JPH02262955A - Ｓｉインゴットのワイヤソーによる切断法 - Google Patents
Ｓｉインゴットのワイヤソーによる切断法Info
- Publication number
- JPH02262955A JPH02262955A JP1017596A JP1759689A JPH02262955A JP H02262955 A JPH02262955 A JP H02262955A JP 1017596 A JP1017596 A JP 1017596A JP 1759689 A JP1759689 A JP 1759689A JP H02262955 A JPH02262955 A JP H02262955A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- ingot
- cutting
- machining fluid
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
- B28D1/02—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by sawing
- B28D1/025—Use, recovery or regeneration of abrasive mediums
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は加工液あるいは砥粒と反応するＳｉインゴッ
トをワイヤを用いて切断する方法に関するものである。
トをワイヤを用いて切断する方法に関するものである。
従来の技術
従来のＳｉのインゴットの切断法は内周刃で切断してい
るが、直径が６インチまでは反りが１５μｍ以下で切断
可能であるが、８インチ以上では内周刃の剛性が保てず
、反りが１５μｍを越え品質上好ましくない、ダイヤモ
ンドの固定砥粒で切断するため、加工変質層は３０μｍ
を越える。
るが、直径が６インチまでは反りが１５μｍ以下で切断
可能であるが、８インチ以上では内周刃の剛性が保てず
、反りが１５μｍを越え品質上好ましくない、ダイヤモ
ンドの固定砥粒で切断するため、加工変質層は３０μｍ
を越える。
また従来の遊離砥粒によるワイヤソーの８１インゴツト
の切断法（例えば５６３Ｍ密工学会秋季大会学術講演会
高能率・高精度マルチワイヤソーの開発）は、ワイヤ
送り速度を４００ｍ／ｍｉｎから１２００ｍ／ｍｉｎの
高速度にしなければ、Ｏｙ７ｍｍ／ｍｉｎの高切断速度
が得られない、ワイヤ送り速度を高速度にすればワイヤ
の摩耗やリールの摩耗が激しい問題点がある。また砥粒
は直接Ｓｉインゴット表面のシリコン酸化膜に当たる為
、垂直荷重が高く、このため加工変質層が深い問題点が
ある。
の切断法（例えば５６３Ｍ密工学会秋季大会学術講演会
高能率・高精度マルチワイヤソーの開発）は、ワイヤ
送り速度を４００ｍ／ｍｉｎから１２００ｍ／ｍｉｎの
高速度にしなければ、Ｏｙ７ｍｍ／ｍｉｎの高切断速度
が得られない、ワイヤ送り速度を高速度にすればワイヤ
の摩耗やリールの摩耗が激しい問題点がある。また砥粒
は直接Ｓｉインゴット表面のシリコン酸化膜に当たる為
、垂直荷重が高く、このため加工変質層が深い問題点が
ある。
発明が解決しようとする課題
上記問題に鑑み、本願発明はワイヤソーを用いて高切断
速度でＳｉインゴットを切断する方法を提供することを
目的とする。
速度でＳｉインゴットを切断する方法を提供することを
目的とする。
課題を解決するための手段
本発明はＳｉインゴットを切断する方法において、ワイ
ヤを用い、砥粒を加工液に加えた遊離砥粒を用いるとと
もに、前記加工液のＰＨをアルカリの加工液の場合はＰ
Ｈ９以上、酸の加工液の場合はＰＨ６からＰＨ３、前記
加工液の温度は前記アルカリの加工液の場合は３０℃か
ら８０℃、前記酸の加工液の場合は２５℃から６５℃と
することにより、高切断速度でＳｉインゴットの切断を
可能とするものである。
ヤを用い、砥粒を加工液に加えた遊離砥粒を用いるとと
もに、前記加工液のＰＨをアルカリの加工液の場合はＰ
Ｈ９以上、酸の加工液の場合はＰＨ６からＰＨ３、前記
加工液の温度は前記アルカリの加工液の場合は３０℃か
ら８０℃、前記酸の加工液の場合は２５℃から６５℃と
することにより、高切断速度でＳｉインゴットの切断を
可能とするものである。
作用
以下本発明について詳細に説明する０本発明による被切
断物はＳｌの加工液あるいは砥粒と反応するインゴット
で、直径が３から１０インチで長さが３００から２００
０ｍｍの８１単結晶の円柱である。
断物はＳｌの加工液あるいは砥粒と反応するインゴット
で、直径が３から１０インチで長さが３００から２００
０ｍｍの８１単結晶の円柱である。
ワイヤソーの機構を第１図に示す、テーブル９上に固定
されたＳｉインゴット１を、テーブル９を方向８に押し
あげることによりワイヤ２に接触させる。ワイヤ２は加
工液がアルカリの場合はピアノ線でもよく、前記加工液
が酸の場合はアモルファス線を用いる。ワイヤの線径は
０．０８ｍｍから０．２５ｍｍを用いる。前記ワイヤ２
には右巻き取りリール３と左巻き取りリール４により一
定の張力Ｔをかけ、かつ右巻き取りリール３で巻き取り
、左巻き取りリール４に巻きつけられたワイヤがなくな
れば反転し、左巻き取りリール４で巻き取る。
されたＳｉインゴット１を、テーブル９を方向８に押し
あげることによりワイヤ２に接触させる。ワイヤ２は加
工液がアルカリの場合はピアノ線でもよく、前記加工液
が酸の場合はアモルファス線を用いる。ワイヤの線径は
０．０８ｍｍから０．２５ｍｍを用いる。前記ワイヤ２
には右巻き取りリール３と左巻き取りリール４により一
定の張力Ｔをかけ、かつ右巻き取りリール３で巻き取り
、左巻き取りリール４に巻きつけられたワイヤがなくな
れば反転し、左巻き取りリール４で巻き取る。
加工液７はアルカリの場合はＰＨ９以上を用い、ＫＯＨ
かＮａＯＨが適しており、温度は３０℃〜８０℃がよい
、酸の場合はＰＨ６から３が良く、ＨＦにＨＮＯ３を加
えた加工液が適しており、温度は２５℃から６５℃がよ
い。加工液７はノズル６によりＳｉインゴット１上に供
給する。
かＮａＯＨが適しており、温度は３０℃〜８０℃がよい
、酸の場合はＰＨ６から３が良く、ＨＦにＨＮＯ３を加
えた加工液が適しており、温度は２５℃から６５℃がよ
い。加工液７はノズル６によりＳｉインゴット１上に供
給する。
第２図に第１図のワイヤ送り方向から見たＳｉインゴッ
ト１の切断の図を示す０本発明の最も特徴とするところ
は、加工液７にＳｉまたはＳｉの酸化物と化学反応を起
こすアルカリまたは酸と砥粒を懸濁した溶液を使用する
点にある。砥粒ｌ。
ト１の切断の図を示す０本発明の最も特徴とするところ
は、加工液７にＳｉまたはＳｉの酸化物と化学反応を起
こすアルカリまたは酸と砥粒を懸濁した溶液を使用する
点にある。砥粒ｌ。
は例えばＳｉＣでもよく、アルミナでもよい。砥粒サイ
ズは＃３００から＃２０００がよい。
ズは＃３００から＃２０００がよい。
第２図に示すように、加工液７は既に切断された満１２
の中に供給され、満１２の底にいたる。
の中に供給され、満１２の底にいたる。
加工液７に含まれるアルカリまたは酸により満１２の底
のＳｉまたはＳｉの酸化物は反応し、反応生成物１１を
作る０反応生成物は加工液７に゛より生成するが、Ｓｉ
またはＳｉの酸化物と化学反応を起こすＢ ａ ＣＯ＊
、Ｃａ ＣＯｓ等の砥粒を用いて反応生成物１１を作る
ことも可能である。
のＳｉまたはＳｉの酸化物は反応し、反応生成物１１を
作る０反応生成物は加工液７に゛より生成するが、Ｓｉ
またはＳｉの酸化物と化学反応を起こすＢ ａ ＣＯ＊
、Ｃａ ＣＯｓ等の砥粒を用いて反応生成物１１を作る
ことも可能である。
この反応生成物とワイヤの間に砥粒１ｏが入り、Ｓｉイ
ンゴット１は押し上げ方向８に押し上げられる為、張力
Ｔにより張られたワイヤ２より反力を受け、砥粒ｌＯは
反応生成物１１に押しつけられる。同時にワイヤ２は第
２図の紙面直角方向に送られている為、砥粒１ｏはＳｉ
の母材よりはるかに脆くなった反応生成物１１を容易に
削る。
ンゴット１は押し上げ方向８に押し上げられる為、張力
Ｔにより張られたワイヤ２より反力を受け、砥粒ｌＯは
反応生成物１１に押しつけられる。同時にワイヤ２は第
２図の紙面直角方向に送られている為、砥粒１ｏはＳｉ
の母材よりはるかに脆くなった反応生成物１１を容易に
削る。
反応生・酸物１１は脆く、容易に削れるため、第３図に
示す様にワイヤ２がＳｉインゴット１に接している切断
中１４で押し上げ荷重１５をｖｌった垂直荷重Ｗは２ｇ
／ｍｍ以下でも、Ｓｉインゴット１の上昇速度（切断速
度という）は０．５ｍｍ／ ｍ ｉ ｎから２．０ｍｍ
／ｍｉ ｎの高い値が得られる。垂直荷重Ｗは０．２ｇ
／ｍｍ〜２ｇ／１ｍとするのが望ましい。
示す様にワイヤ２がＳｉインゴット１に接している切断
中１４で押し上げ荷重１５をｖｌった垂直荷重Ｗは２ｇ
／ｍｍ以下でも、Ｓｉインゴット１の上昇速度（切断速
度という）は０．５ｍｍ／ ｍ ｉ ｎから２．０ｍｍ
／ｍｉ ｎの高い値が得られる。垂直荷重Ｗは０．２ｇ
／ｍｍ〜２ｇ／１ｍとするのが望ましい。
第２図の加工変質層１８は１５＃Ｌｍ以下である。この
時のワイヤの送り速度は５００ ｍ／ｍｉｎ以下であり
、低速でＳｉインゴットの切断ができる。
時のワイヤの送り速度は５００ ｍ／ｍｉｎ以下であり
、低速でＳｉインゴットの切断ができる。
また前記垂直荷重Ｗが低いため、水平分力１３も低く、
張力Ｔによりワイヤに作用する応力は２０ｋｇ／ｍｍ２
の低い値でもワイヤの直線性が良く、もちろん高い応力
は破断応力の３００ｋｇ／ｍｍ２まで使用でき、第４図
に示すように切断後の８１ウエハ１６を平面上にａいて
最も低いところと最も高いところの差である反り１７は
１０ＪＬｍ以下である。
張力Ｔによりワイヤに作用する応力は２０ｋｇ／ｍｍ２
の低い値でもワイヤの直線性が良く、もちろん高い応力
は破断応力の３００ｋｇ／ｍｍ２まで使用でき、第４図
に示すように切断後の８１ウエハ１６を平面上にａいて
最も低いところと最も高いところの差である反り１７は
１０ＪＬｍ以下である。
第１図では一木のワイヤでＳｉインゴットを切断してい
る図を示したが、アイドラリール５をインゴットの長さ
に対応させて多段に配置することにより、同時に複数枚
の切断が可能である。
る図を示したが、アイドラリール５をインゴットの長さ
に対応させて多段に配置することにより、同時に複数枚
の切断が可能である。
加工液はアルカリの場合はＰＨ９以上でＳｉまたはＳｉ
の酸化物との反応が進む、アルカリはＫＯＨかＮａＯＨ
の水溶液が好ましく、３０℃未満では切断速度が０．５
ｍｍ／ｍｉｎ以下となり、８０℃超ではＳｉウェハの表
面が荒れる。Ｓの場合はＰＨ６超では切断速度が０．５
ｍｍ／ｍｉｎ以下となり、ＰＨ３未満ではアモルファス
線を用いても腐食がおこり断線する。酸の種類はＨＦに
ＨＮＯ３を加えた水溶液が好ましく、２５℃未満では切
断速度が０．５ｍｍ／ｍｉ ｎ以下となり、６５℃超で
はＳｉウェハの表面が荒れる。但し酸を溶液に用いる場
合は耐蝕性のある塩化ビニール等を機器に用いる。
の酸化物との反応が進む、アルカリはＫＯＨかＮａＯＨ
の水溶液が好ましく、３０℃未満では切断速度が０．５
ｍｍ／ｍｉｎ以下となり、８０℃超ではＳｉウェハの表
面が荒れる。Ｓの場合はＰＨ６超では切断速度が０．５
ｍｍ／ｍｉｎ以下となり、ＰＨ３未満ではアモルファス
線を用いても腐食がおこり断線する。酸の種類はＨＦに
ＨＮＯ３を加えた水溶液が好ましく、２５℃未満では切
断速度が０．５ｍｍ／ｍｉ ｎ以下となり、６５℃超で
はＳｉウェハの表面が荒れる。但し酸を溶液に用いる場
合は耐蝕性のある塩化ビニール等を機器に用いる。
切断速度は２．０ｍｍ／ｍｉ ｎを越えると反りが１０
ＪＬｍを越える。垂直荷重Ｗは０．２ｇ／ｍｍ以下では
切断速度が０．５ｍｍ／ｍｉｎ以下となり、２ ｇ ／
ｍ ｍでは加工変質層が１５ｐｍを越える。ワイヤ張
力Ｔによる応力は３００ｋｇ／ｍｍ２越えると断線する
し、２０ ｋ ｇ ／ ｍ ｍ ２未満であると反りが
１０ｇｍを越える。従ってウェハの反りを優先すれば高
い応力が適し、ワイヤー寿命を優先すれば低い応力が適
している。砥粒サイズは＃３００以下では切断面が荒れ
、＃ ２０００以上では垂直荷重Ｗが増加し、反りは１
５ＪＬｍ以上になる。ワイヤ線径は０．０８ｍｍφ以下
では、反りを１５１Ｌｍ以下にするために張力Ｔを上げ
応力を３００ ｋ ｇ／ｍｍ２とする必要があり、断線
する。０．２５ｍｍφ以上では切断による切り代が多く
実用性にとぼしい。
ＪＬｍを越える。垂直荷重Ｗは０．２ｇ／ｍｍ以下では
切断速度が０．５ｍｍ／ｍｉｎ以下となり、２ ｇ ／
ｍ ｍでは加工変質層が１５ｐｍを越える。ワイヤ張
力Ｔによる応力は３００ｋｇ／ｍｍ２越えると断線する
し、２０ ｋ ｇ ／ ｍ ｍ ２未満であると反りが
１０ｇｍを越える。従ってウェハの反りを優先すれば高
い応力が適し、ワイヤー寿命を優先すれば低い応力が適
している。砥粒サイズは＃３００以下では切断面が荒れ
、＃ ２０００以上では垂直荷重Ｗが増加し、反りは１
５ＪＬｍ以上になる。ワイヤ線径は０．０８ｍｍφ以下
では、反りを１５１Ｌｍ以下にするために張力Ｔを上げ
応力を３００ ｋ ｇ／ｍｍ２とする必要があり、断線
する。０．２５ｍｍφ以上では切断による切り代が多く
実用性にとぼしい。
実施例
実施例１
５ｉｎのＳｉインゴットを以下の条件で切断した。即ち
加工液はＫＯＨ水溶液でＰＨ１２、温度５０℃、垂直筒
ｆｆ１Ｗは１ｇ７ｍｍ、砥粒はＧＣの＃８００、ワイヤ
は線径が０．１２ｍｍφのピアノ線で張力は１．０ｋｇ
（応力８８．４ｋｇ／ｍｍ２）である、その結果、切断
速度２．０ｍｍ／ ｍ ｉ ｎ、反り５．８．ｇｍ、加
工変質層９１ＬｍのＳｉウェハを得られた。
加工液はＫＯＨ水溶液でＰＨ１２、温度５０℃、垂直筒
ｆｆ１Ｗは１ｇ７ｍｍ、砥粒はＧＣの＃８００、ワイヤ
は線径が０．１２ｍｍφのピアノ線で張力は１．０ｋｇ
（応力８８．４ｋｇ／ｍｍ２）である、その結果、切断
速度２．０ｍｍ／ ｍ ｉ ｎ、反り５．８．ｇｍ、加
工変質層９１ＬｍのＳｉウェハを得られた。
実施例２
８ｉｎのＳｉインゴットを以下の条件で切断した。即ち
加工液はＫＯＨ水溶液でＰＨ１４、温度４５℃、垂直荷
重Ｗは２ ｇ ／ ｍ ｍ、砥粒はＧＣの＃６００、ワ
イヤは線径が０．１８ｍｍφのピアノ線で張力は１．５
ｋｇ（応力５８．９ｋｇ／ｍｍ２）である、その結果、
切断速度１．５ｍｍ／ ｍ Ｅ ｎ、反り９．５ｇｍ、
加工変質層１３ｇｍのＳｉウェハを得られた。
加工液はＫＯＨ水溶液でＰＨ１４、温度４５℃、垂直荷
重Ｗは２ ｇ ／ ｍ ｍ、砥粒はＧＣの＃６００、ワ
イヤは線径が０．１８ｍｍφのピアノ線で張力は１．５
ｋｇ（応力５８．９ｋｇ／ｍｍ２）である、その結果、
切断速度１．５ｍｍ／ ｍ Ｅ ｎ、反り９．５ｇｍ、
加工変質層１３ｇｍのＳｉウェハを得られた。
実施例３
１ｏｉｎのＳｉインゴットを以下の条件で切断した。即
ち加工液はＫＯＨ水溶液でＰＨ１３、温度６０℃、垂直
荷重Ｗは２ｇ／ｍｍ、砥粒はＧＣの＃６００、ワイヤは
線径が０．２０ｍｍφピアン線で張力は２．ｏｋｇ（応
力６３．７ｋｇ／ｍｍ２）である、その結果、切断速度
１．３ｍｍ／ｍｉｎ、反り１４．５ＪＬｍ、加工変質層
１２．５７Ｌｍｃ７）Ｓｉウェハを得られた。
ち加工液はＫＯＨ水溶液でＰＨ１３、温度６０℃、垂直
荷重Ｗは２ｇ／ｍｍ、砥粒はＧＣの＃６００、ワイヤは
線径が０．２０ｍｍφピアン線で張力は２．ｏｋｇ（応
力６３．７ｋｇ／ｍｍ２）である、その結果、切断速度
１．３ｍｍ／ｍｉｎ、反り１４．５ＪＬｍ、加工変質層
１２．５７Ｌｍｃ７）Ｓｉウェハを得られた。
実施例４
５ｉｎのＳｉインゴットを以下の条件で切断した。即ち
加工液はＨＦ＋ＨＮＯ３水溶液でＰＨ５、温度６０℃、
垂直荷重Ｗは１．５ｇ／ｍｍ、砥粒はアルミナの＃１０
００．ワイヤは線径が０．１８ｍｍφのアモルファス線
で張力は１．５ｋｇｃ応力５８ 、９ ｋ ｇ／ｍｍ２
）である、その結果、切断速度１．８ｍｍ／ｍｉｎ、反
り１２．５μｍ、加工変質層５μｍのＳｉウェハを得ら
れた。
加工液はＨＦ＋ＨＮＯ３水溶液でＰＨ５、温度６０℃、
垂直荷重Ｗは１．５ｇ／ｍｍ、砥粒はアルミナの＃１０
００．ワイヤは線径が０．１８ｍｍφのアモルファス線
で張力は１．５ｋｇｃ応力５８ 、９ ｋ ｇ／ｍｍ２
）である、その結果、切断速度１．８ｍｍ／ｍｉｎ、反
り１２．５μｍ、加工変質層５μｍのＳｉウェハを得ら
れた。
実施例５
５ｉｎのＳｉインゴットを以下の条件で切断した。即ち
加工液は水、温度２５℃、垂直荷重Ｗは１．５ｇ／ｍｍ
、砥粒はＢａＣＯ３（７）＃１０００゜ワイヤは線径が
０．１８ｍｍφのピアノ線で張力は１．５ｋｇ（応力５
８．９ｋｇ／ｍｍ２） である、その結果、切断速度１
．８ｍｍ／ｍｉｎ、反り１２．５１Ｌｍ、加工変質層５
ＪＬｍのＳｉウェハを得られた。
加工液は水、温度２５℃、垂直荷重Ｗは１．５ｇ／ｍｍ
、砥粒はＢａＣＯ３（７）＃１０００゜ワイヤは線径が
０．１８ｍｍφのピアノ線で張力は１．５ｋｇ（応力５
８．９ｋｇ／ｍｍ２） である、その結果、切断速度１
．８ｍｍ／ｍｉｎ、反り１２．５１Ｌｍ、加工変質層５
ＪＬｍのＳｉウェハを得られた。
実施例６
８ｉｎのＳｉインゴットを以下の条件で切断した。即ち
加工液は、ＫＯＨ水溶液でＰＨ１３、温度５０℃、垂直
荷重は２ｇ／ｍｍ、砥粒はＧＣの＃６００、ワイヤは線
径が０．２ｍｍφピアノ線で、張力は５ｋｇ（応力１５
９ 、２ ｋｇ／＋ａｍ２）である。その結果、切断速
度１ 、５ ｍｍ／ｗｉｎ、反り５ＪＬｍ、加工変質層
１３ 、ｇｍのＳｉウェハが得られた。
加工液は、ＫＯＨ水溶液でＰＨ１３、温度５０℃、垂直
荷重は２ｇ／ｍｍ、砥粒はＧＣの＃６００、ワイヤは線
径が０．２ｍｍφピアノ線で、張力は５ｋｇ（応力１５
９ 、２ ｋｇ／＋ａｍ２）である。その結果、切断速
度１ 、５ ｍｍ／ｗｉｎ、反り５ＪＬｍ、加工変質層
１３ 、ｇｍのＳｉウェハが得られた。
発明の効果
従来直径８インチのＳｉインゴットは内周刃では反りを
１５ｇｍ以下で切断できなかったが、本発明により、１
０インチインゴットでも反りを１５ｇｍ以下にすること
が可能になった。このためシリコンウェハからデバイス
を作る時の焦点合わせが高精度で可能であり、記憶容量
は現在のＬＭよりはるかに高い６４Ｍ対応が可ス七にな
った・
１５ｇｍ以下で切断できなかったが、本発明により、１
０インチインゴットでも反りを１５ｇｍ以下にすること
が可能になった。このためシリコンウェハからデバイス
を作る時の焦点合わせが高精度で可能であり、記憶容量
は現在のＬＭよりはるかに高い６４Ｍ対応が可ス七にな
った・
第１図はワイヤソーの機構の説明図、第２図は砥粒を介
してワイヤでアルカリまたは酸で脆くなったＳｉインゴ
ツト面を切断している状態を説明する図、第３図は垂直
荷重を説明するための図、第４図はＳｉウェハの反りを
説明するための図である。 ｌ・・・Ｓｉインゴット、２・・・ワイヤ、３・・・右
捲取すリール、４・・・左捲取すリール、５・・・アイ
ドラリール、６・・・ノズル、７・・・加工液、８・・
・押上方向。 ９・・・テーブル、１０・・・砥粒、１１・・・反応生
成物。 １２・・・溝、１３・・・水平分力、１４・・・切断線
巾。 １５・・・押上荷重、１６・・・Ｓｉウェハ、１７・・
・反り、１８・・・加工変質層。
してワイヤでアルカリまたは酸で脆くなったＳｉインゴ
ツト面を切断している状態を説明する図、第３図は垂直
荷重を説明するための図、第４図はＳｉウェハの反りを
説明するための図である。 ｌ・・・Ｓｉインゴット、２・・・ワイヤ、３・・・右
捲取すリール、４・・・左捲取すリール、５・・・アイ
ドラリール、６・・・ノズル、７・・・加工液、８・・
・押上方向。 ９・・・テーブル、１０・・・砥粒、１１・・・反応生
成物。 １２・・・溝、１３・・・水平分力、１４・・・切断線
巾。 １５・・・押上荷重、１６・・・Ｓｉウェハ、１７・・
・反り、１８・・・加工変質層。
Claims (1)
- Ｓｉインゴットを砥粒を添加した加工液を使用してワイ
ヤソーで切断する方法において、前記加工液のＰＨをア
ルカリの加工液の場合はＰＨ９以上、酸の加工液の場合
はＰＨ６からＰＨ３、前記加工液の温度を前記アルカリ
の加工液の場合は３０℃から８０℃、前記酸の加工液の
場合は２５℃から６５℃とすることを特徴とするＳｉイ
ンゴットのワイヤソーによる切断法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1017596A JPH02262955A (ja) | 1988-12-15 | 1989-01-30 | Ｓｉインゴットのワイヤソーによる切断法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-314921 | 1988-12-15 | ||
| JP31492188 | 1988-12-15 | ||
| JP1017596A JPH02262955A (ja) | 1988-12-15 | 1989-01-30 | Ｓｉインゴットのワイヤソーによる切断法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02262955A true JPH02262955A (ja) | 1990-10-25 |
Family
ID=18059248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1017596A Pending JPH02262955A (ja) | 1988-12-15 | 1989-01-30 | Ｓｉインゴットのワイヤソーによる切断法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02262955A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0824055A1 (en) * | 1996-08-13 | 1998-02-18 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for cutting an ingot |
| JP2000280166A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-10-10 | Infineon Technol North America Corp | 改良されたｃｍｐ均一性 |
| WO2005039824A1 (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | マルチワイヤソー |
| WO2008047446A1 (en) | 2006-10-20 | 2008-04-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Slurry for silicon ingot cutting and method of cutting silicon ingot therewith |
| US7591712B2 (en) * | 2005-05-11 | 2009-09-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of producing silicon blocks and silicon wafers |
| DE102010014551A1 (de) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | Schott Solar Ag | Fluide Trennmedien und deren Verwendung |
| KR101112743B1 (ko) * | 2009-02-19 | 2012-02-24 | 강웅식 | 잉곳 절단용 와이어 소오 |
| JP2012091319A (ja) * | 2010-02-23 | 2012-05-17 | Kobelco Kaken:Kk | 切断体の製造方法 |
| EP2065922A4 (en) * | 2006-09-22 | 2013-10-02 | Shinetsu Handotai Kk | CUT METHOD |
| US20140242342A1 (en) * | 2011-10-03 | 2014-08-28 | Unilin, Bvba | Panel and Method for Manufacturing Panels |
| CN107851566A (zh) * | 2015-06-29 | 2018-03-27 | 西尾康明 | 硅材料的切割辅助装置、切割方法、切割系统 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5368493A (en) * | 1976-11-30 | 1978-06-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Surface polishing method |
| JPS5583561A (en) * | 1978-12-12 | 1980-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Abrasion method of polycrystal material |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP1017596A patent/JPH02262955A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5368493A (en) * | 1976-11-30 | 1978-06-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Surface polishing method |
| JPS5583561A (en) * | 1978-12-12 | 1980-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Abrasion method of polycrystal material |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1082865C (zh) * | 1996-08-13 | 2002-04-17 | Memc电子材料有限公司 | 切割锭块用的方法和装置 |
| EP0824055A1 (en) * | 1996-08-13 | 1998-02-18 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for cutting an ingot |
| JP2000280166A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-10-10 | Infineon Technol North America Corp | 改良されたｃｍｐ均一性 |
| JP2009142986A (ja) * | 2003-10-27 | 2009-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | マルチワイヤソー |
| WO2005039824A1 (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | マルチワイヤソー |
| US7306508B2 (en) | 2003-10-27 | 2007-12-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Multi-wire saw |
| EP1685927A4 (en) * | 2003-10-27 | 2008-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | multi-wire |
| US7591712B2 (en) * | 2005-05-11 | 2009-09-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of producing silicon blocks and silicon wafers |
| EP2065922A4 (en) * | 2006-09-22 | 2013-10-02 | Shinetsu Handotai Kk | CUT METHOD |
| WO2008047446A1 (en) | 2006-10-20 | 2008-04-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Slurry for silicon ingot cutting and method of cutting silicon ingot therewith |
| US8075647B2 (en) | 2006-10-20 | 2011-12-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Slurry for slicing silicon ingot and method for slicing silicon ingot using the same |
| KR101112743B1 (ko) * | 2009-02-19 | 2012-02-24 | 강웅식 | 잉곳 절단용 와이어 소오 |
| JP2012091319A (ja) * | 2010-02-23 | 2012-05-17 | Kobelco Kaken:Kk | 切断体の製造方法 |
| DE102010014551A1 (de) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | Schott Solar Ag | Fluide Trennmedien und deren Verwendung |
| US20140242342A1 (en) * | 2011-10-03 | 2014-08-28 | Unilin, Bvba | Panel and Method for Manufacturing Panels |
| US9695600B2 (en) * | 2011-10-03 | 2017-07-04 | Unilin Bvba | Panel and method for manufacturing panels |
| CN107851566A (zh) * | 2015-06-29 | 2018-03-27 | 西尾康明 | 硅材料的切割辅助装置、切割方法、切割系统 |
| JPWO2017002670A1 (ja) * | 2015-06-29 | 2018-07-19 | 西尾 康明 | シリコン材料の切断補助装置、切断方法、切断システム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3397968B2 (ja) | 半導体単結晶インゴットのスライス方法 | |
| US7025665B2 (en) | Method and apparatus for cutting ultra thin silicon wafers | |
| JP2870452B2 (ja) | ワイヤソー | |
| WO2006129485A1 (ja) | 貼り合わせウエーハの製造方法及び貼り合わせウエーハの外周研削装置 | |
| US7591712B2 (en) | Method of producing silicon blocks and silicon wafers | |
| TWI544536B (zh) | 用於恢復被中斷之以線鋸將工件鋸切成多個晶圓的處理的方法 | |
| JPH03239507A (ja) | Ｓｉインゴットのワイヤソーによる切断法 | |
| WO2009153877A1 (ja) | インゴットスライシング用フレットバー、該フレットバーを貼着したインゴット、及び該フレットバーを用いたインゴットの切断方法 | |
| TWI598201B (zh) | 無樑式晶錠切割 | |
| JP2005088394A (ja) | シリコンインゴット切削用スラリーおよびそれを用いるシリコンインゴットの切断方法 | |
| JP2011104746A (ja) | 薄ウェーハ加工方法 | |
| JP2001334452A (ja) | 円柱状ワークの切断方法 | |
| JP5117163B2 (ja) | ワイヤソーによるワーク切断方法 | |
| US6763823B1 (en) | Machining method not causing any damage to major cut surfaces of cut objects | |
| JP3444089B2 (ja) | プラズマエッチング電極 | |
| Suzuki et al. | Study on precision slicing process of single-crystal silicon by using dicing wire saw | |
| JPH07205141A (ja) | ワイヤーソーのウェーハ切断方法及びその装置 | |
| JPS5922345A (ja) | 半導体基板の分割方法 | |
| CN102555090B (zh) | 用金刚石线切割水晶的方法 | |
| JP4325655B2 (ja) | 化合物半導体基板の製造方法 | |
| JP2005112917A (ja) | シリコンインゴット切削用スラリーおよびそれを用いるシリコンインゴットの切断方法 | |
| JP2011102362A (ja) | 結晶シリコンの切断切削用クーラント及びこれを用いた結晶シリコンの切断切削方法 | |
| JP2011005617A (ja) | ワイヤーソー装置 | |
| JPH1158212A (ja) | 固定砥粒ワイヤソーの運転方法 | |
| JPH09254143A (ja) | ワイヤーソー及び円柱形ワークを切断する方法 |