JPH02260362A - 走査電子顕微鏡装置用検出器 - Google Patents

走査電子顕微鏡装置用検出器

Info

Publication number
JPH02260362A
JPH02260362A JP2035996A JP3599690A JPH02260362A JP H02260362 A JPH02260362 A JP H02260362A JP 2035996 A JP2035996 A JP 2035996A JP 3599690 A JP3599690 A JP 3599690A JP H02260362 A JPH02260362 A JP H02260362A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrons
microchannel plate
detector
anode
electron beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2035996A
Other languages
English (en)
Inventor
John W Gray
ジョン・ウォルター・グレイ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Corning Netoptix Inc
Original Assignee
Corning Netoptix Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Corning Netoptix Inc filed Critical Corning Netoptix Inc
Publication of JPH02260362A publication Critical patent/JPH02260362A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/24435—Microchannel plates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/24475—Scattered electron detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2448—Secondary particle detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2449—Detector devices with moving charges in electric or magnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｌ肌α１１ この発明は走査電子顕微鏡検査の際に使用される検出器
に関係している。
走査電子顕微鏡検査時には、電子ビームが試料に衡撃を
与えて三つの信号、すなわち、二次電子（低エルネギ−
で試料の表面の非常に近くから放出される）、後方散乱
電子（より高いエネルギーで試料においてより深くで生
じる）、及びＸ線、を発生する。電子ビームが磁気レン
ズによって試料の小区域を横切って移動されて拡大像を
生成するときに三つの信号の一つ以上のものが検出され
る。
大抵の市販の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）には本来−度に
これら三つの信号の一つを測定する目的のための一つ以
上の検出器が設けられている。比較的新しいＳＥＭは後
方散乱電子及び二次電子からの信号を混合することがで
きるが、やはり二つの別個の検出器を使用している。こ
れらの渇きには、典型的には一つの検出器（通常後方散
乱検出器）が試料のすぐ上方に置かれ且つ他方の検出器
（二次電子検出器）が試料の一方側の離れた所に配置さ
れる。
環状シンチレータ検出器は電子ビームがその進行の際に
リングの穴を通って試料に達する装置において使用され
てきた。マイクロチャネル板（ＭＣＰ）も又ＳＥＭ検出
器として使用されてきた。
ＭＣＰの利点は低エルネギ−電子が非常に敏怒てあり、
従って低エルネギ−電子ビームを使用できることである
。
ペルビグ外の「低エルネギ−走査電子顕微鏡法における
チャネル板検出」、ＷＭ、第１巻。
第１１号＜１９８７年）、１．４９１〜１４９９ページ
所載（ＨｅｌｂｉＨｊｌ、　Ｆ、　　ｅｔ　　ａｌ、、
”ＣＩ＋ａｎｎｅｌｒ’　１ａｔｅ　　Ｄｅｔｅｃｔｉ
ｏｎ　　ｉｎ　　Ｌｏｕ＋　　ＥｎｅｒｇｙＳｃａｎｎ
ｉｎｇ　　　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　　　Ｍｉｃｒｏｓｃｏ
ｐｙ”、７Ｍ　ｉｃｒｏｓｍｙ、Ｖｏｌ、　１　、Ｎｏ
、　４　（１’ｌ）　８７　）ｐｐ−１４９１−１４９
９）は低プロファイルＳ　Ｅ　Ｍ検出器として６Ｉ中心
穴を備えたＭＣＰ（実際には電気的に直列に接続され且
つ互いに接きされて単一の抵抗性素子を形成している二
つの板）を使用することを開示しており、この場合ＳＥ
Ｍの電子ビームがこの穴を通過し、放出された電子がＭ
ＣＰの下方の対向面に検出される。
ベネイブルズ（Ｖ　ｅｎａｂｌｅｓ）外の米国特許第３
８９６３０３号は、電子ビームの通過のための穴を備え
たＭＣＰを使用しているＳＥＭ用検比検出器示している
。
クルード及びダベルダムの「分散性二次電子エネルギー
解析器を備えた電子ビーム試験器Ｊ、ＩＬ題Ｊｉｌｔヱ
ー、第１巻、第４号（１９８７年）、１６４１〜１６４
６ページ所載（Ｋｒｕｉｔ、Ｐ　、　ａｎｄ　　Ｄｕｂ
ｂｅｌｄ　ｏａｔｓ、Ｌ、、”Ａｎ　　Ｅｌｅｔｒｏｎ
　　Ｂｅａｍ　　Ｔｅｓｔｅｒｗｉｔｈ　　　Ｄ　１ｓ
ｐｅｒｓｉｖｅ　　　Ｓ　ｅｃｏｎｄａｒｙ　　　Ｅ　
ｌｅｃＬｒｏｎＥｎｅｒｇｙＡｎａｌｙｚｅｒ”、７　
　ＭユｇＶｏ１．１　、Ｎｏ、　４　、（１９８７）、
ｐｐｌ　６４１−１６４６）は、二つのシンチレータ検
出器を用いて、レンズに使用された磁界によって吸引さ
れ且つＳＥＭレンズを通って検出器に戻ってくる後方散
乱電子及び二次電子を検出することを開示している。
ｌ朋ぷり１頭 走査電子顕微鏡（Ｓ　Ｅ　Ｍ）の電子ビームが一方の方
向に進行し且つ観察中の物体から放出されな低エルネギ
−電子が他方の方向に進行する穴を備えたマイクロチャ
ネル板（ＭＣＰ）によって走査電子顕微鏡用検出器が望
ましく提供され得ることが発見された。この低エルネギ
−電子は電子ビーム源の方へ向けられたＭＣＰの第１面
へ引き付けられる。この電子はＭＣＰ通過の際に増倍さ
れ、そして反対側にあるＭＣＰの第２面に対向した陽極
上に集められる。
採択実施例においては、第２ＭＣＰが第１ＭＣＰと観察
中の物体との間に配置されていて、第１ＭＣＰが二次電
子を受は且つ第２ＭＣＰが決方散乱電子を受け、そして
この電子は第２ＭＣＰによって増倍されて第２陽極へ導
かれる。第１及び第２陽極は絶縁体基板の両側における
導電層によって与えられる。二次電子が第２ＭＣＰへ行
がないようにするなめに第２ＭＣＰと観察中の物体との
間に格子が置かれている。両陽極はそれぞれの減結合器
及び増幅器を通してＳＥＭビデオ処理回路に接続されて
いる。
検出器は良好な解像度を得るために検出器と試料との間
の狭い間隔を許容する低プロファイルを持っている。検
出器は又製造及び使用が容易で、低エルネギ−電子ビー
ムの使用及びＭＣＰにバイアスを与えるための低電圧の
使用を可能にする。
この発明のその他の目的及び利点はそれの採択実施例に
ついての次の説明及び各請求項から明らかであろう。
１−　　のＩ 今度は採択実施例が説明される。
［ 図１及び２に言及すると、観察中の物体が配置されてい
る白板１６の面の方へ向けられた電子ビーム１４の源１
２を含む走査電子ｉ微鏡（ＳＥＭ）１０が示されている
。磁石１８はＳＥＭＩＯのレンズの最終磁気集束段を与
えている。源１２と白板１６との間には検出器２０があ
り、これは第１マイクロチャネル板（ＭＣＰ＞２２、第
２ＭＣＰ２４、陽極サンドイッチ状物２６、及びＭＣＰ
２４と台板１６との間に配置された格子２８を備えてい
る。
図２に言及すると、第１ＭＣＰ２２、陽極サンドイッチ
状物２６、及び第２ＭＣＰ２４は電子ビーム１４が通過
するそれぞれの穴３０，３２．３４を備えている。第１
ＭＣＰ２２には電子ビーム源１２の方へ向いた第１面３
６、及び増倍電子の放電のための反対側における第２面
３８がある。第２ＭＣＰ２４にはく白板１６上にある）
物体４１に面した第３面４０、及び増倍電子の放電のた
めのその反対側における第４面４２がある。陽極、サン
ドイッチ状物２６１よ、例えばセラミック材料で作られ
た絶縁体基板４８上に１土着させられた金属化層４４及
び４６からなっている。金属化層４４には第２面３８か
ら放電した電子を受けるための、第１ＭＣＰ２２の第２
面３８に面した露出面がある。金属化層４６にも同様に
、第４面４２から放電した増倍電子を受けるための、第
２ＭＣＰ２４の第４面４２に面した露出面がある。金属
化層４４は第１陽極を与え且つ金属化層４６は第２陽極
を与える。マイクロチャネル板２２．２４（これは直径
が２５ｍｍであり、直径６１の穴を備えている）は陽極
サンドイッチ状物の対向面４４．４６から０．０１”だ
け隔てられている。
層４４は＋２．１ｋＶを与える電圧源に接続されており
、且つ又減結合コンデンサ５０及び増幅器５４によって
、ＳＥＭＩＯの陰極線管（図示されていない）上に物体
４１のビデオ画像を与えるために使用される走査電子顕
微鏡ビデオ処理回路５４に接続されている。層４６も同
様に＋１．１ｋＶを与える電圧源に接続され、且つ又減
結合コンデンサ５６及び増幅器５８を通して走査電子顕
微鏡ビデオ処理回路５４に接続されている。第１ＭＣＰ
４２の第１面３６は＋１ｋＶを与える電圧源に接続され
ており、第２ＭＣＰ２４の第４面も同様である。第１Ｍ
ＣＰ２２の第２面３８は＋２ｋＶを与える電圧面に接続
されており、又第２ＭＣＰ２４の第３面４０は接地に接
続されている。
格子２８　（０，００２“の厚さの、写真食刻ステンレ
ス鋼又はタングステン、９０％の開放空気／金属比）は
−１００■を与える電圧源に接続されている。
動作の際、電子ビーム丁４（約１０００ｅＶ）は電子ビ
ーム源１２によって与えられて、磁石によって白板１６
上の物体４１へ導かれる。概略的に矢印６０．６２で示
された後方散乱電子は高いエネルギーを持っており、磁
石１８により与えられるレンズ磁界によって強くは影響
されず、且つ第２マイクロチャネル板２４の第３面４０
の方へ加速される。概略的に矢印６４で示された二次電
子は１００ｅＶ未満を持っているので、格子２８を通っ
て第２ＭＣＰ２４の第３面４０に達するのを妨げられる
。二次電子６４は低いエネルギーを持っており、磁石１
８のレンズ磁界によ一ンて強く影響され、且つ中心穴３
４，３２．３０を通ってほぼらせん状の経路に沿って上
へ加速される。第１ＭＣＰ２２の第１面３６は中心穴３
０から出て来る二次電子を引き付けるようにバイアスさ
れている。
後方散乱電子６０．６２は第２ＭＣＰ２４において増倍
され、そして増倍された電子は第４面４２から放電させ
られて第２陽極金属化層４６上に集められる。二次電子
６４が同様に第１ＭＣＰ２２において増倍され、そして
増倍された電子は第２面３８から放電させられて、金属
化層４４により与えられた第１陽極上に集められる。そ
れぞれの陽極に集められた増倍電子は交流信号を与え、
この交流信号は減結合コンデンサ５０．５６を通過して
それぞれの増幅器５２．５８によって増幅され、そして
ＳＥＭビデオ処理回路５４によって利用されて、電子ビ
ーム１４がそのラスタ走査パターンにより移動されると
きにＳＥＭＩＯの陰極線管（図示されていない）上に画
像を与える。
検出器２０は良好な解像度を得るために検出器と試料と
の間の狭い間隔を許容する非常に低いプロファイルを持
っていることが望ましい、この検出器は又設計が簡単で
あり、従って安価であり且つ使用するのが容易である。
ＭＣＰの感度のために、低電圧（１０００ｅＶ）エネル
ギービームを使用することができ、且つＭＣＰ２２．２
４のバイアス付与のために低電圧が使用される。
他ぷりＬＩ」− この発明の他の実施例は各諸求項の範囲内にある。
【図面の簡単な説明】
図１はこの発明による走査電子顕微鏡装置を示した線図
である。 図２は図１の装置のビデオ処理回路と共に図１の装置に
使用された検出器の構成部品を示した線図である。 （外４名） Ｌ心尖の、トーシ（内容に変更なし） ＦＩＧ、　２ 手 続 補 正 書 １、事件の表示 平成２年特許願第３５９９６号 ２、発明の名称 走査電子顕微鏡装置用検出器 ３゜ 補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所 名　称　　ガリレオーエレクトローオブチックス・コー
ポレーション ４、代 埋入 ５、補正の対象

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、観察中の物体への電子ビームの電子の衝突から生じ
    る電子の放出を検出するための検出器を使用した走査電
    子顕微鏡装置であって、 前記の電子ビームを供給する電子ビーム源、前記の電子
    ビームを前記の物体へ導くための磁界を与える磁石、 前記の電子ビームと整列した貫通した第１穴、前記の物
    体から放出され且つ前記の磁界によって前記の穴を通っ
    て導かれた低エルネギー電子を受けるための前記の電子
    ビーム源の方へ向けられた第１面、及び増倍された電子
    の放電のための前記の第１面とは反対側の第２面を備え
    た第１マイクロチャネル板、並びに 前記の第２面に面しており、前記の第２面から放電され
    た電子を集めるように配置された第１陽極、 を備えている前記の走査電子顕微鏡装置。 ２、前記の低エルネギー電子が二次電子であり、且つ更
    に 前記の第１マイクロチャネル板に平行であり且つ前記の
    第１マイクロチャネル板の第２面の側にある第２マイク
    ロチャネル板であって、前記の第１穴と整列した貫通し
    た第２穴、前記の物体からの後方散乱電子を受けるため
    の第３面、及び増倍された電子の放電のための前記の第
    ２マイクロチャネル板の反対側における第４面を備えた
    前記の第２マイクロチャネル板、並びに 前記の第１陽極から電気的に分離していて前記の第２面
    と前記の第４面との間に配置されており、前記の第４面
    から放電した電子を集めるように配置されている第２陽
    極、 を備えている、請求項１の走査電子顕微鏡装置。 ３、前記の第１及び第２陽極が絶縁体基板上に導電層と
    して設けられている、請求項２の走査電子顕微鏡装置。 ４、前記の第３面と前記の物体との間にあり、前記の二
    次電子が前記の第３面に達するのを防止するための電位
    を持っている格子を更に備えている、請求項２の走査電
    子顕微鏡装置。 ５、ビデオ処理回路並びに前記の各陽極と前記のビデオ
    処理回路との間にある減結合装置及び増幅器を更に備え
    ている、請求項２の走査電子顕微鏡装置。 ６、観察中の物体への電子ビームの電子の衝突から生じ
    る二次電子及び後方散乱電子の放出を検出するために走
    査電子顕微鏡検査の際に使用され得る検出器であつて、 貫通した第１穴、二次電子を受けるための第１面、及び
    増倍された電子の放電のための前記の第１面とは反対側
    の第２面を備えた第１マイクロチャネル板、 前記の第１マイクロチャネル板に平行であり且つ前記の
    第１マイクロチャネル板の第２面の側にある第２マイク
    ロチャネル板であって、前記の第１穴と整列した貫通し
    た第２穴、前記の物体からの後方散乱電子を受けるため
    の第３面、及び増幅倍された電子の放電のための前記の
    第２マイクロチャネル板の反対側における第４面を備え
    た前記の第２マイクロチャネル板、並びに 前記の第２面と前記の第４面との間に配置されていて、
    第１陽極が前記の第２面から放電した電子を集めるよう
    に配置され且つ第２陽極が前記の第４面から放電した電
    子へ集めるように配置されている前記の第１及び第２の
    電気的に分離した陽極、 を備えている前記の検出器。 ７、前記の第１及び第２の陽極が絶縁体基板上に導電層
    として設けられている、請求項６の検出器。 ８、前記の第３面と前記の物体との間にあり、前記の二
    次電子が前記の第３面に達するのを防止するための電位
    を持っている格子を更に備えている、請求項６の検出器
    。
JP2035996A 1989-02-21 1990-02-16 走査電子顕微鏡装置用検出器 Pending JPH02260362A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/313,022 US4958079A (en) 1989-02-21 1989-02-21 Detector for scanning electron microscopy apparatus
US313022 1989-02-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02260362A true JPH02260362A (ja) 1990-10-23

Family

ID=23214046

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2035996A Pending JPH02260362A (ja) 1989-02-21 1990-02-16 走査電子顕微鏡装置用検出器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4958079A (ja)
JP (1) JPH02260362A (ja)
DE (1) DE4004935A1 (ja)
GB (1) GB2230897A (ja)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2851213B2 (ja) * 1992-09-28 1999-01-27 株式会社東芝 走査電子顕微鏡
JP3431228B2 (ja) * 1993-09-21 2003-07-28 株式会社東芝 荷電粒子検出装置及び荷電粒子照射装置
US5493116A (en) * 1993-10-26 1996-02-20 Metrologix, Inc. Detection system for precision measurements and high resolution inspection of high aspect ratio structures using particle beam devices
US5466940A (en) * 1994-06-20 1995-11-14 Opal Technologies Ltd. Electron detector with high backscattered electron acceptance for particle beam apparatus
JPH09106777A (ja) * 1995-10-11 1997-04-22 Hamamatsu Photonics Kk 電子顕微鏡用電子増倍器
JPH11233060A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Fujitsu Ltd ２次電子検出器及びこれを用いた電子ビーム装置
IL124333A0 (en) * 1998-05-05 1998-12-06 El Mul Technologies Ltd Charges particle detector
KR20000034962A (ko) * 1998-11-19 2000-06-26 하이든 마틴 하전입자의 이중-모드 검출 장치 및 방법
US6633034B1 (en) * 2000-05-04 2003-10-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for imaging a specimen using low profile electron detector for charged particle beam imaging apparatus including electrostatic mirrors
US6717146B2 (en) * 2001-05-24 2004-04-06 Applied Materials, Inc. Tandem microchannel plate and solid state electron detector
AU2002326948A1 (en) * 2001-09-18 2003-04-01 Bristol-Myers Squibb Company Piperizinones as modulators of chemokine receptor activity
RU2246739C1 (ru) * 2003-06-16 2005-02-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургский государственный университет" Газовый микроколодезный электронный умножитель
JP4092280B2 (ja) * 2003-10-23 2008-05-28 株式会社東芝 荷電ビーム装置および荷電粒子検出方法
US7531812B2 (en) * 2003-10-27 2009-05-12 Politechnika Wroclawska Method and system for the directional detection of electrons in a scanning electron microscope
US20060196853A1 (en) * 2005-03-04 2006-09-07 The Regents Of The University Of California Micro-joining using electron beams
US7952073B2 (en) * 2008-08-01 2011-05-31 Direct Electron, Lp Apparatus and method including a direct bombardment detector and a secondary detector for use in electron microscopy
JP5280174B2 (ja) * 2008-12-10 2013-09-04 日本電子株式会社 電子線装置及び電子線装置の動作方法
RU200525U1 (ru) * 2020-07-08 2020-10-28 Федеральное государственное бюджетное учреждение "Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" Двухкоординатный детектор тепловых и холодных нейтронов с газовым конвертором 3 2Не
CN116593516A (zh) * 2023-04-18 2023-08-15 西安交通大学 一种金属材料紫外光电子产额谱仪

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1447983A (en) * 1973-01-10 1976-09-02 Nat Res Dev Detector for electron microscopes
US3864595A (en) * 1973-04-19 1975-02-04 Westinghouse Electric Corp Automatic brightness control for gated micro-channel plate intensifier
JPS5910688Y2 (ja) * 1977-09-14 1984-04-03 富士通株式会社 電子検出器
DE3236273A1 (de) * 1982-09-30 1984-04-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Spektrometerobjektiv mit parallelen objektiv- und spektrometerfeldern fuer die potentialmesstechnik
US4528452A (en) * 1982-12-09 1985-07-09 Electron Beam Corporation Alignment and detection system for electron image projectors
GB8327737D0 (en) * 1983-10-17 1983-11-16 Texas Instruments Ltd Electron detector
JPH0736321B2 (ja) * 1985-06-14 1995-04-19 イーツエーテー、インテグレイテツド、サーキツト、テスチング、ゲゼルシヤフト、フユア、ハルプライタープリユーフテヒニク、ミツト、ベシユレンクテル、ハフツング 定量的電位測定用スペクトロメ−タ−対物レンズ装置
US4752714A (en) * 1986-03-10 1988-06-21 Tektronix, Inc. Decelerating and scan expansion lens system for electron discharge tube incorporating a microchannel plate
US4721910A (en) * 1986-09-12 1988-01-26 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories High speed circuit measurements using photoemission sampling
EP0274622B1 (de) * 1986-12-12 1990-11-07 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Detektoranordnung mit einem Detektorobjektiv für Korpuskularstrahlgeräte
GB2215907B (en) * 1987-07-14 1992-04-15 Jeol Ltd Apparatus using a charged-particle beam
JPS6482445A (en) * 1987-09-25 1989-03-28 Hitachi Ltd Charged particle detector

Also Published As

Publication number Publication date
GB2230897A (en) 1990-10-31
US4958079A (en) 1990-09-18
GB9003958D0 (en) 1990-04-18
DE4004935A1 (de) 1990-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6667476B2 (en) Scanning electron microscope
US4958079A (en) Detector for scanning electron microscopy apparatus
KR100382026B1 (ko) 주사형전자현미경
JP2919170B2 (ja) 走査電子顕微鏡
JP3836519B2 (ja) 電子検出器
US6259094B1 (en) Electron beam inspection method and apparatus
US7119333B2 (en) Ion detector for ion beam applications
US3678384A (en) Electron beam apparatus
US5408098A (en) Method and apparatus for detecting low loss electrons in a scanning electron microscope
JPWO2001075929A1 (ja) 走査電子顕微鏡
JP2899629B2 (ja) 荷電二次粒子の検出装置
JPH04504325A (ja) 環境形走査型電子顕微鏡
KR20020077457A (ko) 주사 전자현미경
US7276694B1 (en) Defect detection using energy spectrometer
JPH0736321B2 (ja) 定量的電位測定用スペクトロメ−タ−対物レンズ装置
EP0113746B1 (en) An elektrode system of a retarding-field spectrometer for a voltage measuring electron beam apparatus
US6888138B2 (en) Absorption current image apparatus in electron microscope
US6730907B1 (en) Charged particle device
JP3537582B2 (ja) 多機能試料表面分析装置
Russell et al. Microchannel plate detector for low voltage scanning electron microscopes
US4680468A (en) Particle detector
Gersch et al. Postionization of sputtered neutrals by a focused electron beam
JP2000188310A (ja) 回路パターン検査装置
KR100711198B1 (ko) 주사형전자현미경
JPH09219170A (ja) 走査型電子顕微鏡の２次電子検出装置