライドとして使用される。）をジ
オキサン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド
、ジエチレングリコールジメチルエーテルまたはグリコ
ールモノメチルエーテルのような溶媒に溶解し、そして
アルカリ金属重炭酸塩、アルカリ金属炭酸塩または例え
ばトリエチルアミンであるアミノ化合物のような弱アル
カリを添加することによりエステル化する。

得られたスルホン酸エステルはそのままフォトレジスト
組成物に、またはそれ自体が知られている方法、例えば
ジオキサンのような適当な溶媒に溶解し、次いで水を添
加することにより再沈澱する方法により精製されてから
使用される。

１．２−ナフトキノンジアジドスルホニルクロライドの
適当量を選択することにより、２゜４．２’、４’−テ
トラヒドロキシジフェニルスルフィドの３ケまたは全て
の水酸基をエステル化することが可能である。

２．４．２’、４’　−テトラヒドロキシジフェニルス
ルフィドの１モルに対し、約３モルの１．２−ナフトキ
ノンジアジドスルホニルクロライドを使用するのが好ま
しい。

式■の化合物も公知であり、そのあるものは商業的に購
入できる。このようなポリヒドロキシ芳香族化合物は、
例えば西独特許公開公報３７２４　７９１号に開示され
ている。

式■の化合物は、少なくとも２ケの水酸基を含有する。

置換基Ｒｔ　、Ｒｘ　、Ｒｓ　、ＲａおよびＲ１は、そ
れらが水素原子でなければ、フッ素原子、塩素原子また
は臭素原子のようなハロゲン原子；メチル基、エチル基
、ｎ−もしくは１ｓｏ−プロピル基、ｎ−５ｅｃ−もし
くはｔｅｒｔ−ブチル基のような炭素原子数１ないし４
のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキ
シ基もしくは１ｓｏ−プロポキシ基、ｎ−５ｅｃ−もし
くはｔｅｒｔ−ブトキシ基のような炭素原子数１ないし
４のアルコキシ基および水酸基もであってよい。

弐■の化合物は、２ケまたは３ケの水酸基を包含し、他
の置換基を包含しないのが好ましい。

水酸基は、４．４’−１２，２′−または２゜３．４−
位にあるのが好ましい。

式■の適当な化合物は、４．４′−ジヒドロキシビフェ
ニル、２．２’−ジヒドロキシビフェニル、４．４’　
−ジヒドロキシベンゾフェノン、ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エーテル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）
スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
である。

弐■の特に好ましい化合物は、例えば米国特許明細書４
　６２６　４９２号に開示されているトリヒドロキシベ
ンゾフェノン類、一般には２．４．４’−トリヒドロキ
シベンゾフェノンまたは２．４．６−）ジヒドロキシベ
ンゾフェノンそして、特に好ましくは２，３．４−トリ
ヒドロキシベンゾフェノンである。

フォトレジスト用の材料の工程能力と品質のためには、
式■と■の化合物の使用量が非常に重要であることが見
出された。

もし所望の品質を獲得すべきならば、これらの量は非常
に狭い範囲内だけで変わり得る。

もしこれらの範囲が守らなければ、コントラストと線幅
のばらつきは、品質的に損害を被る。

式■の化合物にとって、これらの範囲は全フォトレジス
ト組成物を基準にして２３ないし２７重量％、好ましく
は２４−２６重量％の範囲にあり、そして弐■の化合物
にとっては６ないし１１重量％、好ましくは６ないし１
０重量％の範囲にある。この関連において、重量％は該
組成物の全固形分を基準にしたものである。

工業的に使用するためのフォトレジストの本質的な要点
は、放射線（ｒａｄｉａｔｉｏｎ）感度、解像度および
コントラストである。

高感度は、仮に例えば、使用される装置のために、例え
ば単色光の露光において低強度の放射だけがレジストに
作用することかできるとしても、製造工程周期における
短い露光時間を確保するのに重要である。

解像は、マスターの最小の構造：例えば線とか隙間のよ
うなものが、フォトレジストにより微細な輪郭および刻
み目の形で明瞭に分離されてかつ精確に再生され得る程
度にまで正確に描き出す。

ＶＬＳ　１回路の製造は、１μｍおよびそれ以下の大き
さの単位までの構造上の詳細を再生することを要求する
。

このコントラストは、現像後、フォトレジストリリーフ
のコントラストと輪郭の鮮明度を正確に描写する。これ
らは可能な限り鮮明に輪郭付けられていなければならず
、そして理想的には９０°のフランクを持っている。

フォトレジスト構造の生産において得られる解像度は、
第一にそれが構成される材料に特異的に依存するフォト
レジストの性質：特に反応が開始せしめる放射の吸収と
量子収率、並びに現像時の動作のような性質による。

解像度の低い限界は、露光装置の光学的性能の中と、理
論的には使用される放射線 （ｒａｄｉａｔｉｏｎ）の波長からも見出される。

単色光の露光のための最も厳しい要求に応えるべく設計
される光学系は、高開口数を持たなければならない。

しかし、開口数が増えるに従って焦点深度は減少し、製
造条件下で利用される焦点合わせのための許容度は著し
く減少する。

その光化学的性質の故に現在のフォトレジストを使用し
、水銀スペクトラムの放射線により近紫外領域において
作動する常用の露光装置により、低波長の紫外線または
Ｘ−放射線のようなより低波長の放射線を使用すること
によって、より高い解像度を達成するのは可能ではない
。

従って、光学装置によって解像度を増やすのは実用的に
は限界がある。

現在常用されている、アルカリ溶解性の樹脂およびナフ
トキノンジアジド化合物を基材にしたポジ型フォトレジ
スト組成物は、０．３ないし０．４の開口度を持つレン
ズを使用して近紫外領域で露光されると、解像度を０．
８ないし０．９μｍまでの低さまで下げることが可能で
ある。

マンクロチップ上の高集積密度を増やすための需要があ
るので、その結果、近紫外領域で構成でき、かつ特に大
量生産で大規模に使用されているウエーハステパｙ−（
ｗａｆｅｒ　５ｔｅｐｐｅｒ）において工程化すること
ができ、かつ主に水銀Ｇ線（４３６ｎｍ）の放射線によ
る単色光で操作のできる高分解能のポジ型レジストに対
する著しい需要がある。

サブミクロンの単位領域では、先行技術に対して０．１
ないし０．３８ｍ解像度を高めることは実質的に価値の
あることである。

従って、先行技術のポジ型フォトレジストを改良して、
近紫外領域において著しく増大した解像度を持ち、そし
て優れた輪郭鮮明度とコントラストを持つ構造を与える
こともできるようなフォトレジストにするのが本発明の
別の目的である。

フォトレジスト組成物は、多数の刊行物、例えば「ドフ
ォレスト、”フォトレジストマテリアルス　および　工
程“、マツフグロラーヒルブック　カムパニイ、ニュウ
ヨーク（Ｐｈｏｔｏ−ｒｅｓｉｓｔ　Ｍａｔｅｒｉａｌ
ｓ　ａｎｄ　Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ　、　ＭｃＧｒａｗ−
Ｈｉｌｌ　Ｂｏｏｋ　Ｃｏｍｐａｎｙ、Ｎ、Ｙ、＋）１
９７５」に記述されている。

これらは、溶液から製造される塗膜または乾燥塗膜とし
ての塗膜を包含する。

ポジ型に機能するフォトレジストは、活性化放射線によ
る露光の後現像液中で溶解するようになる。

ポジ型に機能するフォトレジストは、実質的にはフィル
ムを形成するポリマー結合剤中の感光性の化合物から成
る。

これらは物理的混合物または反応生成物であって所謂ジ
アゾ樹脂と呼ばれる。

最も頻繁に使用されている感光性化合物または増感剤は
キノンジアジド類として知られるようになっている。

それらは特に０−キノンジアジドカルボン酸のエステル
およびアミドであり、最も特に０−キノンジアジドスル
ホン酸である。この種の適当な増感剤は例えば、ドフォ
レスト（前掲引用書、４７−５頁）そして米国特許明細
書：２７５４　２０９号、３　０４６　１１０号、３０
４６　１１２号、３　０４６　１１３号、３０４６　１
１６号、３　０４６　１１８号、３０４６　１１９号、
３　０４６　１２０号、３６４７　４４３号、３　７５
９　７１１号および４　１４１　７３３号に記述されて
いる。これらの化合物の内ナフトキノンジアジド類が好
ましく、特に好ましいのは０−ナフトキノンジアジド−
４−または−５−スルホン酸誘導体である。単量体のキ
ノンジアジドスルホン酸類はそれらのエステルまたはア
ミドの型で結合剤中に含まれる。または例えば、米国特
許明細書４１４１　７３３号または英国特許明細書１５
４６　６３３号中に記述されているようにキノンジアジ
ドスルホニルクロライドを結合剤と反応せしめる。この
反応生成物はジアゾ樹脂と呼ばれている。

結合剤の選択はその要求される実用性と品質による。こ
のような樹脂の一覧表はドフォレスト（前掲引用書、５
７−９頁）に見出される。

特に適当な結合剤の模範例は、アルデヒド、好ましくは
アセトアルデヒドもしくはホルムアルデヒド、しかし好
ましくはホルムアルデヒドとフェノールから誘導される
ノボラックである。

この結合剤のフェノール成分は、好ましくはフェノール
そのものもしくはハロゲン化フェノール、例えば１ケも
しくは２ケの塩素原子により置換されているフェノール
、好ましくはｐ−クロロフェノールであり、またはこれ
は１ケないしは２ケの、炭素原子数１なしい９ケのアル
キル基により置換されているフェノール、例えばｏ＋、
ｍ−もしくはｐ−クレゾール、キシレノール、ｐ−ｔａ
ｒｔ−ブチルフェノールもしくはｐ−ノニルフェノール
である。

しかしながら、好ましいノボラックのフェノール成分は
、またｐ−フェニルフェノール、レゾルシン、ビス（４
−ヒドロキシフェニル）メタンまたは２．２−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）プロパンでもある。

これらノボラックのフェノール性水酸基は、例えばクロ
ロ酢酸、イソシアナート、エポキシドまたは無水カルボ
ン酸との反応により改質される。

他の適当な結合剤は、典型的なポリビニルフェノールま
たは無水マレイン酸とスチレンもしくはビニルエーテル
もしくは１−アルケンとの共重合体、またはヒドロキシ
スチレンもしくはアミノスチレンとスチレン、酢酸ビニ
ルおよび同様のものとの共重合体である。

結合剤として、アクリル酸もしくはメタクリル酸のエス
テルとエチレン性不飽和酸、例えばメタクリル酸との共
重合体を使用することも可能である。

述語の「ジアゾ樹脂」は、感光性のキノンジアジド置換
基を有する結合剤を示す。

従って、このような結合剤は非感光性の結合剤と感光性
の化合物の物理的な混合物ではなく；非感光性の結合剤
を、感光性の化合物、特に反応性キノンジアジド、例え
ば０−ナフトキノンジアジドスルホニルクロライドと反
応させることにより得られた感光性の結合剤である。

このようなジアゾ樹脂は、例えば米国特許明細書３　０
４６　１２０号および４１４１７３３号中に、英国特許
明細書１　０２６　１４４号および１　１１３　７５９
号中に、ドイツ特許明細書１　８０３　７１２号および
１９１１　４９７号中に、そしてカナダ特許明細書９０
３　５４５号に開示されており、そしてこれらの公刊物
に記載されている方法により製造され得る。

感光性−反応性キノンジアジドと、例えば０−ナフトキ
ノンジアジド−４−もしくは−５−スルホニルクロライ
ドとの反応に特に適しているものは、フェノール／ホル
ムアルデヒドもしくはクレゾール／ホルムアルデヒド樹
脂、ポリビニルフェノール、またはアミノスチレンもし
くはヒドロキシスチレン共重合体例えばスチレン、酢酸
ビニルおよび同様のものとの共重合体である。

ポジ型に機能するシステムで常用されているように、ま
だ他の補助的樹脂が添加されてもよい。これらの補助的
樹脂は典型的には、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリレート
、アルキル基が炭素原子数１ないし２０のアルキル基で
あるポリ（アルキルメタアクリレート）もしくはポリ（
アルキルアクリレート）、ポリビニルエーテルまたはポ
リビニルピロリドンのようなのようなビニルポリマーで
ある。しかしながら、−船釣にはアルカリ可溶性の結合
剤を基準にして２０重量％以上にならないように、これ
ら補助的樹脂が添加される。

この発明の組成物は、安定剤、顔料、染料、充填剤、定
着剤、均染剤、湿潤剤および可塑剤のような他の常用の
改質剤を含有してもよい。

適用するためにこの組成物は適当な溶媒に溶解すること
もできる。

この発明の組成物は、全ての種類の基板：例えば木材；
織物；祇；セラミック；ガラス；ポリエステル、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリオレフィンまたは酢酸セル
ロースのようなプラスチック材料の好ましくはフィルム
状の、そしてＡｊ！、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ５Ｚｎ、、Ｍｇ
またはＣｏのような金属の基板もの、そしてＳｉまたは
Ｓｉｎ、の基板、そしてその基板上に画像様の露光によ
り画像を形成することを所望されている基板のための塗
料成分として優れた適合性を有している。

本発明は更に塗布された基板に関する。

本発明は下記の工程： ａ）上述で定義された放射線感受性の組成物で基板を塗
布する； ｂ）塗布した基板を、予め決められたパターンに合わせ
て化学線で露光する； Ｃ）塗布次いで露光した基板を現像する；を含むポジ型
画像の製法に関する。

塗布された基板の製造は、例えば組成物の溶液またはけ
ん濁液を製造することにより実施例され得る。溶媒と濃
度の選択は主に組成物の性質と塗布方法による。溶液は
均一に基板に公知の塗布方法、例えば回転（ｓｐｉｎ）
塗布、浸漬、ドフター塗布、流し塗り、はけ塗り、散布
およびリバースロール塗布により施用される。

感光層を一時的な柔軟な基板に施用し、そしてラミネー
ションの方法による塗装転移により、例えば銅張回路板
の最終の基板に塗布することも可能である。

含浸量（層の厚み）と基板の性質は、所望する実用性に
よって限定されたものとなる０本発明の組成物の特別な
利点は、層の厚みを広く変更して使用できることである
。

本発明の組成物の可能な用途は、エレクトロニクス分野
（流電防止、放電防止）、自動型グラビアもしくはロー
ラー印刷のための、そしてスクリーン印刷型、成形エツ
チングの製造のためのオフセット版のような印刷版の製
造におけるフォトレジストとして；またはミクロ電子工
学における集積回路の生産におけるミクロレジストとし
て可能である。

可能な基板および塗布された基板の工程の条件は、相応
して異なる。

ポリエステル、酢酸セルロースまたはプラスチックス被
覆紙から製造されたシートは、情報の写真記録のために
典型的に使用される。特別に処理されたアルミニウムは
オフセット型に使用され；そして銅張りラミネートは印
刷回路の製造に使用される。

基板が塗布された後は、溶媒は普通は乾燥により除かれ
、基板の上にフォトレジストの層を作製する。

常法による該材質の画像様露光の後、フォトレジストの
露光された領域は現像液で洗浄される。

特に好ましい現像液は、ナフトキノンジアジド／ノボ°
ラックレジストの現像のために使用される水性のアルカ
リ溶液である。

これらは特に、アルカリ金属のケイ酸塩とリン酸塩およ
び水酸化物、またはテトラアルキルアンモニウム化合物
の水溶液を含有する。これらの溶液は湿潤剤および／ま
たは有機溶媒および他の添加物の少量を追加的に含有し
ていてもよい。

典型的な有機溶媒は、水と混合するものであって、現像
液に添加できるものであり、例えば２−エトキシエタノ
ールまたはアセトン、並びにこのような溶媒の２種また
はそれ以上の混合物である。

「予め決められたパターンに合わせて、化学線で露光す
る」という表現は、予め決められたパターンを有するフ
ォトマスク、例えばクロミウムマスク（ｃｈｒｏ＋５ｉ
ｕｓ■ａｓｋ）または写真透明画を通しての露光；並び
に画像を生産するために塗布表面材の表面を論理制御に
より移動するレーザー光線への露光を意味すると理解さ
れるだろう。

この発明の組成物の感光性は、一般に紫外領域（約２５
０ｎｍ）から約６００れ醜に展開するので、非常に広い
範囲のものである。

従って、適当な光源は、非常に広（変化する型の多数を
包含する０点光源並びに反射灯の光束が適当である０例
は炭素アーク、キセノンアーり、ハロゲン原子でドープ
（ｄｏｐｅ）されてもよい水銀蒸気灯（ハロゲン化金属
灯）、蛍光灯、アルゴン白熱灯、電子閃光灯および写真
溢光灯である。

ランプと画像物質の間の距離は実質的には可変であり、
実用性とランプの型により、例えば２ないし１５０Ｃ１
１である。特に適当な光源はレーザー光源であり、例え
ば４５７．４７６．４８８．５１４．５２８ｒｖ　　に
おける強い放射線（アルゴンレーザー）を伴うアルゴン
イオンレーザ−またはクリプトンイオンレーザ−である
。

この露光の型では、レーザー光線が感光ポリマー層上に
直接に描画するので、核層に接触しているフォトマスク
はもはや不要である。

本発明の組成物の高い感度はここでは非常に有利であり
、比較的低い強度で高い描画速度が許容される。この方
法は、エレクトロニクス工業のための印刷回路、リソグ
ラフィツクオフセット版またはリリーフ印刷版並びに写
真画像記録材料を製造するのに使用され得る。

感光性の組成物は、電磁スペクトラムの特殊な領域にお
けるスペクトルの感度を増やすために増感剤を含むこと
もできる。

従って、本発明は上で定義した組成物を、印刷回路、放
電レジスト、オフセット印刷版、色彩管理シート（ｃｏ
ｌｏｕｒ　ｃｏｎｔｒｏｌ　５ｈｅｅｔ）、ステンシル
（ｓｔｅｎｃｉｌｓ）、名札および同様のものの製造の
ために典型的に使用されるポジ型に機能するコピーイン
ク（ｃｏｐｙｉｎｇ　１ｎｋ）の製造のためのポジ型フ
ォトレジストとしての使用に関する。

〔実施例〕

裏腹■土二主 リンス　　　　　（実施例１） リンス　　　　　（実施例２） これらの組成物からジエチレングリコールジメチルエー
テル中の３５％溶液を作製し、０．２ｐｍろ過膜を通し
てろ過する。

フォトレジスト組成物を、５０００ｒｐ−で、直径１０
０■のシリコーンウェーハ上に３０秒間にわたって回転
塗布する。かくして得られた均一層の厚みは１．５μｍ
である。！！！布ウェつ八をへ板上１００℃で１分間加
熱して予備乾燥し、ウェーハステッパー（ｗａｆｅｒ　
５ｔｅｐｐｅｒ）　　（キャノン　ＦＰＡ　　１５５０
．開口数−０，３５）により、４３６ｎｓの波長で、単
色光ＵＶ放射により、試験ウェッジ（ｗｅｄｇｅ）を通
して画像様に露光する。試験パターンは、３．０　ａ　
ｍないし０．５　ａ　ｍの異なる大きさの線と格子を持
つ。

露光エナージーを１００ないし３００ｍＪ／ｃｊと段階
的に変化せしめる０次いで、照射されたウェーハを１１
５℃で１分間にわたり露光後焼付けし、水酸化テトラメ
チルアンモニウムの１４％中で１分間現像する。

得られたレジスト層を金でスパッタし、電子顕微鏡下で
０．７．０．８．０．９および１．０μｍ格子構造を測
定し、評価する。

評価基準は、レジストプロファイル（ｒｅｓｉｓｔｐｒ
ｏｆｉｌｅ）の品質（コントラスト）、解像度および１
．０μｍ線を精確に再現するのに必要である強度に比例
する露光エナージー中の１０％の変化における１、　Ｏ
ｕ　ｍレジスト線の線幅の変化である。

結果を下の表Ａに纏める。

下記の組成物を同様な方法により試験する。

フ　　リンス　　　　　（実施例４） リンス　　　　　　（実施例５） 凧窃・・・・・・・・・・・・・ｚ′Ｌｕｘ重九結果を
下記の表Ｂに纏める。

これらの結果は、式Ｉの化合物を特許請求している量以
内含有していない組成物は、本発明の組成物と比較して
、解像度、プロファイルコントラストおよび、特に、線
幅のばらつきに関して著しく劣ることを明瞭に示してい
る。

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. （１）組成物に基づいて２３ないし２７％の式 I ▲数
   式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、置換基Ｘの一つは水素原子または式II▲数式、
   化学式、表等があります▼（II） の基を表し：そして他のＸは式IIの基を表す）で表され
   る少なくとも一種の化合物；および組成物に基づいて６
   −１１％の式III ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （式中、Ｘは直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−、 −ＳＯ＿２−、−ＣＯ−または −Ｃ（Ｒ＿６）（Ｒ＿７）−を表し； そしてＲ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４およびＲ＿５は
   各々互いに独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素原子
   数１ないし４のアルキル基、炭素原子数１ないし４のア
   ルコキシ基または水酸基を表し； そしてＲ＿６とＲ＿７は各々互いに独立して水素原子、
   −ＣＨ＿３または−ＣＦ＿３を表す）で表される少なく
   とも一種のポリヒドロキシ化合物を含有するポジ型に機
   能するフォトレジスト組成物。
2. （２）式 I 中の置換基Ｘの一つが水素原子を表しそし
   て他が式IIの基を表す請求項（１）記載の組成物。
3. （３）式 I 中の置換基Ｘが式IIの基を表す請求項（１
   ）記載の組成物。
4. （４）式IIが ▲数式、化学式、表等があります▼（II＾＊） の構造を持つ請求項（１）記載の組成物。
5. （５）式IIが ▲数式、化学式、表等があります▼（II＾＊＾＊） の構造を持つ請求項（１）記載の組成物。
6. （６）Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４およびＲ＿５が
   水酸基を表す請求項（１）記載の組成物。
7. （７）トリヒドロキシベンゾフェノンを含有する請求項
   （６）記載の組成物。
8. （８）２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンを含
   有する請求項（７）記載の組成物。
9. （９）式IIIが ▲数式、化学式、表等があります▼（III＾＊） の構造を持つ請求項（１）記載の組成物。
10. （１０）該組成物に基づいて５０−７５％の結合剤を含
    有する請求項（１）記載の組成物。
11. （１１）結合剤がノボラック樹脂である請求項（９）記
    載の組成物。
12. （１２）下記の工程： −請求項（１）ないし（１１）に記載の何れかの放射線
    感受性の組成物で基板を塗布する； −塗布した支持体を、予め決められたパターンに合わせ
    て化学線で露光する； −塗布次いで露光した基板を現像する； を含むポジ型画像の製法。