JPH0225048A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0225048A JPH0225048A JP63173802A JP17380288A JPH0225048A JP H0225048 A JPH0225048 A JP H0225048A JP 63173802 A JP63173802 A JP 63173802A JP 17380288 A JP17380288 A JP 17380288A JP H0225048 A JPH0225048 A JP H0225048A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner lead
- support frame
- leads
- semiconductor device
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体装置に関し、とくにワイヤレスボンデ
ィング法のうちのテープキャリヤ方式に用いられるテー
プキャリヤ半導体実装用テープの改良テープによって組
立てられた樹脂封止の半導体装置に関するものである。
ィング法のうちのテープキャリヤ方式に用いられるテー
プキャリヤ半導体実装用テープの改良テープによって組
立てられた樹脂封止の半導体装置に関するものである。
［従来の技術］
このようなテープキャリヤ方式により実装した半導体装
置の従来例としては特開昭８１−２３３３１２号公報に
開示されたものがある。以下この従来技術に準拠してテ
ープキャリヤによる実装構造を図によって説明する。
置の従来例としては特開昭８１−２３３３１２号公報に
開示されたものがある。以下この従来技術に準拠してテ
ープキャリヤによる実装構造を図によって説明する。
第５図はテープキャリヤ方式により実装された従来の半
導体装置の実装構造及びその方法を説明する模式平面図
であり、第６図は第５図のＡ−Ａ断面図である。
導体装置の実装構造及びその方法を説明する模式平面図
であり、第６図は第５図のＡ−Ａ断面図である。
第５図、第６図において、例えば映画用のフィルムにみ
られるように送り孔２（パーフォレーションホールとも
いわれる）が形成されたポリイミド等の耐熱性のテープ
１の長手方向に多数の半導体素子収容用の穴３が形成さ
れている。この半導体素子収容穴３の部分にはじめに図
示しない銅箔が貼ってあり、あらかじめ設計された所定
のパターンにエツチング加工が行われて、図のように半
導体素子収容穴３の中央に配置された半導体素子５の方
向の半導体素子収容穴３の中心方向に複数の銅箔リード
４が突出されている。この中心方向の突出部をインナー
リード４ａといい、その反対側をアウターリード４ｂと
いっている。この銅箔リード４はその表面にハンダまた
は錫メツキが施しである。銅箔リード４のインナリード
部４ａを半導体素子５の外部導出電極に形成したバンブ
６に対応させ図示しないボンディングツールを下から押
しあてパルス電流を流して銅箔リード４と半導体素子５
の各導出端子との接続を行っている。そして、これらの
部分は常法によってエポキシ樹脂などで封止される。な
お、図中７はインナーリード支持枠である。
られるように送り孔２（パーフォレーションホールとも
いわれる）が形成されたポリイミド等の耐熱性のテープ
１の長手方向に多数の半導体素子収容用の穴３が形成さ
れている。この半導体素子収容穴３の部分にはじめに図
示しない銅箔が貼ってあり、あらかじめ設計された所定
のパターンにエツチング加工が行われて、図のように半
導体素子収容穴３の中央に配置された半導体素子５の方
向の半導体素子収容穴３の中心方向に複数の銅箔リード
４が突出されている。この中心方向の突出部をインナー
リード４ａといい、その反対側をアウターリード４ｂと
いっている。この銅箔リード４はその表面にハンダまた
は錫メツキが施しである。銅箔リード４のインナリード
部４ａを半導体素子５の外部導出電極に形成したバンブ
６に対応させ図示しないボンディングツールを下から押
しあてパルス電流を流して銅箔リード４と半導体素子５
の各導出端子との接続を行っている。そして、これらの
部分は常法によってエポキシ樹脂などで封止される。な
お、図中７はインナーリード支持枠である。
つぎに、銅箔リード４が上記のように接続された半導体
素子５をパッケージに装着する場合について第７図、第
８図及び第９図の模式図を用いて以下説明する。
素子５をパッケージに装着する場合について第７図、第
８図及び第９図の模式図を用いて以下説明する。
第７図は第６図の断面図にみられるアウターリード４ｂ
の部分で切断された状態図、第８図はこのアウターリー
ド４ｂがパッケージ内のリードフレーム９に取り付けら
れた状態を示す断面図である。
の部分で切断された状態図、第８図はこのアウターリー
ド４ｂがパッケージ内のリードフレーム９に取り付けら
れた状態を示す断面図である。
また、第９図（ａ）はパッケージの平面図、（ｂ）はそ
の側面図である。
の側面図である。
すなわち、半導体素子５の周辺開口部８内で銅箔リード
４のアウターリード部４ｂを切断し、第７図の形状に打
抜き半導体素子５を個別に分離する。
４のアウターリード部４ｂを切断し、第７図の形状に打
抜き半導体素子５を個別に分離する。
そして、このアウターリード４ｂをプレス加工等で折り
曲げ加工し、第８図に示すように、リードフレーム９の
中央部に搭載し、リードフレーム９の内端９ａにアウタ
ーリード４ｂを位置させ、前述と同様にボンディングツ
ールによって溶着し電気的な接続を行っている。その後
、パッケージのリード以外の部分の樹脂封止によって、
第９図、第１０図に示した状態の樹脂封止パッケージ１
０を形成し、第１Ｏ図のように、タイバー（ｔｉｅ ｂ
ａｒ） １１の切断と、リード１２の折り曲げ等を行っ
て製品としての半導体装置を得ている。
曲げ加工し、第８図に示すように、リードフレーム９の
中央部に搭載し、リードフレーム９の内端９ａにアウタ
ーリード４ｂを位置させ、前述と同様にボンディングツ
ールによって溶着し電気的な接続を行っている。その後
、パッケージのリード以外の部分の樹脂封止によって、
第９図、第１０図に示した状態の樹脂封止パッケージ１
０を形成し、第１Ｏ図のように、タイバー（ｔｉｅ ｂ
ａｒ） １１の切断と、リード１２の折り曲げ等を行っ
て製品としての半導体装置を得ている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記構成の従来装置では、インナーリー
ド支持枠の半導体素子の各辺と対向する支持枠が平行で
あるので、樹脂封止後、封止樹脂中に水分が侵入したり
、温度サイクル試験等によって、インナーリード支持枠
が水分及び熱膨張等によって、膨張、伸縮するので応力
が発生し、インナーリード支持枠は直線的に、半導体素
子側面と平行に形成されているから、周囲を封止樹脂で
固定されている内部においては、帯状の支持枠が長手方
向に自由に伸縮して応力が支持枠に作用し、インナーリ
ード支持枠に加わった応力によってインナーリードが断
線してしまうという問題があった。
ド支持枠の半導体素子の各辺と対向する支持枠が平行で
あるので、樹脂封止後、封止樹脂中に水分が侵入したり
、温度サイクル試験等によって、インナーリード支持枠
が水分及び熱膨張等によって、膨張、伸縮するので応力
が発生し、インナーリード支持枠は直線的に、半導体素
子側面と平行に形成されているから、周囲を封止樹脂で
固定されている内部においては、帯状の支持枠が長手方
向に自由に伸縮して応力が支持枠に作用し、インナーリ
ード支持枠に加わった応力によってインナーリードが断
線してしまうという問題があった。
この発明は、以上述べた、インナーリード支持枠に膨張
、伸縮による応力によってインナーリードが断線すると
いう問題点を低減し、信頼性の優れた半導体装置を提供
することを目的とするものである。
、伸縮による応力によってインナーリードが断線すると
いう問題点を低減し、信頼性の優れた半導体装置を提供
することを目的とするものである。
［課題を解決するための手段］
この発明の第１の発明に係る半導体装置は、テープキャ
リヤ半導体実装用テープによって実装する場合、このテ
ープのインナーリード支持枠の少くともリード当接部分
の形状を幅方向に角形のジグザグ面としたものである。
リヤ半導体実装用テープによって実装する場合、このテ
ープのインナーリード支持枠の少くともリード当接部分
の形状を幅方向に角形のジグザグ面としたものである。
また、この発明の第２の発明に係る半導体装置は、上記
インナーリード支持枠の少くともリード当接部分の形状
を幅方向に曲状面としたものである。
インナーリード支持枠の少くともリード当接部分の形状
を幅方向に曲状面としたものである。
［作 用］
この発明においては、上記のインナーリード支持枠の形
状が従来は半導体素子の辺と対応した面と平行な帯状の
ものであり、そのため支持枠それ自体が伸縮しやすい形
状であったものを、半導体素子の辺と非平行な支持枠で
インナーリードを支持するようにしたから、インナーリ
ード支持枠の熱応力や外部からの水分等の侵入に対する
伸縮に対して抵抗性を有し、支持枠自体の伸縮が低減さ
れる。
状が従来は半導体素子の辺と対応した面と平行な帯状の
ものであり、そのため支持枠それ自体が伸縮しやすい形
状であったものを、半導体素子の辺と非平行な支持枠で
インナーリードを支持するようにしたから、インナーリ
ード支持枠の熱応力や外部からの水分等の侵入に対する
伸縮に対して抵抗性を有し、支持枠自体の伸縮が低減さ
れる。
［実施例］
第１図、第２図、第３図及び第４図はこの発明のそれぞ
れ第１．第２．第３及び第４の実施例を示す模式平面図
である。この発明は第５図の従来例で示したインナーリ
ード支持枠７の形状を種々変更したものによって構成さ
れるものであり、以下上記４つの実施例についてそれぞ
れ説明する。
れ第１．第２．第３及び第４の実施例を示す模式平面図
である。この発明は第５図の従来例で示したインナーリ
ード支持枠７の形状を種々変更したものによって構成さ
れるものであり、以下上記４つの実施例についてそれぞ
れ説明する。
なお、このインナーリード支持枠は全体的な形状はすべ
て第５図の従来例に示したものと同様に角形の帯状枠体
であり、また、上記実施例におけるインナーリード支持
枠以外の部分はすべて第５図の従来例に示したものと同
一であるので、各図において同一部分は同一符号を付し
てその説明は省略する。
て第５図の従来例に示したものと同様に角形の帯状枠体
であり、また、上記実施例におけるインナーリード支持
枠以外の部分はすべて第５図の従来例に示したものと同
一であるので、各図において同一部分は同一符号を付し
てその説明は省略する。
第１図は第１の実施例であり、インナーリード支持枠７
０は図にみられるように、四辺部分のインナーリード４
ａの当接部分が複数の角形の凹凸からなるジグザグ状の
面からなっている。
０は図にみられるように、四辺部分のインナーリード４
ａの当接部分が複数の角形の凹凸からなるジグザグ状の
面からなっている。
第２図は第２の実施例を示すもので、上記第１の実施例
のインナーリード支持枠７０が複数の角形の凹凸からな
るジグザグ状面からなっているのに対して、インナーリ
ード支持枠７１はインナーリード４ａの当接部分のみが
凹凸状の面を形成しているものである。
のインナーリード支持枠７０が複数の角形の凹凸からな
るジグザグ状面からなっているのに対して、インナーリ
ード支持枠７１はインナーリード４ａの当接部分のみが
凹凸状の面を形成しているものである。
第３図に示す第３の実施例においては、インナーリード
支持枠７２のインナ−リード４ａ当接部分は半導体素子
５の辺に面する部分が凹なる曲状面を形成している。
支持枠７２のインナ−リード４ａ当接部分は半導体素子
５の辺に面する部分が凹なる曲状面を形成している。
第４図の第４の実施例では、インナーリード支持枠７３
のインナ−リード４ａ当接部分は半導体素子５の辺に面
する部分が凸状の曲状面からなっている。
のインナ−リード４ａ当接部分は半導体素子５の辺に面
する部分が凸状の曲状面からなっている。
以上、第１〜第４の実施例に示したように、この発明に
よるインナーリード支持枠７０．７１．７２．７３はそ
の形状が、第５図の従来例のように半導体素子５の各辺
に対して直線平行形の帯状ではなく、平行でないものす
なわち、上記４つの実施例のようにインナーリード支持
枠の幅方向の形状が曲面又は凹凸状段差部を有するもの
としたものである。
よるインナーリード支持枠７０．７１．７２．７３はそ
の形状が、第５図の従来例のように半導体素子５の各辺
に対して直線平行形の帯状ではなく、平行でないものす
なわち、上記４つの実施例のようにインナーリード支持
枠の幅方向の形状が曲面又は凹凸状段差部を有するもの
としたものである。
以上のように、この発明による半導体装置は、上記のよ
うなインナーリード支持枠７０，７Ｌ７２．７３を用い
てインナーリード４ａを支持することによって、樹脂封
止したのち外部からの水分や温度サイクル試験による膨
張、伸縮が生じてもインナーリード支持枠が簡単に膨張
、伸縮しないような形状に加工したインナーリード支持
枠を用いて実装される。
うなインナーリード支持枠７０，７Ｌ７２．７３を用い
てインナーリード４ａを支持することによって、樹脂封
止したのち外部からの水分や温度サイクル試験による膨
張、伸縮が生じてもインナーリード支持枠が簡単に膨張
、伸縮しないような形状に加工したインナーリード支持
枠を用いて実装される。
なお、インナーリード支持枠の形状は上記４つの実施例
に限定されず、この発明の主旨により種々変形が可能で
ある。たとえばインナーリード支持枠の帯状中央部付近
に複数の孔を表面または裏面あるいは両面に形成してお
いてもよい。封止樹脂がそこに充填され、アンカー効果
が期待できるからである。つまり、このようにインナー
リード支持枠に種々の加工を行うことによってアンカー
効果が期待できる形状であればよく、この場合もこの発
明の技術的範鴫に属するものとするものである。
に限定されず、この発明の主旨により種々変形が可能で
ある。たとえばインナーリード支持枠の帯状中央部付近
に複数の孔を表面または裏面あるいは両面に形成してお
いてもよい。封止樹脂がそこに充填され、アンカー効果
が期待できるからである。つまり、このようにインナー
リード支持枠に種々の加工を行うことによってアンカー
効果が期待できる形状であればよく、この場合もこの発
明の技術的範鴫に属するものとするものである。
以上説明したとおり、インナーリード支持枠の動きを低
減化することによりインナーリードに加わる応力が低減
化されることによって、インナーリードの断線の低減化
が達成される。
減化することによりインナーリードに加わる応力が低減
化されることによって、インナーリードの断線の低減化
が達成される。
［発明の効果コ
以上、説明したようにこの発明によればインナーリード
支持枠の形状を幅方向に凹凸状または曲面状にしたり、
あるいは支持枠厚さ方向に孔を複数個表面又は裏面など
に形成したので、アンカー効果等により支持枠の動きが
低減化される効果があり、支持枠の動きを生ずる膨張、
伸縮等による応力が低減化されることによりインナーリ
ードに加わる応力が低減化されるので、実装された半導
体装置のインナーリード断線の低減化が期待できる。
支持枠の形状を幅方向に凹凸状または曲面状にしたり、
あるいは支持枠厚さ方向に孔を複数個表面又は裏面など
に形成したので、アンカー効果等により支持枠の動きが
低減化される効果があり、支持枠の動きを生ずる膨張、
伸縮等による応力が低減化されることによりインナーリ
ードに加わる応力が低減化されるので、実装された半導
体装置のインナーリード断線の低減化が期待できる。
第１図はこの発明の第１の実施例を示す模式平面図、第
２図はこの発明の第２の実施例を示す模式平面図、第３
図はこの発明の第３の実施例を示す模式平面図、第４図
はこの発明の第４の実施例を示す模式平面図、第５図は
従来のテープキャリヤ方式により実装された半導体装置
の模式平面図、第６図は第５図のＡ−Ａ断面図、第７図
は第６図のアウターリードの切断状態図、第８図は第７
図のアウターリードのリードフレームへの取付は状態を
示す断面図、第９図（ａ）は従来の樹脂封止パッケージ
の平面図、第９図（ｂ）はその側面図である。 図において、１はテープ、２は送り孔、３は半導体素子
収容穴、４は銅箔リード、４ａはインナーリード、４ｂ
はアウターリード、５は半導体素子、６はバンブ、７は
インナーリード支持枠、８は周辺開口部、９はリードフ
レーム、９ａはリードフレーム９の内端、１０は樹脂封
止パッケージ、１１はタイバー １２はリード、７０，
７１．７２．７３はインナーリード支持枠である。 第４図 従来の千１印Ｎ史責 第５図 粥５図のＡ−Ａ糠の断面図 莞６図 １゜ ２゜ 事件の表示 特願昭６３−ｉ７３８０２号 発明の名称 半導体装置 ３、補正をする者 事件との関係 住所 名称 ４、代理人 住所
２図はこの発明の第２の実施例を示す模式平面図、第３
図はこの発明の第３の実施例を示す模式平面図、第４図
はこの発明の第４の実施例を示す模式平面図、第５図は
従来のテープキャリヤ方式により実装された半導体装置
の模式平面図、第６図は第５図のＡ−Ａ断面図、第７図
は第６図のアウターリードの切断状態図、第８図は第７
図のアウターリードのリードフレームへの取付は状態を
示す断面図、第９図（ａ）は従来の樹脂封止パッケージ
の平面図、第９図（ｂ）はその側面図である。 図において、１はテープ、２は送り孔、３は半導体素子
収容穴、４は銅箔リード、４ａはインナーリード、４ｂ
はアウターリード、５は半導体素子、６はバンブ、７は
インナーリード支持枠、８は周辺開口部、９はリードフ
レーム、９ａはリードフレーム９の内端、１０は樹脂封
止パッケージ、１１はタイバー １２はリード、７０，
７１．７２．７３はインナーリード支持枠である。 第４図 従来の千１印Ｎ史責 第５図 粥５図のＡ−Ａ糠の断面図 莞６図 １゜ ２゜ 事件の表示 特願昭６３−ｉ７３８０２号 発明の名称 半導体装置 ３、補正をする者 事件との関係 住所 名称 ４、代理人 住所
Claims (2)
- （１）耐熱性のテープキャリヤ半導体実装用テープによ
って組立てられる樹脂封止の半導体装置において、 上記テープキャリヤ半導体実装用テープのインナーリー
ド支持枠の少くともリード当接部分の上記インナーリー
ド支持枠を幅方向に角形のジグザグ状の凹凸面形状とし
たことを特徴とする半導体装置。 - （２）インナーリード支持枠の少くともリード当接部分
の上記インナーリード支持枠を上記角形のジグザグ状の
凹凸面形状に代えて幅方向に曲状面形状としたことを特
徴とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63173802A JPH0225048A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63173802A JPH0225048A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0225048A true JPH0225048A (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=15967430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63173802A Pending JPH0225048A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0225048A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0897533A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-12 | Ibiden Co Ltd | 電子部品搭載装置 |
| JP2007098245A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Hitachi Koki Co Ltd | 細胞洗浄遠心装置 |
| US8152708B2 (en) | 2002-08-02 | 2012-04-10 | Harvest Technologies Corporation | Decanting centrifuge with sliding engagement between decant ring and processing unit |
| JP2014157976A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
-
1988
- 1988-07-14 JP JP63173802A patent/JPH0225048A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0897533A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-12 | Ibiden Co Ltd | 電子部品搭載装置 |
| US8152708B2 (en) | 2002-08-02 | 2012-04-10 | Harvest Technologies Corporation | Decanting centrifuge with sliding engagement between decant ring and processing unit |
| JP2007098245A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Hitachi Koki Co Ltd | 細胞洗浄遠心装置 |
| JP2014157976A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
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