JPH022534B2 - - Google Patents
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- JPH022534B2 JPH022534B2 JP56097610A JP9761081A JPH022534B2 JP H022534 B2 JPH022534 B2 JP H022534B2 JP 56097610 A JP56097610 A JP 56097610A JP 9761081 A JP9761081 A JP 9761081A JP H022534 B2 JPH022534 B2 JP H022534B2
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- semiconductor
- oxygen
- conductivity
- oxide
- curve
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体がドープした金属酸化物からな
り、その導電率が酸素および被酸化性成分存在す
る際ガス組成とともに連続的に変化し、その際排
ガス全量中の酸素分圧が約1/2けた変化すると導
電率が少なくとも１けた変化する、導電率の変化
により排ガス中の酸素および（または）１酸化炭
素のような被酸化性成分の含量を測定するセンサ
の半導体に関する。
り、その導電率が酸素および被酸化性成分存在す
る際ガス組成とともに連続的に変化し、その際排
ガス全量中の酸素分圧が約1/2けた変化すると導
電率が少なくとも１けた変化する、導電率の変化
により排ガス中の酸素および（または）１酸化炭
素のような被酸化性成分の含量を測定するセンサ
の半導体に関する。
このようなセンサに半導体を使用するための前
提は排ガス中の前記ガスの濃度変化に導電率変化
（△σ）が敏感に応答することである。排ガスは
有害成分として空気不足範囲では主として１酸化
炭素（CO0.4〜８％）、空気過剰範囲では主とし
て酸素（O20.5〜３％）を含み、その際CO含量は
0.03〜１％、NOx含量は1.01＜λ＜1.2で最高0.4
％に達する。
提は排ガス中の前記ガスの濃度変化に導電率変化
（△σ）が敏感に応答することである。排ガスは
有害成分として空気不足範囲では主として１酸化
炭素（CO0.4〜８％）、空気過剰範囲では主とし
て酸素（O20.5〜３％）を含み、その際CO含量は
0.03〜１％、NOx含量は1.01＜λ＜1.2で最高0.4
％に達する。
空気不足範囲でCOの分折は警告信号の前提と
して重要な意義があり、空気過剰範囲でO2濃度
の分析はたとえば家庭用燃焼装置またはできるだ
け空気過剰で作動する内燃機関の制御のために重
要なので、センサのCOおよびO2への応答性が問
題である。
して重要な意義があり、空気過剰範囲でO2濃度
の分析はたとえば家庭用燃焼装置またはできるだ
け空気過剰で作動する内燃機関の制御のために重
要なので、センサのCOおよびO2への応答性が問
題である。
ガス状酸素と半導体酸化物の格子に組込まれた
酸素の平衡に基く導電率変化△σは半導体理論に
よれば △σ〜Po2 ±1/n (1) の式によりｎ４で表わされる。吸着に基く導電
率変化の場合ｎは２になることもあり（−１価の
酸素イオン）、COの場合ｎ２である。これは測
定した導電率（σ）を酸素分圧（po2）に対し両
軸とも対数目盛でプロツトした第１図の曲線１お
よび２から明らかである。曲線１はFeO15モル％
を含むMgO半導体の900℃における関係、曲線２
はCoO10モル％を含むMgO半導体の同様900℃に
おける関係を表わす。曲線１の場合 ｄ logσ／ｄ logPO2＝−１／5.75＝−0.17 の比が得られ、曲線２の場合この比は１／3.5＝
0.29である。これら純粋半導体酸化物の場合それ
ゆえ酸素分圧が約２けた変化する際導電率は約1/
３けた変化する。導電率のこの比較的小さい変化
は実際に排ガス中に生ずる濃度変化内の警告信号
には小さ過ぎ、導電率の温度依存性が小さい場合
またはこの温度依存性が第２の同じセンサによつ
て電気的に補償される場合、大きい電気的測定費
用のもとにのみ使用することができる。この導電
率の差は制御用には不十分である。
酸素の平衡に基く導電率変化△σは半導体理論に
よれば △σ〜Po2 ±1/n (1) の式によりｎ４で表わされる。吸着に基く導電
率変化の場合ｎは２になることもあり（−１価の
酸素イオン）、COの場合ｎ２である。これは測
定した導電率（σ）を酸素分圧（po2）に対し両
軸とも対数目盛でプロツトした第１図の曲線１お
よび２から明らかである。曲線１はFeO15モル％
を含むMgO半導体の900℃における関係、曲線２
はCoO10モル％を含むMgO半導体の同様900℃に
おける関係を表わす。曲線１の場合 ｄ logσ／ｄ logPO2＝−１／5.75＝−0.17 の比が得られ、曲線２の場合この比は１／3.5＝
0.29である。これら純粋半導体酸化物の場合それ
ゆえ酸素分圧が約２けた変化する際導電率は約1/
３けた変化する。導電率のこの比較的小さい変化
は実際に排ガス中に生ずる濃度変化内の警告信号
には小さ過ぎ、導電率の温度依存性が小さい場合
またはこの温度依存性が第２の同じセンサによつ
て電気的に補償される場合、大きい電気的測定費
用のもとにのみ使用することができる。この導電
率の差は制御用には不十分である。
西独公開特許公報第2648373号により酸化マグ
ネシウムまたは５酸化ニオブでドープした２酸化
スズからなるセンサ用半導体が公知である。この
半導体は導電率と酸素分圧のきわめて強い関係を
有するので、この種のセンサの信号は警告または
制御装置でさらに処理することができる。これは
第１図の曲線３にMgO5モル％を含む２酸化スズ
からなるこの種の半導体の例として示される。酸
素分圧が約1/2けた変化すると導電率は約２けた
変化する。これは比 ｄ logσ／ｄ logPo2＝−3.5 によつても表わされる。
ネシウムまたは５酸化ニオブでドープした２酸化
スズからなるセンサ用半導体が公知である。この
半導体は導電率と酸素分圧のきわめて強い関係を
有するので、この種のセンサの信号は警告または
制御装置でさらに処理することができる。これは
第１図の曲線３にMgO5モル％を含む２酸化スズ
からなるこの種の半導体の例として示される。酸
素分圧が約1/2けた変化すると導電率は約２けた
変化する。これは比 ｄ logσ／ｄ logPo2＝−3.5 によつても表わされる。
導電率と酸素分圧のこの関係はもはや(1)式を導
入する半導体理論のみで説明することはできな
い。この場合測定するガス、酸素および被酸化性
ガスたとえば１酸化炭素の濃度変化のアナログ増
幅が生ずる。この増幅は半導体表面の触媒作用を
意図的に低下することにより達成され、この触媒
作用は相当する反応平衡たとえば CO＋１／2O2Co2 (2) の式による平衡がごく遅く調節されるように弱く
なければならず、いずれにせよこの調節は反応成
分たとえばCOおよびO2の吸着平衡の調節より著
しく遅く行われなければならない。これはとくに
種々のガスの吸着もしくは化学吸着の強さが異な
る場合（競合吸着）または固体表面における被吸
着物の解離過程の速度が異なることによりもしく
は反応機構（アングミユアヒンシエルウツド、エ
リー−リデアル）が異なることによつて可能であ
る。したがつて測定信号の前記アナログ増幅はセ
ンサとして使用する半導体の触媒作用を減少する
方向への化学的調製に関係する。それによつて表
面に近い範囲で金属イオンの還元がどの程度行わ
れるかはまだ正確に決定できない。半導体動作と
著しく低下した触媒作用の組合せは半導体の１定
の化学的組成によつて達成され、その際半導体動
作は化学吸着によつても、半導体格子に対する酸
素の離脱および組込みによつても調節することが
できる。
入する半導体理論のみで説明することはできな
い。この場合測定するガス、酸素および被酸化性
ガスたとえば１酸化炭素の濃度変化のアナログ増
幅が生ずる。この増幅は半導体表面の触媒作用を
意図的に低下することにより達成され、この触媒
作用は相当する反応平衡たとえば CO＋１／2O2Co2 (2) の式による平衡がごく遅く調節されるように弱く
なければならず、いずれにせよこの調節は反応成
分たとえばCOおよびO2の吸着平衡の調節より著
しく遅く行われなければならない。これはとくに
種々のガスの吸着もしくは化学吸着の強さが異な
る場合（競合吸着）または固体表面における被吸
着物の解離過程の速度が異なることによりもしく
は反応機構（アングミユアヒンシエルウツド、エ
リー−リデアル）が異なることによつて可能であ
る。したがつて測定信号の前記アナログ増幅はセ
ンサとして使用する半導体の触媒作用を減少する
方向への化学的調製に関係する。それによつて表
面に近い範囲で金属イオンの還元がどの程度行わ
れるかはまだ正確に決定できない。半導体動作と
著しく低下した触媒作用の組合せは半導体の１定
の化学的組成によつて達成され、その際半導体動
作は化学吸着によつても、半導体格子に対する酸
素の離脱および組込みによつても調節することが
できる。
特願昭52−128550号に記載のドープした酸化ス
ズは酸素過剰範囲（λ＞１）では非常に良好に使
用され、すなわち数％の小さい濃度変化が測定さ
れ、またはこの半導体から製造したセンサは十分
に早い応答時間で燃焼過程を制御できるけれど、
その測定可能性は酸素不足範囲へは十分におよば
ず、λ＝１を中心とする全範囲をたとえばMgO
ドープしたCr2O3半導体で生ずるような急変なし
に連続的に検出することができない。
ズは酸素過剰範囲（λ＞１）では非常に良好に使
用され、すなわち数％の小さい濃度変化が測定さ
れ、またはこの半導体から製造したセンサは十分
に早い応答時間で燃焼過程を制御できるけれど、
その測定可能性は酸素不足範囲へは十分におよば
ず、λ＝１を中心とする全範囲をたとえばMgO
ドープしたCr2O3半導体で生ずるような急変なし
に連続的に検出することができない。
本発明による半導体は酸化マグネシウム、酸化
アルミニウム、酸化イツトリウム、２酸化チタ
ン、５酸化タンタル、５酸化ニオブまたは５酸化
バナジウムをドープした２酸化セリウムからなる
ことを特徴とする。この特徴を有する本発明の半
導体の利点はこれから製造したセンサがλ＝0.9
〜1.2の範囲で約４けたにわたつて拡がる連続的
で均一な経過のλ−Ｒ特性を有することである。
電気抵抗と酸素および１酸化炭素濃度の関係は直
線的でないけれど、上昇は連続的に変化するので
較正が容易に可能であり、前記全範囲にわたつて
満足な測定経果が得られる。測定範囲の検出上限
はCO約500ppmである。
アルミニウム、酸化イツトリウム、２酸化チタ
ン、５酸化タンタル、５酸化ニオブまたは５酸化
バナジウムをドープした２酸化セリウムからなる
ことを特徴とする。この特徴を有する本発明の半
導体の利点はこれから製造したセンサがλ＝0.9
〜1.2の範囲で約４けたにわたつて拡がる連続的
で均一な経過のλ−Ｒ特性を有することである。
電気抵抗と酸素および１酸化炭素濃度の関係は直
線的でないけれど、上昇は連続的に変化するので
較正が容易に可能であり、前記全範囲にわたつて
満足な測定経果が得られる。測定範囲の検出上限
はCO約500ppmである。
２酸化セリウムを前記酸化物0.1〜10モル％で
ドープすることにより本発明の半導体はさらに有
利に形成される。
ドープすることにより本発明の半導体はさらに有
利に形成される。
前述のように第１図には種々のタイプの半導体
の導電率と酸素分圧の関係が両軸とも対数目盛で
プロツトして示される。第２図には温度範囲400
〜500℃の種々の半導体の抵抗と酸素または１酸
化炭素含量の関係を示し、抵抗は縦軸に対数目盛
でプロツトされる。横軸に示す範囲はガス室内の
λ値約0.9〜1.2に相当する。
の導電率と酸素分圧の関係が両軸とも対数目盛で
プロツトして示される。第２図には温度範囲400
〜500℃の種々の半導体の抵抗と酸素または１酸
化炭素含量の関係を示し、抵抗は縦軸に対数目盛
でプロツトされる。横軸に示す範囲はガス室内の
λ値約0.9〜1.2に相当する。
半導体の製造は金属塩化物または硝酸塩のほぼ
中性溶液からアンモニアにより金属水酸化物を沈
澱させるように行われる。次にこの水酸化物を灼
熱して酸化物にし、これを微粉に摩砕する。この
粉末をタブレツトに圧縮し、焼結によつて硬化
し、電気的接続リードを備える。または粉末をケ
イ酸塩または高沸点有機混和剤のような無機また
は有機稀釈剤と塗布可能のペーストに混合し、こ
れを酸化アルミニウムからなるセラミツク板のよ
うな不活性支持体へ厚膜または薄膜技術で配置す
る。接触はこの場合、金または白金の導体路によ
り行われる。
中性溶液からアンモニアにより金属水酸化物を沈
澱させるように行われる。次にこの水酸化物を灼
熱して酸化物にし、これを微粉に摩砕する。この
粉末をタブレツトに圧縮し、焼結によつて硬化
し、電気的接続リードを備える。または粉末をケ
イ酸塩または高沸点有機混和剤のような無機また
は有機稀釈剤と塗布可能のペーストに混合し、こ
れを酸化アルミニウムからなるセラミツク板のよ
うな不活性支持体へ厚膜または薄膜技術で配置す
る。接触はこの場合、金または白金の導体路によ
り行われる。
後に半導体センサに成形する粉末は次の方法で
製造する： 例 １ CeCl3・7H2O34.8ｇおよびAlCl3・6H2O0.504
ｇを１の水に溶解し、70〜80℃で撹拌しながら
半濃アンモニア溶液（約50ml）を滴下してPH7
〜7.5で沈澱させる。沈澱後なお２時間80℃で撹
拌する。次に沈降させて傾しやし、水に懸濁さ
せ、遠心分離する。遠心分離したものを150℃で
３時間乾燥し、次に850℃で８時間焼結する。800
℃への加熱時間は４〜５時間である。
製造する： 例 １ CeCl3・7H2O34.8ｇおよびAlCl3・6H2O0.504
ｇを１の水に溶解し、70〜80℃で撹拌しながら
半濃アンモニア溶液（約50ml）を滴下してPH7
〜7.5で沈澱させる。沈澱後なお２時間80℃で撹
拌する。次に沈降させて傾しやし、水に懸濁さ
せ、遠心分離する。遠心分離したものを150℃で
３時間乾燥し、次に850℃で８時間焼結する。800
℃への加熱時間は４〜５時間である。
例 ２
CeCl3・7H2O37.5ｇおよびMgCl2・6H2O0.633
ｇを水１に溶解し、次の例１記載のとおり処理
する。
ｇを水１に溶解し、次の例１記載のとおり処理
する。
２つの例で得た粉末状焼結物から104〜105N／
cm2の圧力でタブレツトを圧縮し、これを1100℃で
12〜24時間空気中で焼結する。接触のためこのタ
ブレツトを２つの金接点の間に圧縮し、その際全
体がホルダ内にあり、このホルダを、安定化され
た２酸化ジルコニウムのようなイオン伝導固体電
解質による公知センサと同様、内燃機関の排気管
または合成排ガスによる試験装置へねじ込む。接
点の間に直流12Vを印加し、電気抵抗を半導体の
導電率の尺度として測定する。
cm2の圧力でタブレツトを圧縮し、これを1100℃で
12〜24時間空気中で焼結する。接触のためこのタ
ブレツトを２つの金接点の間に圧縮し、その際全
体がホルダ内にあり、このホルダを、安定化され
た２酸化ジルコニウムのようなイオン伝導固体電
解質による公知センサと同様、内燃機関の排気管
または合成排ガスによる試験装置へねじ込む。接
点の間に直流12Vを印加し、電気抵抗を半導体の
導電率の尺度として測定する。
例１および２で得た粉末をセンサに加工する他
の方法は粉末を厚膜技術で常用の稀釈剤により支
持板に配置することである。この目的で例１およ
び２で得た粉末をトルオールで練り、これをボー
ルミルで10〜30μｍの粒度に摩砕する。微細に摩
砕した酸化物をさらにトルオールまたは厚膜技術
で常用のテルペンチン油もしくはグリセリンのよ
うな混和剤と撹拌してペーストにし、次に酸化ア
ルミニウムからなる0.6mm×５mm×51mmの寸法の
あらかじめ白金の２つの導体路を厚膜技術で配置
した支持板の１端へ塗布し、その際２つの導体路
は塗布した半導体材料の下で0.02〜２mmの間隔を
有する。塗付した半導体は20〜10000μｍとくに
50〜100μｍの厚さを有する。この材料を1100℃
で６時間焼付け、白金導体路の半導体酸化物で蔽
われない部分は接続リードとして役立つ部分まで
ホウケイ酸塩ガラスで蔽い、900℃で２時間焼付
ける。板の裏面にはジグザグ形の白金導体路から
なる加熱装置を設置することができ、カーボンを
多量に含むガスの場合この加熱導体路を同様ガラ
スで蔽い、カーボン沈積等の際の個個の導体路間
の短絡を防ぐのが有利である。半導体層へ通ずる
２つの導体路へ直流12Vを印加し、この場合も同
様電気抵抗を半導体の導電率の尺度として測定す
る。
の方法は粉末を厚膜技術で常用の稀釈剤により支
持板に配置することである。この目的で例１およ
び２で得た粉末をトルオールで練り、これをボー
ルミルで10〜30μｍの粒度に摩砕する。微細に摩
砕した酸化物をさらにトルオールまたは厚膜技術
で常用のテルペンチン油もしくはグリセリンのよ
うな混和剤と撹拌してペーストにし、次に酸化ア
ルミニウムからなる0.6mm×５mm×51mmの寸法の
あらかじめ白金の２つの導体路を厚膜技術で配置
した支持板の１端へ塗布し、その際２つの導体路
は塗布した半導体材料の下で0.02〜２mmの間隔を
有する。塗付した半導体は20〜10000μｍとくに
50〜100μｍの厚さを有する。この材料を1100℃
で６時間焼付け、白金導体路の半導体酸化物で蔽
われない部分は接続リードとして役立つ部分まで
ホウケイ酸塩ガラスで蔽い、900℃で２時間焼付
ける。板の裏面にはジグザグ形の白金導体路から
なる加熱装置を設置することができ、カーボンを
多量に含むガスの場合この加熱導体路を同様ガラ
スで蔽い、カーボン沈積等の際の個個の導体路間
の短絡を防ぐのが有利である。半導体層へ通ずる
２つの導体路へ直流12Vを印加し、この場合も同
様電気抵抗を半導体の導電率の尺度として測定す
る。
第２図には８つの半導体酸化物について抵抗と
ガス組成の関係が示される。この場合抵抗は縦軸
に対数目盛でプロツトされる。曲線１はMgO0.6
モル％をドープしたCr2O3で得た。これはλ＝１
で大きい抵抗急変を示すけれど、酸素過剰範囲で
はもはや抵抗が変化しない半導体の代表例であ
る。これは常用のポテンシオメータλセンサと同
様の特性である。曲線２はMgO9％をドープした
２酸化スズからなる半導体センサの結果を示す。
この半導体は前記特願昭52−128550号に記載され
るものである。この曲線は酸素不足範囲へ曲線３
および４の場合のように深く拡がらず、さらにλ
＝１の範囲で曲線の上昇が非常に急激であり、酸
素過剰範囲で著しく平らになり、続いて非常に急
激に降下することが明らかである。このような特
性はもちろんλ＝0.90〜1.20の範囲の測定には曲
線の経過が２つの変曲点を有するので不適当であ
る。
ガス組成の関係が示される。この場合抵抗は縦軸
に対数目盛でプロツトされる。曲線１はMgO0.6
モル％をドープしたCr2O3で得た。これはλ＝１
で大きい抵抗急変を示すけれど、酸素過剰範囲で
はもはや抵抗が変化しない半導体の代表例であ
る。これは常用のポテンシオメータλセンサと同
様の特性である。曲線２はMgO9％をドープした
２酸化スズからなる半導体センサの結果を示す。
この半導体は前記特願昭52−128550号に記載され
るものである。この曲線は酸素不足範囲へ曲線３
および４の場合のように深く拡がらず、さらにλ
＝１の範囲で曲線の上昇が非常に急激であり、酸
素過剰範囲で著しく平らになり、続いて非常に急
激に降下することが明らかである。このような特
性はもちろんλ＝0.90〜1.20の範囲の測定には曲
線の経過が２つの変曲点を有するので不適当であ
る。
曲線３および４は本発明によるドープした２酸
化セリウムについて得られ、曲線３の酸化物は
Al2O30.9モル％、曲線４はMgO3モル％をドープ
したものである。２つの曲線は酸素不足範囲へ曲
線２の場合より広く拡がり、さらにその経過は直
線的ではないけれど、この曲線の上昇の変化は１
方向だけに行われ（変曲点なし）、曲線２の場合
よりはるかに緩徐である。それゆえこの半導体は
0.90〜1.20のλ範囲での測定に好適に使用するこ
とができる。
化セリウムについて得られ、曲線３の酸化物は
Al2O30.9モル％、曲線４はMgO3モル％をドープ
したものである。２つの曲線は酸素不足範囲へ曲
線２の場合より広く拡がり、さらにその経過は直
線的ではないけれど、この曲線の上昇の変化は１
方向だけに行われ（変曲点なし）、曲線２の場合
よりはるかに緩徐である。それゆえこの半導体は
0.90〜1.20のλ範囲での測定に好適に使用するこ
とができる。
さらに曲線５はY2O30.3モル％、曲線６は
TiO22モル％、曲線７はTa2O55モル％、曲線８
はV2O55モル％をドープした２酸化セリウムの特
性を示す。いずれも曲線は変曲点なしに上昇し、
λ＝0.90〜1.20の範囲で曲線３および４と同様の
勾配を示す。
TiO22モル％、曲線７はTa2O55モル％、曲線８
はV2O55モル％をドープした２酸化セリウムの特
性を示す。いずれも曲線は変曲点なしに上昇し、
λ＝0.90〜1.20の範囲で曲線３および４と同様の
勾配を示す。
第１図は３つのタイプの半導体の導電率と酸素
分圧の関係を示す図、第２図は本発明の半導体を
含む種々の半導体の抵抗と酸素または１酸化炭素
含量の関係を示す図である。
分圧の関係を示す図、第２図は本発明の半導体を
含む種々の半導体の抵抗と酸素または１酸化炭素
含量の関係を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体がドープした金属酸化物からなり、そ
の導電率が酸素および被酸化性成分が存在する際
ガス組成とともに連続的に変化し、その排ガス全
量中の酸素分圧が約1/2けた変化すると導電率が
少なくとも１けた変化する、導電率の変化により
排ガス中の酸素および（または）１酸化炭素のよ
うな被酸化性成分の含量を測定するセンサの半導
体において、半導体が酸化マグネシウム、酸化ア
ルミニウム、酸化イツトリウム、２酸化チタン、
５酸化タンタル、５酸化ニオブまたは５酸化バナ
ジウムをドープした２酸化セリウムからなること
を特徴とするガス中の酸素および（または）被酸
化性成分の含量を測定するセンサの半導体。 ２ ２酸化セリウムが前記酸化物0.1〜10モル％
でドープされている特許請求の範囲第１項記載の
半導体。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19803024449 DE3024449A1 (de) | 1976-10-26 | 1980-06-28 | Halbleiter fuer sensoren zur bestimmung des gehaltes an sauerstoff und/oder oxydierbaren bestandteilen in gasen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5730938A JPS5730938A (en) | 1982-02-19 |
| JPH022534B2 true JPH022534B2 (ja) | 1990-01-18 |
Family
ID=6105816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9761081A Granted JPS5730938A (en) | 1980-06-28 | 1981-06-25 | Semiconductor of sensor for measuring content of oxygen and/or components prone to be oxidized in gas |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5730938A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5991222A (ja) * | 1982-11-18 | 1984-05-25 | Sekisui Prefab Homes Ltd | ア−スアンカ− |
| JPS5991218A (ja) * | 1982-11-18 | 1984-05-25 | Sekisui Prefab Homes Ltd | ア−スアンカ− |
| JPS5991220A (ja) * | 1982-11-18 | 1984-05-25 | Sekisui Prefab Homes Ltd | 擁壁の補強工法とそれに使用するア−スアンカ− |
| JPS6060634A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-08 | Canon Inc | 画像形成装置 |
| JPH03118459A (ja) * | 1989-09-30 | 1991-05-21 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 排ガスセンサ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5658652A (en) * | 1979-10-18 | 1981-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Sensing element for partial pressure of oxygen |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP9761081A patent/JPS5730938A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5730938A (en) | 1982-02-19 |
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