JPH02250245A - 画像表示装置 - Google Patents
画像表示装置Info
- Publication number
- JPH02250245A JPH02250245A JP6939289A JP6939289A JPH02250245A JP H02250245 A JPH02250245 A JP H02250245A JP 6939289 A JP6939289 A JP 6939289A JP 6939289 A JP6939289 A JP 6939289A JP H02250245 A JPH02250245 A JP H02250245A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- electrode
- modulation electrode
- display device
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、真空中で電子放出を行う素子と蛍光体を塗布
したフェースプレートから成る画像表示装置に関するも
のである。
したフェースプレートから成る画像表示装置に関するも
のである。
[従来の技術]
平板状デイスプレィ装置は現在数々のクイズが提案され
ている。代表的なものにエレクトロルミネッセンス方式
、プラズマ方式、液晶方式がある。しかし、・これらの
方式の平面状デイスプレィ装置をカラーテレビジョン用
などの高速走査で画像密度の高い画像が必要なものに応
用しようとした場合、発光効率等に問題があり、また大
画面用としては実用的ではない。このためテレビジョン
用などには真空中で電子源より放出された電子を高電圧
で加速し蛍光体に衝突発光させ画像を再現させる電子線
加速型の平板状デイスプレィ装置が有力候補の一つとな
っている。
ている。代表的なものにエレクトロルミネッセンス方式
、プラズマ方式、液晶方式がある。しかし、・これらの
方式の平面状デイスプレィ装置をカラーテレビジョン用
などの高速走査で画像密度の高い画像が必要なものに応
用しようとした場合、発光効率等に問題があり、また大
画面用としては実用的ではない。このためテレビジョン
用などには真空中で電子源より放出された電子を高電圧
で加速し蛍光体に衝突発光させ画像を再現させる電子線
加速型の平板状デイスプレィ装置が有力候補の一つとな
っている。
この電子線デイスプレィは、平板状のため耐大気圧構造
を考えた場合、これに適した方法の一つとして画素に電
子源が1対1で対応しているマルチ電子源構造が考えら
れており、電子源についても薄膜による電子源の実現が
提案されている。これらの例として特開昭58−195
6号、特開昭60−225342号等がある。これら電
子線デイスプレィ装置は次のような構造からなる。
を考えた場合、これに適した方法の一つとして画素に電
子源が1対1で対応しているマルチ電子源構造が考えら
れており、電子源についても薄膜による電子源の実現が
提案されている。これらの例として特開昭58−195
6号、特開昭60−225342号等がある。これら電
子線デイスプレィ装置は次のような構造からなる。
第1図は従来デイスプレィ装置の概要を示すものである
。1はガラス基板、2は支持体、3は配線電極、4は電
子放出部、5は電子通過孔、6は変調電極、7はガラス
板、8は透明電極、9は蛍光体、レジスト材等電子が衝
突することにより発光、変色、帯電、変質等する画像形
成部材、10はフェースプレート、11は蛍光体の輝点
である。電子放出部4は薄膜技術により作成され、ガラ
ス基板1とは接触することがない中空構造を成すもので
ある。配線電極3は電子放出部材と同一の材料を用いて
形成しても、別材料を用いても良(一般に融点が高く電
気抵抗の小さいものが用いられる。支持体2は絶縁体材
料もしくは導電体材料で形成されている。
。1はガラス基板、2は支持体、3は配線電極、4は電
子放出部、5は電子通過孔、6は変調電極、7はガラス
板、8は透明電極、9は蛍光体、レジスト材等電子が衝
突することにより発光、変色、帯電、変質等する画像形
成部材、10はフェースプレート、11は蛍光体の輝点
である。電子放出部4は薄膜技術により作成され、ガラ
ス基板1とは接触することがない中空構造を成すもので
ある。配線電極3は電子放出部材と同一の材料を用いて
形成しても、別材料を用いても良(一般に融点が高く電
気抵抗の小さいものが用いられる。支持体2は絶縁体材
料もしくは導電体材料で形成されている。
これら電子線デイスプレィ装置は、配線電極3に電圧な
印加せしめ中空構造をなす電子放出部より電子を放出さ
せ、これら電子流を情報信号に応じて変調する変調電極
6により電子を取り出し、取り出した電子を加速させ画
像形成部材(蛍光体)9に衝突させるものである。また
、配線電極と変調電極でXYマトリックス電極を形成せ
しめ、画像形成部材上に画像表示を行うものである。
印加せしめ中空構造をなす電子放出部より電子を放出さ
せ、これら電子流を情報信号に応じて変調する変調電極
6により電子を取り出し、取り出した電子を加速させ画
像形成部材(蛍光体)9に衝突させるものである。また
、配線電極と変調電極でXYマトリックス電極を形成せ
しめ、画像形成部材上に画像表示を行うものである。
この電子線デイスプレィは通常I X 10−7〜I
X 10−’torrの真空状態で駆動させる為に、系
全体を真空封止することによりデイスプレィ装置を製作
しなければならない。
X 10−’torrの真空状態で駆動させる為に、系
全体を真空封止することによりデイスプレィ装置を製作
しなければならない。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記従来例では次のような問題点があっ
た。
た。
1、画像形成部材(蛍光体)9と変調電極6と電子放出
部4の位置合わせが難しい為、大画面で高精細なデイス
プレィが作成できない。
部4の位置合わせが難しい為、大画面で高精細なデイス
プレィが作成できない。
2、変調電極6と電子放出部4の距離が場所によって異
なる為に表示画像にムラが生じる。これは、熱電子源を
用いたデイスプレィの共通の問題である。電子放出部4
と変調電極6の距離が場所によって変わらないように正
確に製造する必要がある。
なる為に表示画像にムラが生じる。これは、熱電子源を
用いたデイスプレィの共通の問題である。電子放出部4
と変調電極6の距離が場所によって変わらないように正
確に製造する必要がある。
3.1.2を鑑みて大画面で高精細なデイスプレィを製
造するには、多大な設備投資が必要であり、デイスプレ
ィの価格も非常に高価になる。
造するには、多大な設備投資が必要であり、デイスプレ
ィの価格も非常に高価になる。
[課題を解決するための手段及び作用]本発明は、変調
電極を電子放出部の下、つまり電子源が形成されている
基板上もしくは基板内に設けることにより上述問題点を
解決したものである。
電極を電子放出部の下、つまり電子源が形成されている
基板上もしくは基板内に設けることにより上述問題点を
解決したものである。
次に実施例で本発明を詳述する。
[実施例]
衷l」し2
第2図は本実施例の電子源と変調電極12を示すもので
ある。
ある。
本実施例は従来例で電子放出部と蛍光体の間にある変調
電極をガラス基板上に置き変えたものである。
電極をガラス基板上に置き変えたものである。
第3図は実施例の画像表示装置の作成法を示すもので、
第2図のA −’A ’の断面である。
第2図のA −’A ’の断面である。
a、ガラス基板1を充分洗浄し通常良(用いられる蒸着
技術とフォトリソグラフィー技術によりライン状の変調
電極12群を形成する。基板はガラス以外にもアルミナ
セラミックスなどの絶縁体であれば良い。また変調電極
は金、ニッケル、タングステンなどの導電性材料であれ
ば良いが、高融点の熱損傷の少ない材料が好ましく、タ
ングステンやタングステン合金、タンタル等が好適であ
る。
技術とフォトリソグラフィー技術によりライン状の変調
電極12群を形成する。基板はガラス以外にもアルミナ
セラミックスなどの絶縁体であれば良い。また変調電極
は金、ニッケル、タングステンなどの導電性材料であれ
ば良いが、高融点の熱損傷の少ない材料が好ましく、タ
ングステンやタングステン合金、タンタル等が好適であ
る。
51次に、蒸着技術により支持体2及び配線電極3、電
子放出部4を順次成膜した。支持体2はガラスを用いた
が熱劣化の少ない絶縁体であればこれに限るものではな
い。本実施例では、配線電極3と電子放出部4をタング
ステンで作成した。ここで、電子放出部4は低仕事関数
材料、配線電極3は熱劣化の少ない低抵抗率材料で形成
することが望ましい。
子放出部4を順次成膜した。支持体2はガラスを用いた
が熱劣化の少ない絶縁体であればこれに限るものではな
い。本実施例では、配線電極3と電子放出部4をタング
ステンで作成した。ここで、電子放出部4は低仕事関数
材料、配線電極3は熱劣化の少ない低抵抗率材料で形成
することが望ましい。
C0次に、フォトリソグラフィー技術とエツチング技術
により、所望の電子放出部4の形状を作成する。
により、所望の電子放出部4の形状を作成する。
61次に、エツチング技術により、電子放出部4の下の
ガラスを取り除き中空構造を有する電子源と変調電極1
2を作成する。タングステン材料からなる電子放出部4
は厚さ0.8〜2.0pm、幅5〜30pm、長さ50
〜500gmで作成することが望ましいがこの数値に限
るものではない。本実施例では、厚さ1.0μm、幅1
5ルm、長さ200μmで作成した。変調電極12の幅
は800μmで作成し、電子放出部のピッチを1mmと
した。また、ガラス支持体の厚さは5〜1100pが好
適で本実施例では10μmで作成した。変調電極12と
電子放出部4の距離は支持体2の厚さで決まるもので、
従来例と比較すると精度が高いものである。
ガラスを取り除き中空構造を有する電子源と変調電極1
2を作成する。タングステン材料からなる電子放出部4
は厚さ0.8〜2.0pm、幅5〜30pm、長さ50
〜500gmで作成することが望ましいがこの数値に限
るものではない。本実施例では、厚さ1.0μm、幅1
5ルm、長さ200μmで作成した。変調電極12の幅
は800μmで作成し、電子放出部のピッチを1mmと
した。また、ガラス支持体の厚さは5〜1100pが好
適で本実施例では10μmで作成した。変調電極12と
電子放出部4の距離は支持体2の厚さで決まるもので、
従来例と比較すると精度が高いものである。
上述した電子源と変調電極を有するプレートの上に、従
来例で説明したフェースプレートlOを設は画像表示装
置を作成した(図示省略)次に本実施例の駆動法を概説
する。
来例で説明したフェースプレートlOを設は画像表示装
置を作成した(図示省略)次に本実施例の駆動法を概説
する。
配線電極3に電圧を印加すると電子放出部4が加熱し電
子が放出する。放出した電子は電子放出部4のまわりに
空間的に蓄積し、ここで変調電極12の電圧により該放
出電子の電子流を変調せしめる。変調電極12へ印加す
る電圧は、蛍光体の電圧や、電子放出部4と変調電極1
2の形状、及び電子放出部と変調電極の間隔により異な
る。本実施例では、変調電極12に+IOVの電圧を印
加すると電子流は、蛍光体側へ引き出すことができ、−
30vの電圧を印加すると電子流は引き出すことができ
なかった。また、−30v〜IOVの間の電圧を印加す
ることにより放出電流量を変えることができた。
子が放出する。放出した電子は電子放出部4のまわりに
空間的に蓄積し、ここで変調電極12の電圧により該放
出電子の電子流を変調せしめる。変調電極12へ印加す
る電圧は、蛍光体の電圧や、電子放出部4と変調電極1
2の形状、及び電子放出部と変調電極の間隔により異な
る。本実施例では、変調電極12に+IOVの電圧を印
加すると電子流は、蛍光体側へ引き出すことができ、−
30vの電圧を印加すると電子流は引き出すことができ
なかった。また、−30v〜IOVの間の電圧を印加す
ることにより放出電流量を変えることができた。
フェースプレートの位置は電子放出部から1〜10mm
の位置に設は透明電極8の電圧は100〜10.0OO
Vが望ましいがこれに限るものではない。
の位置に設は透明電極8の電圧は100〜10.0OO
Vが望ましいがこれに限るものではない。
配線電極3と変調電極によりXYマトリックス電極を形
成し、配線電極3を線順次で走査することにより電子を
放出せしめ、情報信号に応じて変調電極12に電圧を印
加し、電子源から電子流を弓き出し、引き出された電子
流を加速させ蛍光体に衝突させ画像表示を行うものであ
る。
成し、配線電極3を線順次で走査することにより電子を
放出せしめ、情報信号に応じて変調電極12に電圧を印
加し、電子源から電子流を弓き出し、引き出された電子
流を加速させ蛍光体に衝突させ画像表示を行うものであ
る。
本実施例は、基板上に電子放出部と変調電極が一体に形
成されている為アライメントが容易であり、かつ、薄膜
製造技術で作成している為大画面で高精細なデイスプレ
ィを得ることができた。さらに、電子放出部と変調電極
の間隔を極めて精度良(作成することができるので、輝
度ムラのない極めて−様な画像を形成できた。
成されている為アライメントが容易であり、かつ、薄膜
製造技術で作成している為大画面で高精細なデイスプレ
ィを得ることができた。さらに、電子放出部と変調電極
の間隔を極めて精度良(作成することができるので、輝
度ムラのない極めて−様な画像を形成できた。
見立■ユ
第4図は、実施例2の画像表示装置であるところの電子
源と変調電極部である。
源と変調電極部である。
ここでは、実施例1に対し、変調電極12の上部に絶縁
体膜13を設けた。
体膜13を設けた。
絶縁体膜13の材料はガラス、セラミックス等の熱変質
しにくい絶縁体膜が望ましく、その厚さは1〜15gm
程度が好ましい。変調電極12は、金、ニッケル、アル
ミニウム、タングステン等の導電性材料が好適である。
しにくい絶縁体膜が望ましく、その厚さは1〜15gm
程度が好ましい。変調電極12は、金、ニッケル、アル
ミニウム、タングステン等の導電性材料が好適である。
実施例1と同様な方法で作成し、評価をしたが実施例1
と同等な変調効果を得た。また、変調電極12は絶縁体
膜13と基板1の間にある為、電子放出部4の輻射熱の
影響が小さく、劣化が小さいことが分かった。よって変
調電極材料の適用範囲は低融点のものまで利用でき得る
。
と同等な変調効果を得た。また、変調電極12は絶縁体
膜13と基板1の間にある為、電子放出部4の輻射熱の
影響が小さく、劣化が小さいことが分かった。よって変
調電極材料の適用範囲は低融点のものまで利用でき得る
。
1嵐■ユ
本実施例は、第4図に示す実施例2における支持体2を
金属材料で形成したものである。電子放出部4、絶縁体
膜13は実施例2と同様に作成した。また本実施例にお
ける配線電極3は、電子放出部材であるところのタング
ステンとこれを支持する支持体2から形成するものであ
る。
金属材料で形成したものである。電子放出部4、絶縁体
膜13は実施例2と同様に作成した。また本実施例にお
ける配線電極3は、電子放出部材であるところのタング
ステンとこれを支持する支持体2から形成するものであ
る。
本実施例における支持体2は銅材料を用いて、その厚さ
を10pn+に形成した。
を10pn+に形成した。
本実施例は、実施例1と同等な効果を得るだけでなく、
配線電極3の抵抗を大幅に下げることができるので、特
に大画面で高精細な表示装置に対して有効である。
配線電極3の抵抗を大幅に下げることができるので、特
に大画面で高精細な表示装置に対して有効である。
[発明の効果]
以上説明したように、変調電極を中空構造を成す熱電子
源下部の基板に設けることにより、電子源と変調電極の
位置合わせが容易となり、さらに表示ムラのない画像を
得るのに効果がある。また、薄膜製造技術で上記熱電子
源と変調電極を製造することにより、大画面でかつ高精
細な画像表示装置を低価格で製造できる。
源下部の基板に設けることにより、電子源と変調電極の
位置合わせが容易となり、さらに表示ムラのない画像を
得るのに効果がある。また、薄膜製造技術で上記熱電子
源と変調電極を製造することにより、大画面でかつ高精
細な画像表示装置を低価格で製造できる。
第1図は従来の電子線デイスプレィの概要図である。第
2図は実施例1における電子線デイスプレィの電子源と
変調電極部を表わす図である。第3図は実施例1におけ
る電子線デイスプレィの電子源と変調電極部の製法図で
ある。第4図は実施例2,3における電子線デイスプレ
ィの電子源と変調電極及び絶縁体膜を表わす図である。
2図は実施例1における電子線デイスプレィの電子源と
変調電極部を表わす図である。第3図は実施例1におけ
る電子線デイスプレィの電子源と変調電極部の製法図で
ある。第4図は実施例2,3における電子線デイスプレ
ィの電子源と変調電極及び絶縁体膜を表わす図である。
Claims (2)
- (1)熱電子放出素子を複数並列した熱電子線源を複数
配置した熱電子線源群と、該熱電子源からの電子流を変
調する変調電極群と電子流の衝突により画像を形成する
画像形成部材とを備えた画像表示装置において、熱電子
放出素子が中空構造を成し、変調電極が電子放出部の下
部に位置し、かつ基板上もしくは基板内に一体に形成さ
れていることを特徴とする画像表示装置。 - (2)前記電子源と変調電極群でマトリックス駆動を施
し、画像を形成することを特徴とする請求項1記載の画
像表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6939289A JPH02250245A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6939289A JPH02250245A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 画像表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250245A true JPH02250245A (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=13401284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6939289A Pending JPH02250245A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 画像表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02250245A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5385631A (en) * | 1993-02-26 | 1995-01-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method of making plasma display apparatus |
| US5635334A (en) * | 1992-08-21 | 1997-06-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for making plasma display apparatus with pixel ridges made of diffusion patterned dielectrics |
-
1989
- 1989-03-23 JP JP6939289A patent/JPH02250245A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5635334A (en) * | 1992-08-21 | 1997-06-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for making plasma display apparatus with pixel ridges made of diffusion patterned dielectrics |
| US5385631A (en) * | 1993-02-26 | 1995-01-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method of making plasma display apparatus |
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