JPH02250771A - 半導体ウェーハの研削装置 - Google Patents
半導体ウェーハの研削装置Info
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- JPH02250771A JPH02250771A JP1072906A JP7290689A JPH02250771A JP H02250771 A JPH02250771 A JP H02250771A JP 1072906 A JP1072906 A JP 1072906A JP 7290689 A JP7290689 A JP 7290689A JP H02250771 A JPH02250771 A JP H02250771A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/14—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the temperature during grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、研削砥石の砥面に冷却液を導入して被削材た
る半導体ウェーハを冷却しながら研削する半導体ウェー
ハの研削装置に関する。
る半導体ウェーハを冷却しながら研削する半導体ウェー
ハの研削装置に関する。
従来この種の研削装置にあっては、被削材たる半導体ウ
ェーハを冷却する場合、研削砥石の砥面に一定量の冷却
液を流し続けるようにしている。
ェーハを冷却する場合、研削砥石の砥面に一定量の冷却
液を流し続けるようにしている。
半導体ウェーハの研削加工、特に、ＧａＡｓ半導体ウェ
ーハの回路パターン形成後ダイシング前のいわゆるバッ
クグラインドにおいては、回路パターンも完成されてお
り、バックグラインドにおいてウェーハを損傷すること
は歩留まりの点で大きな問題である。
ーハの回路パターン形成後ダイシング前のいわゆるバッ
クグラインドにおいては、回路パターンも完成されてお
り、バックグラインドにおいてウェーハを損傷すること
は歩留まりの点で大きな問題である。
ところで、半導体ウェーハに発生する組織的変形、研削
焼け、研削割れ又は残留応力の遺留等の原因が、その研
削により発生する過度の研削熱によってもたらされるこ
とが知られており、また、研削異常が発生した場合、急
激に研削熱が上昇することも経験的に良く知られている
。
焼け、研削割れ又は残留応力の遺留等の原因が、その研
削により発生する過度の研削熱によってもたらされるこ
とが知られており、また、研削異常が発生した場合、急
激に研削熱が上昇することも経験的に良く知られている
。
したがって、従来のような単に冷却液を流し続けるもの
にあっては、急激な研削熱の上昇等に対応できず半導体
ウェーハ・の不良品を多数発生させるおそれがあり、こ
れを見越して、冷却液の水量を増やしておくことは、冷
却液自体高価なものであるし、その廃液処理にも費用が
かかりかなりの無駄を生ずることとなる。
にあっては、急激な研削熱の上昇等に対応できず半導体
ウェーハ・の不良品を多数発生させるおそれがあり、こ
れを見越して、冷却液の水量を増やしておくことは、冷
却液自体高価なものであるし、その廃液処理にも費用が
かかりかなりの無駄を生ずることとなる。
本発明は、冷却液の流量を調節して研削温度を一定に保
つことにより、半導体ウェーハに発生する組織的変形、
研削焼け、研削割れ又は残留応力の遺留等を防止すると
共に、冷却液の節約を可能にする半導体ウェーハの研削
装置を提供することをその目的とする。
つことにより、半導体ウェーハに発生する組織的変形、
研削焼け、研削割れ又は残留応力の遺留等を防止すると
共に、冷却液の節約を可能にする半導体ウェーハの研削
装置を提供することをその目的とする。
本発明は上記目的を達成すべく、研削に際し、研削砥石
の砥面に冷却液を導入して被削材たる半導体ウェーハを
冷却する半導体ウェーハの研削装置において、半導体ウ
ェーハの研削温度を検出する温度検出手段と、当該温度
検出手段の信号により冷却液の流量を決定する制御手段
と、当該制御手段により制御される冷却液の流量調整手
段とを備えたことを特徴とする。
の砥面に冷却液を導入して被削材たる半導体ウェーハを
冷却する半導体ウェーハの研削装置において、半導体ウ
ェーハの研削温度を検出する温度検出手段と、当該温度
検出手段の信号により冷却液の流量を決定する制御手段
と、当該制御手段により制御される冷却液の流量調整手
段とを備えたことを特徴とする。
〔作用〕
温度検出手段によりｌＰｊ定された半導体ウエーノ＼の
研削温度に基づいて、制御手段により冷却液の流量を決
定し、この決定値に対し流量調整手段を操作して冷却液
の流量を制御する。
研削温度に基づいて、制御手段により冷却液の流量を決
定し、この決定値に対し流量調整手段を操作して冷却液
の流量を制御する。
このように、いわゆるフィードバック制御を行えば、研
削温度の上下に対応して迅速に冷却液を増加し、半導体
ウェーハを常に適切な研削温度に保つことができ、また
、冷却液も必要最小限の水量に保つことができる。
削温度の上下に対応して迅速に冷却液を増加し、半導体
ウェーハを常に適切な研削温度に保つことができ、また
、冷却液も必要最小限の水量に保つことができる。
本発明を、ダイシング工程前に半導体ウエーノ＼を所定
の厚さに研削する研削装置に実施した場合について説明
する。
の厚さに研削する研削装置に実施した場合について説明
する。
第１図を参照して第１の実施例について説明する。半導
体ウェーハＷの研削装置１は、半導体つ工−ハＷを吸着
により載置するステージ２と、その上方に半導体ウェー
ハＷを研削する研削砥石３とを備えており、ステージ２
は回転軸４に連結された駆動装置（図示せず）により半
導体ウエーノ＼Ｗを載置した状態で回転し、また、研削
砥石３は駆動軸５に連結された駆動装置（図示せず）に
より回転しながら昇降動する。したがって、半導体ウェ
ーハＷは、研削の際に自らゆっくり回転し、逆回転しな
がら除々に下降してくる研削砥石３により、所定の厚さ
までその表面である（１００）面を均一に研削される。
体ウェーハＷの研削装置１は、半導体つ工−ハＷを吸着
により載置するステージ２と、その上方に半導体ウェー
ハＷを研削する研削砥石３とを備えており、ステージ２
は回転軸４に連結された駆動装置（図示せず）により半
導体ウエーノ＼Ｗを載置した状態で回転し、また、研削
砥石３は駆動軸５に連結された駆動装置（図示せず）に
より回転しながら昇降動する。したがって、半導体ウェ
ーハＷは、研削の際に自らゆっくり回転し、逆回転しな
がら除々に下降してくる研削砥石３により、所定の厚さ
までその表面である（１００）面を均一に研削される。
一方、研削に伴う半導体ウェーハＷの熱的影響を排除す
べく、研削により発生する研削熱は半導体ウェーハＷと
研削砥石３とで構成される研削面Ｓに導入した高純水等
の冷却液により除去される。
べく、研削により発生する研削熱は半導体ウェーハＷと
研削砥石３とで構成される研削面Ｓに導入した高純水等
の冷却液により除去される。
冷却液は、図外の冷却液供給装置を供給源として、流入
管路６から吐出ロアを経て研削面Ｓに導入され、研削面
Ｓで半導体ウェーハＷの研削熱を吸収し、排水口８を経
て流出管路９から系外へ排出される。
管路６から吐出ロアを経て研削面Ｓに導入され、研削面
Ｓで半導体ウェーハＷの研削熱を吸収し、排水口８を経
て流出管路９から系外へ排出される。
また、流入管路６と流出管路９には、それぞれ研削温度
検出手段を構成する流入側温度計１０と流出側温度計１
１とが設けられ、また、流入管路６には流入側温度計１
０の上流側に流量調整手段である流ｍ調整弁１２が設け
られている。そして、両温度肝１０．１１からの検出信
号は、マイクロコンピュータ１３に導かれ両温度肝１０
．１１のと反差と流量調整弁１２のバルブ開度から計算
される流量とで研削温度が算定される。次いで、マイク
ロコンピュータ１３では、この研削温度に基づいて目標
の研削温度にすべく演算処理がなされ、適切な流量が導
き出され、その制御信号により流量調整弁１２が駆動さ
れてそのバルブ開度が調節され、冷却液の流量調整がな
される。
検出手段を構成する流入側温度計１０と流出側温度計１
１とが設けられ、また、流入管路６には流入側温度計１
０の上流側に流量調整手段である流ｍ調整弁１２が設け
られている。そして、両温度肝１０．１１からの検出信
号は、マイクロコンピュータ１３に導かれ両温度肝１０
．１１のと反差と流量調整弁１２のバルブ開度から計算
される流量とで研削温度が算定される。次いで、マイク
ロコンピュータ１３では、この研削温度に基づいて目標
の研削温度にすべく演算処理がなされ、適切な流量が導
き出され、その制御信号により流量調整弁１２が駆動さ
れてそのバルブ開度が調節され、冷却液の流量調整がな
される。
なお、研削温度は正確に測定すためスムージング等の計
算機処理を行い、誤作動を極力防止するようにしている
。
算機処理を行い、誤作動を極力防止するようにしている
。
このようにして、流ｆｆｉ調整弁１２を研削温度との関
係でフィードバック制御することにより研削温度が常に
一定に保たれる。
係でフィードバック制御することにより研削温度が常に
一定に保たれる。
次ぎに、第２図を参照して第２の実施例について説明す
る。この実施例は、冷却液を循環使用し冷却液の消費を
極力少なくするようにしたものである。
る。この実施例は、冷却液を循環使用し冷却液の消費を
極力少なくするようにしたものである。
すなわち、流出管路９の下流端に設けた貯溜槽１４に使
用済みの冷却液をいったん貯溜し、これを圧送ポンプ１
５により流入管路６から研削面Ｓに導入する。流入管路
６の途中にはフィルタ１６と補給液管１７とが設けられ
ており、研削屑は、貯溜槽１４に沈殿させると共に、こ
のフィルタ１６により取除かれる。補給液管１７からは
常に少量の冷却液が補給され、この補給により溢れた分
は貯溜槽１４のオーバーフロー１８から系外に排出され
る。
用済みの冷却液をいったん貯溜し、これを圧送ポンプ１
５により流入管路６から研削面Ｓに導入する。流入管路
６の途中にはフィルタ１６と補給液管１７とが設けられ
ており、研削屑は、貯溜槽１４に沈殿させると共に、こ
のフィルタ１６により取除かれる。補給液管１７からは
常に少量の冷却液が補給され、この補給により溢れた分
は貯溜槽１４のオーバーフロー１８から系外に排出され
る。
この実施例では研削熱を管路等から自然放熱させるため
、所定の研削温度で絶えず研削できるように予め流入管
路に放熱器１９を設けて、定常状態の研削熱を放熱器１
９や管路から放熱するようにしている。そして、そのと
きの冷却液の温度を貯溜槽１４に設けた温度計２０でモ
ニターしておいて、この温度から急激な温度上昇があっ
たときは、マイクロコンピュータ１３からの制御信号に
より、補給液管１７の途中に介設した流量調整弁１２を
開いて補給液量を増し、温度計２０の温度を一定に、す
なわち研削温度を一定に保つようにしている。
、所定の研削温度で絶えず研削できるように予め流入管
路に放熱器１９を設けて、定常状態の研削熱を放熱器１
９や管路から放熱するようにしている。そして、そのと
きの冷却液の温度を貯溜槽１４に設けた温度計２０でモ
ニターしておいて、この温度から急激な温度上昇があっ
たときは、マイクロコンピュータ１３からの制御信号に
より、補給液管１７の途中に介設した流量調整弁１２を
開いて補給液量を増し、温度計２０の温度を一定に、す
なわち研削温度を一定に保つようにしている。
なお、この場合、温度計２０を貯溜槽１４に設けたが流
出管路９に設けるようにしてもよい。
出管路９に設けるようにしてもよい。
以上のように本発明によれば、半導体ウェーハの研削温
度を一定に保つことにより、半導体つ工−ハの不良品の
発生開度を少なくすることができて、歩留まりを向上で
き、しかも、冷却液の無駄な消費を防止する効果を有す
る。
度を一定に保つことにより、半導体つ工−ハの不良品の
発生開度を少なくすることができて、歩留まりを向上で
き、しかも、冷却液の無駄な消費を防止する効果を有す
る。
第１図は本発明を実施した半導体ウェーハの研削装置の
概略図、第２図は他の実施例の半導体つ工−ハの研削装
置の概略図である。 １・・・研削装置、２・・・ステージ、３・・・研削砥
石、６・・・流入管路、９・・・流出管路、１０・・・
流入側温度計、１１・・・流出側温度計、１２・・・流
′ｍ調整弁、１３・・・マイクロコンピュータ。
概略図、第２図は他の実施例の半導体つ工−ハの研削装
置の概略図である。 １・・・研削装置、２・・・ステージ、３・・・研削砥
石、６・・・流入管路、９・・・流出管路、１０・・・
流入側温度計、１１・・・流出側温度計、１２・・・流
′ｍ調整弁、１３・・・マイクロコンピュータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 研削に際し、研削砥石の砥面に冷却液を導入して被削材
たる半導体ウェーハを冷却する半導体ウェーハの研削装
置において、 半導体ウェーハの研削温度を検出する温度検出手段と、
当該温度検出手段の信号に基づいて冷却液の流量を決定
する制御手段と、当該制御手段により操作される冷却液
の流量調整手段とを備えたことを特徴とする半導体ウェ
ーハの研削装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1072906A JP2674665B2 (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 半導体ウェーハの研削装置 |
| CA002012878A CA2012878C (en) | 1989-03-24 | 1990-03-22 | Apparatus for grinding semiconductor wafer |
| AU52120/90A AU637087B2 (en) | 1989-03-24 | 1990-03-22 | Apparatus for grinding semiconductor wafer |
| DK90105542.6T DK0388972T3 (da) | 1989-03-24 | 1990-03-23 | Apparat til slibning af en halvlederskive |
| DE69024681T DE69024681T2 (de) | 1989-03-24 | 1990-03-23 | Schleifeinrichtung für Halbleiterplättchen |
| EP90105542A EP0388972B1 (en) | 1989-03-24 | 1990-03-23 | Apparatus for grinding semiconductor wafer |
| KR1019900004924A KR930010977B1 (ko) | 1989-03-24 | 1990-04-10 | 반도체 웨이퍼 연삭장치 |
| US07/747,494 US5113622A (en) | 1989-03-24 | 1991-08-19 | Apparatus for grinding semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1072906A JP2674665B2 (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 半導体ウェーハの研削装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250771A true JPH02250771A (ja) | 1990-10-08 |
| JP2674665B2 JP2674665B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=13502863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1072906A Expired - Lifetime JP2674665B2 (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 半導体ウェーハの研削装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2674665B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999011432A1 (de) * | 1997-08-29 | 1999-03-11 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung und verfahren zum beheizen eines flüssigen oder zähflüssigen poliermittels sowie vorrichtung zum polieren von wafern |
| KR100457718B1 (ko) * | 1995-07-03 | 2005-04-06 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 실리콘웨이퍼의제조방법과그장치 |
| DE102007030958A1 (de) | 2007-07-04 | 2009-01-08 | Siltronic Ag | Verfahren zum Schleifen von Halbleiterscheiben |
| CN105881131A (zh) * | 2016-06-08 | 2016-08-24 | 济源石晶光电频率技术有限公司 | 自动测频晶片抛光设备 |
| CN110076683A (zh) * | 2013-08-27 | 2019-08-02 | 株式会社荏原制作所 | 研磨装置 |
| CN111660165A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-09-15 | 刘子龙 | 一种通过转轴转速改变溶剂出量的眼镜片研磨机 |
| CN115091287A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-09-23 | 华海清科股份有限公司 | 一种超精密磨削参数调整方法和磨削系统 |
| JP2023116542A (ja) * | 2021-11-11 | 2023-08-22 | 株式会社東京精密 | 亀裂進展装置及び亀裂進展方法 |
| JP2025036536A (ja) * | 2020-01-24 | 2025-03-14 | 株式会社東京精密 | 亀裂進展装置及び亀裂進展方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60201868A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-12 | Hitachi Ltd | ウェハのメカノケミカルポリシング加工方法および装置 |
-
1989
- 1989-03-24 JP JP1072906A patent/JP2674665B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60201868A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-12 | Hitachi Ltd | ウェハのメカノケミカルポリシング加工方法および装置 |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO1999011432A1 (de) * | 1997-08-29 | 1999-03-11 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung und verfahren zum beheizen eines flüssigen oder zähflüssigen poliermittels sowie vorrichtung zum polieren von wafern |
| US6257955B1 (en) | 1997-08-29 | 2001-07-10 | Infineon Technologies Ag | Apparatus and method for heating a liquid or viscous polishing agent, and device for polishing wafers |
| DE102007030958B4 (de) * | 2007-07-04 | 2014-09-11 | Siltronic Ag | Verfahren zum Schleifen von Halbleiterscheiben |
| JP2009016842A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Siltronic Ag | 半導体ウェハを研削する方法 |
| US7666064B2 (en) | 2007-07-04 | 2010-02-23 | Siltronic Ag | Method for grinding semiconductor wafers |
| DE102007030958A1 (de) | 2007-07-04 | 2009-01-08 | Siltronic Ag | Verfahren zum Schleifen von Halbleiterscheiben |
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| JP2025036536A (ja) * | 2020-01-24 | 2025-03-14 | 株式会社東京精密 | 亀裂進展装置及び亀裂進展方法 |
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| CN115091287A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-09-23 | 华海清科股份有限公司 | 一种超精密磨削参数调整方法和磨削系统 |
| CN115091287B (zh) * | 2022-07-15 | 2023-12-29 | 华海清科股份有限公司 | 一种超精密磨削参数调整方法和磨削系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2674665B2 (ja) | 1997-11-12 |
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