JPH0226183B2 - - Google Patents
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- JPH0226183B2 JPH0226183B2 JP54055174A JP5517479A JPH0226183B2 JP H0226183 B2 JPH0226183 B2 JP H0226183B2 JP 54055174 A JP54055174 A JP 54055174A JP 5517479 A JP5517479 A JP 5517479A JP H0226183 B2 JPH0226183 B2 JP H0226183B2
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- electron
- detector
- electrons
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/227—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/025—Detectors specially adapted to particle spectrometers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/44—Energy spectrometers, e.g. alpha-, beta-spectrometers
- H01J49/46—Static spectrometers
- H01J49/48—Static spectrometers using electrostatic analysers, e.g. cylindrical sector, Wien filter
- H01J49/482—Static spectrometers using electrostatic analysers, e.g. cylindrical sector, Wien filter with cylindrical mirrors
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、帯電粒子分光学に、より詳細には
限定的ではないが電子分光学特にオージエ電子分
光学に用いる改良された二次電子分光装置に関す
る。
限定的ではないが電子分光学特にオージエ電子分
光学に用いる改良された二次電子分光装置に関す
る。
(従来の技術)
電子分光学に用いられる電子分光装置には、電
子源、例えば電子銃からの電子でボンバード(衝
撃)あるいは照射を受けた後に被検物質から放出
される電子が用いられる。本発明の技法は特にオ
ージエ電子分光学(Auger electron
spectroscopy)として知られる分光学を対象とし
ている。このような形式の分光技法においては、
ターゲツト試料物質は通常約10-7Torr以下の真
空中におかれる。電子源例えば電子銃からの電子
の衝撃を受けた試料は各種の放出を示す。これら
の中にはX線、2次電子および電子源から反射さ
れた一次電子が含まれる。更に試料は文献により
すでに知られているように、特別の種類の二次電
子であるオージエ電子を放出する。
子源、例えば電子銃からの電子でボンバード(衝
撃)あるいは照射を受けた後に被検物質から放出
される電子が用いられる。本発明の技法は特にオ
ージエ電子分光学(Auger electron
spectroscopy)として知られる分光学を対象とし
ている。このような形式の分光技法においては、
ターゲツト試料物質は通常約10-7Torr以下の真
空中におかれる。電子源例えば電子銃からの電子
の衝撃を受けた試料は各種の放出を示す。これら
の中にはX線、2次電子および電子源から反射さ
れた一次電子が含まれる。更に試料は文献により
すでに知られているように、特別の種類の二次電
子であるオージエ電子を放出する。
電子分光学の分野では円筒ミラーアナライザー
を用いる装置形態は公知である。
を用いる装置形態は公知である。
この装置形態においては異なる電位に保たれた
1対の同軸的に取付けた電極の間に生ずる放射電
界中に電子を投入することにより、試料物質から
放出された二次電子のエネルギーおよびエネルギ
ースペクトルが分析される。円筒形電極の間の放
射電界中に投入された二次電子は、その電界によ
り両方の電極の共通軸線の方に偏向される。それ
により所定エネルギーの電子が焦点を合わせるこ
とになる。この焦点位置に収束位置を位置させる
と所定エネルギーの電子が選択され検出される。
円筒形電極を横切つて印加された電圧をある範囲
の電圧値にわたつてスイープし、印加電圧の関数
として集束電子を検出することにより、注入され
た電子のエネルギースペクトルをプロツトして決
定することができる。
1対の同軸的に取付けた電極の間に生ずる放射電
界中に電子を投入することにより、試料物質から
放出された二次電子のエネルギーおよびエネルギ
ースペクトルが分析される。円筒形電極の間の放
射電界中に投入された二次電子は、その電界によ
り両方の電極の共通軸線の方に偏向される。それ
により所定エネルギーの電子が焦点を合わせるこ
とになる。この焦点位置に収束位置を位置させる
と所定エネルギーの電子が選択され検出される。
円筒形電極を横切つて印加された電圧をある範囲
の電圧値にわたつてスイープし、印加電圧の関数
として集束電子を検出することにより、注入され
た電子のエネルギースペクトルをプロツトして決
定することができる。
(発明が解決しようとする問題点)
従来の分光計はアナライザーの軸線上に収集ア
パーチヤを有するコレクタ、即ち電子を集束する
集束装置を使用している。
パーチヤを有するコレクタ、即ち電子を集束する
集束装置を使用している。
また磁気レンズは同じ焦点距離および口径に対
して色収差や球面収差を有することが知られてお
り、かつ高い電圧で作動させる必要があつた。
して色収差や球面収差を有することが知られてお
り、かつ高い電圧で作動させる必要があつた。
このため、磁気レンズが装置の軸上に配置され
る円筒ミラーアナライザー(CMA)を使用する
と、第6図および第7図に示すように磁気レンズ
(ML)の磁界の影響で電子(E)は軸から離れ
てらせん状の軌道を通過する。このため、アナラ
イザーの軸線の近傍を通る電子のみしか収集アパ
ーチヤ(C)に集めることができないという問題
点があつた。そのため電子経路に影響する同軸型
の磁気レンズは従来の装置形態においては使用で
きなかつた。
る円筒ミラーアナライザー(CMA)を使用する
と、第6図および第7図に示すように磁気レンズ
(ML)の磁界の影響で電子(E)は軸から離れ
てらせん状の軌道を通過する。このため、アナラ
イザーの軸線の近傍を通る電子のみしか収集アパ
ーチヤ(C)に集めることができないという問題
点があつた。そのため電子経路に影響する同軸型
の磁気レンズは従来の装置形態においては使用で
きなかつた。
このような事情に鑑みて、本発明は磁気レンズ
を含む円筒ミラーアナライザーにおいて電子経路
での磁気的影響を軽減するとともに二次電子をよ
り多く確実に集束させる二次電子分光装置を提供
することを目的としている。
を含む円筒ミラーアナライザーにおいて電子経路
での磁気的影響を軽減するとともに二次電子をよ
り多く確実に集束させる二次電子分光装置を提供
することを目的としている。
(問題点を解決するための手段)
上記目的を達成するため、本発明は特許請求の
範囲第1項前文に記載の磁気レンズを含む二次電
子分光装置において、 前記ハウジングがその中に一次電子ビームを包
囲する管形式のシールド手段を備えるとともに前
記検出器がこのシールド手段を包囲する電子受容
表面を備え、 前記シールド手段と検出器が各々共通軸線に関
して同軸に配置される中空シリンダであり、 さらに前記ハウジングは、開口端を有し、この
開口端と対面して環状ギヤツプを形成する端部カ
バーを備えるとともに、前記環状ギヤツプの開口
部を前記共通軸線から離れた位置に形成し、しか
も前記端部カバーとハウジングを相対的に移動し
て前記環状ギヤツプの開口幅を変化させる作動手
段を備えてなることを特徴としている。
範囲第1項前文に記載の磁気レンズを含む二次電
子分光装置において、 前記ハウジングがその中に一次電子ビームを包
囲する管形式のシールド手段を備えるとともに前
記検出器がこのシールド手段を包囲する電子受容
表面を備え、 前記シールド手段と検出器が各々共通軸線に関
して同軸に配置される中空シリンダであり、 さらに前記ハウジングは、開口端を有し、この
開口端と対面して環状ギヤツプを形成する端部カ
バーを備えるとともに、前記環状ギヤツプの開口
部を前記共通軸線から離れた位置に形成し、しか
も前記端部カバーとハウジングを相対的に移動し
て前記環状ギヤツプの開口幅を変化させる作動手
段を備えてなることを特徴としている。
(作 用)
上記のように構成したことから、電子源からの
照射ビームにより試料から放射される二次電子は
これを選択する複数の窓を介して一対の円筒電極
間の通路中を放物線軌道を描いて流入脱出するよ
うになつている。
照射ビームにより試料から放射される二次電子は
これを選択する複数の窓を介して一対の円筒電極
間の通路中を放物線軌道を描いて流入脱出するよ
うになつている。
しかし、これらの電子は第8図および第9図に
示すように対物磁気レンズ(ML)の影響で軸か
ら離れて軸方向へらせん状の軌道を描くように通
過する。
示すように対物磁気レンズ(ML)の影響で軸か
ら離れて軸方向へらせん状の軌道を描くように通
過する。
本発明では検出器の電子受容表面がシールド手
段を包囲するとともにシールド手段と検出器が同
軸の中空シリンダで形成されることから共通軸線
に沿つてその表面を広くとれ、これに対応して環
状ギヤツプの開口幅を広く、かつ共通軸線から離
れた位置に開口部を形成することが可能となり、
二次電子が磁気的に影響を受けてその軌道を変え
ても十分検出器にこれらの電子を受け入れること
ができる。
段を包囲するとともにシールド手段と検出器が同
軸の中空シリンダで形成されることから共通軸線
に沿つてその表面を広くとれ、これに対応して環
状ギヤツプの開口幅を広く、かつ共通軸線から離
れた位置に開口部を形成することが可能となり、
二次電子が磁気的に影響を受けてその軌道を変え
ても十分検出器にこれらの電子を受け入れること
ができる。
また、比較的低エネルギーの電子は電極間のビ
ーム偏向によりすみやかに下降しないが、これら
の二次電子も上記構成により検出器に受け入れ可
能となる。
ーム偏向によりすみやかに下降しないが、これら
の二次電子も上記構成により検出器に受け入れ可
能となる。
よつて本発明の装置は二次電子をより多く確実
に集束させることができる。
に集束させることができる。
(実施例)
次に図面に示した実施例を参照して本発明を一
層詳細に説明する。
層詳細に説明する。
第1b図に示した本発明の好ましい実施例によ
るオージエ型の分光計は、1対の同軸円筒状金属
電極11,12を具えている。電極11,12は
相互に電気的に絶縁されており、作動時には外側
円筒電極12は内側円筒電極11に対して異なる
電位に保持され、かくして半径方向に指向する電
界が電極11,12の間に形成され、一対の電極
間に生ずる電界中に前記試料から発生する二次電
子の選択用窓となる環状アパーチユア23,24
が形成されるようになつている。内側の電極11
は接地することが望ましい。概略的に表わしたタ
ーゲツト試料あるいは被検試料13は、分光計の
中心軸線であつて分光計の他の構成部材がそれに
沿つて取付けられる共通軸線でもある共通軸線2
−2上に図示のように取付けられている。
るオージエ型の分光計は、1対の同軸円筒状金属
電極11,12を具えている。電極11,12は
相互に電気的に絶縁されており、作動時には外側
円筒電極12は内側円筒電極11に対して異なる
電位に保持され、かくして半径方向に指向する電
界が電極11,12の間に形成され、一対の電極
間に生ずる電界中に前記試料から発生する二次電
子の選択用窓となる環状アパーチユア23,24
が形成されるようになつている。内側の電極11
は接地することが望ましい。概略的に表わしたタ
ーゲツト試料あるいは被検試料13は、分光計の
中心軸線であつて分光計の他の構成部材がそれに
沿つて取付けられる共通軸線でもある共通軸線2
−2上に図示のように取付けられている。
同軸型アナライザーである分光計の操作時には
試料13は電子源14からの電子ビームによる衝
撃すなわち照射を受け、二次電子であるオージエ
電子を放出する。試料13により放出される電子
のエネルギーは、試料13の化学的構造と衝撃を
与える電子の性質とによつて定められる。電子源
14に発する電子照射ビームは一つの共通の軸線
2−2により分光計を軸方向に通過して試料13
に到達する。電子は、電子源14から分光装置を
通り試料13の方に移動する際に、電磁コンデン
サレンズ16,18および電磁対物レンズ20を
通過する。また電子は軸線2−2を中心に電子流
を通過させるように軸方向に配設している検出器
22の中心も通過する。軸線2−2の回りに軸方
向に配設してある分光計の他の構成部材も、図面
から明らかなように、電子流がそれらを通過でき
るように設計されている。
試料13は電子源14からの電子ビームによる衝
撃すなわち照射を受け、二次電子であるオージエ
電子を放出する。試料13により放出される電子
のエネルギーは、試料13の化学的構造と衝撃を
与える電子の性質とによつて定められる。電子源
14に発する電子照射ビームは一つの共通の軸線
2−2により分光計を軸方向に通過して試料13
に到達する。電子は、電子源14から分光装置を
通り試料13の方に移動する際に、電磁コンデン
サレンズ16,18および電磁対物レンズ20を
通過する。また電子は軸線2−2を中心に電子流
を通過させるように軸方向に配設している検出器
22の中心も通過する。軸線2−2の回りに軸方
向に配設してある分光計の他の構成部材も、図面
から明らかなように、電子流がそれらを通過でき
るように設計されている。
試料13から放出された二次電子は、電極1
1,12の間の破線で示した経路によつて分光計
のアナライザー部分を通過する。電子はこの実施
例では内側円筒電極11に形成された電子の入口
側にある環状アパーチユア23を通過する。環状
アパーチユア23は内側円筒電極11とは別の部
材に形成してもよい。環状アパーチユア23は放
出された二次電子を分光計の同軸アナライザー部
分の内側円筒電極11と外側円筒電極12との間
の領域に進入させる役目をする。環状アパーチユ
ア23を通過した二次電子は電極11,12の間
の放射電界に入り、その放射電界によつて分光計
のアナライザー部分の軸線2−2の方向に偏向さ
れる。このように偏向された電子は電極11の電
子出口側にある環状アパーチユア24を通過す
る。環状アパーチユア23,24は当該技術にお
いて周知のように金属製メツシユあるいは網によ
り覆うことが望ましい。同軸円筒アナライザー部
分(本明細書において円筒ミラーアナライザー部
分とも呼ばれている)の電子光学的設計は、所定
エネルギーの電子が放射電界の強さに依存して、
アナライザー部分について半径方向の平面(複
数)内において移動し、軸線2−2から所定の距
離だけずれた位置にある環状ギヤツプ26のとこ
ろの焦点に到達するように行われている。この環
状ギヤツプ26は電子を集める集束装置となる上
述した検出器22に形成されている。環状ギヤツ
プ26を通過した電子は検出器22に入り、この
検出器22は、それが電子を受取る割合に比例す
る出力信号を発生する。検出器22は電子増倍管
30(第2図参照)の第1ダイノード28を備え
ている。電子増倍管30は当該技術において周知
の標準的な方法で検出器22に連結されている。
この実施例では帯電粒子に応答する材料例えば銅
−ベリリウム製の第1ダイノード28(検出バン
ド)は、後述するシールド手段を包囲する検出器
の電子受容表面を形成する。この受容表面はハウ
ジング32内の検出器22上に設けられ、環状ギ
ヤツプ26に入る全ての電子を衝突により受けい
れる。この種の材料は、電子の衝突に応答して付
加的な電子を放出し、帯電粒子流を増幅する。チ
ヤンネルプレート型増倍管のような他の形式の装
置をダイノード28の代りに使用してもよい。
1,12の間の破線で示した経路によつて分光計
のアナライザー部分を通過する。電子はこの実施
例では内側円筒電極11に形成された電子の入口
側にある環状アパーチユア23を通過する。環状
アパーチユア23は内側円筒電極11とは別の部
材に形成してもよい。環状アパーチユア23は放
出された二次電子を分光計の同軸アナライザー部
分の内側円筒電極11と外側円筒電極12との間
の領域に進入させる役目をする。環状アパーチユ
ア23を通過した二次電子は電極11,12の間
の放射電界に入り、その放射電界によつて分光計
のアナライザー部分の軸線2−2の方向に偏向さ
れる。このように偏向された電子は電極11の電
子出口側にある環状アパーチユア24を通過す
る。環状アパーチユア23,24は当該技術にお
いて周知のように金属製メツシユあるいは網によ
り覆うことが望ましい。同軸円筒アナライザー部
分(本明細書において円筒ミラーアナライザー部
分とも呼ばれている)の電子光学的設計は、所定
エネルギーの電子が放射電界の強さに依存して、
アナライザー部分について半径方向の平面(複
数)内において移動し、軸線2−2から所定の距
離だけずれた位置にある環状ギヤツプ26のとこ
ろの焦点に到達するように行われている。この環
状ギヤツプ26は電子を集める集束装置となる上
述した検出器22に形成されている。環状ギヤツ
プ26を通過した電子は検出器22に入り、この
検出器22は、それが電子を受取る割合に比例す
る出力信号を発生する。検出器22は電子増倍管
30(第2図参照)の第1ダイノード28を備え
ている。電子増倍管30は当該技術において周知
の標準的な方法で検出器22に連結されている。
この実施例では帯電粒子に応答する材料例えば銅
−ベリリウム製の第1ダイノード28(検出バン
ド)は、後述するシールド手段を包囲する検出器
の電子受容表面を形成する。この受容表面はハウ
ジング32内の検出器22上に設けられ、環状ギ
ヤツプ26に入る全ての電子を衝突により受けい
れる。この種の材料は、電子の衝突に応答して付
加的な電子を放出し、帯電粒子流を増幅する。チ
ヤンネルプレート型増倍管のような他の形式の装
置をダイノード28の代りに使用してもよい。
電磁コンデンサレンズ16,18および電磁対
物レンズ20は当該技術において既知の種類のも
のとする。電磁対物レンズ20は電磁コイル21
および磁気シールド25,27,29を具えてい
る。コイル21により生じた磁束は磁気空〓31
に位置され、電磁対物レンズ20を通過する帯電
粒子流を被検試料13に焦点を合わせる。磁気空
〓31はモリブデンのような非磁気材料の本体か
ら成つている。電磁対物レンズ20は試料13を
帯電粒子流により走査するための1組の静電偏向
板33を具えている。
物レンズ20は当該技術において既知の種類のも
のとする。電磁対物レンズ20は電磁コイル21
および磁気シールド25,27,29を具えてい
る。コイル21により生じた磁束は磁気空〓31
に位置され、電磁対物レンズ20を通過する帯電
粒子流を被検試料13に焦点を合わせる。磁気空
〓31はモリブデンのような非磁気材料の本体か
ら成つている。電磁対物レンズ20は試料13を
帯電粒子流により走査するための1組の静電偏向
板33を具えている。
電磁コンデンサレンズ16,18も大体におい
て電磁対物レンズ20と同様の構成を有し、コイ
ル35、シールド37,39,41および磁気空
〓本体43を具えている。電磁コンデンサレンズ
16,18は帯電粒子流を集束させる作用をす
る。電磁コンデンサレンズ16,18および電磁
対物レンズ20は、ニユーヨークのペルグマンプ
レス(Pergamon Press)発行による、ピー・ガ
リベツト(P・Grivet)著「エレクトロン・オプ
テイツクス(Electron optics)」、1965年、231頁
および475頁に記載されている種類のものでよい。
て電磁対物レンズ20と同様の構成を有し、コイ
ル35、シールド37,39,41および磁気空
〓本体43を具えている。電磁コンデンサレンズ
16,18は帯電粒子流を集束させる作用をす
る。電磁コンデンサレンズ16,18および電磁
対物レンズ20は、ニユーヨークのペルグマンプ
レス(Pergamon Press)発行による、ピー・ガ
リベツト(P・Grivet)著「エレクトロン・オプ
テイツクス(Electron optics)」、1965年、231頁
および475頁に記載されている種類のものでよい。
上述したように、帯電粒子の検出手段である検
出器22は軸線2−2から離れた位置にある環状
ギヤツプ26から帯電粒子を受けいれる。そして
ダイノード28は検出器のハウジング32の内部
において分光装置の軸線2−2の回りに配設され
ている。またハウジング32は上述したように放
出された二次電子を受けいれるための環状ギヤツ
プ26を具えている。この環状ギヤツプ26の幅
あるいは大きさは可変であり、端部カバーとなる
端部キヤツプ36により閉止したり、またいろい
ろの大きさに開放したりできるギヤツプを有する
ようになつている。
出器22は軸線2−2から離れた位置にある環状
ギヤツプ26から帯電粒子を受けいれる。そして
ダイノード28は検出器のハウジング32の内部
において分光装置の軸線2−2の回りに配設され
ている。またハウジング32は上述したように放
出された二次電子を受けいれるための環状ギヤツ
プ26を具えている。この環状ギヤツプ26の幅
あるいは大きさは可変であり、端部カバーとなる
端部キヤツプ36により閉止したり、またいろい
ろの大きさに開放したりできるギヤツプを有する
ようになつている。
端部キヤツプ36は共通軸線に対して直角に配
置されシールド手段としての中空軸38により支
持されている。この中空軸は検出器22の一部を
構成する中空シリンダの支持体40と共通軸線2
−2に関して同軸に配置され、この中空シリンダ
中を往復運動するように設けられている。シール
ド手段は一次電子ビームを包囲する管形式となり
中空軸38内を一次電子が通過する、一方、ハウ
ジング32中に配設したバネ42は中空軸38の
先端を押圧してこの軸38をハウジング32の開
放端44から外方に押し出す。このため環状ギヤ
ツプ36は常開でバネ圧で設定された開口幅を有
している。中空軸38は他端側で端部カバー36
を越えて突出し、その突出端部はアナライザーの
ほぼ中央で軸方向に配設した円筒形の支持体46
中に受け止められて支持される。これにより電子
流から検出器22に電子が漏れるのを防止すると
共に、開口幅が調節できるようになる。中空軸3
8および支持体40,46はもちろん軸線2−2
の回りに管状になつており、電子源14から試料
13に電子が通過できるようになつている。
置されシールド手段としての中空軸38により支
持されている。この中空軸は検出器22の一部を
構成する中空シリンダの支持体40と共通軸線2
−2に関して同軸に配置され、この中空シリンダ
中を往復運動するように設けられている。シール
ド手段は一次電子ビームを包囲する管形式となり
中空軸38内を一次電子が通過する、一方、ハウ
ジング32中に配設したバネ42は中空軸38の
先端を押圧してこの軸38をハウジング32の開
放端44から外方に押し出す。このため環状ギヤ
ツプ36は常開でバネ圧で設定された開口幅を有
している。中空軸38は他端側で端部カバー36
を越えて突出し、その突出端部はアナライザーの
ほぼ中央で軸方向に配設した円筒形の支持体46
中に受け止められて支持される。これにより電子
流から検出器22に電子が漏れるのを防止すると
共に、開口幅が調節できるようになる。中空軸3
8および支持体40,46はもちろん軸線2−2
の回りに管状になつており、電子源14から試料
13に電子が通過できるようになつている。
中空軸38の環状カム面48はヨーク52によ
り支持したカムピンあるいは軸受50a,50b
に当接している。ヨーク52は第2図と第3図に
符号54で表わしたように分光計の内部にヒンジ
止めされている。ヨーク52の他端56にはピボ
ツト54の回りにヨーク52を回動させるための
作動部材が接触しており、カムピンあるいは軸受
50a,50bはそれにより軸方向に移動して中
空軸38と端部キヤツプ36をハウジング32の
方向に押付けている。ヨーク52の他端56に接
触している作動手段は、第2図に示すように、分
光計にピボツト62止めしたベルクランク60に
取付けたレバーアームないし押動ロツド55であ
る。別のレバーアームないし押動ロツド64は、
ベルクランク60に図示のように取付けてあり、
ネジ装置66により作動してベルクランク60を
回動させ、レバーアーム55に軸方向運動を与
え、ヨーク52をピボツト54の回りに回動させ
て端部キヤツプ36の位置を調節するようになつ
ている。
り支持したカムピンあるいは軸受50a,50b
に当接している。ヨーク52は第2図と第3図に
符号54で表わしたように分光計の内部にヒンジ
止めされている。ヨーク52の他端56にはピボ
ツト54の回りにヨーク52を回動させるための
作動部材が接触しており、カムピンあるいは軸受
50a,50bはそれにより軸方向に移動して中
空軸38と端部キヤツプ36をハウジング32の
方向に押付けている。ヨーク52の他端56に接
触している作動手段は、第2図に示すように、分
光計にピボツト62止めしたベルクランク60に
取付けたレバーアームないし押動ロツド55であ
る。別のレバーアームないし押動ロツド64は、
ベルクランク60に図示のように取付けてあり、
ネジ装置66により作動してベルクランク60を
回動させ、レバーアーム55に軸方向運動を与
え、ヨーク52をピボツト54の回りに回動させ
て端部キヤツプ36の位置を調節するようになつ
ている。
上記の調整装置のため環状ギヤツプ26は閉止
位置からいろいろの開度の開放位置に調節でき
る。所望の際は、端部キヤツプ36を固定してハ
ウジング32を移動させても同じ効果が得られ
る。このような装置形態も本発明の範囲に包含さ
れる。
位置からいろいろの開度の開放位置に調節でき
る。所望の際は、端部キヤツプ36を固定してハ
ウジング32を移動させても同じ効果が得られ
る。このような装置形態も本発明の範囲に包含さ
れる。
電子源14は六ホウ化ランタンあるいはタング
ステンのような適当な材料製のフイラメント組立
体70および陽極組立体72を具えている。ピン
74(第1a図参照)はフイラメントに連結して
あり、ソケツトに挿入されるようになつている。
そのソケツトにはフイラメントを加熱するための
電力が当該技術において周知のように供給され
る。陽極組立体72はフイラメント組立体70か
らの電子ビームを分光装置の軸線2−2に沿つて
加速する。67は電子源14の心合せを調節する
ためのマイクロメータ装置である。
ステンのような適当な材料製のフイラメント組立
体70および陽極組立体72を具えている。ピン
74(第1a図参照)はフイラメントに連結して
あり、ソケツトに挿入されるようになつている。
そのソケツトにはフイラメントを加熱するための
電力が当該技術において周知のように供給され
る。陽極組立体72はフイラメント組立体70か
らの電子ビームを分光装置の軸線2−2に沿つて
加速する。67は電子源14の心合せを調節する
ためのマイクロメータ装置である。
本発明による分光装置の電磁対物レンズ20に
は可変軸方向アパーチユア手段74(第1b図参
照)を具えてもよい。このアパーチユア手段74
は、米国特許第4048489に示されたタイプのもの
が好ましい。可変軸方向アパーチユア手段74は
回転制御機構76を具えている。回転制御機構7
6は、当該技術において周知のように、歯車80
の回動により歯車78を回動させ、それにより可
動アーム82を用いて扇形歯車84(第4図参
照)およびそれと噛合う歯車86に回動を伝達
し、歯車86から回動アーム88に回動を伝達す
るように構成されている。回動アーム88は第1
b図に示すように電磁対物レンズ20中に延長し
て可変アパーチユア板90と連結される。可変ア
パーチユア板90は大きさの異なる3個のアパー
チユア92,94,96(第5図参照)を具えて
おり、各々のアパーチユア92,94,96は選
択的に軸線2−2上に軸方向に位置されるように
なつている。この種の制御機構は、米国カリフオ
ルニア州、マウンテン・ビユー所在、ウルテツク
社からモデルNo.A−77036として市販されている。
は可変軸方向アパーチユア手段74(第1b図参
照)を具えてもよい。このアパーチユア手段74
は、米国特許第4048489に示されたタイプのもの
が好ましい。可変軸方向アパーチユア手段74は
回転制御機構76を具えている。回転制御機構7
6は、当該技術において周知のように、歯車80
の回動により歯車78を回動させ、それにより可
動アーム82を用いて扇形歯車84(第4図参
照)およびそれと噛合う歯車86に回動を伝達
し、歯車86から回動アーム88に回動を伝達す
るように構成されている。回動アーム88は第1
b図に示すように電磁対物レンズ20中に延長し
て可変アパーチユア板90と連結される。可変ア
パーチユア板90は大きさの異なる3個のアパー
チユア92,94,96(第5図参照)を具えて
おり、各々のアパーチユア92,94,96は選
択的に軸線2−2上に軸方向に位置されるように
なつている。この種の制御機構は、米国カリフオ
ルニア州、マウンテン・ビユー所在、ウルテツク
社からモデルNo.A−77036として市販されている。
以上説明したことから本発明による分光装置の
各構成部材の配列には多くの利点がある。例えば
分光計の偏向系統と電磁対物レンズのみをアナラ
イザーの内部に設ければよく、残りの構成部材例
えば電磁コンデンサレンズおよび電子銃は円筒ミ
ラーアナライザー部分の後方に位置させてもよ
い。円筒ミラーアナライザーの後方に電磁コンデ
ンサレンズを配設するとアナライザー内部の磁界
が減少する。又余分のスペースが得られ、分光計
中の焦点距離が一層長くなる。電子源あるいは電
子銃を分光計の後方に配設すると、交換のためフ
イラメントに近附き易くなり、それにより操作者
は明るさを増すためより高温でフイラメントを燃
焼させるべきか否かについて選択できる。こうし
た操作はより頻繁なフイラメント交換を必要とす
るが、本発明の装置形態によれば、従来技術によ
つた場合に比べてフイラメント交換がきわめて便
利に行われる。
各構成部材の配列には多くの利点がある。例えば
分光計の偏向系統と電磁対物レンズのみをアナラ
イザーの内部に設ければよく、残りの構成部材例
えば電磁コンデンサレンズおよび電子銃は円筒ミ
ラーアナライザー部分の後方に位置させてもよ
い。円筒ミラーアナライザーの後方に電磁コンデ
ンサレンズを配設するとアナライザー内部の磁界
が減少する。又余分のスペースが得られ、分光計
中の焦点距離が一層長くなる。電子源あるいは電
子銃を分光計の後方に配設すると、交換のためフ
イラメントに近附き易くなり、それにより操作者
は明るさを増すためより高温でフイラメントを燃
焼させるべきか否かについて選択できる。こうし
た操作はより頻繁なフイラメント交換を必要とす
るが、本発明の装置形態によれば、従来技術によ
つた場合に比べてフイラメント交換がきわめて便
利に行われる。
(発明の効果)
以上説明したように本発明は中空シリンダでな
る検出器の二次電子受容表面が一次電子を通過さ
せるシールド手段を包囲し、しかも検出器に二次
電子を受け入れる環状ギヤツプがその共通軸線か
ら離れた位置に開口部を有するとともにその開口
幅を可変できるようにしたので、磁気的影響によ
り共通軸線からそれて偏向する二次電子も確実に
検出器に集束することが可能となり測定精度の安
定化を達成できる。
る検出器の二次電子受容表面が一次電子を通過さ
せるシールド手段を包囲し、しかも検出器に二次
電子を受け入れる環状ギヤツプがその共通軸線か
ら離れた位置に開口部を有するとともにその開口
幅を可変できるようにしたので、磁気的影響によ
り共通軸線からそれて偏向する二次電子も確実に
検出器に集束することが可能となり測定精度の安
定化を達成できる。
第1a図および第1b図は本発明による磁気的
にシールドされた電磁対物レンズ、軸線からずれ
た位置に設けた可変アパーチユア、電子検出装置
その他の構成部材を具えた円筒ミラーオージエ型
の分光計の縦断面図、第2図は第1b図の2−2
線に沿つて切断して分光計の両端を除くその中心
部分のみを示した断面図、第3図は第1b図の3
−3線断面図、第4図は第1b図の4−4線断面
図、第5図は第1b図の5−5線断面図である。
第6図は従来の標準型円筒ミラーアナライザーに
おける電子の軌道を示す側面図、第7図は第6図
における装置の軸断面図、第8図は本発明に係る
環状ギヤツプを設けた円筒ミラーアナライザーに
おける電子の軌道を示す側面図、第9図は第8図
における装置の軸断面図である。 2−2……軸線、13……被検試料、16,1
8……電磁コンデンサレンズ、20……電磁対物
レンズ、22……検出器、24,24……環状ア
パーチユア(窓)、26……環状ギヤツプ、32
……ハウジング、36……端部カバー、38……
中空軸(シールド手段)、55,64……レバー
アーム又は応動ロツド(作動手段)。
にシールドされた電磁対物レンズ、軸線からずれ
た位置に設けた可変アパーチユア、電子検出装置
その他の構成部材を具えた円筒ミラーオージエ型
の分光計の縦断面図、第2図は第1b図の2−2
線に沿つて切断して分光計の両端を除くその中心
部分のみを示した断面図、第3図は第1b図の3
−3線断面図、第4図は第1b図の4−4線断面
図、第5図は第1b図の5−5線断面図である。
第6図は従来の標準型円筒ミラーアナライザーに
おける電子の軌道を示す側面図、第7図は第6図
における装置の軸断面図、第8図は本発明に係る
環状ギヤツプを設けた円筒ミラーアナライザーに
おける電子の軌道を示す側面図、第9図は第8図
における装置の軸断面図である。 2−2……軸線、13……被検試料、16,1
8……電磁コンデンサレンズ、20……電磁対物
レンズ、22……検出器、24,24……環状ア
パーチユア(窓)、26……環状ギヤツプ、32
……ハウジング、36……端部カバー、38……
中空軸(シールド手段)、55,64……レバー
アーム又は応動ロツド(作動手段)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 1つの共通軸線に沿つて指向する一次電子ビ
ームを発生する電子源と、内側円筒電極および外
側円筒電極を備えるとともに二次電子を選択する
複数の窓を備える円筒アナライザーと、該アナラ
イザーの内側電極内に配置され一次電子ビームを
試料上に指向する磁気レンズを含む電子光学手段
と、前記共通軸線に関して同心的に配置され前記
アナライザーによつて選択された電子を受け入れ
る環状ギヤツプを備えたハウジングと、このハウ
ジング内に配置されハウジングに入る二次電子を
検出する検出器とを含み、これらの構成要素が
各々前記共通軸線に沿つて配置されてなる二次電
子分光装置において、 前記ハウジングがその中に一次電子ビームを包
囲する管形式のシールド手段を備えるとともに前
記検出器がこのシールド手段を包囲する電子受容
表面を備え、 前記シールド手段と検出器が各々共通軸線に関
して同軸に配置される中空シリンダであり、 さらに前記ハウジングは、開口端を有し、この
開口端と対面して環状ギヤツプを形成する端部カ
バーを備えるとともに、前記環状ギヤツプの開口
部を前記共通軸線から離れた位置に形成し、しか
も前記端部カバーとハウジングを相対的に移動し
て前記環状ギヤツプの開口幅を変化させる作動手
段を備えてなる分光装置。 2 検出器は、シールド手段の回りの環状周面を
形成するバンドでなり、ハウジングに入る電子に
応答する物質を含んでいることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の装置。 3 検出器は電子増倍管の第1ダイノードである
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項または第
2項記載の装置。 4 端部カバーが共通軸線に対して直角に配置さ
れる端部キヤツプとして構成されている特許請求
の範囲第1項記載の装置。 5 作動手段はシールド効果を増加する中空軸3
8を含み、該中空軸38は端部カバー36に固定
され軸方向に変位可能となるようにシールド手段
に支持されている特許請求の範囲第1項または第
4項記載の装置。 6 中空軸38はハウジング32の端部カバー3
6を越えて突出し、その突出端部はアナライザー
のほぼ中央で軸方向に配置される支持体に受け止
められている特許請求の範囲第5項記載の装置。 7 ばね手段42が端部カバー36をハウジング
32の開口端から離れるように付勢している特許
請求の範囲第4項ないし第6項のいずれかに記載
の装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/938,842 US4205226A (en) | 1978-09-01 | 1978-09-01 | Auger electron spectroscopy |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5535291A JPS5535291A (en) | 1980-03-12 |
| JPH0226183B2 true JPH0226183B2 (ja) | 1990-06-07 |
Family
ID=25472052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5517479A Granted JPS5535291A (en) | 1978-09-01 | 1979-05-04 | Electronic analyzer |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4205226A (ja) |
| JP (1) | JPS5535291A (ja) |
| DE (1) | DE2929911A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4345152A (en) * | 1980-08-11 | 1982-08-17 | The Perkin-Elmer Corporation | Magnetic lens |
| JPS59112707U (ja) * | 1982-08-25 | 1984-07-30 | 山田機械工業株式会社 | 結束機械の結び目形成用ビ−ク |
| JPS6037644A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-02-27 | Anelva Corp | 表面分析装置 |
| JPS6091544A (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-22 | Anelva Corp | オ−ジエ分析装置 |
| GB8527438D0 (en) * | 1985-11-07 | 1985-12-11 | Vg Instr Group | Charged particle energy analyser |
| NL8801163A (nl) * | 1988-05-04 | 1989-12-01 | Philips Nv | Auger spectrometrie. |
| US5032724A (en) * | 1990-08-09 | 1991-07-16 | The Perkin-Elmer Corporation | Multichannel charged-particle analyzer |
| US5506413A (en) * | 1994-07-08 | 1996-04-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Spatial-focus energy analyzer |
| US5541410A (en) * | 1995-07-11 | 1996-07-30 | Board Of Regents, University Of Nebraska-Lincoln | Reduced diameter retractable cylindrical mirror analyzer |
| US6184523B1 (en) | 1998-07-14 | 2001-02-06 | Board Of Regents Of The University Of Nebraska | High resolution charged particle-energy detecting, multiple sequential stage, compact, small diameter, retractable cylindrical mirror analyzer system, and method of use |
| US6797951B1 (en) | 2002-11-12 | 2004-09-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Laminated electrostatic analyzer |
| JP4789260B2 (ja) * | 2006-08-23 | 2011-10-12 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 荷電粒子ビーム装置及びアパーチャの軸調整方法 |
| US8071942B2 (en) * | 2009-03-20 | 2011-12-06 | Physical Electronics USA, Inc. | Sample holder apparatus to reduce energy of electrons in an analyzer system and method |
| DE102013006535B4 (de) * | 2013-04-15 | 2025-11-06 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Raster-Partikelstrahlmikroskop mit energiefilterndem Detektorsystem |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL99154C (ja) * | 1958-09-13 | |||
| DE1925330B1 (de) * | 1969-05-16 | 1970-10-22 | Siemens Ag | Korpuskularstrahlgeraet mit Informationsspeicherung |
| DE2223367C3 (de) * | 1972-05-12 | 1978-11-30 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V., 3400 Goettingen | Mikrostrahlsonde zur quantitativen Erfassung von geladenen Sekundärteilchen |
| US4100409A (en) * | 1973-02-02 | 1978-07-11 | U.S. Phillips Corporation | Device for analyzing a surface layer by means of ion scattering |
| NL7306378A (ja) * | 1973-05-08 | 1974-11-12 | ||
| US4126782A (en) * | 1976-02-09 | 1978-11-21 | Hitachi, Ltd. | Electrostatic charged-particle analyzer |
| US4107526A (en) * | 1976-03-22 | 1978-08-15 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Ion scattering spectrometer with modified bias |
| US4048498A (en) * | 1976-09-01 | 1977-09-13 | Physical Electronics Industries, Inc. | Scanning auger microprobe with variable axial aperture |
| JPS5350794A (en) * | 1976-10-19 | 1978-05-09 | Hitachi Ltd | Analytical apparatus of secondary electron energy |
-
1978
- 1978-09-01 US US05/938,842 patent/US4205226A/en not_active Expired - Lifetime
-
1979
- 1979-05-04 JP JP5517479A patent/JPS5535291A/ja active Granted
- 1979-07-24 DE DE19792929911 patent/DE2929911A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2929911A1 (de) | 1980-03-13 |
| DE2929911C2 (ja) | 1992-10-29 |
| US4205226A (en) | 1980-05-27 |
| JPS5535291A (en) | 1980-03-12 |
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