JPH02263127A - 薄膜温度計およびその製造方法 - Google Patents
薄膜温度計およびその製造方法Info
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- JPH02263127A JPH02263127A JP1084112A JP8411289A JPH02263127A JP H02263127 A JPH02263127 A JP H02263127A JP 1084112 A JP1084112 A JP 1084112A JP 8411289 A JP8411289 A JP 8411289A JP H02263127 A JPH02263127 A JP H02263127A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は温度変化に対応して抵抗値の変化する薄膜温度
計およびその製造方法に関する。
計およびその製造方法に関する。
［従来の技術］
従来、この種の薄膜温度計としては、例えば、ゲルマニ
ウム温度計がある。この温度計は、燐をドープしたゲル
マニウムの抵抗が、低温域で大きく変化する現象を利用
したものである。このゲルマニウム温度計によると、一
般に、１．４〜２０にの低温域において、次式により較
正することができる（小林俊−著、物理工学実験７ °“低温技術°′、東京大学出版会 １９７７年Ｐ３５
）。なお、次式において、Ｒは抵抗、Ｔは温度、Ａ、Ｂ
、Ｃ，Ｄは定数である。
ウム温度計がある。この温度計は、燐をドープしたゲル
マニウムの抵抗が、低温域で大きく変化する現象を利用
したものである。このゲルマニウム温度計によると、一
般に、１．４〜２０にの低温域において、次式により較
正することができる（小林俊−著、物理工学実験７ °“低温技術°′、東京大学出版会 １９７７年Ｐ３５
）。なお、次式において、Ｒは抵抗、Ｔは温度、Ａ、Ｂ
、Ｃ，Ｄは定数である。
ｌｏｇ Ｒ＝Ａ／Ｔ十Ｂ＋ｃＴ＋ＤＴ２ ・・・■ま
た別の従来例として、金属膜抵抗温度計がある。これは
、二・ンケル、白金、銅などの金属膜で形成した感温部
の抵抗値が、温度変化にともない変化することを利用し
た温度計であり、はぼｌＯＫ以上の濃酸測定において高
感度を示す。
た別の従来例として、金属膜抵抗温度計がある。これは
、二・ンケル、白金、銅などの金属膜で形成した感温部
の抵抗値が、温度変化にともない変化することを利用し
た温度計であり、はぼｌＯＫ以上の濃酸測定において高
感度を示す。
［解決すべき問題点］
上述した従来の薄膜温度計のうちゲルマニウム温度計に
あっては、前記０式で示されるような複雑な較正曲線に
もとづいて抵抗値を温度に変換しなければならなず、ま
た２０Ｋを超える高温域では前記０式による較正ができ
ないため、温度計自体を使用できなかった。一方、金属
膜抵抗温度計では、ＩＯＫより低い温度になると感度が
著しく低下する。
あっては、前記０式で示されるような複雑な較正曲線に
もとづいて抵抗値を温度に変換しなければならなず、ま
た２０Ｋを超える高温域では前記０式による較正ができ
ないため、温度計自体を使用できなかった。一方、金属
膜抵抗温度計では、ＩＯＫより低い温度になると感度が
著しく低下する。
したがって、例えば、５〜３００に程度の広範囲にわた
り温度測定を行なうには、複数の温度域に分けてそれぞ
れに適合する温度計を用いなければならず、しかも複雑
な較正曲線により抵抗を温度に変換しなければならない
ので、測定作業が煩雑であった。
り温度測定を行なうには、複数の温度域に分けてそれぞ
れに適合する温度計を用いなければならず、しかも複雑
な較正曲線により抵抗を温度に変換しなければならない
ので、測定作業が煩雑であった。
本発明はこのような問題点にかんがみてなされたもので
、５に付近から３００に付近までの広い範囲にわたり高
精度な温度測定が可能であり、しかも抵抗と温度とが直
線的な関係を有し較正が容易な薄膜温度計およびその製
造方法の提供を目的とする。
、５に付近から３００に付近までの広い範囲にわたり高
精度な温度測定が可能であり、しかも抵抗と温度とが直
線的な関係を有し較正が容易な薄膜温度計およびその製
造方法の提供を目的とする。
［問題点の解決手段］
上記目的を達成するために、第一発明に係る薄膜温度計
は、電気絶縁体基板と、この電気絶縁体基板の一方の表
面上に形成された一対の電極と、上記電気絶縁体基板お
よび電極上に積層して形成された易酸化性金属およびそ
の酸化物からなる感温部と、少なくとも上記感温部の表
面上に積層して形成された良熱伝導部とで構成しである
。
は、電気絶縁体基板と、この電気絶縁体基板の一方の表
面上に形成された一対の電極と、上記電気絶縁体基板お
よび電極上に積層して形成された易酸化性金属およびそ
の酸化物からなる感温部と、少なくとも上記感温部の表
面上に積層して形成された良熱伝導部とで構成しである
。
また、第二発明に係る薄膜温度計の製造方法は、電気絶
縁体基板の一方の表面上に一対の電極を形成し、次いで
上記電気絶縁体基板および電極上に易酸化性金属を真空
蒸着法により蒸着して感温部を形成し、さらに少なくと
も上記感温部の表面上に良熱伝導部を積層して形成する
薄膜温度計の製造方法であって、上記易酸化性金属を真
空蒸着法により蒸着する際、少なくとも二回に分けて当
該蒸着を繰り返し、かつ少なくとも二回の蒸着ののち被
蒸着面を酸化雰囲気下に放置する方法としである。
縁体基板の一方の表面上に一対の電極を形成し、次いで
上記電気絶縁体基板および電極上に易酸化性金属を真空
蒸着法により蒸着して感温部を形成し、さらに少なくと
も上記感温部の表面上に良熱伝導部を積層して形成する
薄膜温度計の製造方法であって、上記易酸化性金属を真
空蒸着法により蒸着する際、少なくとも二回に分けて当
該蒸着を繰り返し、かつ少なくとも二回の蒸着ののち被
蒸着面を酸化雰囲気下に放置する方法としである。
［実施例］
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
まず、第一発明に係る薄膜温度計の実施例を、第１図〜
第３図にもとづいて説明する。
第３図にもとづいて説明する。
第１図は薄膜温度計の平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ
線断面図、第３図は同じ＜Ｅ−Ｂ線断面図である。
線断面図、第３図は同じ＜Ｅ−Ｂ線断面図である。
これらの図面において、ｌは電気絶縁体基板であり、電
気伝導率が１０ ｉｓ ｍ−１以下の物質、例えば、石
英ガラス、酸化マグネシウム、アルミナのいずれかによ
り形成することが好ましい。
気伝導率が１０ ｉｓ ｍ−１以下の物質、例えば、石
英ガラス、酸化マグネシウム、アルミナのいずれかによ
り形成することが好ましい。
２．２は一対の電極であり、電気絶縁体基板１の一方の
表面上の側縁に沿って形成されている。
表面上の側縁に沿って形成されている。
電極２は電気伝導率が１０−’Ｓｍ−１以上の物質から
なり、特に、金または白金が容易に薄膜蒸着でき、かつ
低抵抗で酸化しにくいため好ましい。
なり、特に、金または白金が容易に薄膜蒸着でき、かつ
低抵抗で酸化しにくいため好ましい。
３は感温部であり、電気絶縁体基−１および電極２上に
積層して形成されている。この感温部３は、比較的酸化
しやすい金属（易酸化性金属）で形成され、好ましくは
、インジウム、アルミニウムがよい。これらの金属は、
後の製造方法で示すように、抵抗加熱蒸着により膜厚を
制御しやすいためである。感温部３の一部には、後の製
造方法で示すように、蒸着途中において、−時大気中に
放置した結果、酸化層３ａが形成されている。なお、感
温部３の膜厚は、３０〜４０ｎｍであることが好ましい
。
積層して形成されている。この感温部３は、比較的酸化
しやすい金属（易酸化性金属）で形成され、好ましくは
、インジウム、アルミニウムがよい。これらの金属は、
後の製造方法で示すように、抵抗加熱蒸着により膜厚を
制御しやすいためである。感温部３の一部には、後の製
造方法で示すように、蒸着途中において、−時大気中に
放置した結果、酸化層３ａが形成されている。なお、感
温部３の膜厚は、３０〜４０ｎｍであることが好ましい
。
４は良熱伝導部であり、感温部３を包み込むように、感
温部３、電気絶縁体基板１、および電極２の表面上に積
層して形成されている。この良熱伝導部４は、電気伝導
率が１０−８３ ｍ−１以下の物質、例えば、ラングミ
ュアプロシェド膜を形成可能な物質、ダイアモンド、窒
化ホウ素、炭化ケイ素、酸化ベリリウム、硫化ベリリウ
ム、リン化ホウ素、窒化アルミニウム、アルミナのいず
れかにより形成されている。さらに、ラングミュアブロ
シェド膜を形成可能な物質を具体的に挙げると、直鎖飽
和脂肪酸ＣＨ３（ＣＨ２） ｎ−２ＧＯＯＨ等があり、
一般にｎが１６から２２のものがよい。このうち好まし
くは、パラミチン酸、ステアリン酸、アラキシン酸がよ
く、さらにはこれらの物質のカドミウム塩、バリウム塩
、ナトリウム塩、リチウム塩がよい。その他、これらの
物質の親木部をアルコール、アミン、アミド、ヒドロキ
シロム、フェノル、ケトン、尿素、アセトアミド、メチ
ルエステル置換したもの、アルキル鎖をジアルキル化し
たものであってもよい。これらの物質は、ＬＢ化した際
、膜が安定するので好ましい。なお、良熱伝導部４の膜
厚は、１１０−３ｐ以上、好ましくはｌルｍ以上とする
。
温部３、電気絶縁体基板１、および電極２の表面上に積
層して形成されている。この良熱伝導部４は、電気伝導
率が１０−８３ ｍ−１以下の物質、例えば、ラングミ
ュアプロシェド膜を形成可能な物質、ダイアモンド、窒
化ホウ素、炭化ケイ素、酸化ベリリウム、硫化ベリリウ
ム、リン化ホウ素、窒化アルミニウム、アルミナのいず
れかにより形成されている。さらに、ラングミュアブロ
シェド膜を形成可能な物質を具体的に挙げると、直鎖飽
和脂肪酸ＣＨ３（ＣＨ２） ｎ−２ＧＯＯＨ等があり、
一般にｎが１６から２２のものがよい。このうち好まし
くは、パラミチン酸、ステアリン酸、アラキシン酸がよ
く、さらにはこれらの物質のカドミウム塩、バリウム塩
、ナトリウム塩、リチウム塩がよい。その他、これらの
物質の親木部をアルコール、アミン、アミド、ヒドロキ
シロム、フェノル、ケトン、尿素、アセトアミド、メチ
ルエステル置換したもの、アルキル鎖をジアルキル化し
たものであってもよい。これらの物質は、ＬＢ化した際
、膜が安定するので好ましい。なお、良熱伝導部４の膜
厚は、１１０−３ｐ以上、好ましくはｌルｍ以上とする
。
次に、第二発明である薄膜温度計の製造方法に係る実施
例を第４図（ａ）〜（ｄ）にもとづいて説明する。
例を第４図（ａ）〜（ｄ）にもとづいて説明する。
第４図（ａ）〜（ｄ）は同製造方法における各工程を順
に示す斜視図である。
に示す斜視図である。
まず、電気絶縁体基板１の一方の表面上に一対感温部３
の作成が終了したのち、良熱伝導部４の電極２を形成す
る（同図（ａ））。この電極２の形成は、例えば、真空
中における抵抗加熱蒸着による。蒸着時の真空槽内の圧
力は、１Ｏ−２Ｐａ以下が好ましい。
の作成が終了したのち、良熱伝導部４の電極２を形成す
る（同図（ａ））。この電極２の形成は、例えば、真空
中における抵抗加熱蒸着による。蒸着時の真空槽内の圧
力は、１Ｏ−２Ｐａ以下が好ましい。
次いで、感温部３を形成する。この感温部３の形成は、
電極２を形成した電気絶縁体基板ｌの一部表面に対して
、真空中において抵抗加熱により材料（易酸化性金属）
を蒸着することにより行なう。蒸着時の真空槽内の圧力
は１０−２Ｐ ａ以下が好ましい。この値以上の圧力で
は、抵抗加熱により真空槽内に飛んだ金属粒子の電気絶
縁体基板１への付着性が低下するためである。
電極２を形成した電気絶縁体基板ｌの一部表面に対して
、真空中において抵抗加熱により材料（易酸化性金属）
を蒸着することにより行なう。蒸着時の真空槽内の圧力
は１０−２Ｐ ａ以下が好ましい。この値以上の圧力で
は、抵抗加熱により真空槽内に飛んだ金属粒子の電気絶
縁体基板１への付着性が低下するためである。
感温部形成のための蒸着は二回以上に分けて行ない、少
なくとも一回の蒸着ののち、被蒸着面を大気中に放置し
て酸化させる。これは抵抗の温度依存性を直線的に保っ
ためである。ここで、酸化させたときの電気伝導率は、
１０−ｌ−１０−７３ｍ−１であることが好ましい。ま
た、最終的な感温部３の膜厚は、３０〜４０ｎｍが好ま
しい。
なくとも一回の蒸着ののち、被蒸着面を大気中に放置し
て酸化させる。これは抵抗の温度依存性を直線的に保っ
ためである。ここで、酸化させたときの電気伝導率は、
１０−ｌ−１０−７３ｍ−１であることが好ましい。ま
た、最終的な感温部３の膜厚は、３０〜４０ｎｍが好ま
しい。
真空蒸着装置の真空槽内に設置した。一方、装置を、感
温部３および電極２を形成した電気絶縁体基板１の表面
上に形成する（同図（ｄ））。この良熱伝導部４の形成
は、使用する材料により次のように行なう。すなわち、
ラングミュアプロシェド膜を形成可能な物質を材料とす
るときには、当該物質を適当な有機溶媒に溶解し、それ
を水面展開することで単分子層を形成させ、これを感温
部３まで形成した電気絶縁体基板１上に一層ずつ累積し
ていく。その他、ダイアモンド、窒化ホウ素、炭化ケイ
素、酸化ベリリウム、硫化ベリリウム、リン化ホウ素、
窒化アルミニウム、アルミナを材料とする場合は、気相
成長法、スパッタリング蒸着法、あるいは真空蒸着法に
より良熱伝導部４を形成する。良熱伝導部４の最大厚さ
は、１Ｏ−３ルｍ以上、好ましくはＩＩＬｍ以上がよい
。
温部３および電極２を形成した電気絶縁体基板１の表面
上に形成する（同図（ｄ））。この良熱伝導部４の形成
は、使用する材料により次のように行なう。すなわち、
ラングミュアプロシェド膜を形成可能な物質を材料とす
るときには、当該物質を適当な有機溶媒に溶解し、それ
を水面展開することで単分子層を形成させ、これを感温
部３まで形成した電気絶縁体基板１上に一層ずつ累積し
ていく。その他、ダイアモンド、窒化ホウ素、炭化ケイ
素、酸化ベリリウム、硫化ベリリウム、リン化ホウ素、
窒化アルミニウム、アルミナを材料とする場合は、気相
成長法、スパッタリング蒸着法、あるいは真空蒸着法に
より良熱伝導部４を形成する。良熱伝導部４の最大厚さ
は、１Ｏ−３ルｍ以上、好ましくはＩＩＬｍ以上がよい
。
［実験例］
１５ｍｍＸ２５ｍｍ、厚さ１ｍｍの石英ガラス基板上に
アルミニウム製のマスクを設け、市販の内のタングステ
ン製の蒸着バスケットには純度９９．９９％の金を入れ
、真空槽を５Ｘ１０１Ｐａまで減圧した。さらに、前記
バスケットを加熱し、金を蒸着速度２ｎｍｓｓ−’で石
英ガラス基板上に２ Ｘ ２５ ｍ ｍの形状で蒸着し
、膜厚１１００ｎとした。
アルミニウム製のマスクを設け、市販の内のタングステ
ン製の蒸着バスケットには純度９９．９９％の金を入れ
、真空槽を５Ｘ１０１Ｐａまで減圧した。さらに、前記
バスケットを加熱し、金を蒸着速度２ｎｍｓｓ−’で石
英ガラス基板上に２ Ｘ ２５ ｍ ｍの形状で蒸着し
、膜厚１１００ｎとした。
次いで、この基板を真空層から取り出し、アルミニウム
製のヒーター用マスクを変え、再び真空槽内に設置した
。その際、蒸着バスケットも交換し、純度９９．９％の
インジウムを設置し、真空槽内を５ Ｘ １０−４Ｐ
ａまで減圧した。バスケットを加熱し、インジウムを蒸
着速度ｌｎｍ−５−１で石英ガラス基板上に５Ｘ１５ｍ
ｍの形状に蒸着し、膜厚的１８ｎｍとした。この基板を
一度、大気中に放置し、再び真空槽内に設置し、真空槽
内を５ Ｘ １０−４Ｐ ａまで減圧した。さらに、バ
スケットを加熱し、インジウムを蒸着速度５ｎｍ・Ｂ−
＋で石英ガラス基板上の先に蒸着したインジウム上に蒸
着し、膜厚的３６ｎｍとした。
製のヒーター用マスクを変え、再び真空槽内に設置した
。その際、蒸着バスケットも交換し、純度９９．９％の
インジウムを設置し、真空槽内を５ Ｘ １０−４Ｐ
ａまで減圧した。バスケットを加熱し、インジウムを蒸
着速度ｌｎｍ−５−１で石英ガラス基板上に５Ｘ１５ｍ
ｍの形状に蒸着し、膜厚的１８ｎｍとした。この基板を
一度、大気中に放置し、再び真空槽内に設置し、真空槽
内を５ Ｘ １０−４Ｐ ａまで減圧した。さらに、バ
スケットを加熱し、インジウムを蒸着速度５ｎｍ・Ｂ−
＋で石英ガラス基板上の先に蒸着したインジウム上に蒸
着し、膜厚的３６ｎｍとした。
上記のように金製の膜（電極）およびインジウム膜（感
温部）を形成した基板上に、アラキシン酸のラングミュ
アブロジェット膜を形成した。すなわち、アラキシン酸
をクロロホルムに約２ｍｍｏｌ ・１−１の濃度とな
るように溶解し、この溶液をＬＢ膜製造装置（ＪＯＹＣ
Ｅ−ＬＯＥＢＬ社製ＬＡＮＧＭＵＲＴＲＯＵＧＨ４）の
水槽の水面上に、展開し単分子層を形成した。このとき
の表面圧は３４ｍＮ ｍ ｍ−１であった。この単分子
層を先に作成したインジウム薄膜および石英ガラス基板
上に累積した。このときの基板の上下運動の速度は約５
ｍｍｅｓ−’であった。
温部）を形成した基板上に、アラキシン酸のラングミュ
アブロジェット膜を形成した。すなわち、アラキシン酸
をクロロホルムに約２ｍｍｏｌ ・１−１の濃度とな
るように溶解し、この溶液をＬＢ膜製造装置（ＪＯＹＣ
Ｅ−ＬＯＥＢＬ社製ＬＡＮＧＭＵＲＴＲＯＵＧＨ４）の
水槽の水面上に、展開し単分子層を形成した。このとき
の表面圧は３４ｍＮ ｍ ｍ−１であった。この単分子
層を先に作成したインジウム薄膜および石英ガラス基板
上に累積した。このときの基板の上下運動の速度は約５
ｍｍｅｓ−’であった。
以上の工程から作成した薄膜温度計における抵抗の温度
依存性を四端子法で測定した。その結果を第５図に示す
。また、ＩＯＫ、１００Ｋ。
依存性を四端子法で測定した。その結果を第５図に示す
。また、ＩＯＫ、１００Ｋ。
２００に、２９０にでの抵抗値を第１表に示す。
５Ｋから３００にの温度域で直線により較正すると、
Ｔ ＝−１７，０５９５Ｒ＋ ３７３３．６Ｈ４・・・
■（Ｒはインジウム薄膜の抵抗、Ｔは温度（Ｋ））とな
り、誤差は５％であった。また、５Ｋから３００にの温
度サイクルに対する再現性は２％であった。
■（Ｒはインジウム薄膜の抵抗、Ｔは温度（Ｋ））とな
り、誤差は５％であった。また、５Ｋから３００にの温
度サイクルに対する再現性は２％であった。
第１表
［比較例〕
石英ガラス基板上に実験例と同様に電極用の金を蒸着し
、次いで、当該基板上に５Ｘ１５ｍｍのインジウム膜を
真空蒸着法によって膜厚２０ｎｍで蒸着した。蒸着回数
は一回のみであった。その他の条件はすべて実験例と同
様にして、薄膜温度計を作成した。
、次いで、当該基板上に５Ｘ１５ｍｍのインジウム膜を
真空蒸着法によって膜厚２０ｎｍで蒸着した。蒸着回数
は一回のみであった。その他の条件はすべて実験例と同
様にして、薄膜温度計を作成した。
この薄膜温度計における抵抗の温度依存性を第６図に示
す。また、５，１００，２００，２９０にでの抵抗値を
第２表に示す。実験例のときと比べ、直線性が劣ること
がわかる。
す。また、５，１００，２００，２９０にでの抵抗値を
第２表に示す。実験例のときと比べ、直線性が劣ること
がわかる。
第２表
［発明の効果］
以上説明したように１本発明の薄膜温度計によれば、５
に付近から３００に付近までの広い範囲にわたり高精度
な温度測定が可能であり、しかも抵抗と温度とが直線的
な関係を有し較正が容易であるという効果がある。
に付近から３００に付近までの広い範囲にわたり高精度
な温度測定が可能であり、しかも抵抗と温度とが直線的
な関係を有し較正が容易であるという効果がある。
また本発明の薄膜温度計の製造方法によれば、上記のよ
うな薄膜温度計を容易に製造することができる。
うな薄膜温度計を容易に製造することができる。
第゛１図はｉ膜温度計の平面図、第２図ｉよ第１図図、
第４図（ａ）〜（ｄ）は薄膜温度計の製造方法における
各工程を示す斜視図、第５図および第６図は実験例およ
び比較例の結果を示す図、である。 ｌ：電気絶縁体基板 ２：電極 ３：感温部 ４：良熱伝導部
第４図（ａ）〜（ｄ）は薄膜温度計の製造方法における
各工程を示す斜視図、第５図および第６図は実験例およ
び比較例の結果を示す図、である。 ｌ：電気絶縁体基板 ２：電極 ３：感温部 ４：良熱伝導部
Claims (2)
- （１）電気絶縁体基板と、この電気絶縁体基板の一方の
表面上に形成された一対の電極と、上記電気絶縁体基板
および電極上に積層して形成された易酸化性金属および
その酸化物からなる感温部と、少なくとも上記感温部の
表面上に積層して形成された良熱伝導部とを備えたこと
を特徴とする薄膜温度計。 - （２）電気絶縁体基板の一方の表面上に一対の電極を形
成し、次いで上記電気絶縁体基板および電極上に易酸化
性金属を真空蒸着法により蒸着して感温部を形成し、さ
らに少なくとも上記感温部の表面上に良熱伝導部を積層
して形成する薄膜温度計の製造方法であって、上記易酸
化性金属を真空蒸着法により蒸着する際、少なくとも二
回に分けて当該蒸着を繰り返し、かつ少なくとも１回の
蒸着ののち被蒸着面を酸化雰囲気下に放置することを特
徴とした薄膜温度計の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1084112A JPH02263127A (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | 薄膜温度計およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1084112A JPH02263127A (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | 薄膜温度計およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02263127A true JPH02263127A (ja) | 1990-10-25 |
Family
ID=13821442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1084112A Pending JPH02263127A (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | 薄膜温度計およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02263127A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5431806A (en) * | 1990-09-17 | 1995-07-11 | Fujitsu Limited | Oxygen electrode and temperature sensor |
| US5837113A (en) * | 1990-12-06 | 1998-11-17 | Fujitsu Limited | Small glass electrode |
| JP2011128193A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器、および投射型表示装置 |
-
1989
- 1989-04-04 JP JP1084112A patent/JPH02263127A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5431806A (en) * | 1990-09-17 | 1995-07-11 | Fujitsu Limited | Oxygen electrode and temperature sensor |
| US5837113A (en) * | 1990-12-06 | 1998-11-17 | Fujitsu Limited | Small glass electrode |
| JP2011128193A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器、および投射型表示装置 |
| US8773347B2 (en) | 2009-12-15 | 2014-07-08 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, electronic apparatus and projection display device |
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