JPH02257625A - 表面処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、表面処理装置に係り、特に、気相成長法によ
る薄膜の形成および薄膜のエツチング等に用いられる表
面処理装置に関する。

（従来の技術） 通常、アルミニウム等の金属膜、チタンナイ！・ライド
、モリブデンシリサイド等の合金膜、酸化シリコン、ア
ルミナ等の絶縁膜を形成する手段の１つとして、スパッ
タリング法がある。

このスパッタリング法は、アルゴン等の不活性ガスのプ
ラズマにターゲットを晒し、イオン衝撃によりこのター
ゲットに対向するように配置せしめられたウェハ上に薄
膜を形成するものである。

この方法では、ガス圧力を低くすることにより、不純物
の侵入による膜質の低下を抑制できることがわかってい
る。そこで、通常はマグネトロン放電を利用して低圧力
下においても高い電子密度のプラズマを作成し、堆積速
度を低下させることなく膜質の向上をはかるようにして
いる。

しかし、マグネトロン放電をもってしても、高い電子密
度を得ることができるのはせいぜい１０　　Ｔｏｒｒ台
の圧力領域までであり、これより低いガス圧では放電は
不安定となり、この堆積膜を配線などに使用した場合、
抵抗値が高くなったり、長期間の信頼性に問題を生じた
りすることがある。

また、絶縁膜の場合、絶縁抵抗の低下やクラックの発生
等の不都合を招くことがある。このように低いガス圧下
では実質的に使用不可能であった。

一方、エツチングの分野においても、方向性の良好なエ
ツチングを行うために、低圧力下でのエツチングが用い
られている（関根他著第８回ドライプロセスシンポジウ
ム予稿集Ｐ、４２　１９８６電気学会）。エツチングの
場合、低圧力化により、エツチング種のイオンが基板に
到達するまでの間で中性種との散乱確率が低くなり、方
向性の良好なエツチングが可能となる。このため、エツ
チング断面の形状が垂直になり、またパターンの幅によ
りエツチング速度が変化するいわゆるパターン依存性も
低下する。さらに、中性の活性種との反応性の良好なア
ルミニウムやリンドープｎ子多結晶シリコンなどの材料
を用いる場合にも、中性の活性種による横方向のエツチ
ングが抑制され高精度なエツチングが可能となる。しか
ｊ７、エツチングの場合も安定に放電できるのはせいぜ
い１０　　Ｔｏｒｒ台の圧力領域までであり、１０　　
Ｔｏｒｒ以下では、使用できない。この圧力は電子サイ
クロトロン共鳴プラズマの使用により、−桁程度は低く
することができるが十分ではない。

（発明が解決しようとする課題） このように、低圧力下では高純度の薄膜形成が可能であ
るということがわかっていながら、低圧力下で放電が良
好に維持できないことによる限界があった。

また、エツチングにおいても、方向性エツチングを良好
におこなうためにさらに低圧力下でのプラズマ形成が望
まれていた。

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、高純度で
均質な堆積膜を形成することを目的とする。

また、本発明は、方向性の良好なエツチング方法を提供
することを目的とする。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） そこで本発明では、１０　　Ｔｏｒｒ以下に設定された
真空容器内に磁界を発生させると共にこの磁界と直交す
る方向に電界を付与し、この磁界と電界との直交する空
間内に持続的に電子ビームを供給するようにしている。

（作用） 上記構成によれば、磁界と電界との直交する空間内に持
続的に電子ビームを供給するようにしているため、低圧
力下においても、安定した放電を維持することができ、
安定な薄膜形成および方向性の極めて良好なエツチング
をを行うことができる。

（実施例） 以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。

第１図は、本発明実施例の薄膜形成方法に使用する堆積
装置を示す図である。

この堆積装置は、真空容器１の上端内壁の第１の電極２
上に取り付けられたターゲツト板３と、該ターゲツト板
３に対向配置され基板支持台を兼ねる第２の電極４とを
配設置７、高周波電源５の発生ずる電力をマツチング回
路６を介してターゲット板３と第２の電極４との間に印
加し、これによって形成される電界と、真空容器１の外
側面に配設された磁石７によって形成される磁界との直
交する空間内に、電子供給手段１５から電子を供給し、
放電によってプラズマを形成し、このプラズマ中のイオ
ンをターゲツト板３に衝突せしめ、ターゲットからのス
パッタリング粒子を第２の電極４上の被処理基板８上に
垂直に導くようにしたことを特徴とするものである。

この磁石７は、中心に配設された円形のＮ極とこのまわ
りを同心円状に囲むように配設されたＳ極とからなり両
磁極間の間隙は輪をなし、閉ループを形成するようにな
っており、この磁界によるＥＸＢの作用により、マグネ
トロン放電を維持するように構成されている。そしてこ
のマグネトロン放電で形成されたプラズマ中の電子がド
リフト運動しイオン化効率を高め、比較的低圧力の条件
下においても高密度のプラズマを発生させることができ
る。

また、基板支持台としての第２の電極４の内部には供給
管９を介して液体１０が通され基板温度を制御するよう
に構成されている。

また、真空容器内壁は、第１の電極２の近傍に配設され
た絶縁物１１を介して下部との間を絶縁分離するように
構成されている。１２は反応ガス導入用の供給系、１３
は排気系である。

さらにまた、電子供給手段１５は、第３および第４の電
極１６．１７を有するプラズマ発生空間１８と、このプ
ラズマ発生空間１８内にアルゴンガスを供給するアルゴ
ンガス供給系１９と、該第３および第４の電極１６．１
７の間に高周波電力を印加するための高周波電源２０と
、引き出し電極２１．２２と、真空排気系２３とから形
成されており、プラズマ発生空間１８内に発生せしめら
れたプラズマから電子２４のみを、前記真空容器１内に
供給するようにしたものである。

また、真空容器内への被処理基板の出し入れはロードロ
ック機構（図示せず）および搬送機構（図示せず）によ
ってなされる。

次に、この装置を使用し、実際に堆積膜を形成する方法
について説明する。

まず、第２図（ａ）に示すように、表面に形成されたパ
ターン４０によって表面が凹凸をなすシリコン基板３９
を被処理基板とし、これをロードロック機構および搬送
機構を用いて真空容器１の第２の電極４上に搬送し、静
電チャック（図示せず）によって固定し、所望の温度と
なるように制御する。

そして、排気系１３により真空容器１−内を真空排気し
たのち、供給系１２からアルゴンガスを１ＱＴｏｒｒ程
度の圧力となるように導入し、ターゲツト板３（第１の
電極２）と第２の電極４との間に高周波電力を印加する
。これだけでは、たとえ放電開始用に高電圧のスパーク
などを起こしてもプラズマは形成されない。そこで電子
供給手段１５により、放電空間に大量の電子を供給する
。

ここで、電子供給手段１５では、第３および第４の電極
１６．１７の間に高周波電源２０によって高周波電力を
印加し、プラズマ発生空間１８内にアルゴンガス供給系
１９から供給せしめられた圧力１０　乃至数Ｔｏｒｒの
アルゴンガスを放電させプラズマ２５を形成する。そし
てこのプラズマ中の電子は引き出し電極２２と第４の電
極１７との電位差により引き出される。また、このプラ
ズマ発生空間１８と真空容器１との間には真空排気系２
３によって差動排気がなされるようになっており、低圧
力の真空容器１中へはアルゴンや他の不純物ガスを侵入
させることなく、電子ビーム２４のみが真空容器１−内
に供給される。このときの電子ビームの加速エネルギー
は、プロセスで使用するガスを効率よくイオン化する１
００ｅＶ程度がよく、余り高エネルギーであると放電空
間を突き抜けてしまい、かえって効果を低減させてしま
うことになる。

このとき、ガス圧力が非常に低い場合や電子供給が少な
い場合、磁界により電子が上述した閉ループに一対応す
る領域に閉じこめられる。その結果、寿命が延び電子の
走行距離が長くなって、分子、原子との衝突頻度が増し
、イオン化効率が高まり、低ガス圧下においても高い密
度のプラズマが形成される。

ターゲツト板３の表面には陰極降下電圧Ｖｄｅが発生し
、プラズマ中のアルゴンイオンがターゲツト板３表面に
照射されスパッタリング作用によりターゲツト板材料す
なわち堆積材料がプラズマ中に放出される。

このようにして、プラズマ中に堆積種が放出されるとま
ず、プラズマで帯電し、荷電粒子となる。

この荷電粒子は拡散し、プラズマ中の電位勾配に従って
移動していくが、磁石７によって形成された磁場により
、第２の電極４上の被処理基板８上に垂直に進むように
なり、さらに被処理基板に印加された高周波電力により
発生するバイアス電圧によって加速され、−段と方向性
が増すことになる。このようにして荷電粒子として被処
理基板」二に垂直方向から導かれた堆積種４２は、第２
図（ｂ）に示すように被処理基板３９表面の溝の底部に
も効率よく導かれ、表面の凹凸を良好に反映ｊ７た堆積
がなされていく。

このようにして第２図（ｅ）に示すように溝を埋め込ん
だ後、第２図（ｄ）に示すように、基板表面全体にレジ
ストＲを塗布し、表面の平坦化をおこなう。

この後、第２図（０）に示すように、反応性イオンエツ
チングによりエッチバックし溝を完全に埋め込むことが
できる。

このようにして微細な溝内にも膜質の良好な埋め込み層
４１を形成することが可能となる。

そして、１０Ｔｏｒｒ程度の比較的低い圧力条件下にお
いても高密度のプラズマを発生させることができ、膜中
への不純物の取り込みは極めて少なくなり、膜質が向上
する。さらに、堆積速度を高めることができる上、低圧
力下では粒子の平均自由工程が長くなり、堆積種を輸送
する時の方向性を高めるのに好都合となる。

なおこの例では、継続的にアルゴンイオンによってター
ゲット材料をスパッタリングするようにしたが、最初、
被堆積基板をシャッタで覆うなどの方法で、保護してお
き、アルゴンイオンによってターゲット材料を最初のみ
スパッタリングし、アルミニウムイオンの放出が始まる
と、アルゴンガスの供給を停止し、アルミニウムイオン
自身によるターゲットのスパッタリングを続行・せしめ
、容器内にアルゴンガスが存在せず、アルミニウムのみ
になったとき、シャッタを外し、被堆積基板を露呈せし
め、アルミニウム薄膜の堆積を開始するようにしても良
い。このようにすれば、ターゲット材料をスパッタリン
グするイオンもアルミニウムイオンであるため、堆積薄
膜への不純物の混入を防止し純粋な薄膜形成が可能とな
る。

次に、本発明の第２の実施例としてエツチング装置につ
いて説明する。

このエツチング装置は、第３図に示すように、通常のマ
グネトロンエツチング装置に電子発生手段１１５を設け
たものである。

すなわち、このエツチング装置は、真空容器１０１の上
端内壁にとりつけられた第１の電極１０２と、該第１の
電極１０２に対向配置され基板支持台を兼ねる第２の電
極１０４とを配設し、高周波電源１０５の発生する電力
をマツチング回路１０６を介して第１の電極１０２と第
２の電極１０４との間に印加し、これによって形成され
る電界と、真空容器１０１の外側面に配設された磁石】
０７によって形成される磁界との直交する空間内に、電
子銃からなる電子発生手段１１５から電子を供給し、放
電によってプラズマを形成し、第２の電極１０４上の被
処理基板１０８上に垂直に導くようにしたことを特徴と
するものである。

この磁石１−０７は、前記第１の実施例と同様に、中心
に配設された円形のＮ極とこのまわりを同心円状に囲む
ように配設されたＳ極とからなり両磁極間の間隙は輪を
なし、閉ループを形成するようになっており、この磁界
によるＥＸＢの作用により、マグネトロン放電を維持す
るように構成されている。そして、プラズマ中の電子が
ドリフト運動しイオン化効率を高め、比較的低圧力の条
件下においても高密度のプラズマを発生させることがで
きる。

また、基板支持台としての第２の電極１０４の内部には
供給管１０９を介して液体１１０が通され基板温度を制
御するように構成されている。

また、真空容器内壁は、第１の電極１０２の近傍に配設
された絶縁物１１１を介して下部との間を絶縁分離する
ように構成されている。１１２は反応ガス導入用の供給
系、１１３は排気系である。

また、真空容器内への被処理基板の出し入れはロードロ
ック機構（図示せず）および搬送機構（図示せず）によ
ってなされる。

次に、例えば、半導体基板上に形成された薄膜５〕−を
バターニングするためのレジストパターンの形成に際し
、この装置を使用し、実際にエツチングを行う場合につ
いて説明する。

まず、第４図（ａ）に示すように、半導体基板上に形成
された薄膜５１上に第１のレジスト膜５２ａ、ＳＯＧ膜
５２ｂおよび第２のレジスト膜５２ｃが順次積層された
３層構造のレジスト膜５２を形成する。

続いて、第４図（ｂ）に示すように、所望のフォトマス
クを介して露光し、第２のレジスト膜５２ｃ上にパター
ンを転写し、現像後、第３図に示したエツチング装置に
設置し、この第２のレジスト膜５２ｃをマスクとしてＳ
ＯＧ膜５２ｂをエツチングする。

この後、第４図（ｅ）に示すように、このＳＯＧ膜５２
ｂをマスクとして厚い第１のレジスト膜５２ａを、１０
　　Ｔｏｒｒ程度の比較的低い圧力条件下で酸素プラズ
マを用いてエツチングし、レジストパターンを形成する
。このように１０　　Ｔｏｒｒｆｕ度の低い圧力条件下
でエツチングがなされる′ため、方向性が極めて良好と
なり、寸法精度が大幅に向上している。比較のために、
第５図に従来例の１０　　Ｔｏｒｒ台の圧力領域でのエ
ツチングを用いた場合のエツチング結果を示す。これ・
らの比較からも明らかなように、サイドエッチが大きく
寸法精度が極めて悪くなっていた従来例の場合比べて、
本発明の方法によれば寸法精度が大幅に向上している。

このようにして、寸法変換差の全くない加工が実現でき
る。さらに、低圧力であっても電子密度を極めて高く維
持することができるため、イオンのエネルギーは低くお
さえることができ、ダメージを小さくする事ができる。

第６図の曲線ａに、このエツチング装置を用いてエツチ
ングを行う場合の電子密度とガス圧力との関係を示す。

また、曲線すおよび曲線Ｃは、それぞれ比較の為に従来
のマグネトロンエツチング装置および磁界を使用しない
グロー放電によるプラズマエツチング装置を用いた場合
の電子密度とガス圧力との関係を示す。

この図からも明らかなように、磁界を使用しないグロー
放電によるプラズマエツチング装置では、ガス圧力の低
下と共に電子密度は低下し、１Ｏ−３Ｔｏｒｒ程度で放
電を維持することができなくなる。

また、従来のマグネトロンエツチング装置の場合は１０
　　Ｔｏｒｒ程度までは放電を維持することができるが
、１０　　Ｔｏｒｒ台になると電子密度の落ち込みが激
しく安定な放電の維持は困難となる。これに対し、本発
明実施例の装置によれば、ガス圧力を低くしても安定な
放電を維持することができ、今回測定した１０　　Ｔｏ
ｒｒ程度のガス圧力でも高い電子密度を維持することが
できる。

これらの比較から、本発明の方法によれば、従来よりも
２桁以上低い圧力で、従来と同様のプロセスを実施する
ことが可能となる。

なお、実施例２では、マグネトロン放電を用いたエツチ
ング装置について説明したが、これに限定されることな
く、電子サイクロトロン共鳴を用いたエツチング装置な
ど他の装置を用いる場合にも適用可能である。なお電子
サイクロトロン共鳴によるプラズマでは、電子密度の低
下が生じるが、１ＱＴｏｒｒ程度のガス圧でも安定な放
電が可能である。

次に本発明の第３の実施例として、電子サイクロトロン
共鳴を用いたプラズマ処理装置（以下ＥＣＲプラズマ処
理装置と指称す）に本発明を適用した例について説明す
る。

この装置は、第７図に示すように、真空容器からなる反
応室２００と、この反応室２００の上部に配設されＥＣ
Ｒ放電を生起ぜしめる放電室２０１と、放電室に電子ビ
ームを供給するための電子発生室２０２とから構成され
ている。

この放電室２０１には、例えば２．４５Ｇ［ｌｚのマイ
クロ波を導入するための導波管２０３と酸素等の反応性
ガスを導入するための第１の導入口２０４とが配設され
ている。また、この放電室には外壁を水冷するための水
冷機構２０５が配設され、さらにこの水冷機構２０５の
外側には磁気コイル２０６が配設されており、この磁気
コイル２０６により例えば８７５ガウス程度の磁界が放
電室内に付与され、放電室内で生起されたマイクロ波放
電の中で電子がサイクロトロン運動することにより高密
度のプラズマが生成されるようになっている。

一方、反応室２００内には、試料ホルダとしての電極２
０７が配設され、この上に被処理基板を載置するように
構成されている。また、この電極２０７には、マツチン
グ回路２０８を介してバイアス用高周波電力印加用の高
周波電源２０９が接続されており、マイナス数十乃至マ
イナス２００ｖ程度の自己バイアスが生じるようになっ
ている。

２１０は、電極２０７を介して被処理基板を冷却するた
めの冷却管である。２１１は真空排気装置である。

このようなＥＣＲプラズマ処理装置でも、マイクロ波で
形成された電界（電磁波であるため時間と共に方向が図
示と逆になる）と外部の磁気コイル２０６で形成された
磁界とが直交する空間へ電子発生室２０２から電子ビー
ムを送り込むことにより、放電が稀薄になる低い圧力領
域での安定な薄膜形成あるいはエツチングなどの表面処
理が可能となる。

なお、この例では、マイクロ波と同軸的に電子ビームを
供給するようにしているが、横方向（コイル２０６の隙
間など）から供給するように【２ても良い。

次に、本発明の第４の実施例について説明する。

第８図（ａ）および第８図（ｂ）は、本発明の第４の実
施例の表面処理装置を示す図である。第８図（ｂ）は、
第８図（ａ）の部分断面詳細図である。

この装置は、真空容器からなる反応室３００と、この反
応室３００の上部に配設されマグネトロン放電を生起せ
しめる放電室３０１と、放電室に電子ビームを持続的に
供給するための電子発生室３０２とから構成されている
。

反応室３００内には、試料ホルダとしての電極３０７が
配設され、この上に被処理基板を載置するように構成さ
れている。また、この電極３０７には、バイアス用の直
流または交流電力印加用の電源３０８が接続されており
、自己バイアスが生じるようになっている。３１０は、
電極３０７を介して被処理基板を冷却するための冷却機
構である。３１１は真空排気装置である。

この放電室３０１は、容器の外壁として形成された円筒
状の電極３０３と、この内部に配設された棒状電極３０
４と、これら画電極の間に直流又は交流電力を印加する
電源３０５と、外側に配設され、磁界を生起せしめるた
めの磁気コイル３０６とから構成されており、この円筒
状の電極３０３の表面付近に形成される電界が、磁気コ
イル３０６によって形成される磁界と直交する領域が電
極３０３の表面付近に沿って閉ループ状をなすように形
成される。

ここで、この電界と磁界との直交する領域に電子発生室
３０２から、電子ビームが供給されると、この電界と磁
界との直交する領域に沿ってサイクロイド運動の軌跡を
描きながら進み、この空間領域内を回り続け、その結果
電子の動く距雛は、（互いに直交することなく）単純に
磁界や電界の存在する空間に注入された電子ビームに比
べ大幅に増大する。従って、電子が気体分子、原子と衝
突し、イオン化する効率を大幅に高めることが可能とな
る。このような装置において、電子ビームを注入せずと
も、電子が気体分子、原子と衝突したときに発生する２
次電子が十分に存在すれば、その電子が、サイクロイド
運動−分子、原子と衝突−イオン化−２次電子の発生と
いうようなループを構成して次々にイオン化が進み、高
密度放電を維持することが可能となる（マグネトロン放
電）しかし、この装置では、ガス圧を１０　”Ｔｏｒｒ
程度以下とした場合に、気体分子、原子との衝突頻度が
低下することによりプラズマが稀薄化したり、マグネト
ロン放電の維持が困難となるのを、電子発生室から電界
と磁界とが直交する領域に電子を持続的に放電室内に供
給することによって防止し、低圧力下でも高密度放電を
維持することができるようにしている。

たとえば、この装置において、放電室内にハロゲンを含
む反応性ガスを導入することにより、反応性原子分子の
イオンを上述のプラズマで形成し、このイオンを電極３
０７上に印加した電力によるバイアス電界で引き込み、
被処理基板をエツチングすることができる。

また、バイアス電界は使用せず、放電部で生成せしめら
れた中性の活性種との反応を利用してエツチングあるい
は堆積を行うことも可能である。

この装置においても、極めて低い圧力下で不純物濃度を
低下させ、高品質、高精度の成膜およびエツチングが可
能となる。

また、本発明の第５の実施例として、前記第４の実施例
における円筒状電極と棒状電極とを用いる代わりに、第
９図に示すように、電源４０５によってＲＦコイル４０
３にＲＦ電力を印加しＲＦプラズマを発生させるように
した誘導結合方式のプラズマ処理装置にも適用すること
ができる。

ここで、４０２は電子発生室、４００は反応室である。

反応室４００内には、試料ホルダとしての電極４０７が
配設され、この上に被処理基板を載置するように構成さ
れている。また、この電極４０７には、バイアス用の直
流または交流電力印加用の電源４０８が接続されており
、自己バイアスが生じるようになっている。そして、Ｒ
Ｆコイル４０３によって生じるＲＦ電界と、この外側に
設置された磁気コイル４０６によって生起される磁界と
が直交する領域に電子発生室４０２から電子が持続的に
供給されて、低圧力域においても同様に良好な放電を維
持することができる。

なお、本発明は、前記実施例に限定されることなく、種
々の装置に適用可能である。例えば、マグネトロン放電
を用いた装置では、前記実施例の構造のみならず、二重
および三重の閉ループを持つ構造であっても良い。

また、電子供給手段は、１０　　Ｔｏｒｒ程度のガス圧
力でホロカソード、ＥＣＲ，アークなどの各種放電を用
いて高密度のプラズマを形成し、差動排気により電子の
み引き出し、供給するようにしても良い。このようにガ
ス放電により電子を発生させる場合は、イオンや中性粒
子が反応室内に混入するのを防ぐため、差動排気系を配
設するようにするのが望ましい。

なお、前記第１の実施例では、アルミニウム薄膜の形成
について説明したが、アルミニウム薄膜のみならず、タ
ングステン、モリブデンなどの高融点薄膜、酸化シリコ
ン膜等の絶縁膜など種々の薄膜形成およびエツチングに
適用可能である。

加えて、装置の構造および材質は、実施例に何ら限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で
、適宜変形可能である。

［発明の効果］ 以上説明してきたように、本発明によれば、真空容器内
に磁界を発生させると共にこの磁界と直交する方向に電
界を付与し、この磁界と電界との直交する空間内に持続
的に電子ビームを供給するようにしているため、低圧力
下においても、安定な薄膜形成および方向性の極めて良
好なエツチングをを行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例の薄膜形成方法に用いる気
相成長装置を示す図、第２図（ａ）乃至第２（ｅ）は、
上記装置を用いたアルミニウム膜形成工程を示す図、第
３図は、本発明の第２の実施例のエツチング装置を示す
図、第４図（ａ）乃至第４（Ｃ）は、上記装置を用いた
レジスト膜のエツチング工程を示す図、第５図は、従来
の方法で形成したレジストパターンを示す図、第６図は
、本発明の第２の実施例のエツチング装置、従来のマグ
ネトロンエツチング装置および磁界を使用しないグロー
放電によるプラズマエツチング装置を用いた場合の電子
密度とガス圧力との関係を示すの電子密度とガス圧力と
の関係を示す比較図、第７図は本発明の第３の実施例の
処理装置を示す図、第８図は本発明の第４の実施例の処
理装置を示す図、第９図は本発明の第５の実施例の処理
装置を示す図である。 １・・・真空容器、２・・・第１の電極、３・・・ター
ゲツト板、４・・・第２の電極、５・・・高周波電源、
６・・・マツチング回路、７・・・磁石、８・・・被処
理基板、９・・・供給管、１０・・・液体、１１・・・
絶縁物、１２・・・供給系、１３・・・排気系、１５・
・・電子供給手段、１６・・・第３の電極、１７・・・
第４の電極、１８・・・プラズマ発生空間、１９・・・
アルゴンガス供給系、２０・・・高周波電源、２１．２
２・・・引き出し電極、２３・・・真空排気系、２４・
・・電子、１０１・・・真空容器、１０２・・・第１の
電極、１０４・・・第２の電極、１０５・・・高周波電
源、１０６・・・マツチング回路、１０７・・・磁石、
１−０８・・・被処理基板、１１５・・・電子発生手段
、５１・・・薄膜、５２ａ・・・第１のレジスト膜、５
２ｂ・・・ＳＯＧ膜、５２ｃ・・・第２のレジスト膜、
２００・・・反応室、２０１・・・放電室、２０２・・
・電子発生室、２０３・・・導波管、２０４・・・第１
の導入口、２０５・・・水冷機構、２０６・・・磁気コ
イル、２０７・・・電極、２０８・・・マツチング回路
、２０９・・・高周波電源、２１０・・・冷却管、２１
１−・・・真空排気装置、３００・・・反応室、３０１
・・・放電室、３０２・・・電子発生室、３０３・・・
円筒状の電極、３０４・・・棒状電極、３０５・・・電
源、３０６・・・磁気コイル、３０７・・・電極、３０
８・・・電源、３１０・・・冷却機構、３１１・・・真
空排気装置、４００・・・反応室、４０２・・・電子発
生室、４０３・・・ＲＦコイル、４０６・・・磁気コイ
ル、４０７・・・電極、４０８・・・電源。 第１図 （ｂ） 第２図（ｔの１） 第３図 （Ｃ） 第２図（ぞの２） 第４図 第５図 力１ス圧力 （Ｔｏｒｒ） 第８図

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）真空容器と、 該真空容器内に配設され被処理基板を載置 する電極と、 該真空容器内に磁界を発生せしめる磁界発 生手段と、 該真空容器内にガスを導入するガス供給手 段と、 該真空容器内を１０Ｔｏｒｒ以下の低圧に維持する真空
   排気手段と、 前記磁界に直交するように電界を発生せし める電界発生手段と、 前記磁界と電界とが直交する空間内に電子 ビームを持続的に供給する電子ビーム供給手段とを具備
   したことを特徴とする表面処理装置。
2. （２）前記電子ビーム供給手段は、前記真空容器に連結
   された第２の真空容器内で形成されたプラズマ中から電
   子のみを選択的に引き出すことにより、前記空間内に電
   子を供給する手段であることを特徴とする請求項（１）
   記載の表面処理装置。
3. （３）前記電界は、前記電極と真空容器内壁あるいは該
   電極に対向して配置された第２の電極との間に交流又は
   直流電力を印加することにより形成されることを特徴と
   する請求項（１）記載の表面処理装置。
4. （４）前記電界は、前記真空容器内に電磁波を導入する
   ことにより形成されることを特徴とする請求項（１）記
   載の表面処理装置。
5. （５）前記電界と磁界の直交する空間は、閉ループを構
   成していることを特徴とする請求項（１）記載の表面処
   理装置。
6. （６）前記被処理基板は、前記電界と磁界の直交する領
   域の外側に設置されていることを特徴とする請求項（１
   ）記載の表面処理装置。
7. （７）前記真空容器内に薄膜形成材料からなるターゲッ
   トを載置する第２の電極が配設されており、前記ターゲ
   ットをスパッタリングすることにより被処理基板表面に
   薄膜を堆積するように構成されていることを特徴とする
   請求項（１）記載の表面処理装置。