JPH02252187A

JPH02252187A - 記憶方法及びこの方法で記憶する記憶装置

Info

Publication number: JPH02252187A
Application number: JP1070341A
Authority: JP
Inventors: Norio Akamatsu; 則男赤松
Original assignee: JIYASUTO SYST KK
Current assignee: JIYASUTO SYST KK
Priority date: 1989-03-24
Filing date: 1989-03-24
Publication date: 1990-10-09
Anticipated expiration: 2012-05-28
Also published as: JP2614763B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は記憶方法、特にバイナリ値を高密度で記憶し且
つ読み出し速度が高速である記憶方法及びこの方法で記
憶する記憶装置に関するものである。

又、この記憶方法に関連する情報読出方法。

情報続出装置、記憶媒体、記憶素子、製造方法等にも関
する。

［従来の技術］従来の比較的高速てしかも大容量のメモリとして、磁気
ディスクと光ディスクとが知られている。光ディスクは
、記憶容量は大きいが読み出しの速度が遅い。磁気ディ
スクの読み出し速度は、光ディスクよりも速く、例えば
ＣＤ−ＲＯＭ（コンパクトディスクを用いた読み出し専
用記憶装置）のアクセス時間は５００ミリ秒であるが、
固定磁気ディスクのアクセス時間は４０から７０ミリ秒
である。

［発明が解決しようとする課題］しかしながら、これら光ディスクや磁気ディスク等の記
憶装置は、機械式の回転系を必要とするため機械的可動
部があり、機構の複雑さ１重量の増加１価格の上昇など
の短所があった。しかも、トラックを選択するまでの遅
延時間を必要とした。特に、光学系のディスクは、ディ
スクの内側を読む速度と外側を読む速度とで回転速度を
変化する必要があるので、アクセス速度が低下するなど
の欠点がある。

更に、大容量記憶装置である光ディスクは、光で記憶内
容を検出して電気的信号に変換する必要があり、一方、
磁気ディスクは磁気で記憶内容を検出して電気的信号に
変換する。このため、信号を変換する手段を必要とする
ので装置は大型になり、変換に要するエネルギーの損失
も大きいなどの欠点もある。

本発明は、これらの欠点を除去する為に開発されたもの
で、この発明の主要な目的は、機械的回転部がなく高速
でアクセス出来る大容量の記憶方法とこの記憶方法を用
いた記憶装置を提供することにある。

又、本発明の記憶方法を実現する記憶素子。

記憶媒体、記憶情報読出方法、記憶情報読出装置あるい
は記憶素子及び記憶媒体の製造方法等をも提供する。

［課題を解決するための手段］この課題を解決するために、本発明に記憶方法は、相互
誘導作用により結合した複数のコイルがキャパシタと共
振回路を構成する状態とキャパシタを電気的に切り離し
共振回路を構成しない状態とを用いて情報を記憶し、他
方のコイルに電流を流すことにより電気的エネルギーを
加えて、共振回路を構成する状態と共振回路を構成しな
い状態とに対応して供給エネルギーの変化を検出するこ
とにより前記記憶された情報を読み出す。

又、本発明の記憶装置は、相互誘導作用により結合する
複数個の誘導手段と、前記誘導手段の一方と共振回路を
構成可能に配置された容量手段と、他方の誘導手段に電
気的エネルギーを加える電源手段と、前記一方の誘導手
段と容量手段とで、共振回路を構成する状態と共振回路
を構成しない状態とに対応して変化する前記供給エネル
ギーを検出する検出手段とを備える。

又、本発明の記憶方法は、誘導成分を含む回路を共振回
路を構成する状態と共振回路を構成しない状態とに切り
分けて情報を記憶する。

更に、前記誘導成分を含む回路にトランジスタ、ダイオ
ード等のスイッチング手段を直列又は並列に接続し、該
スイッチング手段の導通／非導通により、共振回路を構
成する状態と共振回路を構成しない状態とを切り分ける
。

又、本発明の記憶情報読出方法は、誘導成分を含む回路
を共振回路を構成する状態と共振回路を構成しない状態
に切り分けることにより記憶された情報を読み出す記憶
情報読出方法であって、前記誘導成分と相互誘導作用に
より結合した他の誘導成分に電気的にエネルギーを加え
て、該供給エネルギーの変化を検出することにより、前
記記憶された情報を読み出す。

又、本発明の記憶方法は、相互誘導作用により結合した
複数の誘導成分の内、一方の誘導成分が共振回路を構成
する状態と共振回路を構成しない状態とを用いて情報を
記憶し、他方の誘導成分に電気的にエネルギーを加えて
、前記共振回路を構成する状態と共振回路を構成しない
状態とに対応した前記供給エネルギーの変化を検出する
ことにより、前記記憶された情報を読み出す。

又、本発明の記憶素子は、誘導成分と、該誘導成分と共
振回路を構成可能な成分とを備える。

更に、前記誘導成分を含む回路に接続されて、導通／非
導通により前記共振回路の構成／非構成を切り換えるダ
イオード、トランジスタ等の切換手段を備える。

又、本発明の記憶媒体は、複数の誘導成分と、該複数の
誘導成分のそれぞれと共振回路を構成可能な複数の成分
とを備える。

更に、前記複数の誘導成分を含む回路にそれぞれ接続さ
れて、導通／非導通により前記各共振回路の構成／非構
成を切り換えるダイオード。

トランジスタ等の複数の切換手段を備える。

又、本発明の記憶情報読出装置は、誘導成分と、該誘導
成分に電気的にエネルギーを加えるエネルギー供給手段
と、該供給エネルギーの変化を検知する検知手段とを備
える。

ここで、前記検知手段は、前記誘導成分とは別の誘導成
分を有する。

更に、前記誘導成分と前記エネルギー供給手段及び前記
検知手段との接続を切り換える切換手段を備える。

又、木発明の記憶装置は、誘導成分が共振回路を構成す
る状態と共振回路を構成しない状態とにより情報を記憶
する記憶手段と、前記誘導成分と相互誘導作用により結
合した他の誘導成分に電気的にエネルギーを加えるエネ
ルギー供給手段と、前記エネルギーの変化を検出する検
出手段とを備える。

更に、前記記憶手段と前記エネルギー供給手段及び検出
手段とを相対的に移動する移動手段を備える。

又、本発明の記憶素子の製造方法は、誘導成分と該誘導
成分と共振回路を構成可能な所定成分とからなる回路を
作成する工程と、該回路に直列又は並列にダイオード、
トランジスタ等の切換素子を接続する工程と、前記切換
素子を記憶情報に対応して、導通あるいは非導通に切換
える工程とを備える。

又、本発明の記憶媒体の製造方法は、複数の誘導成分と
該誘導成分と共振回路を構成可能な複数の所定成分とか
らなる複数の回路を作成する工程と、該複数の回路に直
列又は並列にダイオード、トランジスタ等の複数の切換
素子を接続する工程と、前記複数の切換素子を記憶情報
に対応して、導通あるいは非導通に切換える工程とを備
える。

又、誘導成分を所定のマスクパターンで作成する工程と
、前記誘導成分と共振回路を構成可能な成分を、記憶情
報に対応して共振回路を構成する部分と共振回路を構成
しない部分とを生成するマスクパターンで作成する工程
とを備える。

ここで、前記誘導成分をコンタクト孔とパターンとで構
成する。

更に、木発明の記憶方法を実現する好ましい方法の具体
例及び記憶装置を実現する好ましい構成要素の具体例が
、以下実施例に開示される。

［実施例］以下、本発明の実施例を動作原理に基づいて図面を用い
て説明する。

〈記憶装置の原理〉本実施例の電磁記憶装置の基本となる電磁結合回路を第
１図に示す。この回路は１次側回路と２次側回路との電
磁結合により構成される。

１次側回路には電流源などの電流供給源およびコイルと
キャパシタとが接続されている。２次側回路にはコイル
とキャパシタとが接続されている。１次側回路は記憶装
置の読み取り側であり、また２次側回路は情報記憶部に
それぞれ対応している。この記憶装置の原理を以下に記
載する。

２次側回路の状態に対応して１次側回路の電圧ｖ１が変
化するので、この変化により記憶装置として必要な２値
状態（°°旧ｇｈ”状態と°’Ｌｏｗ”状態）を構成す
る。そのためには、簡単な回路でしかもＶｌの変化が犬
となるように回路を決定しなければならない。

〈定常状態において電磁結合がもたらす電圧変化〉（例１）・・・ＲＬ回路最初に電磁結合を有する最も簡単な回路・・・ＲＬ回路
について考える。第２図（ａ）に電磁結合がない場合、
第２図（ｂ）に電磁結合がある場合の回路図をそれぞれ
示す。２次側回路と電磁結合とによって、１次側回路の
電圧がどの程度変化するかを調べるために各々の場合の
電圧を求める。

電磁結合がない場合の１次側回路の電圧■８は、第２図
（ａ）より、Ｖｌｌ＝　（ｒ、＋　ｊ　ωＬ１）　ＩＯｓｉｎωｔ＝
　ｒ＋（ｔ　＋　ｊ　Ｑｌ）　Ｉｏ　ｓｉｒ＋ωｔωＬ
１但し、Ｑｌ；□ で与えられる。

一方、電磁結合がある場合の１次側回路の電圧Ｖｂは第
２図（ｂ）の等価回路である第２図（Ｃ）より、となる。ここで、Ｋ＝０とすれば、ｖｂはｖ、に一致する。

このｖ８とｖｂの比をとりα１とすると、Ｑｌ”１は、１次側回路の電圧の磁気結合の存否による変化率を
表している。

例として、Ｑｌ−Ｑ２・１０．　ｋ−０，１のときのα
１を求めると、 α、＝０．９９となり、電圧変化はごくわずかである。したがって、Ｒ
Ｌ回路をそのまま記憶装置として用いる・ことは出来な
い。

（例２）・・・ＲＬＣ回路次に、共振回路が電磁的に結合している場合を考察する
。第３図（ａ）は電磁結合がない場合であり、第３図（
ｂ）は電磁結合がある場合の回路図である。前と同様に
１次側回路の電圧の電磁結合の存否による変化率を求め
る。

尚、共振状態においては、を満たす。

第３図（ａ）より、ｒ宜また、第３図（ｃ）より、したがって、ＲＬＣ回路における１次側回路の電圧の変
化率α２は、Ｑｌ”１となる。

ここで例１と同様に、Ｑｌ−Ｑ２−１０．　ｋ−０，１
（７）ときのα２を求めると、 α２＝０．５１てあり、電圧が半減することがわかる。これは、２次側
回路のインピーダンスが共振現象によって非常に小さく
なり、その結果２次側回路により多くのＮ流が流れるよ
うになるからである。

〈電磁結合のある記憶装置の設計〉（電磁結合のある記憶装面の回路図とその動作）第４図
（ａ）に本実施例の記憶装置として（Ｍビット）×（Ｎ
ワード）の電磁結合のある記憶装置の回路図（読み取り
側）を示す。第４図（ｂ）は送受信側の記憶セルの回路
例を示す図である。一方、第５図は情報を記憶する記憶
セル回路図である。この回路の動作について簡単に述べ
る。

まず、第４図（ａ）において信号φ、によりあるアドレ
スが入力されると、アトレスデコータ４１により１木の
ワード線のみか゛旧ｇｈｌ＝状態となる。その結果、１
ワード内の全てのトランジスタ４５は駆動され、定電流
源４２とＭ個の記憶セル４３が直列に接続される。各々
の記憶セル４３は、対応する第５図の情報記ｔ＠側の記
憶セル５１と電磁的に結合し、高電位の論理状態または
低電位の論理状態になる。この電位を、記憶セル４３と
並列に接続されたコンパレータ４４によって検出し、信
号φ２により電界効果トランジスタ４６が導通状態にな
って、Ｍビット（１ワード）の出力として送信側に返す
。

情報記憶側には、例えば論理情報が低電位の部分にのみ
共振回路を構成しておけば、情報を記憶し、且つ読み出
すことができる。

第６図（ａ）、（ｂ）は、本実施例の記憶装置の代表的
構成を示す図である。ここで、１は誘導成分Ｌ２と容量
成分Ｃ２（但し、抵抗成分は小さい為図示しない）と切
換素子１０から成る記憶セル部である。切換素子１０は
、ダイオード。

ｌ・ランジスタ、半導体、ＥＥＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ等
から選ばれる。半導体としては特に３価と５価のものが
使用される６トランジスタとしてはバイポーラトランジ
スタやＭＯＳ型電界効果トランジスタか使用される。

製造方法の点からいえば、切換素子１０としてダイオー
ドやトランジスタ等を予め共振回路に接続しておき、デ
ータを書き込む場合に記憶セルの共振回路に大電流を流
して、ＰＮ接合を破壊する方法が簡単である。あるいは
、電界効果トランジスタの導通／非導通状態を利用して
もよい。

更に、特にデータの書込みを必要としないＲＯＭとして
大量生産するには、切換素子１０を使用せず作成時に共
振回路の構成／非構成を記憶情報に対応して作っておい
ても良い。

例えば、集積回路として作成する場合は、マスクパター
ンを変えて共振回路を構成するパターンあるいは構成し
ないパターンの組み合わせで各素子を作成することもで
きる。又、キャパシタをトレンチ技術を用いて製作して
もよい。

すなわち、記憶セルの内容が”　１　”の状態である場
合は、コイルとキャパシタを並列に接続する集積回路の
マスクパターンに対応させ、一方記憶セルの内容か０°
°の状態である場合には、コイルとキャパシタとの接続
線を切断する集積回路のマスクパターンに対応するよう
にする。

２は信号送信部であり、電流源２ｏと誘導成分Ｌ１と容
量成分Ｃ，（抵抗成分Ｒ３は小さい為、図示しない）と
から成る。３は信号受信部であり、信号送信部２の誘導
成分Ｌ１と容量成分Ｃ。

を共通使用して、電圧測定部３０で出力電圧を測定する
。ここで、誘導成分としてはコイルが使用され、空心コ
イルであるのが好ましい。材料としては金属線、ポリシ
リコン、磁性材料あるいは超電導体等が考えられる。

第６図（ａ）は、切換素子１０か誘導成分Ｌ２．容量成
分Ｃ２と並列に入った例であり、切換素子１０が導通て
あれば両端が接続されて誘導成分Ｌ２．容量成分Ｃ２は
共振回路を構成せず、非導通であれば誘導成分Ｌ２．容
量成分Ｃ２は共振回路を構成する。一方、第６図（ｂ）
は、切換素子が誘導成分Ｌ２及び容量成分Ｃ２と直列に
接続された場合であり、切換素子１０が導通の場合は共
振回路を構成して出力電圧が小さくなり、非導通の時に
は構成せず出力電圧が大きくなる。

第７図は本実施例の特殊な例として複数個の記憶セルの
論理状態を同時に変更可能な駆動電気回路７１の接続例
を示した図である。ここで、駆動電気回路７１としては
、ＭＯＳ）−ランジスタ等か考えられる。このようは構
成により、複数ビット（ワード）単位の書き込みが可能
となる。

第８図には、信号受信部３°を信号送信部から切り離し
た記憶装置の構成側を示す。ここで、誘導成分Ｌ３は信
号送信部２の誘導成分ＬＩとは別の信号受信部３°用の
誘導成分である。ここでは、誘導成分Ｌ１とＬ３とは完
全に切り離したが、誘導成分Ｌ　＋の両側に誘導成分Ｌ
３を配置しても良い。

第９図には、信号受信部３パと信号送信部２とを切換制
御部２５により切り換えて、動作する記憶装置の構成例
を示す。信号送信部２と信号受信部とは同じもので構成
し両者を兼ねる方が経済的であり、実用性に冨む。切換
制御部２５における切換は、アナログスイッチであるこ
とが好ましい。

又、切換が誘導成分Ｌ１に電気エネルギーが残存しない
位相で行うよう切換制御部２５により制ｉＪｕされるの
が好ましい。何故なら、エネルギーが最大である位相の
瞬間に回路のスイッチング動作を行なうとエネルギーの
行くところがなく、電荷を放電する形でエネルギーが消
費されてエネルギーの損失か発生するので、出来るだけ
エネルギーかの残っていない状態でスイッチング動作を
行なう必要がある。コイルに残存するエネルギーが最小
の場合にスイッチング動作を行なうと、放電現像もなく
エネルギー損失もなくスムーズに電気的エネルギーを送
信する状態からそれを受信する状態へ移行することがで
きる。

更に、スイツチ開にキャパシタを接続して残存するエネ
ルギーを吸収するようにすれば更に好ましい。スイッチ
を導通または非導通になる動作を繰り返すとスイッチの
接点等が、放電などによるエネルギー損失によって、ス
イッチが劣化することがある。従って、スイッチ動作の
際に発生するエネルギーの通過する回路をキャパシタに
よって作っておくと、エネルギーを逃すことができるの
で、余分なエネルギーで憧気回路素子を劣化させる短所
を克服することができる。

第１０図（ａ）、（ｂ）は信号受信号部３の電圧測定部
２０の好ましい例を示した図である。

第１０図（ａ）は、Ｃ，Ｄ間の微弱な反射電圧を演算増
幅器３１により増幅して、電圧測定器３２で測定する例
を示す。又第１０図（ｂ）は整流素子３３を接続して、
電圧測定器３２では電圧の直流成分の高低により測定す
る例を示している。

ここで、電圧測定器３２はトランジスタあるいは電界効
果トランジスタ、又は、コンパレータ。

センスアンプ、ピーク検出回路等により構成されてエネ
ルギー−変化を検出するものである。

ピーク検出回路は信号受信部３で記憶セル部１から送ら
れてくる信号のピーク値を検出するために用いられる。

すなわち、受信した信号から１°゛またはＯ°”に対応
する論理状態を識別するためにピーク電圧を検出して、
電圧が高いものを１′′の状態とし、電圧が低いものを
°０°°の状態とする。

第１１図は電流源２０の回路側であり、直流電源２４と
発振器２２と抵抗２３とトランジスタ２１により構成さ
れる。記憶装置のスピード、すなわちアクセス時間を向
上するには、出来るだけ高速のトランジスタを用いる必
要がある。現在量も高速の素子はガリウムひ素を用いた
トランジス夕である。従って、トランジスタとしては、
ガリウム・ひ素トランジスタを用いる事が好ましく、バ
イポーラトランジスタやＭＯ３型電界効果トランジスタ
でもよい。

本実施例の電流源では、原理の説明で示したように正弦
波の交流を使用するが、その波形は必ずしも正確に周期
的なものに限定はされず準周期的なものであっても十分
である。又、交流波形でなく所定巾のパルスであっても
よい。

尚、以上の各回路、例えば共振回路、ピーク検出回路や
整流素子等はハイブリッド回路として構成されると好ま
しい。

第１２図は本実施例の誘導成分として使用されるコイル
を集積回路パターンにおいて、コンタクト孔１２３を使
用して表面の導線１２１と裏面の導線１２２を接続して
作成する例を示している。

このようなコイルの構成は、コイルの集積化にとって好
都合である。

第１３図は、記憶セル部１３１１．〜１３１゜と信号送
信部及び信号受信部を含む回路１３１　ｚ〜１３１　ｍ
ｎとを２つの異なる基板上に作成し、この基板を相対し
て設置して記憶装置として使用する例を示している。こ
こで、２つの基板は相対的に移動され、相互誘導による
結合を最も強くする位置に置かれる。このように、信号
の検出回路を別の基板に搭載すると、記憶セルあるいは
信号送信部から空間的に離れた位置から信号を読み出す
ことができる。すなわち、信号検出部を信号送信部から
離しても電気磁気的な結合があると、エネルギーの吸収
あるいは非吸収を検出することができるので、記憶セル
の論理状態を識別することが可能になり、記憶セルを容
易に交換することが可能になる。

第１３図の例からも分るように、記憶セル部と信号送信
部及び信号受信部を分離することが可能であり、例えば
、磁気ディスクと同様に信号送信部及び信号受信部を読
み出しヘッドとし、回転移動する記憶セル部の表面上を
このヘッドが移動する構成も考えられる。このヘッドは
アクセス速度の短縮のためには複数個設けた方が良い。

（記憶装置の設計条件）第４図（ａ）の回路を基板上で実現するための条件を考
察する。この設計の中心となる素子は誘導素子であるコ
イルである。なぜなら、コイルのインダクタンスは共振
周波数、電圧の変化率と記憶装置のアクセスタイムに関
係があり、コイルの物理的な大きさは記憶装置の密度に
影響を及ぼすからである。したがって、ここではコイル
を中心とした設計条件について述べる。

まず、サイズの面から条件をあげると、（１）高密度大
容量の記憶装置を構成するために、記憶セルのサイズを
１０μｍ×１０μｍにする。この場合には、情報記憶部
の大きさは５　ｃｍＸ　５　ｃｍであり、その記憶密度
は２５Ｍビットとなる。

（２）コイルは直径を５μｍとし、幅１μｍ厚さ１μｍ
の金属線で２層に作るものとする。

（３）高速アクセス可能とするために、電流駆動源の周
波数をＩ　ＧＨｚとし、アクセスタイムは１０ナノ秒と
する。

（４）検出する電圧の最大値は５ボルトとし、論理状態
に対応して可能がかぎり大きな電圧変化が生ずるように
する。

以上の条件を満たすように、回路のパラメータを決定し
なければならない。

（電磁結合のある記憶装置の設計例）本実施例の電磁結合のある記憶装置の設計例の回路パラ
メータを以下に示す。情報の送受信側の設計例は　誘導
成分Ｌ＋　＝１０［ｎＨ］、Ｃ１＝２゜５３３［ｐＦ］
、Ｒ＋　＝１０　［Ω］とした。情報記憶部の設計例は
、Ｌ　２　＝　１０　［ｎＨＬ容量成分Ｃ１＝２．５３
３［ｐＦ］、Ｒ２＝１　　［Ωコとした。電流駆動源の
設計例は、Ｉ　ｏ　＝　１２　、５　［ｍＡ］　。

ｆ　ｏ　＝　１　［ＧＨｚ］　とした。この場合の高電
位状態の電圧はＶ　ＨＩＧ１１＝　５　［Ｖ　］となり
、低電位状態の電圧は■、。ｗ　＝１．２５　［Ｖ］と
なった。又、クロック周波数は１００　［ＭＨｚ］であ
り、記憶容量は２５　［Ｍｂｉｔｌで、記憶サイズは５
［ｃｍ］Ｘ５［ｃｍコである。

尚、本実施例では、コイルとキャパシタとが並列に接続
した共振回路を説明したが、直列接続であっても構わな
い。

又、電気的エネルギーは電流源により供給したが電圧源
であっても良いし、信号送信部のコイルとキャパシタと
が直列接続であっても良い。

更に、本実施例ではコイルの巻方向には言及しなかった
が、巻方向を変えることにより情報を記憶することも出
来る。例えば、記憶セルとして用いる２個のコイルを甲
と乙とすると、甲の巻方向と乙の巻方向が一致する場合
を論理状態が”　１　”である情報とする。一方、甲の
巻方向と乙の巻方向が一致しない場合を論理状態が“°
Ｏ°。

である情報とする。この場合には、甲と乙のコイルに発
生する起電力が互いに打ち消しあって、等偏向にはコイ
ルが存在しない場合と同じになる。すなわち、コイルの
巻方向によって記憶セルに情報を持たせることが可能に
なる。

［発明の効果］本発明により、機械的回転部がなく高速でアクセス出来
る大容量の記憶方法とこの記憶方法を用いた記憶装置を
提供できる。

又、本発明の記憶方法を実現する記憶素子。

記憶媒体、記憶情報続出装置あるいは記憶素子及び記憶
媒体の製造方法等をも提供できる。

詳細には、本発明の記憶方法は、電気磁気学的に結合し
た相互誘導を用いるので、電気的信号で検出することが
できるため信号を変換する必要も無くなる。又、本発明
の記憶装置は、信号を変換する必要が無く、装置は小型
になり変換に要するエネルギーの損失も少ないなどの効
果がある。

さらに、本発明の記憶装置は、機械的駆動部が無いので
、持ち運びの際の機械的ショックにも強く、価格も安く
、重量も軽くなるなどの効果かある。更に、高集積化が
可能であり、その製造方法も簡素である。

【図面の簡単な説明】

第１図は電磁結合回路の模式図、第２図（ａ）は電磁結合のないＲＬ回路図、第２図（ｂ
）は電磁結合のあるＲＬ回路図、第２図（Ｃ）は第２図
（ｂ）の等価回路図、第３図（ａ）は電磁結合のないＲ
ＬＣ回路図、第３図（ｂ）は電磁結合のあるＲＬＣ回路
図、第３図（Ｃ）は第３図（ｂ）の等価回路図、第４図
（ａ）は本実施例の記憶装置の読み取り例の回路図、第４図（ｂ）は本実施例の記憶装置の記憶セルを示す図
、第５図は本実施例の記憶装置の記憶側の配置図、第６図（ａ）、（ｂ）は本実施例の記憶装置の構成図、第７図は駆動電気回路を用いた例を示す図、第８図は信
号送信部と信号受信部とを分離した例を示す図、第９図は信号送信部と信号受信部とを切換える例を示す
図、第１０図（ａ）、（ｂ）は信号受信部の電圧測定部の構
成例を示す図、第１１図は信号送信部の電流源の構成例を示す図、第１２図はコンタクト孔を用いて構成したコイルを示す
図、第１３図は記憶セル部と信号送信部及び信号受信部を別
の基板に設けた例を示す図である。図中、１・・・記４．ｅセル部、２・・・信号送信部、
３．３’　、３”　・・・信号受信部、１０・・・切換
素子、２０・・・電流源、２１・・・切換制御部、３０
・・・電圧測定部、４１・・・アドレスデコーダ、４２
・・・定電流源、４３・・・記憶セル、４４・・・コン
パレータ、４５・・・トランジスタ、４６・・・電界効
果トランジスタ、５１・・・記憶セルである。特許出願大扉　松　　則　男株式会社ジャストシステム代理人　弁理士　犬塚康徳　（他１　名）第８図第１０図（ｂ）第１１図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）相互誘導作用により結合した複数のコイルがキャ
パシタと共振回路を構成する状態とキャパシタを電気的
に切り離し共振回路を構成しない状態とを用いて情報を
記憶し、　他方のコイルに電流を流すことにより電気的エネルギ
ーを加えて、共振回路を構成する状態と共振回路を構成
しない状態とに対応して供給エネルギーの変化を検出す
ることにより前記記憶された情報を読み出すことを特徴
とする記憶方法。
（２）共振回路に接続したダイオードのＰＮ接合を破壊
し導通状態にすることにより情報を記憶することを特徴
とする請求項１記載の記憶方法。
（３）共振回路に接続したトランジスタのＰＮ接合を破
壊し導通状態にすることにより情報を記憶することを特
徴とする請求項１記載の記憶方法。
（４）共振回路に接続した電界効果トランジスタの導通
／非導通状態を利用することにより情報を記憶すること
を特徴とする請求項１記載の記憶方法。
（５）コイルにキャパシタを直列に接続して共振回路を
構成することにより情報を記憶することを特徴とする請
求項１記載の記憶方法。
（６）コイルにキャパシタを並列に接続して共振回路を
構成することにより情報を記憶することを特徴とする請
求項１記載の記憶方法。
（７）コイルとキャパシタとを集積回路で構成すること
により情報を記憶することを特徴とする請求項１記載の
記憶方法。
（８）集積回路を製作する際に、コイルとキャパシタと
トランジスタあるいはダイオードとのマスクパターンを
変えることにより情報を記憶することを特徴とする請求
項１記載の記憶方法。
（９）集積回路のキャパシタをトレンチ技術を用いて製
作することにより情報を記憶することを特徴とする請求
項１記載の記憶方法。
（１０）回路に加える電気的エネルギーとして電流源を
用いることにより情報を読み出すことを特徴とする請求
項１記載の記憶方法。
（１１）回路に加える電気的エネルギーとして電圧源を
用いることにより情報を読み出すことを特徴とする請求
項１記載の記憶方法。
（１２）共振回路を構成する状態と共振回路を構成しな
い状態とに対応して供給エネルギーの変化を検出するた
めに演算増幅器を用いることを特徴とする請求項１記載
の記憶方法。
（１３）共振回路を構成する状態と共振回路を構成しな
い状態とに対応して供給エネルギーの変化を検出するた
めにトランジスタを用いることを特徴とする請求項１記
載の記憶方法。
（１４）共振回路を構成する状態と共振回路を構成しな
い状態とに対応して供給エネルギーの変化を検出するた
めに電界効果トランジスタを用いることを特徴とする請
求項１記載の記憶方法。
（１５）電気的エネルギーを加える回路をコイルとキャ
パシタとを並列に接続することにより構成したことを特
徴とする請求項１記載の記憶方法。
（１６）電気的エネルギーを加える回路をコイルとキャ
パシタとを直列に接続することにより構成したことを特
徴とする請求項１記載の記憶方法。
（１７）電気的エネルギーを加える回路を複数個用いる
ことにより、情報の読み出し速度を向上したことを特徴
とする請求項１記載の記憶方法。
（１８）回路のエネルギーを検出する装置を複数個用い
ることにより、情報の読み出し速度を向上したことを特
徴とする請求項１記載の記憶方法。
（１９）電気的エネルギーを加える回路を集積回路化す
ることにより情報を読み出すことを特徴とする請求項１
記載の記憶方法。
（２０）回路のエネルギーを検出する装置を集積回路化
することにより情報を読み出すことを特徴とする請求項
１記載の記憶方法。
（２１）共振回路を構成する状態と共振回路を構成しな
い状態とを生成するために、電気的に書換え可能な半導
体素子を用いることにより情報を読み出すことを特徴と
する請求項１記載の記憶方法。
（２２）共振回路を構成する状態と共振回路を構成しな
い状態とを生成するために、電気的に書き込み可能な半
導体素子を用いることにより情報を読み出すことを特徴
とする請求項１記載の記憶方法。
（２３）共振回路を構成する状態と共振回路を構成しな
い状態とを生成する回路を、シリコンウェハ上に製作す
ることにより情報を記憶することを特徴とする請求項１
記載の記憶方法。
（２４）共振回路を構成する状態と共振回路を構成しな
い状態とを生成する回路を、３価と５価の半導体を用い
て製作することにより情報を記憶することを特徴とする
請求項１記載の記憶方法。
（２５）相互誘導作用により結合する２個のコイルの一
方を他方のコイルから相対的に移動することにより、記
憶情報のアクセス位置に移動することを特徴とする請求
項１記載の記憶方法。
（２６）相互誘導作用により結合する２個のコイルの一
方を他方のコイルから相対的に回転させることにより、
記憶情報のアクセス位置に移動。することを特徴とする請求項１記載の記憶方法。
（２７）回路に加える電気的エネルギーとして周期的に
変化する交流を加えることを特徴とする請求項１記載の
記憶方法。
（２８）回路に加える電気的エネルギーとして準周期的
に変化する交流を加えることを特徴とする請求項１記載
の記憶方法。
（２９）回路に加える電気的エネルギーとして周期的に
パルスを加えることを特徴とする請求項１記載の記憶方
法。
（３０）回路に加える電気的エネルギーとして準周期的
に変化するパルスを加えることを特徴とする請求項１記
載の記憶方法。
（３１）電気的エネルギーを加える回路と電気的エネル
ギーを検出する回路とをスイッチで切り換えることを特
徴とする請求項１記載の記憶方法。
（３２）電気的エネルギーを加える回路と電気的エネル
ギーを検出する回路とをアナログスイッチで切り換える
ことを特徴とする請求項３１記載の記憶方法。
（３３）電気的エネルギーを加える回路と電気的エネル
ギーを検出する回路とをスイッチで切り換える際に、コ
イルに電気的エネルギーが残存しない位相で行うことを
特徴とする請求項３１記載の記憶方法。
（３４）電気的エネルギーを加える回路と電気的エネル
ギーを検出する回路とをスイッチで切り換える際に、コ
イルに残存する電気的エネルギーを吸収するキャパシタ
を用いることを特徴とする請求項１記載の記憶方法。
（３５）一方のコイルに空心コイルを用いることを特徴
とする請求項１記載の記憶方法。
（３６）他方のコイルに空心コイルを用いることを特徴
とする請求項１記載の記憶方法。
（３７）一方のコイルに磁性材料を用いることを特徴と
する請求項１記載の記憶方法。
（３８）他方のコイルに磁性材料を用いることを特徴と
する請求項１記載の記憶方法。
（３９）電気的エネルギーを加えるコイルの巻き方向を
変えることにより情報を記憶することを特徴とする請求
項１記載の記憶方法。
（４０）電気的エネルギーを加えるコイルの両側に検出
コイルを配置したことを特徴とする請求項１記載の記憶
方法。
（４１）電気的エネルギーを加えるコイルに超電導体を
用いることを特徴とする請求項１記載の記憶方法。
（４２）検出コイルに超電導体を用いることを特徴とす
る請求項１記載の記憶方法。
（４３）電気的エネルギーが加えられる回路にＥＰＲＯ
Ｍ（電気的にプログラムが可能である読み出し専用メモ
リ）を用いたことを特徴とする請求項１記載の記憶方法
。
（４４）電気的エネルギーが加えられる回路にＥＥＰＲ
ＯＭ（電気的に消去可能でプログラムも可能である読み
出し専用メモリ）を用いたことを特徴とする請求項１記
載の記憶方法。
（４５）複数個の記憶セルによつて構成することを特徴
とする請求項１記載の記憶方法。
（４６）電気的エネルギーを供給する回路をガリウムひ
素を用いて構成することを特徴とする請求項１記載の記
憶方法。
（４７）共振回路をガリウムひ素を用いて構成すること
を特徴とする請求項１記載の記憶方法。
（４８）電気的エネルギーを供給する回路をバイポーラ
トランジスタを用いて構成することを特徴とする請求項
１記載の記憶方法。
（４９）共振回路をバイポーラトランジスタを用いて構
成することを特徴とする請求項１記載の記憶方法。
（５０）電気的エネルギーを供給する回路をＭＯＳ型の
電界効果トランジスタを用いて構成することを特徴とす
る請求項１記載の記憶方法。
（５１）共振回路をＭＯＳ型の電界効果にトランジスタ
を用いて構成することを特徴とする請求項１記載の記憶
方法。
（５２）相互誘導により結合するコイルをコンタクト孔
と集積回路パターンとを用いて構成することを特徴とす
る請求項１記載の記憶方法。
（５３）相互誘導を発生するために複数個の基板の位置
を変化させる機構を有することを特徴とする請求項１記
載の記憶方法。
（５４）書き込み機能と読みだし機能とを分離したこと
を特徴とする請求項１記載の記憶方法。
（５５）アドレスデコーダにより記憶セルを選択するこ
とを特徴とする請求項１記載の記憶方法。
（５６）アドレスデコーダにより複数個の記憶セルを選
択することを特徴とする請求項１記載の記憶方法。
（５７）論理状態を識別するためのコンパレータを有す
ることを特徴とする請求項１記載の記憶方法。
（５８）論理状態を識別するためのセンスアンプを有す
ることを特徴とする請求項１記載の記憶方法。
（５９）論理状態を識別するためのピーク検出回路を有
することを特徴とする請求項１記載の記憶方法。
（６０）論理状態を識別するための整流素子を有するこ
とを特徴とする請求項１記載の記憶方法。
（６１）複数個の記憶セルの論理状態をほとんど同時に
変えるための駆動電気回路を有することを特徴とする請
求項１記載の記憶方法。
（６２）金属線でコイルを構成することを特徴とする請
求項１記載の記憶方法。
（６３）ポリシリコンでコイルを構成することを特徴と
する請求項１記載の記憶方法。
（６４）電気的エネルギーを加える回路のみを別の基板
に搭載したことを特徴とする請求項１記載の記憶方法。
（６５）電気的エネルギーを加える回路をハイブリッド
回路で構成したことを特徴とする請求項１記載の記憶方
法。
（６６）検出回路を別の基板に搭載したことを特徴とす
る請求項１記載の記憶方法。
（６７）検出回路をハイブリッド回路で構成したことを
特徴とする請求項１記載の記憶方法。
（６８）記憶セルをハイブリッド回路で構成したことを
特徴とする請求項１記載の記憶方法。
（６９）ピーク検出回路をハイブリッド回路で構成した
ことを特徴とする請求項１記載の記憶方法。
（７０）論理状態を識別するための整流素子をハイブリ
ッド回路で構成したことを特徴とする請求項１記載の記
憶方法。
（７１）相互誘導作用により結合する複数個の誘導手段
と、前記誘導手段の一方と共振回路を構成可能に配置された
容量手段と、他方の誘導手段に電気的エネルギーを加える電源手段と
、前記一方の誘導手段と容量手段とで、共振回路を構成す
る状態と共振回路を構成しない状態とに対応して変化す
る前記供給エネルギーを検出する検出手段とを備えるこ
とを特徴とする記憶装置。
（７２）共振回路に接続したダイオードのＰＮ接合を破
壊し導通状態にすることにより情報を記憶することを特
徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（７３）共振回路に接続したトランジスタのＰＮ接合を
破壊し導通状態にすることにより情報を記憶することを
特徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（７４）共振回路に接続した電界効果トランジスタの導
通／非導通状態を利用することにより情報を記憶するこ
とを特徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（７５）コイルにキャパシタを直列に接続して共振回路
を構成することにより情報を記憶することを特徴とする
請求項７１記載の記憶装置。
（７６）コイルにキャパシタを並列に接続して共振回路
を構成することにより情報を記憶することを特徴とする
請求項７１記載の記憶装置。
（７７）コイルとキャパシタとを集積回路で構成するこ
とにより情報を記憶することを特徴とする請求項７１記
載の記憶装置。
（７８）集積回路を製作する際に、コイルとキャパシタ
とトランジスタあるいはダイオードとのマスクパターン
を変えることにより情報を記憶することを特徴とする請
求項７１記載の記憶装置。
（７９）集積回路のキャパシタをトレンチ技術を用いて
製作することにより情報を記憶することを特徴とする請
求項７１記載の記憶装置。
（８０）回路に加える電気的エネルギーとして電流源を
用いることにより情報を読み出すことを特徴とする請求
項７１記載の記憶装置。
（８１）回路に加える電気的エネルギーとして電圧源を
用いることにより情報を読み出すことを特徴とする請求
項７１記載の記憶装置。
（８２）共振回路を構成する状態と共振回路を構成しな
い状態とに対応して供給エネルギーの変化を検出するた
めに演算増幅器を用いることを特徴とする請求項７１記
載の記憶装置。
（８３）共振回路を構成する状態と共振回路を構成しな
い状態とに対応して供給エネルギーの変化を検出するた
めにトランジスタを用いることを特徴とする請求項７１
記載の記憶装置。
（８４）共振回路を構成する状態と共振回路を構成しな
い状態とに対応して供給エネルギーの変化を検出するた
めに電界効果トランジスタを用いることを特徴とする請
求項７１記載の記憶装置。
（８５）電気的エネルギーを加える回路をコイルとキャ
パシタとを並列に接続することにより構成したことを特
徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（８６）電気的エネルギーを加える回路をコイルとキャ
パシタとを直列に接続することにより構成したことを特
徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（８７）電気的エネルギーを加える回路を複数個用いる
ことにより、情報の読み出し速度を向上したことを特徴
とする請求項７１記載の記憶装置。
（８８）回路のエネルギーを検出する装置を複数個用い
ることにより、情報の読み出し速度を向上したことを特
徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（８９）電気的エネルギーを加える回路を集積回路化す
ることにより情報を読み出すことを特徴とする請求項７
１記載の記憶装置。
（９０）回路のエネルギーを検出する装置を集積回路化
することにより情報を読み出すことを特徴とする請求項
７１記載の記憶装置。
（９１）共振回路を構成する状態と共振回路を構成しな
い状態とを生成するために、電気的に書換え可能な半導
体素子を用いることにより情報を読み出すことを特徴と
する請求項７１記載の記憶装置。
（９２）共振回路を構成する状態と共振回路を構成しな
い状態とを生成するために、電気的に書き込み可能な半
導体素子を用いることにより情報を読み出すことを特徴
とする請求項７１記載の記憶装置。
（９３）共振回路を構成する状態と共振回路を構成しな
い状態とを生成する回路を、シリコンウェハ上に製作す
ることにより情報を記憶することを特徴とする請求項７
１記載の記憶装置。
（９４）共振回路を構成する状態と共振回路を構成しな
い状態とを生成する回路を、３価と５価の半導体を用い
て製作することにより情報を記憶することを特徴とする
請求項７１記載の記憶装置。
（９５）相互誘導作用により結合する２個のコイルの一
方を他方のコイルから相対的に移動することにより、記
憶情報のアクセス位置に移動することを特徴とする請求
項７１記載の記憶装置。
（９６）相互誘導作用により結合する２個のコイルの一
方を他方のコイルから相対的に回転させることにより、
記憶情報のアクセス位置に移動することを特徴とする請
求項７１記載の記憶装置。
（９７）回路に加える電気的エネルギーとして周期的に
変化する交流を加えることを特徴とする請求項７１記載
の記憶装置。
（９８）回路に加える電気的エネルギーとして準周期的
に変化する交流を加えることを特徴とする請求項７１記
載の記憶装置。
（９９）回路に加える電気的エネルギーとして周期的に
変化するパルスを加えることを特徴とする請求項７１記
載の記憶装置。
（１００）回路に加える電気的エネルギーとして準周期
的に変化するパルスを加えることを特徴とする請求項７
１記載の記憶装置。
（１０１）電気的エネルギーを加える回路と電気的エネ
ルギーを検出する回路とをスイッチで切り換えることを
特徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（１０２）電気的エネルギーを加える回路と電気的エネ
ルギーを検出する回路とをアナログスイッチで切り換え
ることを特徴とする請求項１０１記載の記憶装置。
（１０３）電気的エネルギーを加える回路と電気的エネ
ルギーを検出する回路とをスイッチで切り換える際に、
コイルに電気的エネルギーが残存しない位相で行うこと
を特徴とする請求項１０１記載の記憶装置。
（１０４）電気的エネルギーを加える回路と電気的エネ
ルギーを検出する回路とをスイッチで切り換える際に、
コイルに残存する電気的エネルギーを吸収するキャパシ
タを用いることを特徴とする請求項７１記載の記憶装置
。
（１０５）一方のコイルに空心コイルを用いることを特
徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（１０６）他方のコイルに空心コイルを用いることを特
徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（１０７）一方のコイルに磁性材料を用いることを特徴
とする請求項７１記載の記憶装置。
（１０８）他方のコイルに磁性材料を用いることを特徴
とする請求項７１記載の記憶装置。
（１０９）電気的エネルギーを加えるコイルの巻き方向
を変えることにより情報を記憶することを特徴とする請
求項７１記載の記憶装置。
（１１０）電気的エネルギーを加えるコイルの両側に検
出コイルを配置したことを特徴とする請求項７１記載の
記憶装置。
（１１１）電気的エネルギーを加えるコイルに超電導体
を用いることを特徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（１１２）検出コイルに超電導体を用いることを特徴と
する請求項７１記載の記憶装置。
（１１３）電気的エネルギーが加えられる回路にＥＰＲ
ＯＭ（電気的にプログラムが可能である読み出し専用メ
モリ）を用いたことを特徴とする請求項７１記載の記憶
装置。
（１１４）電気的エネルギーが加えられる回路にＥＥＰ
ＲＯＭ（電気的に消去可能でプログラムも可能である読
み出し専用メモリ）を用いたことを特徴とする請求項７
１記載の記憶装置。
（１１５）複数個の記憶セルによつて構成することを特
徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（１１６）電気的エネルギーを供給する回路をガリウム
ひ素を用いて構成することを特徴とする請求項７１記載
の記憶装置。
（１１７）共振回路をガリウムひ素を用いて構成するこ
とを特徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（１１８）電気的エネルギーを供給する回路をバイポー
ラトランジスタを用いて構成することを特徴とする請求
項７１記載の記憶装置。
（１１９）共振回路をバイポーラトランジスタを用いて
構成することを特徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（１２０）電気的エネルギーを供給する回路をＭＯＳ型
の電界効果トランジスタを用いて構成することを特徴と
する請求項７１記載の記憶装置。
（１２１）共振回路をＭＯＳ型の電界効果にトランジス
タを用いて構成することを特徴とする請求項７１記載の
記憶装置。
（１２２）相互誘導により結合するコイルをコンタクト
孔と集積回路パターンとを用いて構成することを特徴と
する請求項７１記載の記憶装置。
（１２３）相互誘導を発生するために複数個の基板の位
置を変化させる機構を有することを特徴とする請求項７
１記載の記憶装置。
（１２４）書き込み機能と読みだし機能とを分離したこ
とを特徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（１２５）アドレスデコーダにより記憶セルを選択する
ことを特徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（１２６）アドレスデコーダにより複数個の記憶セルを
選択することを特徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（１２７）論理状態を識別するためのコンパレータを有
することを特徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（１２８）論理状態を識別するためのセンスアンプを有
することを特徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（１２９）論理状態を識別するためのピーク検出回路を
有することを特徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（１３０）論理状態を識別するための整流素子を有する
ことを特徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（１３１）複数個の記憶セルの論理状態をほとんど同時
に変えるための駆動電気回路を有することを特徴とする
請求項７１記載の記憶装置。
（１３２）金属線でコイルを構成することを特徴とする
請求項７１記載の記憶装置。
（１３３）ポリシリコンでコイルを構成することを特徴
とする請求項７１記載の記憶装置。
（１３４）電気的エネルギーを加える回路のみを別の基
板に搭載したことを特徴とする請求項７１記載の記憶装
置。
（１３５）電気的エネルギーを加える回路をハイブリッ
ド回路で構成したことを特徴とする請求項７１記載の記
憶装置。
（１３６）検出回路を別の基板に搭載したことを特徴と
する請求項７１記載の記憶装置。
（１３７）検出回路をハイブリッド回路で構成したこと
を特徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（１３８）記憶セルをハイブリッド回路で構成したこと
を特徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（１３９）ピーク検出回路をハイブリッド回路で構成し
たことを特徴とする請求項７１記載の記憶装置。
（１４０）論理状態を識別するための整流素子をハイブ
リッド回路で構成したことを特徴とする請求項７１記載
の記憶装置。
（１４１）誘導成分を含む回路により共振回路を構成す
る状態と共振回路を構成しない状態とに切り分けて情報
を記憶することを特徴とする記憶方法。
（１４２）前記誘導成分を含む回路にトランジスタ、ダ
イオード等のスイッチング手段を直列又は並列に接続し
、該スイッチング手段の導通／非導通により、共振回路を
構成する状態と共振回路を構成しない状態とを切り分け
ることを特徴とする請求項１４１記載の記憶方法。
（１４３）誘導成分を含む回路を共振回路を構成する状
態と共振回路を構成しない状態に切り分けることにより
記憶された情報を読み出す記憶情報読出方法であつて、前記誘導成分と相互誘導作用により結合した他の誘導成
分に電気的にエネルギーを加えて、該供給エネルギーの
変化を検出することにより、前記記憶された情報を読み出すことを特徴とする
記憶情報読出方法。
（１４４）相互誘導作用により結合した複数の誘導成分
の内、一方の誘導成分が共振回路を構成する状態と共振
回路を構成しない状態とを用いて情報を記憶し、他方の誘導成分に電気的にエネルギーを加えて、前記共
振回路を構成する状態と共振回路を構成しない状態とに
対応した前記供給エネルギーの変化を検出することによ
り、前記記憶された情報を読み出すことを特徴とする記
憶方法。
（１４５）誘導成分と、該誘導成分と共振回路を構成可能な成分とを備えること
を特徴とする記憶素子。
（１４６）前記誘導成分を含む回路に接続されて、導通
／非導通により前記共振回路の構成／非構成を切り換え
るダイオード、トランジスタ等の切換手段を更に備える
ことを特徴とする請求項１４５記載の記憶素子。
（１４７）複数の誘導成分と、該複数の誘導成分のそれぞれと共振回路を構成可能な複
数の成分とを備えることを特徴とする記憶媒体。
（１４８）前記複数の誘導成分を含む回路にそれぞれ接
続されて、導通／非導通により前記各共振回路の構成／
非構成を切り換えるダイオード、トランジスタ等の複数
の切換手段を更に備えることを特徴とする請求項１４７
記載の記憶媒体。
（１４９）誘導成分と、該誘導成分に電気的にエネルギーを加えるエネルギー供給手段と、該供給エネルギーの変化を検知する検知手段とを備える
ことを特徴とする記憶情報読出装置。
（１５０）前記検知手段は、前記誘導成分とは別の誘導
成分を有することを特徴とする請求項１４９項記載の記
憶情報読出装置。
（１５１）前記誘導成分と前記エネルギー供給手段及び
前記検知手段との接続を切り換える切換手段を更に備え
ることを特徴とする請求項１４９記載の記憶情報読出装
置。
（１５２）誘導成分が共振回路を構成する状態と共振回
路を構成しない状態とにより情報を記憶する記憶手段と
、前記誘導成分と相互誘導作用により結合した他の誘導成
分に電気的にエネルギーを加えるエネルギー供給手段と
、前記エネルギーの変化を検出する検出手段とを備えるこ
とを特徴とする記憶装置。
（１５３）前記記憶手段と前記エネルギー供給手段及び
検出手段とを相対的に移動する移動手段を更に備えるこ
とを特徴とする請求項１５２記載の記憶装置。
（１５４）誘導成分と該誘導成分と共振回路を構成可能
な所定成分とからなる回路を作成する工程と、該回路に直列又は並列にダイオード、トランジスタ等の
切換素子を接続する工程と、前記切換素子を記憶情報に対応して、導通あるいは非導
通に切換える工程とを備えることを特徴とする記憶素子
の製造方法。
（１５５）複数の誘導成分と該誘導成分と共振回路を構
成可能な複数の所定成分とからなる複数の回路を作成す
る工程と、該複数の回路に直列又は並列にダイオード、トランジス
タ等の複数の切換素子を接続する工程と、前記複数の切換素子を記憶情報に対応して、導通あるい
は非導通に切換える工程とを備えることを特徴とする記
憶媒体の製造方法。
（１５６）誘導成分を所定のマスクパターンで作成する
工程と、前記誘導成分と共振回路を構成可能な成分を、記憶情報
に対応して共振回路を構成する部分と共振回路を構成し
ない部分とを生成するマスクパターンで作成する工程と
を備えることを特徴とする記憶媒体の製造方法。
（１５７）前記誘導成分をコンタクト孔とパターンとで
構成することを特徴とする請求項１５６記載の記憶媒体
の製造方法。