JPH02252687A - 単結晶引上装置におけるアイソレーションバルブ - Google Patents
単結晶引上装置におけるアイソレーションバルブInfo
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- JPH02252687A JPH02252687A JP1070692A JP7069289A JPH02252687A JP H02252687 A JPH02252687 A JP H02252687A JP 1070692 A JP1070692 A JP 1070692A JP 7069289 A JP7069289 A JP 7069289A JP H02252687 A JPH02252687 A JP H02252687A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S251/00—Valves and valve actuation
- Y10S251/90—Valves with o-rings
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Sliding Valves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、単結晶引上装置においてチャンバーの上端開
口部を開閉するためのアイソレーションバルブに関する
。
口部を開閉するためのアイソレーションバルブに関する
。
(従来の技術)
単結晶引上装置は、CZ法(Czochra l5ki
法)によつて多結晶融液から単結晶棒を引き上げるもの
であって、これはチャンバー内に、結晶原料を収容する
ルツボ、該ルツボの周囲に配されるヒータ、該ヒータの
周囲に配される断熱材等を収納して構成され、チャンバ
ーの上端には引き上げられた単結晶棒を取り出すための
プルチャンバーが接続されている。そして、チャンバー
の上端部とプルチャンバーとの間には、チャンバーの上
端開口部を開閉するアイソレーションバルブが設けられ
ている。
法)によつて多結晶融液から単結晶棒を引き上げるもの
であって、これはチャンバー内に、結晶原料を収容する
ルツボ、該ルツボの周囲に配されるヒータ、該ヒータの
周囲に配される断熱材等を収納して構成され、チャンバ
ーの上端には引き上げられた単結晶棒を取り出すための
プルチャンバーが接続されている。そして、チャンバー
の上端部とプルチャンバーとの間には、チャンバーの上
端開口部を開閉するアイソレーションバルブが設けられ
ている。
ところで、当該単結晶引上装置においては、例えば融液
と石英ルツボとの反応によって生じたシリコン酸化物の
炉内析出と、この落下による単結晶の乱れを防止するこ
と、及び不活性ガスの節約のため、単結晶の引き上げは
減圧状態の不活性ガス雰囲気中で行なわれ、従って、引
上げ時においてはアイソレーションバルブは開状態にあ
って、チャンバー及びプルチャンバー内は減圧状態に保
たれ、Arガス等の不活性ガスで満たされている。
と石英ルツボとの反応によって生じたシリコン酸化物の
炉内析出と、この落下による単結晶の乱れを防止するこ
と、及び不活性ガスの節約のため、単結晶の引き上げは
減圧状態の不活性ガス雰囲気中で行なわれ、従って、引
上げ時においてはアイソレーションバルブは開状態にあ
って、チャンバー及びプルチャンバー内は減圧状態に保
たれ、Arガス等の不活性ガスで満たされている。
而して、該引上装置によつて引き上げられた単結晶棒は
、プルチャンバーの扉を開けてここから取り出されるが
、この際チャンバー内の加熱状態は継続されたまま行な
われることがあり、このときにはアイソレーションバル
ブは閉じられており、従って、チャンバー内は引上時と
同様の減圧状態の不活性ガス雰囲気に保たれているか、
プルチャンバーは大気状態となる。
、プルチャンバーの扉を開けてここから取り出されるが
、この際チャンバー内の加熱状態は継続されたまま行な
われることがあり、このときにはアイソレーションバル
ブは閉じられており、従って、チャンバー内は引上時と
同様の減圧状態の不活性ガス雰囲気に保たれているか、
プルチャンバーは大気状態となる。
そこで、引き上げを再開する前にプルチャンバー内の空
気を減圧下の不活性ガスで置換する作業か必要となるが
、このガス置換作業は次の手順でなされる。即ち、プル
チャンバーの盾を閉じた後、該プルチャンバー内を内圧
が例えばO,1mbar(絶対圧力)になるまて真空引
きし、このプルチャンバー内に不活性ガスを封入して内
圧を例えば200+nbarに保つ、この作業を2〜5
回繰り返してプルチャンバー内の空気を不活性ガスで置
換し、プルチャンバーの内圧をチャンバーの内圧(例え
ば、100mbar)に等しく保った後、アイソレーシ
ョンバルブを開くと、チャンバー及びプルチャンバー内
は再び所定の減圧状態(100mbarの圧力状りの不
活性ガス雰囲気で満たされ、単結晶の引き」二げが可能
となる。
気を減圧下の不活性ガスで置換する作業か必要となるが
、このガス置換作業は次の手順でなされる。即ち、プル
チャンバーの盾を閉じた後、該プルチャンバー内を内圧
が例えばO,1mbar(絶対圧力)になるまて真空引
きし、このプルチャンバー内に不活性ガスを封入して内
圧を例えば200+nbarに保つ、この作業を2〜5
回繰り返してプルチャンバー内の空気を不活性ガスで置
換し、プルチャンバーの内圧をチャンバーの内圧(例え
ば、100mbar)に等しく保った後、アイソレーシ
ョンバルブを開くと、チャンバー及びプルチャンバー内
は再び所定の減圧状態(100mbarの圧力状りの不
活性ガス雰囲気で満たされ、単結晶の引き」二げが可能
となる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、従来のアイソレーションバルブにおいて
は、第6図(a)、(b)に示すように閉時のシャッタ
ー115とチャンバー開口部102aとの間のシールは
、チャンバー開口部102aの上端に設けられたOリン
グ等のシールリング117又はシャッター115の下面
に設けられたシールリング117によってなされていた
が、シャッター115は下方向に例えば60Kg/ c
m ”の圧力で押えられており、前記ガス置換作業に
おいてチャンバーの内圧がプルチャンバーのそれより大
きくなると、シャッター115が上方の力を受けて図示
のように持ち」二がり、チャンバー内の不活性ガスの漏
れが生じてチャンバー内圧の異常低下か起き、更にプル
チャンバー内の置換途中のガスが逆拡散してチャンバー
内を汚染する。因に、前記数値例ては、図示の直径dコ
250mmの場合にはシャッター115に作用する上方
の力Fは49kgとなる。
は、第6図(a)、(b)に示すように閉時のシャッタ
ー115とチャンバー開口部102aとの間のシールは
、チャンバー開口部102aの上端に設けられたOリン
グ等のシールリング117又はシャッター115の下面
に設けられたシールリング117によってなされていた
が、シャッター115は下方向に例えば60Kg/ c
m ”の圧力で押えられており、前記ガス置換作業に
おいてチャンバーの内圧がプルチャンバーのそれより大
きくなると、シャッター115が上方の力を受けて図示
のように持ち」二がり、チャンバー内の不活性ガスの漏
れが生じてチャンバー内圧の異常低下か起き、更にプル
チャンバー内の置換途中のガスが逆拡散してチャンバー
内を汚染する。因に、前記数値例ては、図示の直径dコ
250mmの場合にはシャッター115に作用する上方
の力Fは49kgとなる。
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的と
する処は、チャンバー内のガスの漏れを防いでチャンバ
ー内圧の異常低下や内部雰囲気の空気汚染を防ぐことが
できる単結晶引上装置におけるアイソレーションバルブ
を提供するにある。
する処は、チャンバー内のガスの漏れを防いでチャンバ
ー内圧の異常低下や内部雰囲気の空気汚染を防ぐことが
できる単結晶引上装置におけるアイソレーションバルブ
を提供するにある。
(課題を解決するための手段)
上記問題を達成すべく本発明は、単結晶引上装置のチャ
ンバーの上端開口部を該開口部に対して接離するシャッ
ターにて開閉し、閉時には該シャッターをシールリング
を介してチャンバーの上端開口部に気密に被着せしめる
単結晶用」二装置のアイソレーションバルブにおいて、
前記シャッターな逆皿状とするとともに、該シャッター
の内周部又は前記チャンバーの上端開口部外周に前記シ
ールリングを設けたことを特徴とする。
ンバーの上端開口部を該開口部に対して接離するシャッ
ターにて開閉し、閉時には該シャッターをシールリング
を介してチャンバーの上端開口部に気密に被着せしめる
単結晶用」二装置のアイソレーションバルブにおいて、
前記シャッターな逆皿状とするとともに、該シャッター
の内周部又は前記チャンバーの上端開口部外周に前記シ
ールリングを設けたことを特徴とする。
(作用)
本発明に係るアイソレーションバルブは所謂サイドシー
ル方式を採るため、チャンバーの内圧がプルチャンバー
のそれより大きくなってシャッターが多少持ち上がって
も、該バルブのシール機能が損なわれることがなく、ガ
スの逆流によるチャンバー内圧の異常低下や内部雰囲気
の空気による汚染が効果的に防がれる。
ル方式を採るため、チャンバーの内圧がプルチャンバー
のそれより大きくなってシャッターが多少持ち上がって
も、該バルブのシール機能が損なわれることがなく、ガ
スの逆流によるチャンバー内圧の異常低下や内部雰囲気
の空気による汚染が効果的に防がれる。
(実施例)
以下に本発明の一実施例を添付図面に基づいて説明する
。
。
第1図は本発明に係るアイソレーションバルブの側断面
図、第2図は同バルブの平面図、第3図は閉状態を示す
第1図A部の拡大図、第4図は単結晶引上装置の縦断面
図である。
図、第2図は同バルブの平面図、第3図は閉状態を示す
第1図A部の拡大図、第4図は単結晶引上装置の縦断面
図である。
先ず、第4図に基づいて単結晶引上装置llの既略構成
を説明するに、図中、2はステンレス製円筒から成るチ
ャンバー(メインチャンバー)であフて、これの内部に
は石英製のルツボ3が支持軸4上に載置されて収納され
ている。又、このチャンハー2内の上記ルツボ3の周囲
には、炭素材から成る円筒状のヒータ5か配され、この
ヒータ5の周囲には同じく炭素材から成る円筒状の断熱
部材6が配されている。
を説明するに、図中、2はステンレス製円筒から成るチ
ャンバー(メインチャンバー)であフて、これの内部に
は石英製のルツボ3が支持軸4上に載置されて収納され
ている。又、このチャンハー2内の上記ルツボ3の周囲
には、炭素材から成る円筒状のヒータ5か配され、この
ヒータ5の周囲には同じく炭素材から成る円筒状の断熱
部材6が配されている。
ところで、上記チャンバー2の上端開口部2aには、該
開口部2aを開閉すべきアイソレーションバルブエ0か
設けられており、該アイソレーションバルブ10の上方
にはステンレス製円筒から成るプルチャンバ−7がチャ
ンバー2の開口部2aと同心的に起立して設りられてい
る。尚、このプルチャンバー7の側部には開閉扉8が設
けられている。
開口部2aを開閉すべきアイソレーションバルブエ0か
設けられており、該アイソレーションバルブ10の上方
にはステンレス製円筒から成るプルチャンバ−7がチャ
ンバー2の開口部2aと同心的に起立して設りられてい
る。尚、このプルチャンバー7の側部には開閉扉8が設
けられている。
ここで、上記アイソレーションバルブ10の構成の詳細
を第1図及び第2図に基づいて説明する。
を第1図及び第2図に基づいて説明する。
第1図中、9は前記チャンバー2の」二端開ロ部2a(
第4図参照)の上端に結着されたフランジであって、該
フランジ9にはアイソレーションバルブlOのボックス
状の本体11が取り付けられている。そして、この本体
11の上面には、フランジ12が前記フランジ9の上方
にこれと同心的に設けられており、該フランジ12に前
記プルチャンバー7(第4図参照)の下端部が結着され
ている。
第4図参照)の上端に結着されたフランジであって、該
フランジ9にはアイソレーションバルブlOのボックス
状の本体11が取り付けられている。そして、この本体
11の上面には、フランジ12が前記フランジ9の上方
にこれと同心的に設けられており、該フランジ12に前
記プルチャンバー7(第4図参照)の下端部が結着され
ている。
又、本体11には軸13か上下動、且つ回動自在に挿通
しており、この軸13の中間部には、本体11内に収納
されるアーム部材14の一端が該軸13と一体に回動す
べく結着されており、同アーム部材14の他端の下面に
は逆皿状に成形されたシャッター15がボルト16・・
・にて取付支持されている。
しており、この軸13の中間部には、本体11内に収納
されるアーム部材14の一端が該軸13と一体に回動す
べく結着されており、同アーム部材14の他端の下面に
は逆皿状に成形されたシャッター15がボルト16・・
・にて取付支持されている。
ところで、上記シャッター15は後述のように第1図に
示す状態から下動してチャンバー2の上端開口部2a(
フランジ9の開口部)を閉しるが、このとき該シャッタ
ー15の下端外周にリング状に成形された鍔部15.b
は第3図に示すようにフランジ9の段部外周9bにリン
グ状に成形された溝90に嵌め込まれたフッ素ゴム製の
0リング17を押し潰し、このOリング17によって該
シャッター15のシール機能か果たされる。尚、シャッ
ター15の鍔部15bの内周端縁15cは面取りされて
おり、この面取りによってOリング17が損傷を免れる
。
示す状態から下動してチャンバー2の上端開口部2a(
フランジ9の開口部)を閉しるが、このとき該シャッタ
ー15の下端外周にリング状に成形された鍔部15.b
は第3図に示すようにフランジ9の段部外周9bにリン
グ状に成形された溝90に嵌め込まれたフッ素ゴム製の
0リング17を押し潰し、このOリング17によって該
シャッター15のシール機能か果たされる。尚、シャッ
ター15の鍔部15bの内周端縁15cは面取りされて
おり、この面取りによってOリング17が損傷を免れる
。
又、前記軸13の上方にはエアシリンダ18が本体ll
上に円筒状の台19を介して固設されており、該エアシ
リンダ18から下方へ延出するロット18aは軸13に
連結されている。そして該ロット18aにはレバー20
の一端か連結されている。尚、前記台19にはレバー2
0の回動及び上下動を許容する切欠き19aか形成され
ている。
上に円筒状の台19を介して固設されており、該エアシ
リンダ18から下方へ延出するロット18aは軸13に
連結されている。そして該ロット18aにはレバー20
の一端か連結されている。尚、前記台19にはレバー2
0の回動及び上下動を許容する切欠き19aか形成され
ている。
更に、本体11の側端には、第2図に示すように開状態
にある前記シャ・ンター15(同図中、鎖線にて示す)
を収容すべきカバー21が結着されている。
にある前記シャ・ンター15(同図中、鎖線にて示す)
を収容すべきカバー21が結着されている。
次に、本アイソレーションバルブ10の作用を説明する
。
。
第1図に示すシャッター15がフランジ9から離れて浮
いた状態からレバー20を第2図の破線矢印方向に回動
せしめれば、軸13はアーム部材14及びシャッター1
5と共に破線矢印方向に回動し、シャッター15は第2
図中、鎖線位置に退避してカバー21内に収容され、チ
ャンバー2の上端開口部2aを開く。
いた状態からレバー20を第2図の破線矢印方向に回動
せしめれば、軸13はアーム部材14及びシャッター1
5と共に破線矢印方向に回動し、シャッター15は第2
図中、鎖線位置に退避してカバー21内に収容され、チ
ャンバー2の上端開口部2aを開く。
上記のようにアイソレーションバルブlOか開いた状態
ではw44図に示すチャンバー2とプルチャンバー7と
は連通状態にあり、これらチャンバー2.7はArガス
で満たされ、内圧100mbarの減圧状態に保たれて
いる。
ではw44図に示すチャンバー2とプルチャンバー7と
は連通状態にあり、これらチャンバー2.7はArガス
で満たされ、内圧100mbarの減圧状態に保たれて
いる。
而して、上記状態の下でヒータ5によってルツボ3内に
収容された多結晶原料を溶融し、この溶融された原料に
上方から回転自在に吊下された種結晶を浸して引き上げ
ることによつて第4図に鎖線に′て示す単結晶棒Wが引
き上げられる。そして、この引き上げられた単結晶棒W
はプルチャンバー7内から外へ取り出されるか、取り出
し前に先ずアイソレーションバルブ10か閉じられ、チ
ャンバー2とプルチャンバー7との連通が遮断される。
収容された多結晶原料を溶融し、この溶融された原料に
上方から回転自在に吊下された種結晶を浸して引き上げ
ることによつて第4図に鎖線に′て示す単結晶棒Wが引
き上げられる。そして、この引き上げられた単結晶棒W
はプルチャンバー7内から外へ取り出されるか、取り出
し前に先ずアイソレーションバルブ10か閉じられ、チ
ャンバー2とプルチャンバー7との連通が遮断される。
ここで、アイソレーションバルブ10の閉じ動作を第1
図及び第2図に基づいて説明するに、第2図の鎖線位置
にあるレバー20を実線矢印方向に回動せしめてこわを
元の実線位ηに戻すと、軸13はアーム部材14及びシ
ャッター15と共に実線矢印方向に回動し、この結果、
アーム部材14とシャッター15は実線位置に戻り、こ
のとき第1図に示すようにシャッター15はフランジ9
の真上に位置し、該フランジ9から離れて浮いた状態で
待機している。
図及び第2図に基づいて説明するに、第2図の鎖線位置
にあるレバー20を実線矢印方向に回動せしめてこわを
元の実線位ηに戻すと、軸13はアーム部材14及びシ
ャッター15と共に実線矢印方向に回動し、この結果、
アーム部材14とシャッター15は実線位置に戻り、こ
のとき第1図に示すようにシャッター15はフランジ9
の真上に位置し、該フランジ9から離れて浮いた状態で
待機している。
上記状態においてエアシリンダ18を駆動してこれのロ
ッド18aを第1図の実線矢印方向へ下動せしめると、
軸13はレバー20、アーム部材14及びシャッター1
5と共に一体に下動し、チャンバー2の上端開口部2a
(フランジ9の開口部)はシャッター15によって閉じ
られる。このとき、前述のようにシャッター15の鍔部
15 bはOリング17を押し潰すため(第3図参照)
、このOリング17によって所謂サイドシール機能が果
たされ、該アイソレーションバルブ10からのArガス
の漏れが確実に防がれる。
ッド18aを第1図の実線矢印方向へ下動せしめると、
軸13はレバー20、アーム部材14及びシャッター1
5と共に一体に下動し、チャンバー2の上端開口部2a
(フランジ9の開口部)はシャッター15によって閉じ
られる。このとき、前述のようにシャッター15の鍔部
15 bはOリング17を押し潰すため(第3図参照)
、このOリング17によって所謂サイドシール機能が果
たされ、該アイソレーションバルブ10からのArガス
の漏れが確実に防がれる。
斯くてアイソレージ3ンバルブ10を閉じた後、第4図
に示す開閉扉8を開いて引き上げられた単結晶棒Wを取
り出すが、開閉扉8を開くとプルチャンバー7内は大気
状態に保たれる。尚、チャンバー2内は引き上げ時と同
じ状態に保たれている。
に示す開閉扉8を開いて引き上げられた単結晶棒Wを取
り出すが、開閉扉8を開くとプルチャンバー7内は大気
状態に保たれる。尚、チャンバー2内は引き上げ時と同
じ状態に保たれている。
その後、当該引上装置1にて引き上げを再開するには、
前述のガス置換作業が必要であるが、この作業の過程で
チャンバー2の内圧(200mba r)がプルチャン
バー7の内圧(0,1rrmbar)を超え、アイソレ
ーションバルブlOのシャッター15が第3図に鎖線に
て示すように幾分持ち上がっても、Oリング17は依然
としてシャッター鍔部15bの内周に密着してシール機
能を果たしているため、チャンバー2内のArガスがプ
ルチャンバー7側へ漏出することがなく、ガスの置換作
業が効率良くなされる。
前述のガス置換作業が必要であるが、この作業の過程で
チャンバー2の内圧(200mba r)がプルチャン
バー7の内圧(0,1rrmbar)を超え、アイソレ
ーションバルブlOのシャッター15が第3図に鎖線に
て示すように幾分持ち上がっても、Oリング17は依然
としてシャッター鍔部15bの内周に密着してシール機
能を果たしているため、チャンバー2内のArガスがプ
ルチャンバー7側へ漏出することがなく、ガスの置換作
業が効率良くなされる。
ガス置換作業が終了すると、アイソレーションバルブ1
0が開かれてチャンバー2とプルチャンバー7とが相連
通せしめられるが、アイソレーションバルブ10の開動
作は次のようになされるや即ち、エアシリンダ18が駆
動されてこれのロッド18aが第1図の破線矢印方向に
上動せしめられると、軸13がレバー20、アーム部材
14及びシャッター14と共に一体に押し上げられるた
め、シャッター15は第1図に示すようにフランジ9か
ら離れて浮いた状態となる。そして、この状態からレバ
ー20を前述のように第2図の破線矢印方向に回動させ
れば、シャッター15か第1図の鎖線位置に退避してカ
バー21内に収容され、この結果、チャンバー開口部2
aが完全に開かれる。
0が開かれてチャンバー2とプルチャンバー7とが相連
通せしめられるが、アイソレーションバルブ10の開動
作は次のようになされるや即ち、エアシリンダ18が駆
動されてこれのロッド18aが第1図の破線矢印方向に
上動せしめられると、軸13がレバー20、アーム部材
14及びシャッター14と共に一体に押し上げられるた
め、シャッター15は第1図に示すようにフランジ9か
ら離れて浮いた状態となる。そして、この状態からレバ
ー20を前述のように第2図の破線矢印方向に回動させ
れば、シャッター15か第1図の鎖線位置に退避してカ
バー21内に収容され、この結果、チャンバー開口部2
aが完全に開かれる。
尚、以上の実施例では0リング17をフランジ9側に設
けたが、第5図に示すようにこれをシャッター15側(
正確には、鍔部15bの内周)に設けても当該アイソレ
ーションバルブlOのサイドシール機能は維持されるこ
とは勿論である。
けたが、第5図に示すようにこれをシャッター15側(
正確には、鍔部15bの内周)に設けても当該アイソレ
ーションバルブlOのサイドシール機能は維持されるこ
とは勿論である。
(発明の効果)
以上の説明で明らかな如く本発明によれば、単結晶引上
装置におけるアイソレーションバルブにサイドシール方
式を採用したため、チャンバーの内圧がプルチャンバー
のそれより大きくなってシャッターが多少持ち上がって
も、該バルブのシール機能が損なわれることがなく、チ
ャンバー内のガスの漏れが確実に防がれ、チャンバー内
圧の異常低下や内部雰囲気の空気汚染が防がれるという
効果が得られる。
装置におけるアイソレーションバルブにサイドシール方
式を採用したため、チャンバーの内圧がプルチャンバー
のそれより大きくなってシャッターが多少持ち上がって
も、該バルブのシール機能が損なわれることがなく、チ
ャンバー内のガスの漏れが確実に防がれ、チャンバー内
圧の異常低下や内部雰囲気の空気汚染が防がれるという
効果が得られる。
wIJ1図は本発明に係るアイソレーションバルブの側
断面図、第2図は同バルブの平面図、第3図は閉状態を
示す第1図A部の拡大図、第4図は単結晶引上装置の縦
断面図、第5図はシール構造の別実施例を示す!$3図
と同様の図、第6図(a)、(b)は従来のシール方式
を示す部分断面図である。 1・・・単結晶引上装置、2・・・チャンバー、2a・
・・チャンバー開口部、lO・・・アイソレーションバ
ルブ、15−・・シャッター、15b・・・シャッター
鍔部(シャッター内周部)、17・・・0リング(シー
ルリング)゛。
断面図、第2図は同バルブの平面図、第3図は閉状態を
示す第1図A部の拡大図、第4図は単結晶引上装置の縦
断面図、第5図はシール構造の別実施例を示す!$3図
と同様の図、第6図(a)、(b)は従来のシール方式
を示す部分断面図である。 1・・・単結晶引上装置、2・・・チャンバー、2a・
・・チャンバー開口部、lO・・・アイソレーションバ
ルブ、15−・・シャッター、15b・・・シャッター
鍔部(シャッター内周部)、17・・・0リング(シー
ルリング)゛。
Claims (1)
- 単結晶引上装置のチャンバーの上端開口部を該開口部に
対して接離するシャッターにて開閉し、閉時には該シャ
ッターをシールリングを介してチャンバーの上端開口部
に気密に被着せしめる単結晶引上装置のアイソレーショ
ンバルブにおいて、前記シャッターを逆皿状とするとと
もに、該シャッターの内周部又は前記チャンバーの上端
開口部外周に前記シールリングを設けたことを特徴とす
る単結晶引上装置におけるアイソレーションバルブ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1070692A JP2628370B2 (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 単結晶引上装置 |
| US07/495,964 US5020775A (en) | 1989-03-24 | 1990-03-20 | Isolation valve used in a single crystal pulling apparatus |
| DE69014223T DE69014223T2 (de) | 1989-03-24 | 1990-03-22 | Abschlussventil für Einkristallziehapparat. |
| EP90303098A EP0389284B1 (en) | 1989-03-24 | 1990-03-22 | An isolation valve used in a single crystal pulling apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1070692A JP2628370B2 (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 単結晶引上装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02252687A true JPH02252687A (ja) | 1990-10-11 |
| JP2628370B2 JP2628370B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=13438947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1070692A Expired - Lifetime JP2628370B2 (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 単結晶引上装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5020775A (ja) |
| EP (1) | EP0389284B1 (ja) |
| JP (1) | JP2628370B2 (ja) |
| DE (1) | DE69014223T2 (ja) |
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- 1990-03-22 EP EP90303098A patent/EP0389284B1/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| DE69014223T2 (de) | 1995-06-22 |
| EP0389284B1 (en) | 1994-11-23 |
| DE69014223D1 (de) | 1995-01-05 |
| EP0389284A3 (en) | 1991-08-28 |
| JP2628370B2 (ja) | 1997-07-09 |
| EP0389284A2 (en) | 1990-09-26 |
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