JPH02252111A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH02252111A JPH02252111A JP7453589A JP7453589A JPH02252111A JP H02252111 A JPH02252111 A JP H02252111A JP 7453589 A JP7453589 A JP 7453589A JP 7453589 A JP7453589 A JP 7453589A JP H02252111 A JPH02252111 A JP H02252111A
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- Japan
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- magnetic
- film
- stress
- thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は磁気ディスク等の磁気記録媒体に信号を記録
し、再生する薄膜磁気ヘッドに関する。
し、再生する薄膜磁気ヘッドに関する。
「従来の技術」
第５図は従来の薄膜磁気ヘッドの構成例を示す断面図で
あり、この図において、■は非磁性体の基板、２はＳｉ
Ｏ３あるいはＡｌｔｏｓ等の下部保護膜、３は高透磁率
の磁性膜（下部へラドコア）、４は非磁性膜である。
あり、この図において、■は非磁性体の基板、２はＳｉ
Ｏ３あるいはＡｌｔｏｓ等の下部保護膜、３は高透磁率
の磁性膜（下部へラドコア）、４は非磁性膜である。
また、５は電気絶縁膜、６はコイル、７は電気絶縁膜、
８は高透磁率の磁性膜（」二部へラドコア）、９はギャ
ップ、１０はポールティップである。
８は高透磁率の磁性膜（」二部へラドコア）、９はギャ
ップ、１０はポールティップである。
「発明が解決しようとする課題」
ところで、上述した薄膜磁気ヘッドには、高周波で高い
透磁率を得るために、面内に一軸異方性を持つ磁性膜３
および８が用いられ、かつ、これらは磁化困難軸方向で
動作している。従って、磁性膜３および８には、第６図
に示ず磁区構造となるように、膜形成時あるいは膜形成
後の磁場処理等により誘導磁気異方性が付与されている
（特開昭６３−２９４．０６号公報参照）。
透磁率を得るために、面内に一軸異方性を持つ磁性膜３
および８が用いられ、かつ、これらは磁化困難軸方向で
動作している。従って、磁性膜３および８には、第６図
に示ず磁区構造となるように、膜形成時あるいは膜形成
後の磁場処理等により誘導磁気異方性が付与されている
（特開昭６３−２９４．０６号公報参照）。
ところが、この薄膜磁気ヘッドの３次元応力分布に起因
する応力誘起異方性および磁性膜３と８との形状に起因
する形状異方性等によって第６図の磁区構造が崩れる場
合がある。
する応力誘起異方性および磁性膜３と８との形状に起因
する形状異方性等によって第６図の磁区構造が崩れる場
合がある。
まず、応力誘起異方性について説明する。磁性膜３およ
び８のポールティップ１０の先端部の応力が共にギャッ
プ９の深さ方向にあるため、これらの磁性膜３および８
の磁歪定数が正であると、逆磁歪効果により、応力誘起
異方性が膜形成時および膜形成後に付与された誘導磁気
異方性を打ち消す。これにより、ポールティップ１０の
磁区構造は動作方向に対して平行方向が磁化容易軸とな
ってしまう。また、磁性膜３および８のポールティップ
１０以外の部分（以下、ヘッドコア後部という）におい
ては、応力はほぼ等方向であるが、逆磁歪効果により、
周辺部では周囲方向に磁化容易軸が生じ、この部分の磁
区構造は湾曲する（第７図参照）。
び８のポールティップ１０の先端部の応力が共にギャッ
プ９の深さ方向にあるため、これらの磁性膜３および８
の磁歪定数が正であると、逆磁歪効果により、応力誘起
異方性が膜形成時および膜形成後に付与された誘導磁気
異方性を打ち消す。これにより、ポールティップ１０の
磁区構造は動作方向に対して平行方向が磁化容易軸とな
ってしまう。また、磁性膜３および８のポールティップ
１０以外の部分（以下、ヘッドコア後部という）におい
ては、応力はほぼ等方向であるが、逆磁歪効果により、
周辺部では周囲方向に磁化容易軸が生じ、この部分の磁
区構造は湾曲する（第７図参照）。
次に、形状異方性について説明する。ポールティップ１
０の部分においては、形状に起因する動作方向に対して
平行方向の形状異方性が膜形成時および膜形成後に付与
された誘導磁気異方性を打ち消す。これにより、ポール
ティップ１０の磁区構造は第７図と同様な磁区構造とな
ってしまう。
０の部分においては、形状に起因する動作方向に対して
平行方向の形状異方性が膜形成時および膜形成後に付与
された誘導磁気異方性を打ち消す。これにより、ポール
ティップ１０の磁区構造は第７図と同様な磁区構造とな
ってしまう。
そして、ポールティップＩＯの磁区構造が第７図の磁区
構造になることにより、膜形成時および膜形成後にイτ
ｊ与された誘導磁気異方性の磁化容易軸と垂直な方向へ
磁壁が移動する、即ち、ゆらぎが発生し、このゆらぎが
薄膜磁気ヘッドの再生波形の歪その他の特性劣化の原因
となるという問題があった。また、ヘッドコア後部の磁
区構造が第７図の磁区構造になることにより、上部およ
び下部ヘッドコア３および８の保磁力が増大し、軟磁気
特性が低下するという問題があった。
構造になることにより、膜形成時および膜形成後にイτ
ｊ与された誘導磁気異方性の磁化容易軸と垂直な方向へ
磁壁が移動する、即ち、ゆらぎが発生し、このゆらぎが
薄膜磁気ヘッドの再生波形の歪その他の特性劣化の原因
となるという問題があった。また、ヘッドコア後部の磁
区構造が第７図の磁区構造になることにより、上部およ
び下部ヘッドコア３および８の保磁力が増大し、軟磁気
特性が低下するという問題があった。
そこで、ポールティップＩＯの部分の応力誘起異方性お
よび形状異方性の影響を除去し、誘導磁気異方性を強め
ることが必要である。但し、誘導磁気異方性を必要以上
に強めると、透磁率が低下するので、形状異方性に打ち
勝つ程度にする必要がある。この内、形状異方性に関し
ては、薄膜磁気ヘッドの形状を形状異方性の方向が変わ
るほど変更することは難しいが、応力誘起異方性に関し
ては、磁性膜３および８の組成および膜形成条件を変更
して磁歪定数の制御をすることにより、その影響を低減
することが可能であり、所定の磁歪定数を持つ薄膜磁気
ヘッドの磁性膜３および８の組成および膜形成条件を規
定した幾つかの従来例がある。そして、この従来例にお
いては、磁性膜３および８全体の磁歪定数を同一として
その値を〜３ 規定しているが、磁性膜３および８の各部において応力
分布が異なるため、これに起因する応力誘起異方性も磁
性膜３および８の各部において異なり、最適な設計がさ
れないという欠点があった。
よび形状異方性の影響を除去し、誘導磁気異方性を強め
ることが必要である。但し、誘導磁気異方性を必要以上
に強めると、透磁率が低下するので、形状異方性に打ち
勝つ程度にする必要がある。この内、形状異方性に関し
ては、薄膜磁気ヘッドの形状を形状異方性の方向が変わ
るほど変更することは難しいが、応力誘起異方性に関し
ては、磁性膜３および８の組成および膜形成条件を変更
して磁歪定数の制御をすることにより、その影響を低減
することが可能であり、所定の磁歪定数を持つ薄膜磁気
ヘッドの磁性膜３および８の組成および膜形成条件を規
定した幾つかの従来例がある。そして、この従来例にお
いては、磁性膜３および８全体の磁歪定数を同一として
その値を〜３ 規定しているが、磁性膜３および８の各部において応力
分布が異なるため、これに起因する応力誘起異方性も磁
性膜３および８の各部において異なり、最適な設計がさ
れないという欠点があった。
また、応力による影響を完全に除去するために磁歪定数
を零にする考え方（特開昭６２−２８１１０６号公報参
照）もあるが、この場合には、磁性膜３および８の組成
および膜形成条件の制御が難しいという欠点と、形状異
方性に対する補償効果が得られないという欠点とがあっ
た。
を零にする考え方（特開昭６２−２８１１０６号公報参
照）もあるが、この場合には、磁性膜３および８の組成
および膜形成条件の制御が難しいという欠点と、形状異
方性に対する補償効果が得られないという欠点とがあっ
た。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、再生
波形の歪その他の特性劣化がない薄膜磁気ヘッドを提供
することを目的としている。
波形の歪その他の特性劣化がない薄膜磁気ヘッドを提供
することを目的としている。
「課題を解決するための手段」
この発明による薄膜磁気ヘッドは、零ないし負の磁歪定
数を持つ磁性膜によって形成されたポールティップと、
零ないし正の磁歪定数を持つ磁性膜によって形成された
ヘッドコア後部とを具備することを特徴としている。
数を持つ磁性膜によって形成されたポールティップと、
零ないし正の磁歪定数を持つ磁性膜によって形成された
ヘッドコア後部とを具備することを特徴としている。
「作用」
この発明によれば、ポールティップの磁区構造は動作方
向に対して垂直方向が磁化容易軸となる。
向に対して垂直方向が磁化容易軸となる。
「実施例」
以下、図面を参照してこの発明の一実施例について説明
する。第１図はこの発明の第１の実施例による薄膜磁気
ヘッドの構成を示す斜視図であり、この図において、第
５図の各部に対応する部分には同一の符号を付け、その
説明を省略する。第１図においては、磁性膜８に代えて
、零ないし負の磁歪定数（０〜−１０ＸＩＯ−’）を持
つ磁性膜１１および零ないし正の磁歪定数を持つ磁性膜
１２が新たに形成されている。従って、磁性膜１１のポ
ールティップ１０の先端部の応力がギャップ９の深さ方
向にあっても、逆磁歪効果による応力誘起異方性が膜形
成時および膜形成後に付与された誘導磁気異方性を打ち
消すことはない。これにより、磁性膜１１および１２の
磁区構造は第６図とほぼ同様となる。
する。第１図はこの発明の第１の実施例による薄膜磁気
ヘッドの構成を示す斜視図であり、この図において、第
５図の各部に対応する部分には同一の符号を付け、その
説明を省略する。第１図においては、磁性膜８に代えて
、零ないし負の磁歪定数（０〜−１０ＸＩＯ−’）を持
つ磁性膜１１および零ないし正の磁歪定数を持つ磁性膜
１２が新たに形成されている。従って、磁性膜１１のポ
ールティップ１０の先端部の応力がギャップ９の深さ方
向にあっても、逆磁歪効果による応力誘起異方性が膜形
成時および膜形成後に付与された誘導磁気異方性を打ち
消すことはない。これにより、磁性膜１１および１２の
磁区構造は第６図とほぼ同様となる。
次に、この発明の第２の実施例について説明する。第２
図はこの発明の第２の実施例による薄膜磁気ヘッドの構
成を示す断面図であり、この図において、第１図および
第５図の各部に対応する部分には同一の符号を付Ｕ１そ
の説明を省略する。
図はこの発明の第２の実施例による薄膜磁気ヘッドの構
成を示す断面図であり、この図において、第１図および
第５図の各部に対応する部分には同一の符号を付Ｕ１そ
の説明を省略する。
第２図においては、磁性膜１１および１２に代えて、零
ないし負の磁歪定数（０〜−１０ｘｌＯ−０）を持つ磁
性膜１３および零ないし正の磁歪定数を持つ磁性膜１４
が新たに形成されている。従って、磁性膜１３のポール
ティップ１０の先端部の応力がギャップ９の深さ方向に
あっても、逆磁歪効果による応力誘起異方性が膜形成時
および膜形成後に付与された誘導磁気異方性を打ち消す
ことはない。これにより、磁性膜１３および１４の磁区
構造は第６図とほぼ同様となる。
ないし負の磁歪定数（０〜−１０ｘｌＯ−０）を持つ磁
性膜１３および零ないし正の磁歪定数を持つ磁性膜１４
が新たに形成されている。従って、磁性膜１３のポール
ティップ１０の先端部の応力がギャップ９の深さ方向に
あっても、逆磁歪効果による応力誘起異方性が膜形成時
および膜形成後に付与された誘導磁気異方性を打ち消す
ことはない。これにより、磁性膜１３および１４の磁区
構造は第６図とほぼ同様となる。
さらに、この発明の第３の実施例について説明する。第
３図はこの発明の第３の実施例による薄膜磁気ヘッドの
構成を示す断面図であり、この図において、第２図の各
部に対応する部分には同一の符号を付け、その説明を省
略する。第３図においては、磁性膜１３および１４に代
えて、零ないし正の磁歪定数を持つ磁性膜１５および零
ないし負の磁歪定数（０〜−］ Ｏｘ Ｉ Ｏ−’）を
持つ磁性膜１６が新たに形成されている。従って、磁性
膜１５のポールティップｌＯの先端部の応力がギャップ
９の深さ方向にあっても、逆磁歪効果による応力誘起異
方性が膜形成時および膜形成後に付与された誘導磁気異
方性を打ち消すこと（Ｊない。これにより、磁性膜１５
および１６の磁区構造は第６図とほぼ同様となる。
３図はこの発明の第３の実施例による薄膜磁気ヘッドの
構成を示す断面図であり、この図において、第２図の各
部に対応する部分には同一の符号を付け、その説明を省
略する。第３図においては、磁性膜１３および１４に代
えて、零ないし正の磁歪定数を持つ磁性膜１５および零
ないし負の磁歪定数（０〜−］ Ｏｘ Ｉ Ｏ−’）を
持つ磁性膜１６が新たに形成されている。従って、磁性
膜１５のポールティップｌＯの先端部の応力がギャップ
９の深さ方向にあっても、逆磁歪効果による応力誘起異
方性が膜形成時および膜形成後に付与された誘導磁気異
方性を打ち消すこと（Ｊない。これにより、磁性膜１５
および１６の磁区構造は第６図とほぼ同様となる。
さらに、この発明の第４の実施例について説明する。第
４図はこの発明の第４の実施例による薄膜磁気ヘッドの
構成を示す断面図であり、この図において、第３図の各
部に対応する部分には同一の符号を付け、その説明を省
略する。第４図においては、磁性膜３に代えて、零ない
し負の磁歪定数（０〜−１０ｘ’ｌ ０−０）を持つ磁
性膜１７および零ないし正の磁歪定数を持つ磁性膜１８
およびが新たに形成されている。従って、磁性膜１７の
ポールティップ１０の先端部の応力がギャップ９の深さ
方向にあっても、逆磁歪効果による応力誘起異方性が膜
形成時および膜形成後に付与された一 誘導磁気異方性を打ち消すことはない。これにより、磁
性膜１７および１８の磁区構造は第６図とほぼ同様とな
る。
４図はこの発明の第４の実施例による薄膜磁気ヘッドの
構成を示す断面図であり、この図において、第３図の各
部に対応する部分には同一の符号を付け、その説明を省
略する。第４図においては、磁性膜３に代えて、零ない
し負の磁歪定数（０〜−１０ｘ’ｌ ０−０）を持つ磁
性膜１７および零ないし正の磁歪定数を持つ磁性膜１８
およびが新たに形成されている。従って、磁性膜１７の
ポールティップ１０の先端部の応力がギャップ９の深さ
方向にあっても、逆磁歪効果による応力誘起異方性が膜
形成時および膜形成後に付与された一 誘導磁気異方性を打ち消すことはない。これにより、磁
性膜１７および１８の磁区構造は第６図とほぼ同様とな
る。
「発明の効果」
以」二説明したように、この発明によれば、零ないし負
の磁歪定数を持つ磁性膜によって形成されたポールティ
ップと、零ないし正の磁歪定数を持つ磁性膜によって形
成されたヘッドコア後部とを設けたので、この薄膜磁気
ヘッドの再生波形の歪その他の特性劣化がないという効
果がある。
の磁歪定数を持つ磁性膜によって形成されたポールティ
ップと、零ないし正の磁歪定数を持つ磁性膜によって形
成されたヘッドコア後部とを設けたので、この薄膜磁気
ヘッドの再生波形の歪その他の特性劣化がないという効
果がある。
第１図はこの発明の第１の実施例による薄膜磁気ヘッド
の構成を示す斜視図、第２図はこの発明の第２の実施例
による薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図、第３図およ
び第４図はそれぞれこの発明の第３および第４の実施例
による薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図、第５図は従
来の薄膜磁気ヘッドの構成例を示す断面図、第６図は従
来例およびこの発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドの
へラドコアの磁区構造を示す図、第７図は従来の薄膜磁
気ヘッドのへラドコアの磁区構造を示す図である。 １１−１８・・・・・・磁性膜。
の構成を示す斜視図、第２図はこの発明の第２の実施例
による薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図、第３図およ
び第４図はそれぞれこの発明の第３および第４の実施例
による薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図、第５図は従
来の薄膜磁気ヘッドの構成例を示す断面図、第６図は従
来例およびこの発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドの
へラドコアの磁区構造を示す図、第７図は従来の薄膜磁
気ヘッドのへラドコアの磁区構造を示す図である。 １１−１８・・・・・・磁性膜。
Claims (1)
- 零ないし負の磁歪定数を持つ磁性膜によって形成された
ポールティップと、零ないし正の磁歪定数を持つ磁性膜
によって形成されたヘッドコア後部とを具備することを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1074535A JP2721540B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1074535A JP2721540B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02252111A true JPH02252111A (ja) | 1990-10-09 |
| JP2721540B2 JP2721540B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=13550079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1074535A Expired - Lifetime JP2721540B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2721540B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0714120A (ja) * | 1992-09-09 | 1995-01-17 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 異なる磁気歪定数領域を伴う薄膜ヘッド |
| US7312951B2 (en) * | 2004-06-23 | 2007-12-25 | Tdk Corporation | Magnetic head for perpendicular magnetic recording |
| US7576950B2 (en) | 2004-08-06 | 2009-08-18 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Perpendicular magnetic recording head utilizing tensile stress to optimize magnetic pole layer domain structure |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6473603A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Nippon Telegraph & Telephone | Articifial magnetic lattice film |
-
1989
- 1989-03-27 JP JP1074535A patent/JP2721540B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6473603A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Nippon Telegraph & Telephone | Articifial magnetic lattice film |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0714120A (ja) * | 1992-09-09 | 1995-01-17 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 異なる磁気歪定数領域を伴う薄膜ヘッド |
| US7312951B2 (en) * | 2004-06-23 | 2007-12-25 | Tdk Corporation | Magnetic head for perpendicular magnetic recording |
| US7576950B2 (en) | 2004-08-06 | 2009-08-18 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Perpendicular magnetic recording head utilizing tensile stress to optimize magnetic pole layer domain structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2721540B2 (ja) | 1998-03-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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