JPH02260500A - 電磁波しゃへいテープ - Google Patents
電磁波しゃへいテープInfo
- Publication number
- JPH02260500A JPH02260500A JP7802089A JP7802089A JPH02260500A JP H02260500 A JPH02260500 A JP H02260500A JP 7802089 A JP7802089 A JP 7802089A JP 7802089 A JP7802089 A JP 7802089A JP H02260500 A JPH02260500 A JP H02260500A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous alloy
- magnetic
- plating
- tape
- shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 15
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 8
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000000333 X-ray scattering Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KCYJMWPVYGWYAF-UHFFFAOYSA-N iron phosphanylidynecobalt Chemical compound [Fe].[Co]#P KCYJMWPVYGWYAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
電子機器などより放射される電磁波など、特に磁場に起
因して生ずる電磁波障害をシールドすることができる電
磁波しゃへい構造物を提供することにある。
因して生ずる電磁波障害をシールドすることができる電
磁波しゃへい構造物を提供することにある。
電子機器の応用拡大にともない、これら機器より発生す
る電磁波の障害対策をたてることが必要となってきた。
る電磁波の障害対策をたてることが必要となってきた。
このため電子機器あるいはその周辺機器部品などに対す
る電磁波しゃへい対策として、銅やアルミニウムまたは
ニッケル、鉄、しんちゅうなどの粉末や短繊維、フレー
クなどを合成樹脂に混和したものを所要の形状に形成し
て電子機器を覆い、電磁波をしゃへいする方法が考案さ
れ、応用されている。しかし銅やアルミニウムは電場を
しゃへいする効果はあるが、透磁率が低く、磁場じゃへ
い効果はない。
る電磁波しゃへい対策として、銅やアルミニウムまたは
ニッケル、鉄、しんちゅうなどの粉末や短繊維、フレー
クなどを合成樹脂に混和したものを所要の形状に形成し
て電子機器を覆い、電磁波をしゃへいする方法が考案さ
れ、応用されている。しかし銅やアルミニウムは電場を
しゃへいする効果はあるが、透磁率が低く、磁場じゃへ
い効果はない。
これに対し、ニッケルや鉄などは磁性体であるため磁場
しゃへい効果はあるが、電場じゃへい効果は低い。
しゃへい効果はあるが、電場じゃへい効果は低い。
本発明は電磁波じゃへい効果に対して銅、アルミニウム
などの欠点である透磁率が小さいという点に改良を施す
と共に、電場、磁場のいずれに対しても高いしゃへい効
果を有する電磁波じゃへい材を提供するものである。
などの欠点である透磁率が小さいという点に改良を施す
と共に、電場、磁場のいずれに対しても高いしゃへい効
果を有する電磁波じゃへい材を提供するものである。
現在種々の電磁波しゃへい材料が開発され応用されてい
るが、電場、磁場の両方を広い周波数帯域でじゃへいす
る有効な方法は少ない。
るが、電場、磁場の両方を広い周波数帯域でじゃへいす
る有効な方法は少ない。
銅、アルミニウム、銀などは良導体であり、すなわち電
磁波特に電界波のしゃへい効果が掻めて高い材料である
ことは以前から注目されており、実際に電磁波シールド
材料として実用化されているが、磁界波のしゃへい効果
は殆どない。これは磁性材料としての特性である透磁率
、飽和磁化などがないためである。
磁波特に電界波のしゃへい効果が掻めて高い材料である
ことは以前から注目されており、実際に電磁波シールド
材料として実用化されているが、磁界波のしゃへい効果
は殆どない。これは磁性材料としての特性である透磁率
、飽和磁化などがないためである。
本発明者らは銅箔などの良導体に軟磁性特性を付与する
ことを目的として検討中のところ、透磁率の高い非晶質
合金を銅箔などの表面にめっきなどの方法を用いて被覆
することにより電場および磁場のしゃへい効果が共に優
れた電磁波じゃへい材を得ることに成功した。
ことを目的として検討中のところ、透磁率の高い非晶質
合金を銅箔などの表面にめっきなどの方法を用いて被覆
することにより電場および磁場のしゃへい効果が共に優
れた電磁波じゃへい材を得ることに成功した。
本発明は銅、アルミニウムなどの良導電体に磁気特性に
優れる非晶質合金薄膜を電気めっき法にて形成すること
により特に磁気遮へい効果の高い電磁波シールド材料を
提供することにある。
優れる非晶質合金薄膜を電気めっき法にて形成すること
により特に磁気遮へい効果の高い電磁波シールド材料を
提供することにある。
本発明による非晶質合金の形成はめっき法によるもので
ある。めっきは導電性材料表面ならばいかなる場所にも
施すことができる。
ある。めっきは導電性材料表面ならばいかなる場所にも
施すことができる。
本発明のテープを構成する非晶質合金層を形成せしめる
金属としては、鉄、コバルト、ニッケル、クロム、金、
銅、アルミニウム、チタン、テルル、銀、白金、亜鉛、
錫、鉛といったものが挙げられ、電析可能なものならば
何でも用いることができる。また単独では電析できない
とされるタングステンやニオブも、鉄族元素との誘起共
析により導体として用いることができる。
金属としては、鉄、コバルト、ニッケル、クロム、金、
銅、アルミニウム、チタン、テルル、銀、白金、亜鉛、
錫、鉛といったものが挙げられ、電析可能なものならば
何でも用いることができる。また単独では電析できない
とされるタングステンやニオブも、鉄族元素との誘起共
析により導体として用いることができる。
これらの金属成分のうち鉄族元素を主成分とする非晶質
合金は高透磁率、高磁束密度、低保磁力といった優れた
軟磁性的性質を示し、磁気遮へい材料としての特性を効
果的に発揮しうるので好しいものである。
合金は高透磁率、高磁束密度、低保磁力といった優れた
軟磁性的性質を示し、磁気遮へい材料としての特性を効
果的に発揮しうるので好しいものである。
本発明において、特に磁気シールド特性に注目する場合
には非晶質合金薄膜被覆材としては鉄またはコバルト基
系が好ましい。
には非晶質合金薄膜被覆材としては鉄またはコバルト基
系が好ましい。
良導電性金属箔を浸漬し、該金属箔を陰極とし、白金な
どを陽極として電圧を印加することにより金属箔上に非
晶質合金を電析することができる。非晶化のためにはめ
っき浴中に次亜りん酸ナトリウムなどの次亜りん酸塩を
0.02〜0.5moljl!/l加え電析を行うこと
が好ましい。これにより例えばCo/Fe系の電析膜中
にりんが5〜20at%混入し、非晶質化する。
どを陽極として電圧を印加することにより金属箔上に非
晶質合金を電析することができる。非晶化のためにはめ
っき浴中に次亜りん酸ナトリウムなどの次亜りん酸塩を
0.02〜0.5moljl!/l加え電析を行うこと
が好ましい。これにより例えばCo/Fe系の電析膜中
にりんが5〜20at%混入し、非晶質化する。
金属箔を陰極として電気めっきを行った場合、原理的に
箔の両面にめっき層が形成されるが、対極である陽極を
片面に接近して配置すると、金属箔の片面(陽極と対待
している面)に選択的に非晶質合金を電析させることが
てきる。完全に片面だけに電析させるためには、金属箔
の片面を絶縁体(プラスティックフィルムや紙など)で
保護してやればよい。また、めっき中に磁場を印加して
磁気特性を改善することもできる。このようにしてめっ
きされたテープ状物は熱処理を施すことによって非晶質
合金層の磁気特性を改善することができる。また、場合
によっては磁場中で熱処理することも有効である。
箔の両面にめっき層が形成されるが、対極である陽極を
片面に接近して配置すると、金属箔の片面(陽極と対待
している面)に選択的に非晶質合金を電析させることが
てきる。完全に片面だけに電析させるためには、金属箔
の片面を絶縁体(プラスティックフィルムや紙など)で
保護してやればよい。また、めっき中に磁場を印加して
磁気特性を改善することもできる。このようにしてめっ
きされたテープ状物は熱処理を施すことによって非晶質
合金層の磁気特性を改善することができる。また、場合
によっては磁場中で熱処理することも有効である。
非晶質合金層の膜厚は、数十人から数百−まで変化させ
ることができるが、これはめっき時間に依存する。磁気
シールド効果はめっき合金層の厚みに比例するが、本発
明の場合20−以下が望ましい。20751以上になる
とめっき合金層が曲げ応力に対して割れ易くなり好まし
くない、また、めっき時間も長くなり、生産性が悪くな
る。本発明の場合合金層の比透磁率は1kHz、100
0Gの磁束密度で少なくとも104、好ましくは2X1
0’の特性を有するため、20−以下の膜厚で十分であ
る。高度な磁気シールドを要請される用途には本発明の
テープを2枚以上積層して用いればよい。
ることができるが、これはめっき時間に依存する。磁気
シールド効果はめっき合金層の厚みに比例するが、本発
明の場合20−以下が望ましい。20751以上になる
とめっき合金層が曲げ応力に対して割れ易くなり好まし
くない、また、めっき時間も長くなり、生産性が悪くな
る。本発明の場合合金層の比透磁率は1kHz、100
0Gの磁束密度で少なくとも104、好ましくは2X1
0’の特性を有するため、20−以下の膜厚で十分であ
る。高度な磁気シールドを要請される用途には本発明の
テープを2枚以上積層して用いればよい。
次に被めっき体である良導電性金属箔テープについて述
べる。被めっき体は、導電性を有するものであれば何で
も用いることができるが、100μΩ1以上の比抵抗体
ではめっきの膜厚に場所むらが生じたり、電析速度が遅
くなるなど問題点が起こる場合がある。良導電性金属箔
テープの比抵抗は10μΩ1以下であることが望ましい
。さらに好ましくは5μΩC1であることが望ましい。
べる。被めっき体は、導電性を有するものであれば何で
も用いることができるが、100μΩ1以上の比抵抗体
ではめっきの膜厚に場所むらが生じたり、電析速度が遅
くなるなど問題点が起こる場合がある。良導電性金属箔
テープの比抵抗は10μΩ1以下であることが望ましい
。さらに好ましくは5μΩC1であることが望ましい。
また、十分な導電性を保持するためには3〇−以上さら
には5〇−以上の厚さの良導電性金属箔を用いることが
望ましい。このように低抵抗の金属箔、例えば銀および
銅箔上に非晶質合金をめっきした場合には均一膜厚の非
晶質合金層を速やかに得ることができる。
には5〇−以上の厚さの良導電性金属箔を用いることが
望ましい。このように低抵抗の金属箔、例えば銀および
銅箔上に非晶質合金をめっきした場合には均一膜厚の非
晶質合金層を速やかに得ることができる。
非晶質合金を被覆した良導電性金属箔テープの片面また
は両面に粘着剤を塗布しであると、必要な部分にこれを
張り付けることにより容易に電磁波シールドを施すこと
ができる。
は両面に粘着剤を塗布しであると、必要な部分にこれを
張り付けることにより容易に電磁波シールドを施すこと
ができる。
以下実施例を用いて説明する。
(実施例1)
第1図に示した如き構造のめっき装置のめっき浴槽6中
に塩化鉄(I[) 11.9 g/l、硫酸コバルト(
■)264.3g/j!、次亜リン酸ナトリウム21.
2g/f、はう酸6.2g/lなる組成のめっき浴をp
H1,3に調製して満たし、50°Cに保持した。コバ
ルトからなる対重5と作用極である5〇−厚の銅箔4の
間に電流密度0.05A /cjに相当する電圧を印加
して銅箔上に鉄−コバルト−りん非晶質合金層を析出さ
せた。を源としては北斗電工社製HCP−3018を使
用した。めっき浴中の銅箔の滞在時間を3分とすること
により銅箔上に3−のPe:Co:P=6:84 :
10の組成の非晶質合金層を形成した。
に塩化鉄(I[) 11.9 g/l、硫酸コバルト(
■)264.3g/j!、次亜リン酸ナトリウム21.
2g/f、はう酸6.2g/lなる組成のめっき浴をp
H1,3に調製して満たし、50°Cに保持した。コバ
ルトからなる対重5と作用極である5〇−厚の銅箔4の
間に電流密度0.05A /cjに相当する電圧を印加
して銅箔上に鉄−コバルト−りん非晶質合金層を析出さ
せた。を源としては北斗電工社製HCP−3018を使
用した。めっき浴中の銅箔の滞在時間を3分とすること
により銅箔上に3−のPe:Co:P=6:84 :
10の組成の非晶質合金層を形成した。
非晶質合金層表面は鏡面光沢を有し、柔軟性に優れてい
た。
た。
この合金層を銅箔より剥離し、X線回折チャートを取っ
た結果を第2図に示す。第2図において横軸は試料から
のX線散乱角であり、縦軸は散乱強度である。金属特有
の結晶に基づ(ピークはみられず、完全に非晶化してい
ることを確めた。このテープの電磁じゃへい効果は極め
て良好なものであった。
た結果を第2図に示す。第2図において横軸は試料から
のX線散乱角であり、縦軸は散乱強度である。金属特有
の結晶に基づ(ピークはみられず、完全に非晶化してい
ることを確めた。このテープの電磁じゃへい効果は極め
て良好なものであった。
(実施例2)
w4箔の裏面に粘着剤を塗布しであるテープ(3M社製
製品Nal 245)上に実施例1と同様の方法で非
晶質合金層を5−形成した。さらにその上に銅めっき層
及び非晶質合金層を各々5−ずつ形成し、これを5回繰
り返して積層した。この電磁じゃへいテープの断面概略
図を第3図に示した。このテープの電磁しやへい効果は
穫めて良好であった。
製品Nal 245)上に実施例1と同様の方法で非
晶質合金層を5−形成した。さらにその上に銅めっき層
及び非晶質合金層を各々5−ずつ形成し、これを5回繰
り返して積層した。この電磁じゃへいテープの断面概略
図を第3図に示した。このテープの電磁しやへい効果は
穫めて良好であった。
本発明の高透磁率非晶質合金をめっきした良導電性金属
箔は磁気遮へい効果に優れ、成形性にとみかつ加工性に
優れた電磁波遮へい材料として用いることができる。
箔は磁気遮へい効果に優れ、成形性にとみかつ加工性に
優れた電磁波遮へい材料として用いることができる。
第1図は、本発明の電磁じゃへいテープを作るに際して
用いためっき装置の概略図であり、第2図は、実施例1
の非晶質合金のX線回折チャート図を、第3図は実施例
2によって得た非晶質合金層と銅層の積層構造を有する
本発明の電磁じゃへいテープの断面概略図である。 特許出願人 三菱レイヨン株式会社
用いためっき装置の概略図であり、第2図は、実施例1
の非晶質合金のX線回折チャート図を、第3図は実施例
2によって得た非晶質合金層と銅層の積層構造を有する
本発明の電磁じゃへいテープの断面概略図である。 特許出願人 三菱レイヨン株式会社
Claims (1)
- (1)良導電性金属箔テープの少なくとも片面に高透磁
性非晶質合金層を少なくとも一層電気めっき法にて形成
したことを特徴とする電磁波しゃへいテープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7802089A JPH02260500A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 電磁波しゃへいテープ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7802089A JPH02260500A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 電磁波しゃへいテープ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260500A true JPH02260500A (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=13650121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7802089A Pending JPH02260500A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 電磁波しゃへいテープ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02260500A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003059030A1 (en) * | 2002-01-08 | 2003-07-17 | 4-D Neuroimaging Oy | Wall element for magnetically shielded room and magnetically shielded room |
| WO2016092692A1 (ja) * | 2014-12-12 | 2016-06-16 | 株式会社メイコー | モールド回路モジュール及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP7802089A patent/JPH02260500A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003059030A1 (en) * | 2002-01-08 | 2003-07-17 | 4-D Neuroimaging Oy | Wall element for magnetically shielded room and magnetically shielded room |
| US7335838B2 (en) | 2002-01-08 | 2008-02-26 | Elekta Ab (Publ) | Wall element for magnetically shielded room and magnetically shielded room |
| EP1470746B1 (en) * | 2002-01-08 | 2013-05-22 | Elekta AB (publ) | Wall element for magnetically shielded room and magnetically shielded room |
| WO2016092692A1 (ja) * | 2014-12-12 | 2016-06-16 | 株式会社メイコー | モールド回路モジュール及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5435903A (en) | Process for the electrodeposition of an amorphous cobalt-iron-phosphorus alloy | |
| US4652348A (en) | Method for the production of alloys possessing high elastic modulus and improved magnetic properties by electrodeposition | |
| DE69119969T2 (de) | Elektrisch leitende Abdeckungen, elektrisch leitende Abdeckungen von elektronischen Apparaten und Verfahren zur Herstellung elektrisch leitender Abdeckungen | |
| US6876886B1 (en) | Magnetically shielded conductor | |
| CN1268803C (zh) | 一种镍铜复合金属织物及其制备方法 | |
| JP2004128158A (ja) | 電磁波シールド材 | |
| Budi et al. | The effects of saccharin on the electrodeposition of NiCoFe films on a flexible substrate | |
| JP2002194586A (ja) | めっき皮膜および電磁波シールド材 | |
| US2848391A (en) | Method of making a multiple lamination construction | |
| JPH02260500A (ja) | 電磁波しゃへいテープ | |
| JPH05327274A (ja) | 電磁波シールド材 | |
| JPS62256498A (ja) | 電磁波シ−ルド効果に優れた複合金属薄帯 | |
| JPH0284540A (ja) | 非晶質合金を被覆した炭素繊維 | |
| JPS58212199A (ja) | 電磁シ−ルド材料 | |
| EP1048749B1 (en) | Process for forming metal layer on surface of resin molded product | |
| JPH01241200A (ja) | 電磁シールド材料 | |
| RU2102801C1 (ru) | Материал для защиты от воздействия излучений | |
| JP3201763B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| DE2150105C3 (de) | Verfahren zur Vervielfältigung eines auf einem Aufzeichnungsträger aufgebrachten Magnetisierungsmusters | |
| JPS61127197A (ja) | 電磁波シ−ルド性を有するプラスチツクハウジング | |
| JP4107534B2 (ja) | 金属被覆ガラスクロス及びその製造方法 | |
| US3457634A (en) | Method for fabricating memory apparatus | |
| JPS62157614A (ja) | 電磁波遮蔽ケ−ブル | |
| JP3139799B2 (ja) | 非晶質合金を被覆した炭素繊維 | |
| KR20250091521A (ko) | 극저주파 자기장 차폐용 다중 배열 필름 및 그 제조방법 |