JPH02250232A - 電子増倍材料及びその製造方法 - Google Patents
電子増倍材料及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH02250232A JPH02250232A JP1069717A JP6971789A JPH02250232A JP H02250232 A JPH02250232 A JP H02250232A JP 1069717 A JP1069717 A JP 1069717A JP 6971789 A JP6971789 A JP 6971789A JP H02250232 A JPH02250232 A JP H02250232A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- particles
- electron multiplier
- electron multiplying
- oxide conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、荷電粒子の倍増及び検出に用いる二次電子増
倍器のガラスを用いた電子増倍材料及びその製造方法に
関するものである。
倍器のガラスを用いた電子増倍材料及びその製造方法に
関するものである。
従来の技術
近年ガラスを用いた二次電子増倍器は、細いガラス管を
多数束ねるなどの方法で形成したマイクロチャンネルプ
レート（以下ＭＣＰ）が主体である。ＭＣＰは従来通り
イメージ管の二次電子増倍器として用いられているほか
、平板型画像表示装置の中の二次電子増倍器としても用
いられっつある。
多数束ねるなどの方法で形成したマイクロチャンネルプ
レート（以下ＭＣＰ）が主体である。ＭＣＰは従来通り
イメージ管の二次電子増倍器として用いられているほか
、平板型画像表示装置の中の二次電子増倍器としても用
いられっつある。
以下従来のガラスを用いた電子増倍材料について説明す
る。ガラスを電子増倍材料として用いるには、二次電子
放出比が大きく、適当な導電性がある安定な材料が望ま
しい。ガラスに導電性をもたせた材料としては従来、 （１）ＰｂＯを多く含むガラスを水素還元処理し、表面
にＰｂの導電層を形成したもの、 （２）通常のガラスに金属酸化物や金属間化合物からな
る導電層を蒸着したもの、 （３）通常のガラスにＦｅ２’ｓ、Ｖ２Ｏ５、Ｗ Ｏｇ
等の遷移金属化合物を加えたもの、 等がある。
る。ガラスを電子増倍材料として用いるには、二次電子
放出比が大きく、適当な導電性がある安定な材料が望ま
しい。ガラスに導電性をもたせた材料としては従来、 （１）ＰｂＯを多く含むガラスを水素還元処理し、表面
にＰｂの導電層を形成したもの、 （２）通常のガラスに金属酸化物や金属間化合物からな
る導電層を蒸着したもの、 （３）通常のガラスにＦｅ２’ｓ、Ｖ２Ｏ５、Ｗ Ｏｇ
等の遷移金属化合物を加えたもの、 等がある。
発明が解決しようとする課題
この様な従来の材料は、
（１）ＰｂＯを一度還元して導電層を形成しても、その
後の熱処理などで導電率が変化するなど、不安定である
。また安定した導電層を形成する還元処理そのものが難
しい、 （２）ガラス表面が平板でない場合がほとんどであるた
め、均一な導電層を蒸着するのが困難である、 （３）ガラスにＦｅａｒｓ等を添加すると、ガラスの粘
性など素材自体の性質が変化するため、望む形状の二次
電子増倍器を得ることが困難である、というような課題
を有していた。
後の熱処理などで導電率が変化するなど、不安定である
。また安定した導電層を形成する還元処理そのものが難
しい、 （２）ガラス表面が平板でない場合がほとんどであるた
め、均一な導電層を蒸着するのが困難である、 （３）ガラスにＦｅａｒｓ等を添加すると、ガラスの粘
性など素材自体の性質が変化するため、望む形状の二次
電子増倍器を得ることが困難である、というような課題
を有していた。
本発明は上記従来技術の課題を解消させ、導電率など電
気的性質が非常に安定で、製造、加工の容易な電子増倍
材料及びその製造方法を得ることを目的とするものもの
である。
気的性質が非常に安定で、製造、加工の容易な電子増倍
材料及びその製造方法を得ることを目的とするものもの
である。
本発明は、このような従来技術の課題を解決することを
目的とする。
目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、
（１）ガラスと酸化物導電体とを主原料として含み、前
記酸化物導電体の粒子が網目状に連なった導電路構造を
持つ。
記酸化物導電体の粒子が網目状に連なった導電路構造を
持つ。
（２）酸化物導電体が、ＲｕＯ２、あるいはパイロクロ
ア型Ｒｕ化合物、あるいは両者の混合物である。
ア型Ｒｕ化合物、あるいは両者の混合物である。
（３）ガラスが、ＰｂＯが５０％以上である低融点ガラ
スである。
スである。
（４）ガラスの粒子と酸化物導電体の粒子とが、主原料
として含まれている混合物を３００°Ｃ以上の高温で焼
成あるいは焼結して形成する。
として含まれている混合物を３００°Ｃ以上の高温で焼
成あるいは焼結して形成する。
（５）混合物をペースト状にし、印刷工程を用いて形作
られた後に焼結する。
られた後に焼結する。
作用
本発明は、導電体の材料が網目状に連なっているため、
電気的性質が非常に安定である。また、Ｒｕ Ｏ２等の
粒子をガラスに混合して焼結しであるためガラス自体の
性質の変化が少ないので、製造、加工の容易な電子増倍
材料が得られる。
電気的性質が非常に安定である。また、Ｒｕ Ｏ２等の
粒子をガラスに混合して焼結しであるためガラス自体の
性質の変化が少ないので、製造、加工の容易な電子増倍
材料が得られる。
実施例
以下に、本発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図（ａ）は、フリットガラス１の粉末に、ＲｕＯ＊
２の粉末をビークル中で混合した物、あるいはそこへ更
に若干の添加剤を混合した物を乾燥させたものの断面の
一部の拡大図で、フリットガラス１の粉末とＲｕ ０２
２の粉末とが図のように混ざりあっている。この混合物
はペースト状であるため、印刷技術を用いて、電子増倍
材料の必要とする形状・パターンを容易に作ることが出
来る。
２の粉末をビークル中で混合した物、あるいはそこへ更
に若干の添加剤を混合した物を乾燥させたものの断面の
一部の拡大図で、フリットガラス１の粉末とＲｕ ０２
２の粉末とが図のように混ざりあっている。この混合物
はペースト状であるため、印刷技術を用いて、電子増倍
材料の必要とする形状・パターンを容易に作ることが出
来る。
それだけでなく、印刷工程を用いることにより従来の加
工・形成方法に比べて製造のコストを低く抑えることが
出来る。
工・形成方法に比べて製造のコストを低く抑えることが
出来る。
第１図（ｂ）は、上記の混合物を空気雰囲気中で４００
〜５００℃で焼成（焼結）したもので、電子増倍材料３
の断面は、焼成条件によって多少違いがあるが、おおか
た本図のようになっている。
〜５００℃で焼成（焼結）したもので、電子増倍材料３
の断面は、焼成条件によって多少違いがあるが、おおか
た本図のようになっている。
焼成後の粒子の状態は、第１図（ｂ）に示すようにフリ
ットガラス１の粒子の周囲をＲｕ（Ｌ２の粒子が取り巻
くように網目状に連なっている。このような網目状の構
造は低融点のフリットガラスを用いて、高温で焼成する
ことにより、極めて容易に実現できる。電子増倍材料３
の抵抗値などの電気的性質はこの網目状の導電路の電気
的性質によって決まる。従って、電子増倍材料の抵抗値
はフリットガラス１とＲｕ Ｏａ ２との混合比及び焼
成温度などでコントロールできる。
ットガラス１の粒子の周囲をＲｕ（Ｌ２の粒子が取り巻
くように網目状に連なっている。このような網目状の構
造は低融点のフリットガラスを用いて、高温で焼成する
ことにより、極めて容易に実現できる。電子増倍材料３
の抵抗値などの電気的性質はこの網目状の導電路の電気
的性質によって決まる。従って、電子増倍材料の抵抗値
はフリットガラス１とＲｕ Ｏａ ２との混合比及び焼
成温度などでコントロールできる。
ここで、焼成以前のフリットガラス１の粉末の平均粒径
は０．１〜１０μｍ、Ｒｕ０ｚ２の粉末の平均粒径は０
．０１〜１μｍである。添加剤として、適当な無機質酸
化物を選択して用いることにより、焼成後の電子増倍材
料３の抵抗値やＴＣＲ等の電気的性質をある程度コント
ロールすることが出来ることは、ハイブリッドＩＣ用厚
膜抵抗体の研究で周知である。
は０．１〜１０μｍ、Ｒｕ０ｚ２の粉末の平均粒径は０
．０１〜１μｍである。添加剤として、適当な無機質酸
化物を選択して用いることにより、焼成後の電子増倍材
料３の抵抗値やＴＣＲ等の電気的性質をある程度コント
ロールすることが出来ることは、ハイブリッドＩＣ用厚
膜抵抗体の研究で周知である。
焼成後の電子増倍材料３の二次電子放出比δはガラスの
それとほぼ同様である場合が多く、およそ２〜４の間に
ある。従って、ガラスを用いた電子増倍材料としては、
比較的二次電子放出比が大きく、適当な導電性がある材
料である。
それとほぼ同様である場合が多く、およそ２〜４の間に
ある。従って、ガラスを用いた電子増倍材料としては、
比較的二次電子放出比が大きく、適当な導電性がある材
料である。
第１図（ｂ）において、入射電子４が電子増倍材料３に
適当なエネルギーをもって衝突すると、二次電子５が発
生する。この時電子増倍材料３０表面では負の電荷が不
足するが、網目状に連なっているＲｕ０ａ２を介して、
電子を表面に供給することが可能であり、実用上十分な
応答速度を持つ。
適当なエネルギーをもって衝突すると、二次電子５が発
生する。この時電子増倍材料３０表面では負の電荷が不
足するが、網目状に連なっているＲｕ０ａ２を介して、
電子を表面に供給することが可能であり、実用上十分な
応答速度を持つ。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、ガラスと酸化物導
電体とを主原料として含み、酸化物導電体の粒子が網目
状に連なった導電路構造を持つので、電気的性質が非常
に安定で、製造、加工の容易な電子増倍材料が得られる
。
電体とを主原料として含み、酸化物導電体の粒子が網目
状に連なった導電路構造を持つので、電気的性質が非常
に安定で、製造、加工の容易な電子増倍材料が得られる
。
第１図（ａ）は、本発明の１実施例における電子増倍材
料の形成過程の一部の拡大断面図、第１図（ｂ）は、同
実施例における電子増倍材料の一部の拡大断面図である
。 １・・・フリットガラス、２・・・ＲｕＯ□、３・・・
電子増倍材料、４・・・入射電子、・５・・・二次電子
。
料の形成過程の一部の拡大断面図、第１図（ｂ）は、同
実施例における電子増倍材料の一部の拡大断面図である
。 １・・・フリットガラス、２・・・ＲｕＯ□、３・・・
電子増倍材料、４・・・入射電子、・５・・・二次電子
。
Claims (5)
- （１）ガラスと酸化物導電体とが主原料として含まれ、
前記酸化物導電体の粒子が網目状に連なった導電路構造
を有したことを特徴とする電子増倍材料。 - （２）酸化物導電体が、ＲｕＯ＿２、あるいはパイロク
ロア型Ｒｕ化合物、あるいは両者の混合物であることを
特徴とする請求項１記載の電子増倍材料。 - （３）ガラスが、ＰｂＯが５０％以上である低融点ガラ
スであることを特徴とする請求項１又は２記載の電子増
倍材料。 - （４）ガラスが、ＰｂＯが５０％以上である低融点ガラ
スであり、前記ガラスの粒子と前記酸化物導電体の粒子
とが、主原料として含まれている混合物を３００℃以上
の高温で焼成あるいは焼結して形成することを特徴とす
る電子増倍材料の製造方法。 - （５）ガラスの粒子と前記酸化物導電体の粒子とが、主
原料として含まれている混合物をペースト状にし、印刷
工程を用いて形作られた後に焼結することを特徴とする
請求項４記載の電子増倍材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1069717A JPH02250232A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 電子増倍材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1069717A JPH02250232A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 電子増倍材料及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250232A true JPH02250232A (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=13410863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1069717A Pending JPH02250232A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 電子増倍材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02250232A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0399515A3 (en) * | 1989-05-24 | 1992-05-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Flat tube display apparatus |
| US5227691A (en) * | 1989-05-24 | 1993-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Flat tube display apparatus |
| EP0592186A1 (en) * | 1992-10-05 | 1994-04-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Cathode for photoelectric emission, cathode for secondary electron emission, electron multiplier tube, and photomultiplier tube |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140468A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Hitachi Ltd | Gas discharge display panel |
| JPS62176023A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-08-01 | Murata Mfg Co Ltd | チヤネルプレ−トの製造方法 |
-
1989
- 1989-03-22 JP JP1069717A patent/JPH02250232A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140468A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Hitachi Ltd | Gas discharge display panel |
| JPS62176023A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-08-01 | Murata Mfg Co Ltd | チヤネルプレ−トの製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0399515A3 (en) * | 1989-05-24 | 1992-05-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Flat tube display apparatus |
| US5227691A (en) * | 1989-05-24 | 1993-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Flat tube display apparatus |
| EP0592186A1 (en) * | 1992-10-05 | 1994-04-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Cathode for photoelectric emission, cathode for secondary electron emission, electron multiplier tube, and photomultiplier tube |
| US5463272A (en) * | 1992-10-05 | 1995-10-31 | Hamamatsu Photonics K.K. | Cathode for photoelectric emission, cathode for secondary electron emission, electron multiplier tube, and photomultiplier tube |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4518890A (en) | Impregnated cathode | |
| US4599076A (en) | Method of producing discharge display device | |
| US20100151323A1 (en) | Electrode, electrode paste and electronic parts using the same | |
| US20110146781A1 (en) | Process of forming a grid cathode on the front-side of a silicon wafer | |
| US2530546A (en) | Electrophoretic deposition of insulating coating | |
| US4746838A (en) | Ink for forming resistive structures and display panel containing the same | |
| US4600397A (en) | Method of producing discharge display device | |
| JPH02250232A (ja) | 電子増倍材料及びその製造方法 | |
| DE2228770A1 (de) | Festelektrolyt mit Elektrode | |
| US2557372A (en) | Manufacture of thoria cathodes | |
| US2788460A (en) | Electrodes for electron discharge devices and methods of making same | |
| US3099763A (en) | Cathode ray tube with silica coated phosphor screen | |
| KR101196927B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 | |
| KR20130027008A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 | |
| JP3030913B2 (ja) | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 | |
| JPS6318834B2 (ja) | ||
| JPS593826B2 (ja) | ２次電子増倍装置の製法 | |
| US3641382A (en) | Channel intensifier glass compositions | |
| JPS6142815A (ja) | 誘電体膜の製造法 | |
| US2373752A (en) | Picture transmitter tube mosaic screen | |
| JPS60221569A (ja) | 電気的蒸着用タ−ゲツト | |
| KR20120114407A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 | |
| Kerr et al. | Oxidic semiconducting glass continuous dynode electron multipliers | |
| JPH03145030A (ja) | ガス放電型表示パネルの製造方法 | |
| JPS6255265B2 (ja) |