JPH02257662A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に多数個の半
導体装置を同時に基板などに実装する表面実装用で、か
つ半導体チップが大面積でパッケージが薄型の場合に最
適に適用できるものである。

（従来の技術） 近年、半導体装置の高密度実装に伴い、ＦＰ（フラット
パッケージ）　、ＰＬＣＣ（プラスチックリード付きチ
ップキャリア）、５ＯＪ（スモールアウトラインゴーベ
ントパッケージ）などの表面実装用薄型樹脂封止パッケ
ージの適用が進んでいる。こうした半導体パッケージを
基板へ実装する際には、個々のリード部で半田加熱を加
えるのとは異なり、半導体パッケージ全体を半田に浸漬
する表面実装方式が採用されるようになってきている。

従来、このような表面実装用の樹脂封止型半導体装置は
例えば第４図（ａ）〜（ｃ）に示すような構造を有して
いる。第４図（ａ）〜（Ｃ）において、ダイパッド１は
タイバー２により４隅（場合によっては４辺、２隅又は
２辺）が支持され、このダイパッド１上には半導体チッ
プ３が搭載されている。

この半導体チップ３とリード線４とがボンディングワイ
ヤ５でボンディングされている。これらが電気絶縁性の
封止樹脂６で樹脂封止されて半導体パッケージが構成さ
れている。なお、封止樹脂６としては一般的に破砕状又
は球状シリカを充填材として含有する熱硬化性エポキシ
樹脂が用いられ、通常低圧トランスファ成形により樹脂
封止される。

前述した表面実装に際しては、半導体パッケージ全体が
２００℃以上の高温に曝されることにより、封止樹脂６
内部に吸湿された水分がダイパッド１又は半導体チップ
３と封止樹脂６との界面で爆発的にガス化しようとして
高圧が加わるため、第５図に示すように、ダイパッド１
の下側にある封止樹脂６及び半導体チップ３の上側にあ
る封止樹脂６に樹脂クラック７が発生するという問題が
あった。この樹脂クラック７はボンディングワイヤ５の
切断を招いたり、半導体チップ３の耐湿性を劣化させ、
その結果半導体装置の信頼性を著しく低下させる。

このような樹脂クラックの発生を防止するために、パッ
ケージの形状設計及び樹脂の改良が行われてきた。例え
ば、形状設計面からの改良技術として、特開昭６０−２
０８８４７号公報には、ダイパッドの下側のモールド樹
脂部に外部に通じる貫通孔を設け、封止樹脂内部で発生
した高圧ガスを逃がすようにした樹脂封止型半導体装置
が提案されている。また、樹脂の改良技術として、封止
樹脂の熱変形温度を高めて高温での強度を上げることが
行われている。

しかしながら、前述した形状設計面からの改良技術では
、使用時及び保管時には封止樹脂に設けられた貫通孔が
水分の侵入路となるため、半導体装置の耐湿信頼性が低
下する。また、樹脂改良技術でも、樹脂の熱変形温度を
高めるといっても限度があり、高温での強度を充分に上
げることはできず、特に大面積の半導体チップを封止し
た場合にはほとんど効果が認められないという欠点があ
る。

（発明が解決しようとする課題） 本発明は前記問題点を解決するためになされたものであ
り、表面実装時に樹脂クラックをなくし、耐湿信頼性な
どの低下を招くことがない樹脂封止型半導体装置を提供
することを目的とする。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップの上部
及び下部にそれぞれ熱硬化性樹脂を含浸させたガラス織
布のプリプレグを少なくとも１層ずつ設けて一体成形し
たことを特徴とするものである。

本発明に係る樹脂封止型半導体装置の構成を、第１図（
ａ）　、（ｂ）及び第２図＜ａ＞　、（ｂ）を参照して
説明する。いずれの図でも（ａ）は成形前の状態、（ｂ
）は成形後の状態を示す。第１図（ａ）　、（ｂ）及び
第２図（ａ）　、（ｂ）に示すように、ダイパッド１上
に半導体チップ３が搭載され、半導体チップ３とリード
線４とがボンディングワイヤ５でボンディングされてお
り、この半導体チップ３の上部及びダイパッド１の下部
にそれぞれ熱硬化性樹脂を含浸させたガラス織布のプリ
プレグ８が少なくとも１層ずつ設けられ、これらが一体
成形される。

なお、パッケージの強度の向上を図るためには、図に示
すようにプリプレグ８は多層化することが好ましい。成
形後の半導体チップ３はガラス織布が充填された熱硬化
性樹脂で封止された形態となっている。なお、第１図に
示すように、半導体チップ３の上部の数層のプリプレグ
８はガラス織布がボンディングワイヤ５と直接接触しな
いように、プリプレグ８の中央部を切り欠いてもよい。

また、第２図に示すように、半導体チップ３の上部のプ
リプレグ８のうち、半導体チップ３の直上のプリプレグ
９にはこれに含浸させる熱硬化性樹脂中に粉体状のシリ
カを含有させて、半導体チップ３近傍を強化するように
してもよい。

本発明において、プリプレグを構成するガラス織布とし
ては、各種ガラス素材、繊維径のものを使用できるが、
半導体素子の封止という用途を考慮して、Ｅガラスなど
Ｎａ含有率の低いガラス繊維を用いたガラス織布か好ま
しい。また、薄型の半導体パッケージの強度を向上する
ために用いるので、緻密に織られ、かつ薄いガラス織布
が好ましい。このようなガラス織布の具体例（■右派製
作所製）を第１表に示す。なお、これらのガラス織布織
布には、通常、カップリング剤などによる表面処理が施
される。使用されるカップリング剤としては、メタクリ
ルシラン系、エポキシシラン系、アミノシラン系、耐熱
シラン系などが挙げられる。

本発明において、熱硬化性樹脂としては、例えばエポキ
シ樹脂が用いられる。エポキシ樹脂としては、１分子中
に２個以上のエポキシ基を有するものであればいかなる
ものでもよい。例えば、ビスフェノール型のエポキシ、
各種の脂環式エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナ
フトールタイプのノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェ
ノールＡのノボラック型エポキシ樹脂、フェノール又は
アルキルフェノール類とヒドロキシベンズアルデヒド類
との縮合物をエポキシ化して得られるトリス（ヒドロキ
シフェニル）アルカンベースのエポキシ樹脂、テトラ（
ヒドロキシフェニル）アルカンベースのエポキシ樹脂、
テトラグリシドキシベンゾフェノン、バラアミノフェノ
ールのトリグリシジルエーテル、ポリアリルグリシジル
エーテル、トリグリシジルエーテル化ベンゼン、テトラ
グリシドキシベンゼンなどがあげられる。以上のエポキ
シ樹脂のうち、耐熱性の面からエポキシ当量が２５０以
下のエポキシ樹脂が好ましい。

また、パッケージの難燃性を向上するためには、各種の
ハロゲン化エポキシ樹脂、特に臭素化エポキシ樹脂を使
用することが好ましい。例えば、臭素化されたビスフェ
ノールタイプのエポキシ樹脂、臭素化されたフェノール
ノボラックタイプのエポキシ樹脂が挙げられる。

これらのエポキシ樹脂は、通常、硬化剤及び触媒を用い
て硬化反応を進めることにより成形される。

エポキシ樹脂の硬化剤としては、一般に硬化剤として知
られているものであればいかなるものでもよい。例えば
、フェノール樹脂、有機酸無水物、アミン類などが挙げ
られる。

エポキシ樹脂の触媒としては、一般に触媒として知られ
ているものであればいかなるものであってもよい。例え
ば、イミダゾール類、第３級アミン類、有機キレート類
、有機ホスフィン類、その他金属含有有機化合物などが
挙げられる。

なお、エポキシ樹脂の多くは硬化剤を使用せずに、触媒
のみでも硬化させることができる。

本発明において、熱硬化性樹脂中に粉体状のシリカを含
有させる場合、結晶性シリカ、溶融シリカ、表面が溶融
した結晶性シリカなどを用いることができる。なお、成
形時にシリカが衝突することにより半導体チップが損傷
するのを防止するために、１５０　ｔｔｍ以上の粒径の
ものをカットしたシリカ、又は球状シリカを用いること
が好ましい。また、メモリ素子などの半導体チップを封
止する場合には、シリカから発生するα線によるソフト
エラーを防止するため、低Ｕ１低Ｔｈのシリカを用いる
ことが好ましい。また、熱伝導性を向上するためにシリ
カの一部をアルミナや窒化ケイ素で置き換えたり、遮光
性を向上するためにシリカの一部を酸化チタン粉末で置
き換えてもよい。さらに、エポキシ樹脂に難燃性を付与
する場合、難燃助剤として例えば二酸化アンチモン粉末
が用いられるが、この場合、半導体チップの直上だけで
なく、多層のプリプレグの全部に三酸化アンチモン粉末
を加えてもよい。

本発明においては、樹脂の硬化又は熱収縮に伴って、半
導体チップにかかる応力によって半導体チップ表面が損
傷されないように、エポキシ樹脂に有機又はシリコーン
系のゲル又はゾルを含有させてもよい。このようにすれ
ば、半導体装置の信頼性を向」ニすることができる。使
用される有機又はシリコーン系のゲル又はゾルはいかな
るものでもよい。例えば、イソプレン系ゴム、ブタジェ
ン系ゴム、アクリル系ゴム、スチレン系１ゴム、オレフ
ィン系エラストマー　ポリエステル系エラストマー　ポ
リウレタン系エラストマー　フッ素系エラストマー　シ
リコーン系エラストマー　イソプレンをはじめとする各
種液状ゴム、ＡＢＳ−ＭＢＳなどの複合ゴム、硬化して
ゲル又はゴムとなる液状シリコーンゴム、硬化したシリ
コーンゴムなど多種多用のゲル又はゴムが挙げられる。

本発明において、熱硬化性樹脂を含浸させたガラス織布
のプリプレグには、以上の原料素材のほかに各種の顔料
、染料、離型剤、脱泡剤、チキソ性付与剤、カップリン
グ剤などを添加してもよい。

本発明において用いられるガラス織布ブリブレグは、例
えば以下のような方法で作製すること力（できる。すな
わち、エポキシ樹脂、硬化剤、触媒、シリカ粉末、その
他の材料をアセトンなどの溶剤に溶解して適当な濃度の
溶液を調製する。この溶液をガラス織布に塗布するか、
溶液中１こガラス織布を通して、溶液を含浸させる。こ
れを放置、加熱、又は減圧下において、溶媒を揮散させ
ることにより、ガラス織布プリプレグを作製することが
できる。なお、このガラス織布プリプレグは加熱により
Ｂ−ステージ化しておくことが好ましい。

Ｂ−ステージ化とは、熱硬化性樹脂の硬化がある程度進
んだ状態をいい、Ｂ−ステージ化しておくと硬化時間が
短く、かつ圧縮などの成形時にプリプレグに圧力が加わ
るため、ガラス織布の積層状態が良好になる。

なお、ガラス織布プリプレグは、前記の溶剤を用いる方
法以外にも、例えば含浸させる全成分を加熱溶融させ、
加熱ロールを用いてガラス織布に塗布含浸させる方法、
含浸させる全成分を加熱溶融させ、ガラス織布に吹付け
るなどの方法でも作製することができる。

本発明において、封止される半導体チ・ツブは、発光素
子、受光素子などの光半導体素子以外であれば特に限定
されないが、本発明の構造は半導体パッケージが薄く、
チップ面積が大きく、表面実装される半導体装置に最も
適している。このような半導体装置としては、例えばチ
ップ面積が５０ｍｍ２以上の特定用途向けＩＣ（ＡＳＩ
Ｃ）のＰＬＣＣタイプやＦＰタイプのものが挙げられる
。

本発明において、封止される半導体素子を搭載するダイ
パッドやリード線としては、通常、Ｆｅ系の４２７０イ
や銅系の金属板が用いられる。なお、ＴＡＢ　（テープ
オートメーテツドボンディング）などのダイパッドがな
いパッケージの場合でも、表面実装されるときには本発
明の構造を適用することが好ましい。

本発明の樹脂封止型半導体は、ガラス織布プリプレグを
半導体チップの上部及びダイパッドの下部に貼り付けた
後、圧縮成形する方法、半導体チップを搭載したダイパ
ッド及びガラス織布プリプレグを圧縮金型内に設置し、
上下から一体に圧縮成形する方法などにより製造するこ
とができる。

なお、ガラス織布プリプレグが多層化された樹脂封止型
半導体を製造する際にこれらの方法を適用する場合、成
形後の樹脂封止部の強度低下の原因となるボイドの発生
の防止と作業の簡便化を図るために、事前に半導体チッ
プの上下に用いられる多層のガラス織布プリプレグをそ
れぞれ積層して２枚の積層体を作製しておくことが好ま
しい。また、ガラス織布プリプレグを多層化する場合、
各プリプレグに含浸する成分を変化させてもよい。

例えば、最外層のプリプレグには離型性をよくするため
に、ワックスを添加することが考えられる。

第３図を参照して圧縮成形により本発明の樹脂封止型半
導体を製造する方法を説明する。第３図に示すように、
ダイパッド１に半導体チップ３を搭載し、これを下向き
にしてダイパッド１側に多層のプリプレグ８の積層体を
載せた状態で、下金型１１と上金型１０とでタイバー２
を保持する。そして、半導体チップ３側の多層のプリプ
レグ８の積層体を載せた下プランジャ１３と上プランジ
ャ１２とでこれらを圧縮成形して樹脂封止型半導体装置
を製造する。なお、圧縮成形を実施する際には、ボイド
の発生を防止するために、キャビティ１４内を減圧にす
ることが好ましい。また、成形後には封止樹脂の各種特
性を向上させるために、アフターキュアを行うことが好
ましい。

（作用） 本発明の樹脂封止型半導体装置は、バ・ソケージ内にガ
ラス織布が充填されているので、表面実装時に高温に曝
されても、封止樹脂の内部、特にダイパッドと封止樹脂
との界面近傍に存在する水分の気化による高圧に耐える
ことができ、樹脂クラックの発生を防止することができ
る。また、ガラス織布の平面内（ガラス繊維の配向方向
）ではパッケージの線熱膨張率が低下するので、半導体
チップにかかる応力を低減することができる。その結果
、本発明に係る構造を有する樹脂封止型半導体装置は、
長期にわたって良好な信頼性を保持することができる。

（実施例） 以下、本発明の詳細な説明する。

実施例１〜８ まず、以下のようにして、第２表に示すエポキシ含浸ワ
ニスを調製し、各エポキシ含浸ワニスを用いたガラス織
布プリプレグを作製した。なお、以下の説明で、部とあ
るのは重量部を表わす。また、フェスの塗布量を調整す
るために溶剤の使用量を増減させた。ガラス織布は全て
エポキシシラン系のカップリング剤で表面処理を行って
いる。

ガラス織布を多層に積層する場合には、ガラス織布の方
向を交互に９０度変えて積層した。

エポキシＡ フェノールノボラックタイプのエポキシ樹脂（エピコー
ト１５４、シェル化学社製）１００部、硬化剤として３
，３゛−ジアミノジフェニルスルホン３０部、及び触媒
としてＢＦ、−モノエチルアミン錯塩１部を、アセトン
１００部に溶解し、エポキシ含浸ワニスＡを調製した。

次に、所定のガラス織布（第２表に表示、各品名は第１
表の表示に対応する、以下同じ）をエポキシ含浸ワニス
Ａに浸漬した後、風乾し、乾燥機中で８０℃×６分＋１
４０℃×７分の加熱乾燥を行い、Ｂ−ステージ化したガ
ラス繊維プリプレグを作製した。

エポキシＢ ビスフェノールＡタイプのエポキシ樹脂（エピコート８
２８、シェル化学社製）１００部、硬化剤として３，３
゛−ジアミノジフェニルスルホン２０部、及び触媒とし
てＢＦ、−モノエチルアミン錯塩１部を、アセトン１０
０部に溶解し、エポキシ含浸ワニスＢを調製した。

次に、所定のガラス織布をエポキシ含浸ワニスＢに浸漬
した後、風乾し、乾燥機中で８０℃×６分＋１４０℃×
８分の加熱乾燥を行い、Ｂ−ステージ化したガラス繊維
プリプレグを作製した。

エポキシＣ フェノールノボラックタイプのエポキシ樹脂（エピコー
ト１５４、シェル化学社製）１００部、硬化剤とし２て
ジシアンジアミド４部、及び触媒としてベンジルジメチ
ルアミン０．５部を、アセトン７０部−メチルセロソル
ブ３０部の混合溶媒に溶解し、エポキシ含浸ワニスＣを
調製した。

次に、所定のガラス織布をエポキシ含浸ワニスＣに浸漬
した後、風乾し、乾燥機中で８０℃×６分＋１４０℃×
９分の加熱乾燥を行い、Ｂ−ステージ化したガラス繊維
プリプレグを作製した。

エポキシα フェノールノボラックタイプのエポキシ樹脂（エピコー
ト１５４、シェル化学社製）１００部、硬化剤として３
，３°−ジアミノジフェニルスルホン３０部、触媒とし
てＢＦ、−モノエチルアミン錯塩１部、及び溶融シリカ
（ＳＧＡ、東芝セラミックス社製）６０部を、アセトン
１５０部に溶解し、エポキシ含浸ワニスαを調製した。

次に、所定のガラス織布をエポキシ含浸ワニスαに浸漬
した後、風乾し、乾燥機中で８０℃×６分＋１４０℃×
７分の加熱乾燥を行い、Ｂ−ステージ化したガラス繊維
プリプレグを作製した。

エポキシβ ビスフェノールＡタイプのエポキシ樹脂（エピコート８
２８、シェル化学社製）１００部、硬化剤として３．３
゛−ジアミノジフェニルスルホン２０部、触媒としてＢ
ＦＳ−モノエチルアミン錯塩１部、及び低ウラン（ｏ、
　ｔｐｐｂ）微細球状シリカ（トｌ、新日鉄化学社製）
８０部を、アセトン１５０部に溶解し、エポキシ含浸ワ
ニスβを調製した。

次に、所定のガラス織布をエポキシ含浸ワニスβに浸漬
した後、風乾し、乾燥機中で８０℃×６分＋１４０℃×
８分の加熱乾燥を行い、Ｂ−ステージ化したガラス繊維
プリプレグを作製した。

エポキシγ フェノールノボラックタイプのエポキシ樹脂（エピコー
ト１５４、シェル化学社製）１００部、硬化剤としてジ
シアンジアミド４部、触媒としてベンジルジメチルアミ
ン０．５部、及び粒径１５０１以上のものをカットした
溶融シリカ粉（ＧＲ−８０，東芝セラミックス社製）４
０部を、アセトン９０部−メチルセロソルブ５０部の混
合溶媒に溶解し、エポキシ含浸ワニスγを調製した。

次に、所定のガラス織布をエポキシ含浸ワニスＣに浸漬
した後、風乾【７、乾燥機中で８０℃×６分＋１４０℃
×９分の加熱乾燥を行い、Ｂ−ステージ化したガラス繊
維プリプレグを作製した。

エポキシＸ フェノールノボラックタイプのエポキシ樹脂（エピコー
ト１５４、シェル化学社製）１００部、硬化剤として３
，３゛−ジアミノジフェニルスルホン３０部、触媒と１
２でＢＦ、−モノエチルアミン錯塩１部、溶融シリカ（
ＳＧＡ、東芝セラミックス社製）６０部、及びゴム成分
としてＭＢＳ粉末（６８に４、日本合成ゴム社製）３０
部を、アセトン１６０部に溶解し、エポキシ含浸ワニス
Ｘを調製した。

次に、所定のガラス織布をエポキシ含浸ワニスＸに浸漬
した後、風乾１７、乾燥機中で８０”ＣＸ　６分＋１４
０℃×７分の加熱乾燥を行い、Ｂ−ステージ化したガラ
ス繊維プリブｌノグを作製した。

エポキシｙ フェノールノボラックタイプのエポキシ樹脂（エピコー
ト１５４、シェル化学社製）１００部、硬化剤として３
，３−ジアミノジフェニルスルホン３０部、触媒として
ＢＦ、−モノエチルアミン錯塩１部、溶融シリカ（ＳＧ
Ａ、東芝セラミックス社製）６０部、及びゴム成分とし
て液状シリコーンゴム（ＴＳＥ−３０５１、東芝シリコ
ーン社製）４０部を、アセトン１７０部に溶解し、エポ
キシ含浸ワニスｙを調製した。

次に、所定のガラス織布をエポキシ含浸ワニスｙに浸漬
した後、風乾し、乾燥機中で８０℃×６分＋１４０℃×
７分の加熱乾燥を行い、Ｂ−ステージ化したガラス繊維
プリプレグを作製した。

以上のようにして作製されたガラス繊維プリプレグを用
い、減圧金型を用いた圧縮成形により、第１図に示すタ
イプ（実施例６）又は第２図に示すタイプ（実施例１〜
５．７．８）の樹脂対ＩＦ、型半導体装置を作製した。

なお、封止された半導体チップは１０ｍｍ　Ｘ　ｌｏｍ
ｎの寸法を有し、その表面には歩留り向上のために膜厚
５即のポリイミド薄膜が形成されている。また、リード
線及びダイパッドの材質は銅合金である。成形条件は第
２表に示す通りである。成形されたパッケージの厚さは
４ｍｍである。成形されたパッケージには、２００℃で
２時間のアフターキュアを行った。

比較例１〜３ 比較例１として、汎用エポキシ封止材ｙＮ（ガラス転移
温度１６０℃、２１５℃における高温曲げ強さ１．２　
ｋｇ／　＋＊ｍ　２）、 比較例２として、耐熱エポキシ封止樹脂（ガラス転移温
度１９５℃、２１５℃における高温曲げ強さ５．５　ｋ
ｇ／　ｍｍ２）、 比較例３として、ポリイミド封止樹脂（ガラス転移温度
２２０℃、２１５℃における高温曲げ強さ７゜０　ｋｇ
／關２） の３種のエポキシ封止樹脂及びポリイミド封止樹脂を入
手し、低圧トランスファ成形により、実施例と同一の半
導体チップ及びリード線を樹脂封止して、同一パッケー
ジ形状の樹脂封止型半導体装置を作製した。成形条件は
、成形温度１７５℃、成形時間４分、注入圧力８０）ｃ
ｇ　／　ａｍ　”であった。また、成形されたパッケー
ジには、１８０℃で８時間のアフターキュアを行った。

以上のようにして作製された実施例］−〜８及び比較例
１〜３の樹脂封止型半導体装置について、以下のように
して耐半田クラック性、半田浸漬後の耐湿性、及び耐熱
衝撃性を評価した。

■耐半田クラック性 各樹脂封止型半導体装置１２個ずつを８５℃、８５９６
Ｒｈの加速湿度雰囲気中に１週間放置してほぼ水分飽和
状態とし、その後２１５℃で２分間半田付けのためのｖ
ｐｓ　ｃフロロカーボン蒸気による加熱）処理を行った
。ｖＰＳ処理がなされたパッケージの外部クラックを顕
微鏡により調べた。

■半Ｉｌｌ処理（ＶＰＳ）後の耐湿性試験（ＰＣＴ）前
述した顕微鏡観察後のサンプル１２個ずつを、２．５気
圧の水蒸気圧力釜に入れ、所定試験時間（第３表に表示
）放置した後、半導体素子の不良発生を調べた。

■耐熱衝撃性試験（Ｔ　ＣＴ） 各樹脂封止型半導体装置１２個ずつを、−６５℃で３０
分−室温で５分−１５０℃で３０分−室温で５分を１サ
イクルとする冷熱サイクルにさらして、所定試験サイク
ル（第３表に表示）ごとに半導体素子の不良発生を調べ
た。

これらの結果を第３表に示す。

第３表から明らかなように、実施例１〜８の樹脂封止型
半導体装置はいずれも、従来の樹脂封止型半導体装置（
比較例１〜３）と比較して、耐半田クラック性、半田処
理（ＶＰＳ）後の耐湿性に優れていることがわかる。

［発明の効果］ 本発明の樹脂封止型半導体装置は前記のような構成であ
るので、表面実装時の高温下（２１５℃）においても樹
脂パッケージ内部、特にダイパッドと封止樹脂との界面
又はその近傍に吸湿された水分の爆発的な膨張圧力に抗
して樹脂クラックを防止することができる。また、高温
での表面実装後の耐湿性及び耐熱衝撃性も良好である。

したがって、本発明の樹脂封止型半導体装置は、今後の
半導体デバイスの高集積化に伴う半導体チップの面積の
拡大にも充分対応できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明の実施例における樹脂封止型半導
体装置の成形前の状態を示す断面図、同図（ｂ）は同樹
脂封止型半導体装置の成形後の状態を示す断面図、第２
図（ａ）は本発明の他の実施例における樹脂封止型半導
体装置の成形前の状態を示す断面図、同図（ｂ）は同樹
脂封止型半導体装置の成形後の状態を示す断面図、第３
図は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の一例を
示す説明図、第４図（ａ）は従来の樹脂封止型半導体装
置の平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の断面図、第５図
は従来の樹脂封止型半導体装置を半田浸漬した際に発生
する樹脂クラックを示す断面図である。 １・・・ダイパッド、２・・・タイバー　３・・・半導
体チップ、４・・・リード線、５・・・ボンディングワ
イヤ、６・・・封止樹脂、７・・・樹脂クラック、８．
９・・・プリプレグ。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 （Ａ於釣） （さ心４阪） １０・・・上４！ １１−・・Ｆむ １２・・・Ｊ：１ランリ警 １３・・・−「ブワソリー １４・・・ｆヤＣ°うイ 第３図 ８・・・か°ラスプソ７レグ （双ｉｆ伺セ） 第４

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体チップの上部及び下部にそれぞれ熱硬化性
   樹脂を含浸させたガラス織布のプリプレグを少なくとも
   １層ずつ設けて一体成形したことを特徴とする樹脂封止
   型半導体装置。
2. （２）半導体チップの直上のプリプレグが、熱硬化性樹
   脂中に粉体状のシリカを含有することを特徴とする請求
   項（１）記載の樹脂封止型半導体装置。
3. （３）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂であることを特徴と
   する請求項（１）又は（２）記載の樹脂封止型半導体装
   置。