JPH02257586A - サージ吸収素子 - Google Patents
サージ吸収素子Info
- Publication number
- JPH02257586A JPH02257586A JP7646289A JP7646289A JPH02257586A JP H02257586 A JPH02257586 A JP H02257586A JP 7646289 A JP7646289 A JP 7646289A JP 7646289 A JP7646289 A JP 7646289A JP H02257586 A JPH02257586 A JP H02257586A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surge
- response voltage
- absorption element
- argon gas
- gap
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、マイクロギャップ式サージ吸収素子に関する
。更に、詳しくは、サージ応答電圧を所望値にできるマ
イクロギャップ式サージ吸収素子に関する。
。更に、詳しくは、サージ応答電圧を所望値にできるマ
イクロギャップ式サージ吸収素子に関する。
［従来の技術］
サージ吸収素子である放電管は作製方法からガス圧を大
気圧以下とする必要があるためギャップ間隔を１ｍ以上
として、放電開始電圧及びサージ応答電圧を制御するも
のである。然し乍ら、そのギャップ間隔が１−以上と大
きいため、サージ応答電圧が高いという欠点を持ってい
る。
気圧以下とする必要があるためギャップ間隔を１ｍ以上
として、放電開始電圧及びサージ応答電圧を制御するも
のである。然し乍ら、そのギャップ間隔が１−以上と大
きいため、サージ応答電圧が高いという欠点を持ってい
る。
［発明が解決しようとする問題点］
、本発明は、ギャップ間隔が８０μｍ以下のマイクロギ
ャップを有するサージ吸収素子において、大気圧以上の
アルゴンガス丁で封止することにより、サージ応答電圧
を低くできるマイクロギャップ式サージ吸収素子を提供
することを目的にする。
ャップを有するサージ吸収素子において、大気圧以上の
アルゴンガス丁で封止することにより、サージ応答電圧
を低くできるマイクロギャップ式サージ吸収素子を提供
することを目的にする。
［発明の構成］
［問題点を解決するための手段］
本発明は、封止ガラス管内にマイクロギャップ素子を有
するサージ吸収素子において、封止管内に、アルゴンガ
スを大気圧以上の高圧下で封止することによりサージ応
答電圧を所望値にできることを特徴とするマイクロギャ
ップ式サージ吸収素子である。
するサージ吸収素子において、封止管内に、アルゴンガ
スを大気圧以上の高圧下で封止することによりサージ応
答電圧を所望値にできることを特徴とするマイクロギャ
ップ式サージ吸収素子である。
［作用］
本発明によると、マイクロギャップ式サージ吸収素子の
ガラス管内に封止するアルゴンガス圧を、大気圧より高
圧にすることにより、形成すべきギャップ幅を小さくで
きると同時に、それによる放電開始電圧及びサージ応答
電圧を任意に制御することのできるサージ吸収素子を可
能にしたものである。
ガラス管内に封止するアルゴンガス圧を、大気圧より高
圧にすることにより、形成すべきギャップ幅を小さくで
きると同時に、それによる放電開始電圧及びサージ応答
電圧を任意に制御することのできるサージ吸収素子を可
能にしたものである。
本発明のマイクロギャップ式サージ吸収素子の構造は、
第１図の概略断面図に示される０円柱状セラミックス絶
縁体３の表面上に導電性被膜２を形成し、絶縁溝１、即
ち、マイクロギャップを形成し、アルゴンガス７で絶縁
性外装体６中に封止したものである０円柱状セラミック
ス絶縁体３０表面上に形成された両側の導電性被膜２の
両端には、電極５を形成し、リード線４を接続し、図示
のように外装体６の外部にまで通じである。
第１図の概略断面図に示される０円柱状セラミックス絶
縁体３の表面上に導電性被膜２を形成し、絶縁溝１、即
ち、マイクロギャップを形成し、アルゴンガス７で絶縁
性外装体６中に封止したものである０円柱状セラミック
ス絶縁体３０表面上に形成された両側の導電性被膜２の
両端には、電極５を形成し、リード線４を接続し、図示
のように外装体６の外部にまで通じである。
このような構造のサージ吸収素子において、各ギャップ
間隔での、即ち、ギャップ間隔を２０．３０．４０．５
０．８０．１００．１５０μｍと変えたサージ吸収素子
を作製し、各々について、８００°Ｃでの封止ガス圧（
横軸にとる）とサージ応答電圧（ｔＩ＆軸にとる：（１
，２Ｘ５０）８秒２ｋＶのサージ電圧を５回印加したと
きのサージ応答電圧の平均値）との関係を測定した結果
を、第２図のグラフに示す、これから、ギャップ間隔が
狭いほどガス圧の高いところで、サージ応答電圧は最小
値をとり、その値も小さくなることが明らかである。ま
た、サージ応答電圧が最小値を示すときの各ギャップ間
隔と封止ガス圧（８００°Ｃでの）の関係を測定し、第
３図に示す、これより、ギャップ間隔が８０μｍ以下の
とき封止温度で大気圧即ち７６０Ｔｏ ｒ ｒ以上とな
ることが明らかである。
間隔での、即ち、ギャップ間隔を２０．３０．４０．５
０．８０．１００．１５０μｍと変えたサージ吸収素子
を作製し、各々について、８００°Ｃでの封止ガス圧（
横軸にとる）とサージ応答電圧（ｔＩ＆軸にとる：（１
，２Ｘ５０）８秒２ｋＶのサージ電圧を５回印加したと
きのサージ応答電圧の平均値）との関係を測定した結果
を、第２図のグラフに示す、これから、ギャップ間隔が
狭いほどガス圧の高いところで、サージ応答電圧は最小
値をとり、その値も小さくなることが明らかである。ま
た、サージ応答電圧が最小値を示すときの各ギャップ間
隔と封止ガス圧（８００°Ｃでの）の関係を測定し、第
３図に示す、これより、ギャップ間隔が８０μｍ以下の
とき封止温度で大気圧即ち７６０Ｔｏ ｒ ｒ以上とな
ることが明らかである。
本発明に用いた導電性被膜は、電気抵抗率の小さい材料
であれば、金属、合金等を用いることができるが、特に
それに限定されるものではない。
であれば、金属、合金等を用いることができるが、特に
それに限定されるものではない。
改番こ、本発明のマイクロギャップ式サージ吸収素子を
具体的な実施例により説明するが、本発明は、次の説明
により限定される・ものではない。
具体的な実施例により説明するが、本発明は、次の説明
により限定される・ものではない。
［実施例１］
本実施例を断面により第４図に示す、被膜は、ＢａＡＲ
を用い、ギャップ幅は、２０μｍである。即ち、鉛ガラ
ス外装体５内にアルゴンガス７で封止された円柱状アル
ミナ碍子体３の表面上に導電性被膜（ＢａＡｆｆｉ）２
を形成し、その真ん中にギャップ１を形成し、また、そ
の両端に半球状ステンレスキャップ４を接合した構造の
ものである。外部電極６は、そのステンレスキャップ４
に先端接続されたものである。
を用い、ギャップ幅は、２０μｍである。即ち、鉛ガラ
ス外装体５内にアルゴンガス７で封止された円柱状アル
ミナ碍子体３の表面上に導電性被膜（ＢａＡｆｆｉ）２
を形成し、その真ん中にギャップ１を形成し、また、そ
の両端に半球状ステンレスキャップ４を接合した構造の
ものである。外部電極６は、そのステンレスキャップ４
に先端接続されたものである。
次に、本実施例における封止ガス圧（８００℃での）と
放電開始電圧、サージ応答電圧の関係を測定した結果を
第５図に示す、横軸に８００°Ｃでの封止ガス圧をとり
、縦軸に放電開始電圧及びサージ応答電圧をとったもの
である。
放電開始電圧、サージ応答電圧の関係を測定した結果を
第５図に示す、横軸に８００°Ｃでの封止ガス圧をとり
、縦軸に放電開始電圧及びサージ応答電圧をとったもの
である。
サージ応答電圧は、（１，２Ｘ５０）１１秒−２ｋＶで
印加したときの応答電圧を測定したものである。
印加したときの応答電圧を測定したものである。
封止ガス圧が３０００Ｔｏｒｒのとき放電開始電圧は１
３０Ｖ、サージ応答電圧は４４０ｖとなり、ネオン管等
の放電管に比べ、約１７２のサージ応答電ＪＥとなった
。
３０Ｖ、サージ応答電圧は４４０ｖとなり、ネオン管等
の放電管に比べ、約１７２のサージ応答電ＪＥとなった
。
［発明の効果］
本発明のサージ吸収素子は、大気圧以上の圧力のアルゴ
ンガスを封止したマイクロギャップ素子を使用すること
により、 第１に、サージ応答電圧を任意に制御して得られるサー
ジ吸収素子が可能となったこと、第２に、特に、ネオン
管等の放電管に比べ、サージ応答電圧が低くできるサー
ジ吸収素子を提供できるなどの技術的な効果が得られた
。
ンガスを封止したマイクロギャップ素子を使用すること
により、 第１に、サージ応答電圧を任意に制御して得られるサー
ジ吸収素子が可能となったこと、第２に、特に、ネオン
管等の放電管に比べ、サージ応答電圧が低くできるサー
ジ吸収素子を提供できるなどの技術的な効果が得られた
。
第１図は、本発明によるマイクロギャップ式サージ吸収
素子の構造を示す断面図である。 第２図は、第１図のサージ吸収素子により測定した封Ｉ
Ｅガス圧とサージ応答電圧との関係を示すグラフである
。 第３図は、第１図のサージ吸収素子に対して測定したサ
ージ応答電圧が最小値でのギャップ間隔と封止ガス圧と
の関係を示すグラフである。 第４図は、本発明による構造のマイク１７ギヤツプ式サ
ージ吸収素子の一例を示す断面図である。 第５図は、第４図のサージ吸収素子により測定した封止
ガス圧とサージ応答電圧、放電開始電圧との関係を示す
グラフである。 ［主要部分の符号の説明］ １ 、、、、、、、絶縁溝 ２ 、、、、、、、導電性被膜或いはＢａＡ ｌ被膜３
、、、、、、、セラミックス絶縁体或いはアルミナ碍
子４ 、、、、、、、リード線或いはキャップ５、、、
、、、ｉｔ極或いは外部電極 ６ 、、、、、、、絶縁性外装体或いはガラス管７ 、
、、、、、、アルゴンガス 特許出願人 三菱鉱業セメント株式会社代理人 弁理
士 倉 持 裕 第２図 第１ 第３
素子の構造を示す断面図である。 第２図は、第１図のサージ吸収素子により測定した封Ｉ
Ｅガス圧とサージ応答電圧との関係を示すグラフである
。 第３図は、第１図のサージ吸収素子に対して測定したサ
ージ応答電圧が最小値でのギャップ間隔と封止ガス圧と
の関係を示すグラフである。 第４図は、本発明による構造のマイク１７ギヤツプ式サ
ージ吸収素子の一例を示す断面図である。 第５図は、第４図のサージ吸収素子により測定した封止
ガス圧とサージ応答電圧、放電開始電圧との関係を示す
グラフである。 ［主要部分の符号の説明］ １ 、、、、、、、絶縁溝 ２ 、、、、、、、導電性被膜或いはＢａＡ ｌ被膜３
、、、、、、、セラミックス絶縁体或いはアルミナ碍
子４ 、、、、、、、リード線或いはキャップ５、、、
、、、ｉｔ極或いは外部電極 ６ 、、、、、、、絶縁性外装体或いはガラス管７ 、
、、、、、、アルゴンガス 特許出願人 三菱鉱業セメント株式会社代理人 弁理
士 倉 持 裕 第２図 第１ 第３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 封止ガラス管内にマイクロギャップ素子を有するサージ
吸収素子において、 封止管内に、アルゴンガスを大気圧以上の高圧下で封止
することによりサージ応答電圧を所望値に決めることの
できることを特徴とするマイクロギャップ式サージ吸収
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1076462A JP2580320B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | サージ吸収素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1076462A JP2580320B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | サージ吸収素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02257586A true JPH02257586A (ja) | 1990-10-18 |
| JP2580320B2 JP2580320B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=13605833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1076462A Expired - Lifetime JP2580320B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | サージ吸収素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2580320B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004091060A1 (ja) * | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Okaya Electric Industries Co., Ltd. | 放電管及びサージ吸収素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53848A (en) * | 1976-06-25 | 1978-01-07 | Mitsubishi Mining & Cement Co | Surge absorbing element |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP1076462A patent/JP2580320B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53848A (en) * | 1976-06-25 | 1978-01-07 | Mitsubishi Mining & Cement Co | Surge absorbing element |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004091060A1 (ja) * | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Okaya Electric Industries Co., Ltd. | 放電管及びサージ吸収素子 |
| KR100735859B1 (ko) * | 2003-04-10 | 2007-07-04 | 오카야 덴기 산교 가부시키가이샤 | 방전관 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2580320B2 (ja) | 1997-02-12 |
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Legal Events
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071121 Year of fee payment: 11 |
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