JPH02262128A - 偏光無依存光スイッチ - Google Patents
偏光無依存光スイッチInfo
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- JPH02262128A JPH02262128A JP8245789A JP8245789A JPH02262128A JP H02262128 A JPH02262128 A JP H02262128A JP 8245789 A JP8245789 A JP 8245789A JP 8245789 A JP8245789 A JP 8245789A JP H02262128 A JPH02262128 A JP H02262128A
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- mode
- optical switch
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、方向性結合器を用いた偏光無依存光スイッ
チに関し、特に先導波路内に光の閉じ込め効果が高く且
つ偏光依存性を低減した偏光無依存光スイッチに関する
。
チに関し、特に先導波路内に光の閉じ込め効果が高く且
つ偏光依存性を低減した偏光無依存光スイッチに関する
。
従来、この種の偏光無依存光スイッチは、その主要部を
形成する方向性結合器として、第５図の概略構成図に示
すものがあった。同図において、従来の偏光無依存光ス
イッチは、ニオブ酸リチウム（以下、Ｌ＋ Ｎｂ Ｏｓ
）の基板（１）上に二本の導波路（２） 、（３）を形
成し、該導波路（２） 、（３）の−部が接近して結合
部（６）を形成する構成である。
形成する方向性結合器として、第５図の概略構成図に示
すものがあった。同図において、従来の偏光無依存光ス
イッチは、ニオブ酸リチウム（以下、Ｌ＋ Ｎｂ Ｏｓ
）の基板（１）上に二本の導波路（２） 、（３）を形
成し、該導波路（２） 、（３）の−部が接近して結合
部（６）を形成する構成である。
上記−の導波路（２）の左側入射端面より強度Ｐ。の光
を入射すると、上記一部接近した結合部（６）の結合部
長（Ｌ）の長さに依存して変化し、この変化した強度Ｐ
Ａ、ＰＢの光を各導波路（２） 、（３）の右側出射端
面から射出する。この射出される強度ＰＡ、Ｐｉの多光
がＰＡ／ （ＰＡ＋ ＰＲ）〜０の関係が成立する最初
の長さＬを完全結合長と呼ぶ。この完全結合長りについ
ての射出光ＰＡ、 Ｐａとの関係を第６図（八）に示す
。また、完全結合長Ｉは、一般に入射光の偏光状態、即
ち、ＴＥモードかＴＭモードかにより異なる長さをとる
。ここでＴＥモードとは電界成分が基板（１）に平行な
、偏光状態をさし、ＴＭモードとは電界成分が基板（１
）に垂直な偏光状態をさしている。なお、上記二本の導
波路（２）、（３）はその構造を互いに等しく構成され
る。
を入射すると、上記一部接近した結合部（６）の結合部
長（Ｌ）の長さに依存して変化し、この変化した強度Ｐ
Ａ、ＰＢの光を各導波路（２） 、（３）の右側出射端
面から射出する。この射出される強度ＰＡ、Ｐｉの多光
がＰＡ／ （ＰＡ＋ ＰＲ）〜０の関係が成立する最初
の長さＬを完全結合長と呼ぶ。この完全結合長りについ
ての射出光ＰＡ、 Ｐａとの関係を第６図（八）に示す
。また、完全結合長Ｉは、一般に入射光の偏光状態、即
ち、ＴＥモードかＴＭモードかにより異なる長さをとる
。ここでＴＥモードとは電界成分が基板（１）に平行な
、偏光状態をさし、ＴＭモードとは電界成分が基板（１
）に垂直な偏光状態をさしている。なお、上記二本の導
波路（２）、（３）はその構造を互いに等しく構成され
る。
上記従来の偏光無依存光スイッチの方向性結合器は、結
合部（６）に一対の電極（図示を省略する）を設けて一
様Δβ型に構成し、電界を印加することにより電気光学
効果に基づき入射光をスイッチングすることができる。
合部（６）に一対の電極（図示を省略する）を設けて一
様Δβ型に構成し、電界を印加することにより電気光学
効果に基づき入射光をスイッチングすることができる。
このスイッチング状態を第６図（Ｂ）に−様Δβのスイ
ッチングダイアグラムとして示す。同図において、ｅ状
態（バー状態）は入射光の強度ｐ、が射出光の強度ＰＡ
となり他の射出光の強度ｐ、＝ｏの状態を示し、■状態
（クロス状態）は入射光の強度Ｐ０が射出光の強度ＰＢ
となり、他の射出光の強度ＰＡ＝０の状態を示す。また
、電界（ΔβＬ／π）を印加すると複数の円弧上におい
て上記θ状態となる。
ッチングダイアグラムとして示す。同図において、ｅ状
態（バー状態）は入射光の強度ｐ、が射出光の強度ＰＡ
となり他の射出光の強度ｐ、＝ｏの状態を示し、■状態
（クロス状態）は入射光の強度Ｐ０が射出光の強度ＰＢ
となり、他の射出光の強度ＰＡ＝０の状態を示す。また
、電界（ΔβＬ／π）を印加すると複数の円弧上におい
て上記θ状態となる。
次に、結合部長しと完全結合長℃との比（Ｌ／Ｌ）がＴ
Ｍモード及びＴＥモードについて共にｒｌＪ （Ｌ／
ｊｌ＝１）として電界を印加した場合のＴＥ／ＴＭ両モ
ード全モードチングダイアグラムを第７図に示す。同図
において、電界を印加して（ΔβＬ／π）を増加してい
くとＴＥモードが（ΔβＬ／π）岬５．２（Ｖ）でｅ状
態となり、さらに電界を印加して（ΔβＬ／π）を増加
していくと、ＴＭモードが（ΔβＬ／π）４５．９
（Ｖ）でｅ状態となる。このようにＴＥ／ＴＭ両モード
全モードからｅ状態へ切り替えることにより入射光をス
イッチングすることができる。
Ｍモード及びＴＥモードについて共にｒｌＪ （Ｌ／
ｊｌ＝１）として電界を印加した場合のＴＥ／ＴＭ両モ
ード全モードチングダイアグラムを第７図に示す。同図
において、電界を印加して（ΔβＬ／π）を増加してい
くとＴＥモードが（ΔβＬ／π）岬５．２（Ｖ）でｅ状
態となり、さらに電界を印加して（ΔβＬ／π）を増加
していくと、ＴＭモードが（ΔβＬ／π）４５．９
（Ｖ）でｅ状態となる。このようにＴＥ／ＴＭ両モード
全モードからｅ状態へ切り替えることにより入射光をス
イッチングすることができる。
また、他の従来の偏光無依存光スイッチとしてＥＬＥＣ
ＴＲＯＮＩＣ５ＬＥＴＴＥＲ５８ｔｈ ０ｃｔｏｒｂ
ｅｒ １９８７ Ｖｏ１２３、 Ｎｏ、２１第１１
６７頁〜第１１６８頁に記載されたものがありこれを第
８図に示す。同図において、従来の偏光無依存光スイッ
チは、ｔ、、 ＮｂＯ３の基板（１）上に二本の導波路
（２） 、 （３）が形成され、該二本の導波路（２）
、（３）上に一対の電極（４）、（５）と該一対の電
極（４） 、（５）の外側に別の一対の電極（４５）、
（５５）とが各夕配設される構成である。
ＴＲＯＮＩＣ５ＬＥＴＴＥＲ５８ｔｈ ０ｃｔｏｒｂ
ｅｒ １９８７ Ｖｏ１２３、 Ｎｏ、２１第１１
６７頁〜第１１６８頁に記載されたものがありこれを第
８図に示す。同図において、従来の偏光無依存光スイッ
チは、ｔ、、 ＮｂＯ３の基板（１）上に二本の導波路
（２） 、 （３）が形成され、該二本の導波路（２）
、（３）上に一対の電極（４）、（５）と該一対の電
極（４） 、（５）の外側に別の一対の電極（４５）、
（５５）とが各夕配設される構成である。
上記構成において、上記電極（４）、 （５）、 （４
５）、（５５）に電圧を印加し、θ状態となる上記電圧
なＴＥ／ＴＭ両モード全モードせる条件は、Ｌ、 Ｎｂ
Ｏ３の基板（１）の電気光学係数γ１３とγ３３で決定
される。この場合におけるΔβ（印加電圧に対応）に対
するＴＥ／ＴＭ両モード全モードトークを第９図に示す
。同図においてα＝ΔβＴＥ／ΔβＴＭである（ΔβＴ
Ｅ％ ６８ＴＭはそれぞれＴＥ、ＴＭモードに対する方
向性結合器の位相不正合）。このαが０．２５≦α≦０
．３４である場合には、印加電圧の調整により両モード
でクロストーク−２０ｄＢ以下とすることができる。波
長１．３μｍ付近での実測値はα＝ ０．２９であり、
上記条件を満足していることがらθ状態になる電圧をＴ
Ｅ／ＴＭ両モード全モードせることができることなる。
５）、（５５）に電圧を印加し、θ状態となる上記電圧
なＴＥ／ＴＭ両モード全モードせる条件は、Ｌ、 Ｎｂ
Ｏ３の基板（１）の電気光学係数γ１３とγ３３で決定
される。この場合におけるΔβ（印加電圧に対応）に対
するＴＥ／ＴＭ両モード全モードトークを第９図に示す
。同図においてα＝ΔβＴＥ／ΔβＴＭである（ΔβＴ
Ｅ％ ６８ＴＭはそれぞれＴＥ、ＴＭモードに対する方
向性結合器の位相不正合）。このαが０．２５≦α≦０
．３４である場合には、印加電圧の調整により両モード
でクロストーク−２０ｄＢ以下とすることができる。波
長１．３μｍ付近での実測値はα＝ ０．２９であり、
上記条件を満足していることがらθ状態になる電圧をＴ
Ｅ／ＴＭ両モード全モードせることができることなる。
さらに、他の従来の偏光無依存光スイッチとしてＥＬＥ
ＣＴＲＯＮＩＣ５ＬＥＴＴＥＲ５１５ｔｈ Ｓｅｐｔｅ
ｍｂｅｒ １９８８Ｖ（）１．２４．ＮＯ，１９第１１
９８頁ないし第１２００頁に記載されたものがあり、こ
の従来の偏光無依存光スイッチはり、 Ｎｂ ｏ３のよ
うな光学的結晶の場合に電気光学効果がＴＥ／ＴＭ両モ
ード全モード等しく作用ｔ ルＸ −ｃｕｔの結晶を用
いることにより偏光無依存性を確保していた。
ＣＴＲＯＮＩＣ５ＬＥＴＴＥＲ５１５ｔｈ Ｓｅｐｔｅ
ｍｂｅｒ １９８８Ｖ（）１．２４．ＮＯ，１９第１１
９８頁ないし第１２００頁に記載されたものがあり、こ
の従来の偏光無依存光スイッチはり、 Ｎｂ ｏ３のよ
うな光学的結晶の場合に電気光学効果がＴＥ／ＴＭ両モ
ード全モード等しく作用ｔ ルＸ −ｃｕｔの結晶を用
いることにより偏光無依存性を確保していた。
（発明が解決しようとする課題）
従来の偏光無依存光スイッチは以上のように構成されて
いたので、前記第５図のスイッチングダイアグラムに示
すようにＴＥモードとＴＭモートとのモード切替に関す
る（ΔβＬ／π）が異なり、偏光無依存性を完全するこ
とができないという課題を有していた。また他の従来の
偏光無依存光スイッチはＴＥ／ＴＭの両モードの完全結
合長の一致を比較的遮断条件に近い所で得られるが、導
波路における光の閉じ込め効果が弱いため、導波路伝搬
損失や導波路臼がり部分での放射損失が大きくなりやす
いという課題を有し、また他の従来光スイッチでは利用
できる電気光学効果の作用が弱いため、光のスイッチン
グに必要なスイッチング電圧が大きくなるという課題を
有していた。
いたので、前記第５図のスイッチングダイアグラムに示
すようにＴＥモードとＴＭモートとのモード切替に関す
る（ΔβＬ／π）が異なり、偏光無依存性を完全するこ
とができないという課題を有していた。また他の従来の
偏光無依存光スイッチはＴＥ／ＴＭの両モードの完全結
合長の一致を比較的遮断条件に近い所で得られるが、導
波路における光の閉じ込め効果が弱いため、導波路伝搬
損失や導波路臼がり部分での放射損失が大きくなりやす
いという課題を有し、また他の従来光スイッチでは利用
できる電気光学効果の作用が弱いため、光のスイッチン
グに必要なスイッチング電圧が大きくなるという課題を
有していた。
この発明はかかる課題を解決するためになされたもので
、導波路の光閉じ込め効果を極めて高く確保でき、かつ
クロストークの低減を図ることができる偏光無依存光ス
イッチを得ることを目的とする。
、導波路の光閉じ込め効果を極めて高く確保でき、かつ
クロストークの低減を図ることができる偏光無依存光ス
イッチを得ることを目的とする。
この発明に係る偏光無依存光スイッチは、二つの導波路
を近接して配置し、該両導波路間で光強 スイッチ
は、Ｌ、 ＮｂＯ３の基板（１）上に二本の導波環を変
換する方向性結合器の結合部長を、ＴＥ 路（２
） 、（３）を形成し、該導波路（２） 、 （３）の
ヤード、ついてＴＥモードのの完全結合長の約３
部が接近して結合部（６）を形成し、該結合部（６）倍
とすると共に、ＴＭモードについてＴＭモード ′
の結合部長りをＴＥモードについてＴＥモードのの完全
結合長の約１倍として形成し、上記光強度 完全結
合長の約３倍とすると共にＴＭモードにっの変換を一様
Δβ型にて駆動制御するものであ いてＴＭモード
の完全結合長の約１倍として形成８゜
し、上記結合部（６
）を形成する導波路（２） 、（３）（作用）
上にスイッチング
電圧■を印加する電極（４）、この発明における偏光無
依存光スイッチは、方 （５）を形成する構成であ
る。
を近接して配置し、該両導波路間で光強 スイッチ
は、Ｌ、 ＮｂＯ３の基板（１）上に二本の導波環を変
換する方向性結合器の結合部長を、ＴＥ 路（２
） 、（３）を形成し、該導波路（２） 、 （３）の
ヤード、ついてＴＥモードのの完全結合長の約３
部が接近して結合部（６）を形成し、該結合部（６）倍
とすると共に、ＴＭモードについてＴＭモード ′
の結合部長りをＴＥモードについてＴＥモードのの完全
結合長の約１倍として形成し、上記光強度 完全結
合長の約３倍とすると共にＴＭモードにっの変換を一様
Δβ型にて駆動制御するものであ いてＴＭモード
の完全結合長の約１倍として形成８゜
し、上記結合部（６
）を形成する導波路（２） 、（３）（作用）
上にスイッチング
電圧■を印加する電極（４）、この発明における偏光無
依存光スイッチは、方 （５）を形成する構成であ
る。
向性結合器の結合部長をＴＥモードの完全結合長
次に、上記構成に基づく本実施例光スイッチのの３倍
及びＴＭモードの完全結合長の約１倍とし 動作に
ついて説明する。まず、電極（４） 、（５）にて形成
することにより、ＴＥ／ＴＭ両モードの■ スイッ
チング電圧Ｖが印加されない状態では、第状態からｅ状
態への移行を極めて近い印加電圧値 ２図の（Δβ
Ｌ／π）においてＴＥモード（Ｌ／で行なう。
ＩｔＬｒ３）は
■状態であり、またＴＭモード（Ｌ／（実施例）
Ｊ２４１）は■
状態である。ここでスイッチグミ工具下、この発明の一
実施例を第１図ないし第２ ｖを印加し、徐々に増
加させて第２図に表される図に基づいて説明する。この
第１図は本実施例に ＴＥ／ＴＭ両モードのＬ／ｕ
４３、Ｌ／β〜１係る偏光無依存光スイッチの概略構
成図、第２図 を右側へ平行移動させる。この平行
移動直線とは本実施例のスイッチングダイアダラムを示
す。 ＴＥ／ＴＭ両モードの各スイッチングダイ
アゲラ上記各図において、本実施例に係る偏光無依存光
ム曲線との交叉した点は各々θ状態、切、換え。
次に、上記構成に基づく本実施例光スイッチのの３倍
及びＴＭモードの完全結合長の約１倍とし 動作に
ついて説明する。まず、電極（４） 、（５）にて形成
することにより、ＴＥ／ＴＭ両モードの■ スイッ
チング電圧Ｖが印加されない状態では、第状態からｅ状
態への移行を極めて近い印加電圧値 ２図の（Δβ
Ｌ／π）においてＴＥモード（Ｌ／で行なう。
ＩｔＬｒ３）は
■状態であり、またＴＭモード（Ｌ／（実施例）
Ｊ２４１）は■
状態である。ここでスイッチグミ工具下、この発明の一
実施例を第１図ないし第２ ｖを印加し、徐々に増
加させて第２図に表される図に基づいて説明する。この
第１図は本実施例に ＴＥ／ＴＭ両モードのＬ／ｕ
４３、Ｌ／β〜１係る偏光無依存光スイッチの概略構
成図、第２図 を右側へ平行移動させる。この平行
移動直線とは本実施例のスイッチングダイアダラムを示
す。 ＴＥ／ＴＭ両モードの各スイッチングダイ
アゲラ上記各図において、本実施例に係る偏光無依存光
ム曲線との交叉した点は各々θ状態、切、換え。
れたことを示している。このｅ状態への切換点は、ＴＥ
／ＴＭ両モードについて共に（ΔβＬ／π）＝７．９４
（Ｖ）のスイッチング電圧Ｖが印加された状態である。
／ＴＭ両モードについて共に（ΔβＬ／π）＝７．９４
（Ｖ）のスイッチング電圧Ｖが印加された状態である。
さらに、上記実施例光スイッチの動作をチャンネル出力
強度に関し第３図に基づき詳述する。この第３図は完全
結合長に対する■状態のチャンネル出力強度の関係を示
す光強度グラフである。同図において、ＴＥモードにつ
いて２．７≦Ｌ ／ Ｉ ＴＥ≦３．３ とし、ＴＭモ
ードについて０．７≦Ｌ／ＩｔＴＭ≦１．３とする数値
範囲が定められ、この数値範囲は挿入損失の観点より定
めたものである。この各完全結合長が２．７≦Ｌ／ｕア
、≦３．３．０．７≦Ｌ／Ｊ２ＴＭ≦１．３とした場合
には、■状態におけるチャンネル出力光強度は約７５％
程度を下限とする範囲とすることができる。このチャン
ネル出力光強度的７５％は挿入損失が約１．２５ｄＢと
なることから、実用範囲としては挿入損失をより多くし
ても許容できる。よって挿入損失約−２ｄＢの範囲とす
れば、ＴＥ／ＴＭ両モードの完全結合長は２．６≦Ｌ／
ＩｔＴ、≦３．４．０．６≦Ｌ ／ ｉｔ ＴＭ≦１．
４とすることもできる。
強度に関し第３図に基づき詳述する。この第３図は完全
結合長に対する■状態のチャンネル出力強度の関係を示
す光強度グラフである。同図において、ＴＥモードにつ
いて２．７≦Ｌ ／ Ｉ ＴＥ≦３．３ とし、ＴＭモ
ードについて０．７≦Ｌ／ＩｔＴＭ≦１．３とする数値
範囲が定められ、この数値範囲は挿入損失の観点より定
めたものである。この各完全結合長が２．７≦Ｌ／ｕア
、≦３．３．０．７≦Ｌ／Ｊ２ＴＭ≦１．３とした場合
には、■状態におけるチャンネル出力光強度は約７５％
程度を下限とする範囲とすることができる。このチャン
ネル出力光強度的７５％は挿入損失が約１．２５ｄＢと
なることから、実用範囲としては挿入損失をより多くし
ても許容できる。よって挿入損失約−２ｄＢの範囲とす
れば、ＴＥ／ＴＭ両モードの完全結合長は２．６≦Ｌ／
ＩｔＴ、≦３．４．０．６≦Ｌ ／ ｉｔ ＴＭ≦１．
４とすることもできる。
次に、上記実施例に係る偏光無依存光スイッチな一実施
例製造方法との関係で説明する。
例製造方法との関係で説明する。
一般にり、 ＮｂＯ３の基板（１）に導波路（２）、（
３）を形成する方法としては、ＴＩ拡散法が最も一般的
に用いられる。このＴ１拡散法により形成した導波路（
２） 、（３）では異常光に対する屈折率変化Δｎ８の
方が常光線に対する屈折率変化Δｎ０よりも大きくする
ことが容易である。即ち、Ｚ−ｃｕｔ結晶のり。
３）を形成する方法としては、ＴＩ拡散法が最も一般的
に用いられる。このＴ１拡散法により形成した導波路（
２） 、（３）では異常光に対する屈折率変化Δｎ８の
方が常光線に対する屈折率変化Δｎ０よりも大きくする
ことが容易である。即ち、Ｚ−ｃｕｔ結晶のり。
ＮｂＯ３基板（１）ではＴＭモードの完全結合長をＴＥ
モードの完全結合長よりも長くすることが容易である。
モードの完全結合長よりも長くすることが容易である。
導波路（２） 、 （３）の幅や二本の導波路間隔、そ
してＴＩ拡散条件を適当に設定することで、方向性結合
器の結合部長しの長さが、ＴＥ／ＴＭ両モードの完全結
合長に対してそれぞれ約３倍、１倍とすることは容易に
可能であり、このような導波路は光の閉じ込め効果が十
分に大きなものである。
してＴＩ拡散条件を適当に設定することで、方向性結合
器の結合部長しの長さが、ＴＥ／ＴＭ両モードの完全結
合長に対してそれぞれ約３倍、１倍とすることは容易に
可能であり、このような導波路は光の閉じ込め効果が十
分に大きなものである。
この構成を第４図に示し、同図において電極（４） 、
（５）が金属で構成されるため、金属により光の吸収を
避けるため導波路（２） 、（３）と電極（４） 、（
５１間ニ５Ｉ０２（約４０００人）層を設ける構成とす
る。
（５）が金属で構成されるため、金属により光の吸収を
避けるため導波路（２） 、（３）と電極（４） 、（
５１間ニ５Ｉ０２（約４０００人）層を設ける構成とす
る。
〔発明の効果）
以上説明したようにこの発明に係る偏光無依存光スイッ
チは、方向性結合器の結合部長を、ＴＥモードについて
ＴＥモードの完全結合長の約３倍とすると共にＴＭモー
ドについてＴＭモードの完全結合長の約１倍とし、方向
性結合器を一様Δβ型にて駆動制御する構成を採ったこ
とから、導波路の光閉じ込め効果を極めて高く確保でき
ると共に、ＴＥ／ＴＭ両モードの■状態からｅ状態への
移行が極めて近い印加電圧値で行なえるためクロストー
クの低減を図ることができるという効果を奏する。
チは、方向性結合器の結合部長を、ＴＥモードについて
ＴＥモードの完全結合長の約３倍とすると共にＴＭモー
ドについてＴＭモードの完全結合長の約１倍とし、方向
性結合器を一様Δβ型にて駆動制御する構成を採ったこ
とから、導波路の光閉じ込め効果を極めて高く確保でき
ると共に、ＴＥ／ＴＭ両モードの■状態からｅ状態への
移行が極めて近い印加電圧値で行なえるためクロストー
クの低減を図ることができるという効果を奏する。
第１図はこの発明の一実施例に係る偏光無依存光スイッ
チの概略構成図、第２図は第１図記載の実施例における
スイッチングダイアグラム、第３図は完全結合長に対す
る■状態のチャンネル出力強度の関係グラフ、第４図は
第１図記載の実施例における一部断面構成図、第５図は
従来の偏光無依存光スイッチの概略構成図、第６図（Ａ
）は完全結合長に対する射出光強度の関係グラフ、第６
図（Ｂ）は−様Δβのスイッチングダイアグラム、第７
図はＴＥ／ＴＭ両モードのスイッチングダイアグラム、
第８図は他の従来の偏光無依存光スイッチの概略構成図
、第９図はＴＥモードのスイッチング電圧に対するクロ
ストークの関係グラフを示す。 （１）・・・Ｌ、 Ｎｂｏ３の基板 （２） 、 （３）・・・導波路 （４） 、 （５）・・・電極 （６）・・・結合部 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 □ｌ／］ Ｖ鼾宥′１′端 一２０７− Ｖ］
チの概略構成図、第２図は第１図記載の実施例における
スイッチングダイアグラム、第３図は完全結合長に対す
る■状態のチャンネル出力強度の関係グラフ、第４図は
第１図記載の実施例における一部断面構成図、第５図は
従来の偏光無依存光スイッチの概略構成図、第６図（Ａ
）は完全結合長に対する射出光強度の関係グラフ、第６
図（Ｂ）は−様Δβのスイッチングダイアグラム、第７
図はＴＥ／ＴＭ両モードのスイッチングダイアグラム、
第８図は他の従来の偏光無依存光スイッチの概略構成図
、第９図はＴＥモードのスイッチング電圧に対するクロ
ストークの関係グラフを示す。 （１）・・・Ｌ、 Ｎｂｏ３の基板 （２） 、 （３）・・・導波路 （４） 、 （５）・・・電極 （６）・・・結合部 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 □ｌ／］ Ｖ鼾宥′１′端 一２０７− Ｖ］
Claims (1)
- 二つの導波路を近接して配置し、該両導波路間で光強度
を変換する方向性結合器にて構成され、該光強度の変換
を一様Δβ型にて駆動制御する偏光無依存光スイッチに
おいて、上記方向性結合器の結合部長を、ＴＥモードに
ついてＴＥモードの完全結合長の約３倍とすると共に、
ＴＭモードについてＴＭモードの完全結合長の約１倍と
することを特徴とする偏光無依存光スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8245789A JPH02262128A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 偏光無依存光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8245789A JPH02262128A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 偏光無依存光スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02262128A true JPH02262128A (ja) | 1990-10-24 |
Family
ID=13775040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8245789A Pending JPH02262128A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 偏光無依存光スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02262128A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04237016A (ja) * | 1991-01-22 | 1992-08-25 | Nec Corp | 光制御デバイス |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP8245789A patent/JPH02262128A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04237016A (ja) * | 1991-01-22 | 1992-08-25 | Nec Corp | 光制御デバイス |
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