JPH02254189A - 高純度銅の製造方法 - Google Patents
高純度銅の製造方法Info
- Publication number
- JPH02254189A JPH02254189A JP1077626A JP7762689A JPH02254189A JP H02254189 A JPH02254189 A JP H02254189A JP 1077626 A JP1077626 A JP 1077626A JP 7762689 A JP7762689 A JP 7762689A JP H02254189 A JPH02254189 A JP H02254189A
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- Japan
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- copper
- cathode
- vacuum
- purity
- bath
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- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
Landscapes
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高純度銅、特に純度99.999〜99、99
99 w1%以上の導電特性、軟質、低温軟化特性に優
れた高純度銅の製造方法に関するものである。
99 w1%以上の導電特性、軟質、低温軟化特性に優
れた高純度銅の製造方法に関するものである。
一般に電気銅は純度99.95wt%(以下W1%を%
と略記)以上、通常99.99%で02を100〜50
0ppm含有するタフピッチ銅と、02を5〜20pp
m含有する無酸素銅として利用され、半導体なとのボン
ディングワイヤー、スパッターターゲット、軟質圧延プ
リント配線、オーディオ用線材等に用いられている。
と略記)以上、通常99.99%で02を100〜50
0ppm含有するタフピッチ銅と、02を5〜20pp
m含有する無酸素銅として利用され、半導体なとのボン
ディングワイヤー、スパッターターゲット、軟質圧延プ
リント配線、オーディオ用線材等に用いられている。
これ等は何れも電気分解により粗銅中のPI3゜Sb、
Ni、Bi、As、Fe、Zn等の不純物を高い精錬効
率で分離したもので、通常鋼より責なAgや卑である前
記不純物の外に、S。
Ni、Bi、As、Fe、Zn等の不純物を高い精錬効
率で分離したもので、通常鋼より責なAgや卑である前
記不純物の外に、S。
OlC等が微量臼まれており、これ等不純物は高純度の
特性に有害である。このためより高純度の銅を必要とす
る場合には、ゾーンメルティング、フロートメルティン
グなどの乾式方法が用いられているが、何れも製造コス
トが高い方法である。
特性に有害である。このためより高純度の銅を必要とす
る場合には、ゾーンメルティング、フロートメルティン
グなどの乾式方法が用いられているが、何れも製造コス
トが高い方法である。
高純度銅を得るための上記の方法は、原料銅を高温で繰
り返し何度も溶融凝固を行なうため、熱エネルギーを多
量に消費し、かつ精製速度が低く、また設備費が大きい
ものである。従っ”にれ笠の方法に代る経済的な高純度
銅の精製方法の開発が強く求められている。これに必要
な条件としては、 (1)高純度、即ち純度99.999〜99.9999
%又はこれ以トの純銅を経済的に量産することができる
こと。
り返し何度も溶融凝固を行なうため、熱エネルギーを多
量に消費し、かつ精製速度が低く、また設備費が大きい
ものである。従っ”にれ笠の方法に代る経済的な高純度
銅の精製方法の開発が強く求められている。これに必要
な条件としては、 (1)高純度、即ち純度99.999〜99.9999
%又はこれ以トの純銅を経済的に量産することができる
こと。
(2)高純度銅の特性に有害な不純物、例えばSOCを
効率的に除去できること。
効率的に除去できること。
(3)通常の工業的電解方法及びこれを複数回繰り返し
ても排除できない不純物を能率良く排除できること。
ても排除できない不純物を能率良く排除できること。
このように従来の工業的方法の繰り返しては達せられな
い精錬度が得られることが望まれている。
い精錬度が得られることが望まれている。
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、高純度銅、特に純
度99.999〜99.9999%以上の導電特性、軟
質、低温軟化特性に優れた高純度銅の製造方法を開発し
たもので、塩化第1銅(CuCI2)とアルキルピリジ
ニウムハロゲン化物の有機溶媒浴からなる電解浴中て、
原料となるCuアノードと電析するカソードを対設し。
度99.999〜99.9999%以上の導電特性、軟
質、低温軟化特性に優れた高純度銅の製造方法を開発し
たもので、塩化第1銅(CuCI2)とアルキルピリジ
ニウムハロゲン化物の有機溶媒浴からなる電解浴中て、
原料となるCuアノードと電析するカソードを対設し。
て電解処理した後、電析したカソードCuを真空中で溶
解するか、又は人気中で酸化溶解してから真空中で溶解
することを特徴とするものである。
解するか、又は人気中で酸化溶解してから真空中で溶解
することを特徴とするものである。
即ぢ本発明は、塩化第1銅とアルキルピリジニウムハロ
ゲン化物の有機溶媒浴からなる電解浴を用い、原料とな
るCuアノード中の主とし重金属成分の電解精製を行な
ってカソードCuを得、次いでこれを単に真空中で溶解
するか、あるいは大気中で溶解して酸化処理と還元処理
を行なってから真空中で再溶解することにより、カソー
ドCu中のH,N、 0等のガス成分及びC等の微量不
純物成分を酸化物としてとり除き、5〜6 N (99
,999〜99.9999%)の高純度銅を得るもので
ある。
ゲン化物の有機溶媒浴からなる電解浴を用い、原料とな
るCuアノード中の主とし重金属成分の電解精製を行な
ってカソードCuを得、次いでこれを単に真空中で溶解
するか、あるいは大気中で溶解して酸化処理と還元処理
を行なってから真空中で再溶解することにより、カソー
ドCu中のH,N、 0等のガス成分及びC等の微量不
純物成分を酸化物としてとり除き、5〜6 N (99
,999〜99.9999%)の高純度銅を得るもので
ある。
本発明は電解浴として塩化第1銅(CuCρ)とアルキ
ルピリジニウムハロゲン化物、例えばブチルピリジニウ
ムクロリド(BPC)を含む有機溶媒浴を用い、非酸化
性の雰囲気下で使用することにより、電解浴の作用によ
りアノードCu中のPb、Sn、Ni、S、Zn、Ag
等の重金属成分を十分に精製除去し、カソードCuの純
度を飛躍的に向上し、純度99.999〜99、999
9%の高純度銅が得られる。
ルピリジニウムハロゲン化物、例えばブチルピリジニウ
ムクロリド(BPC)を含む有機溶媒浴を用い、非酸化
性の雰囲気下で使用することにより、電解浴の作用によ
りアノードCu中のPb、Sn、Ni、S、Zn、Ag
等の重金属成分を十分に精製除去し、カソードCuの純
度を飛躍的に向上し、純度99.999〜99、999
9%の高純度銅が得られる。
上記CuC/とBPCの濃度比はモル比て1/4〜4/
1程度が良く、雰囲気ガスとしてN2Ar、He、Co
2等の不活性ガスを用いる。
1程度が良く、雰囲気ガスとしてN2Ar、He、Co
2等の不活性ガスを用いる。
有機溶媒浴としてはヘンゼン、トルエン等の芳香族炭化
水素の1種又は2種以上を配合する。
水素の1種又は2種以上を配合する。
浴温は0〜150℃、電流密度は01〜3OA/dイの
範囲とし、浴の拡拌は浴の強制循環又は機械拡拌等によ
り十分に行なう。また電解浴への外部からの異物の混入
や不純物の蓄積などに対しては多孔質の樹脂膜、濾布、
セラミック板等でアノード室を分離するか、又は電解浴
全体を循環濾過する。またアノード中の不純物レベルか
高い場合や、長時間連続的に電解処理を行なう場合には
、電解浴量を増加するか、その一部を連続的に電解処理
と並行して抜き出し、新配合の電解浴と交換する等の浄
液操作を行なう。
範囲とし、浴の拡拌は浴の強制循環又は機械拡拌等によ
り十分に行なう。また電解浴への外部からの異物の混入
や不純物の蓄積などに対しては多孔質の樹脂膜、濾布、
セラミック板等でアノード室を分離するか、又は電解浴
全体を循環濾過する。またアノード中の不純物レベルか
高い場合や、長時間連続的に電解処理を行なう場合には
、電解浴量を増加するか、その一部を連続的に電解処理
と並行して抜き出し、新配合の電解浴と交換する等の浄
液操作を行なう。
上記電解精製に次いて行なう溶解工程は、高真空下にお
ける通常の方法でよいが、特に外部からの汚染を防止す
ることは当然であり、溶解条件(真空度、温度、保持時
間等)と鋳造条件(温度1時間、ルツボ材質等)は製品
純銅中の不純物が最少となるように適宜選択する。これ
によりカソードCu中主な不純物でガスとして除去でき
る成分(H,O,N等)が減少し、カソードCuの純度
が犬1]に向上する。
ける通常の方法でよいが、特に外部からの汚染を防止す
ることは当然であり、溶解条件(真空度、温度、保持時
間等)と鋳造条件(温度1時間、ルツボ材質等)は製品
純銅中の不純物が最少となるように適宜選択する。これ
によりカソードCu中主な不純物でガスとして除去でき
る成分(H,O,N等)が減少し、カソードCuの純度
が犬1]に向上する。
また有機溶媒浴の使用によるカソードCU rliへの
Cの残留は少ないが、これを更に低減させるためには、
」二層真空溶解に先立って電解後のカソードCuを大気
中で溶解し、この溶湯中に空気又は02カス等を一定時
間吹込むことにより、カソードCu中のCや有機成分を
燃焼(酸化)作用によりガス化して十分に減らすことか
できる1、更に必要により適量のCや有機ガス等により
環7已処理を施して、これにより得られた純銅を!!’
I 、iL!のム″↓空溶解処理することて、容易に残
留したtI、 0. N等のガス成分を除去12、
高純度の金属銅を得ることかできる。
Cの残留は少ないが、これを更に低減させるためには、
」二層真空溶解に先立って電解後のカソードCuを大気
中で溶解し、この溶湯中に空気又は02カス等を一定時
間吹込むことにより、カソードCu中のCや有機成分を
燃焼(酸化)作用によりガス化して十分に減らすことか
できる1、更に必要により適量のCや有機ガス等により
環7已処理を施して、これにより得られた純銅を!!’
I 、iL!のム″↓空溶解処理することて、容易に残
留したtI、 0. N等のガス成分を除去12、
高純度の金属銅を得ることかできる。
[実施例]
以ト本発明を実施例について説明する。
Cu Cρ 75 moff%とBPC(]−ブチルピ
リジルクロリド) 25moff%系の有機溶媒浴を電
解浴とし、て、純度99.95%のタフピッチ銅板をア
ノードとし、70°Cの浴中て電流密度I A/dn
fにより電解処理し、得られたカソード銅を常法により
真空溶解し5、得られた高純度銅を分析した。その結果
高純度銅の純度は99.999%でありIこ。
リジルクロリド) 25moff%系の有機溶媒浴を電
解浴とし、て、純度99.95%のタフピッチ銅板をア
ノードとし、70°Cの浴中て電流密度I A/dn
fにより電解処理し、得られたカソード銅を常法により
真空溶解し5、得られた高純度銅を分析した。その結果
高純度銅の純度は99.999%でありIこ。
比較のため同じタフピッチ銅板をアノードとし、硫酸銅
を電解浴とするり通常の銅電解法により電解精製し、た
カソードC11を、実施例と同様に()C真空溶解し、
得られる高純度力について分j)i L、たところ、C
u純度は99.995%であつた。
を電解浴とするり通常の銅電解法により電解精製し、た
カソードC11を、実施例と同様に()C真空溶解し、
得られる高純度力について分j)i L、たところ、C
u純度は99.995%であつた。
〔発明の効果1
このように本発明によれば生産+!1の高い安価な方法
により銅純度99.999〜99.9999%以上の高
純度銅が得られるもので、工業上顕著な効果を奏するも
のである。
により銅純度99.999〜99.9999%以上の高
純度銅が得られるもので、工業上顕著な効果を奏するも
のである。
Claims (1)
- (1)塩化第1銅(CuCl)とアルキルピリジニウム
ハロゲン化物の有機溶媒浴からなる電解浴中で、原料と
なるCuアノードとCuを電析するカソードとを対設し
て電解処理した後、電析したカソードCuを真空中で溶
解するか、又は大気中で酸化溶解してから真空中で溶解
することを特徴とする高純度銅の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1077626A JPH02254189A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 高純度銅の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1077626A JPH02254189A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 高純度銅の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02254189A true JPH02254189A (ja) | 1990-10-12 |
Family
ID=13639113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1077626A Pending JPH02254189A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 高純度銅の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02254189A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110846681A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-02-28 | 万宝矿产有限公司 | 一种提高电积法阴极铜产品质量的方法 |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP1077626A patent/JPH02254189A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110846681A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-02-28 | 万宝矿产有限公司 | 一种提高电积法阴极铜产品质量的方法 |
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