JPH02263994A - ウエハへのメッキ方法 - Google Patents
ウエハへのメッキ方法Info
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- JPH02263994A JPH02263994A JP8470989A JP8470989A JPH02263994A JP H02263994 A JPH02263994 A JP H02263994A JP 8470989 A JP8470989 A JP 8470989A JP 8470989 A JP8470989 A JP 8470989A JP H02263994 A JPH02263994 A JP H02263994A
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- Japan
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- plating
- wafer
- electrode
- resist
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はウェハへのメッキ方法に関する。
［従来の技術１
従来、複数の半導体素子が形成されたウェハにおいては
、各半導体素子のゲート等の内部電極を外部に導いて露
出させるバンプ電極等の外部電極が形成されている。こ
のような外部゛−に極は、第２図に示すように、ｆめ、
ウェハ１の表面に絶縁膜（図示せず）を介して形成され
たアンダーバンプメタル２１−にメッキにより形成され
る。このアンダーバンプメタル２は各゛ト導体素子の内
部電極と外？Ｂ主電極を接続する配線パターンであり、
接着メタルやバリアメタル、あるいはそれらの合金等の
金属を蒸着またはスパッタリングにより成膜してフォト
エツチングによりパターン形成される。
、各半導体素子のゲート等の内部電極を外部に導いて露
出させるバンプ電極等の外部電極が形成されている。こ
のような外部゛−に極は、第２図に示すように、ｆめ、
ウェハ１の表面に絶縁膜（図示せず）を介して形成され
たアンダーバンプメタル２１−にメッキにより形成され
る。このアンダーバンプメタル２は各゛ト導体素子の内
部電極と外？Ｂ主電極を接続する配線パターンであり、
接着メタルやバリアメタル、あるいはそれらの合金等の
金属を蒸着またはスパッタリングにより成膜してフォト
エツチングによりパターン形成される。
そして、このアンダーバンプメタル２上にメッキを施す
場合には、アンダーバンプメタル２上にメッキレジスト
３を塗布して露光し現像することにより、外部電極形成
領域と対応する部分のメッキレジスト３を除去して開口
穴４・・・を形成し、この状態でウェハｌの表面にメッ
キ液を噴き付ける。これにより、メッキレジスト３の開
口穴４・・・内のアンダーバンプメタル２上にバンプ電
極等の外部゛電極が形成される。
場合には、アンダーバンプメタル２上にメッキレジスト
３を塗布して露光し現像することにより、外部電極形成
領域と対応する部分のメッキレジスト３を除去して開口
穴４・・・を形成し、この状態でウェハｌの表面にメッ
キ液を噴き付ける。これにより、メッキレジスト３の開
口穴４・・・内のアンダーバンプメタル２上にバンプ電
極等の外部゛電極が形成される。
［発ＩＩが解決しようとする課題］
しかし、上述したようなウェハｌにおいては、メッキレ
ジスト３が数μｍ程度と薄いと、外部電極がメッキレジ
スト３」−に「きのこ」状に盛り１゜がり、しかも盛り
にがりが広がるため、ファインピッチ化が困難となるば
かりか、外部′電極を形成した後、メッキレジストを除
去する際に、完全にメッキレジストを除去することがで
きないという問題がある。
ジスト３が数μｍ程度と薄いと、外部電極がメッキレジ
スト３」−に「きのこ」状に盛り１゜がり、しかも盛り
にがりが広がるため、ファインピッチ化が困難となるば
かりか、外部′電極を形成した後、メッキレジストを除
去する際に、完全にメッキレジストを除去することがで
きないという問題がある。
このようなことから、最近ではメッキレジスト３を約２
０Ｂｍ程度に厚く形成して、外部゛―せ極をほぼストレ
ートに形成する方法が検よ・１されているが、メッキレ
ジスト３を厚く形成すると、メッキ液を噴き付ける際に
、メッキレジスト３の開［１穴４・・・内に空気溜りが
発生しやすく、開口穴４内のアンダーバンプメタル２に
メッキ液がなじまない、そのため、メッキ液がアンダー
バンプメタル２に付着し難く、確実かつ良好にメッキを
施すことができないという問題がある。このような問題
は特に外部電極のピッチのピッチが小さく微細パターン
（例えば、２５μφ程度）であると顕著に現われる。
０Ｂｍ程度に厚く形成して、外部゛―せ極をほぼストレ
ートに形成する方法が検よ・１されているが、メッキレ
ジスト３を厚く形成すると、メッキ液を噴き付ける際に
、メッキレジスト３の開［１穴４・・・内に空気溜りが
発生しやすく、開口穴４内のアンダーバンプメタル２に
メッキ液がなじまない、そのため、メッキ液がアンダー
バンプメタル２に付着し難く、確実かつ良好にメッキを
施すことができないという問題がある。このような問題
は特に外部電極のピッチのピッチが小さく微細パターン
（例えば、２５μφ程度）であると顕著に現われる。
この発明の目的は、メッキレジストをＪ”ｌ ＜形成し
ても、また電極メッキ部分のピッチが小さく微細パター
ンであっても、メッキを施す際に空気溜りの発生を防ぐ
ことができ、確実かつ良好にメッキを施すことのでさる
ウェハへのメッキ方法を提供することである。
ても、また電極メッキ部分のピッチが小さく微細パター
ンであっても、メッキを施す際に空気溜りの発生を防ぐ
ことができ、確実かつ良好にメッキを施すことのでさる
ウェハへのメッキ方法を提供することである。
［課題を解決するためのＬ段］
この発ＩＪＩはｌ−述した［１的を達成するために、電
極メッキ部分を除いてメッキレジストが被覆されたウェ
ハにメッキ液等の液体を噴き付けた後メッキすることに
ある。
極メッキ部分を除いてメッキレジストが被覆されたウェ
ハにメッキ液等の液体を噴き付けた後メッキすることに
ある。
［作用］
この発明のウェハへのメッキ方法によれば、メッキを施
す前に、予め、′電極メッキ部分を除いてメッキレジス
トが被覆されたウェハにメッキ液等の液体を噴き付ける
ことにより、電極メッキ部分に存在している空気を液体
で吹き屑ばすことができ、電極メッキ部分に液体をなじ
ませることができる。七のため、ウェハにメッキを施す
際には、電極メッキ部分に空気溜りが発生するのを確実
に防ぐことができるので、メッキレジストが厚くても、
また＋し極メッキ部分のピッチが小ｙ＜微細パターンで
あっても、確実かつ良好にメッキを施すことができる。
す前に、予め、′電極メッキ部分を除いてメッキレジス
トが被覆されたウェハにメッキ液等の液体を噴き付ける
ことにより、電極メッキ部分に存在している空気を液体
で吹き屑ばすことができ、電極メッキ部分に液体をなじ
ませることができる。七のため、ウェハにメッキを施す
際には、電極メッキ部分に空気溜りが発生するのを確実
に防ぐことができるので、メッキレジストが厚くても、
また＋し極メッキ部分のピッチが小ｙ＜微細パターンで
あっても、確実かつ良好にメッキを施すことができる。
［実施例Ｊ
以ド、図面を参照して、この発明の実施例を１説明する
。
。
第１図はこの発明のメッキ方法に適したメッキ装置を示
す。このメッキ装置ｌＯは以下のように構成されている
。メッキ液１１を貯えるメッキ槽１２の上部には−ＬＭ
１３が開閉ＴＪ１（對に取り付けられ、メッキ槽１２内
にはメッキ液１１が噴流するカップ１４が設けられてい
る。このカップ１４の内壁には噴射ノズル１５が中間付
近に取り付けられている。この噴射ノズル１５はカップ
１４．ｌ−に載ｔされたウェハ１にメッキ液１１を噴き
付けるものであり、メッキ液ｔｉの噴射速度が調節ＩＩ
Ｔ土なものが９Ｔましい、そして、この噴射ノズル１５
とメッキ槽１２とは液路１６により連通されており、こ
の液路１６にはメッキ槽１２内のメッキ液１１を噴射ノ
ズル１５へ送るポンプＰ１が配設されている。−力、カ
ップ１４とメッキ槽１２とは液路１７により連通されて
おり、この液路１７にはメッキ槽！２内のメッキ液１１
をカップ１４内へ噴流するポンプＰ２が配設されている
。
す。このメッキ装置ｌＯは以下のように構成されている
。メッキ液１１を貯えるメッキ槽１２の上部には−ＬＭ
１３が開閉ＴＪ１（對に取り付けられ、メッキ槽１２内
にはメッキ液１１が噴流するカップ１４が設けられてい
る。このカップ１４の内壁には噴射ノズル１５が中間付
近に取り付けられている。この噴射ノズル１５はカップ
１４．ｌ−に載ｔされたウェハ１にメッキ液１１を噴き
付けるものであり、メッキ液ｔｉの噴射速度が調節ＩＩ
Ｔ土なものが９Ｔましい、そして、この噴射ノズル１５
とメッキ槽１２とは液路１６により連通されており、こ
の液路１６にはメッキ槽１２内のメッキ液１１を噴射ノ
ズル１５へ送るポンプＰ１が配設されている。−力、カ
ップ１４とメッキ槽１２とは液路１７により連通されて
おり、この液路１７にはメッキ槽！２内のメッキ液１１
をカップ１４内へ噴流するポンプＰ２が配設されている
。
ところで、カップ１４の）＝ｉ’ｉ！ｌには第１図に示
すようにウェハｌを截置する載置部１８が一体に形成さ
れており、カップ１４の底部側にはアノード電極１９が
配置されている。ａ１部１８には対向する一対のカソー
ドビン２０，２０が配置されているとともに、このカソ
ードビン２０．２０が配置される箇所を除いて流出四部
２１．２１が形成されている。この場合、カソードビン
２０．２０は先端がトを向いた「鉤」形状をなし、載置
部１８によりメッキ液１１が付着しないように保１；傳
され、かつ通常はその先端が載置部１８の１一方へ若「
突出している。なお、１−、．２ｔ３には′−ト源’Ａ
７’Ｌ（図示せず）に接続された陰極端子２２．２２お
よび陽極端子２３が設けられ、陰極端子２２゜２２には
カソードビン２０．２０が直接接続され、陽極端子２３
にはアノード電極１９がリード線２４により接続されて
いる。
すようにウェハｌを截置する載置部１８が一体に形成さ
れており、カップ１４の底部側にはアノード電極１９が
配置されている。ａ１部１８には対向する一対のカソー
ドビン２０，２０が配置されているとともに、このカソ
ードビン２０．２０が配置される箇所を除いて流出四部
２１．２１が形成されている。この場合、カソードビン
２０．２０は先端がトを向いた「鉤」形状をなし、載置
部１８によりメッキ液１１が付着しないように保１；傳
され、かつ通常はその先端が載置部１８の１一方へ若「
突出している。なお、１−、．２ｔ３には′−ト源’Ａ
７’Ｌ（図示せず）に接続された陰極端子２２．２２お
よび陽極端子２３が設けられ、陰極端子２２゜２２には
カソードビン２０．２０が直接接続され、陽極端子２３
にはアノード電極１９がリード線２４により接続されて
いる。
次に、上述したメッキ装ｆｉｌＯを用いてウエノ＼ｌに
メッキを施す場合について説明する。
メッキを施す場合について説明する。
この場合には、予め、第２図に示すようなウェハｌを用
意する。すなわち、半導体素子が形成されたウェハｌの
表面に絶縁Ｉｇ！（図示せず）を介してアンダーバンプ
メタル２をパターン形成し、このアンダーバンプメタル
？上にメッキレジスト３を膜厚２０〜４０ＪＬｍ程度に
厚く塗布して露光し現像することにより、外部電極形成
領域およびメッキ用゛屯極形成領域と対応する箇所に開
口穴４・・・を形成する。これにより、ウニ／＼ｌは開
口穴４・・・を通してアンダーバンプメタル２が露出し
、メッキを施せる状態となる。なお、メッキ用電極形成
領域はウェハｌの周縁部に形成された開口穴４と対応し
、この開口穴４を通してカソードビン２０．２０が接触
可能となっている。
意する。すなわち、半導体素子が形成されたウェハｌの
表面に絶縁Ｉｇ！（図示せず）を介してアンダーバンプ
メタル２をパターン形成し、このアンダーバンプメタル
？上にメッキレジスト３を膜厚２０〜４０ＪＬｍ程度に
厚く塗布して露光し現像することにより、外部電極形成
領域およびメッキ用゛屯極形成領域と対応する箇所に開
口穴４・・・を形成する。これにより、ウニ／＼ｌは開
口穴４・・・を通してアンダーバンプメタル２が露出し
、メッキを施せる状態となる。なお、メッキ用電極形成
領域はウェハｌの周縁部に形成された開口穴４と対応し
、この開口穴４を通してカソードビン２０．２０が接触
可能となっている。
次に、このように形成されたウェハｌをメッキ装置ｌＯ
にセットする。この場合には、まず、メッキ装２１１０
の１７１３を開き、ウェハｌを上下反転させてメッキレ
ジスト３を下向きにし、このウェハｌの周辺部をメッキ
槽１２内のカップ１４の上部に形成された１！置部１８
上にｔ２１する。このとき、カソードビン２０．２０の
先端はａ、置部１８の上方へ若干突出しているので、ウ
ェハｌの周辺に形成された開口穴４を通してメッキ用電
極形成領域と対応するアンダーバンプメタル２に接触す
る。これにより、ウェハ１へのメッキが可能な状態とな
る。
にセットする。この場合には、まず、メッキ装２１１０
の１７１３を開き、ウェハｌを上下反転させてメッキレ
ジスト３を下向きにし、このウェハｌの周辺部をメッキ
槽１２内のカップ１４の上部に形成された１！置部１８
上にｔ２１する。このとき、カソードビン２０．２０の
先端はａ、置部１８の上方へ若干突出しているので、ウ
ェハｌの周辺に形成された開口穴４を通してメッキ用電
極形成領域と対応するアンダーバンプメタル２に接触す
る。これにより、ウェハ１へのメッキが可能な状態とな
る。
このようにして、ウェハｌがセットされた後は、上５１
３を閉じてメッキを行なうのであるが、ここで重要なこ
とは、メッキを行なう際に、ウェハｌのメッキレジスト
３に形成された開口穴４・・・内に空気溜りが発生しな
いようにすることである。そこで、カソードビン２０．
２０および７ノード電極１９に電圧を印加しない状態で
、ポンプＰ１ を作動させてメッキ槽１２内のメッキ液
１１を液路１６を通して噴射ノズル１５からウェハ１の
下面に噴き付ける。このようにメッキ液１１が噴き付け
られると、ウェハｌの下面に形成されたメッキレジスト
３の開「１穴４・・・内に存在している空気はメッキ液
１１により取り除かれ、さらに、開口穴４内はメッキ液
１１により濡れた状態となる。そのため、メッキレジス
ト３の開口穴４・・・内には空気溜りが発生することが
ない、この場合、噴射ノズル１５の噴射速度をメッキレ
ジスト３の厚さ、あるいは開口穴４・・・の大きさ等に
応じて調整すれば、空気溜りの発生を確実かつ良好に防
ぐことができる。
３を閉じてメッキを行なうのであるが、ここで重要なこ
とは、メッキを行なう際に、ウェハｌのメッキレジスト
３に形成された開口穴４・・・内に空気溜りが発生しな
いようにすることである。そこで、カソードビン２０．
２０および７ノード電極１９に電圧を印加しない状態で
、ポンプＰ１ を作動させてメッキ槽１２内のメッキ液
１１を液路１６を通して噴射ノズル１５からウェハ１の
下面に噴き付ける。このようにメッキ液１１が噴き付け
られると、ウェハｌの下面に形成されたメッキレジスト
３の開「１穴４・・・内に存在している空気はメッキ液
１１により取り除かれ、さらに、開口穴４内はメッキ液
１１により濡れた状態となる。そのため、メッキレジス
ト３の開口穴４・・・内には空気溜りが発生することが
ない、この場合、噴射ノズル１５の噴射速度をメッキレ
ジスト３の厚さ、あるいは開口穴４・・・の大きさ等に
応じて調整すれば、空気溜りの発生を確実かつ良好に防
ぐことができる。
このようにメッキ液１１をウェハｌに噴き付けた後は、
カソードビン２０．２０および７ノード電極１９に電圧
を印加して、ポンプＰ２を作動させる。すると、メッキ
槽１２内のメッキ液１１が液路１７を通してカップ１４
内に送り込まれて噴流し、ウニノン１の下面に噴き付け
られる。この噴ぎ付けられたメッキ液１１はウェハｌの
下面を浸しながら中心から周Ｉに向けて放射状に流れて
力、プ１４の１一部の流出四部２１．２１からメッキ槽
１２内に回収される。このようにウェハｌの下面にメッ
キ液１１が噴き付けられる際には、メッキレジスト３に
形成された開口穴４・・・内に空気溜りがなく、ノー２
キ液１１により濡れた状態とされているので、メッキ液
１１は確実に開口穴４・・・内に侵透されアンダーバン
プメタル２に付着する。そのため、メッキレジスト３が
厚くても、また開口穴４・・・のピッチが小さく微細パ
ターンであっても、精度よくメッキを施すことができ、
良好に外部電極を形成することができる。
カソードビン２０．２０および７ノード電極１９に電圧
を印加して、ポンプＰ２を作動させる。すると、メッキ
槽１２内のメッキ液１１が液路１７を通してカップ１４
内に送り込まれて噴流し、ウニノン１の下面に噴き付け
られる。この噴ぎ付けられたメッキ液１１はウェハｌの
下面を浸しながら中心から周Ｉに向けて放射状に流れて
力、プ１４の１一部の流出四部２１．２１からメッキ槽
１２内に回収される。このようにウェハｌの下面にメッ
キ液１１が噴き付けられる際には、メッキレジスト３に
形成された開口穴４・・・内に空気溜りがなく、ノー２
キ液１１により濡れた状態とされているので、メッキ液
１１は確実に開口穴４・・・内に侵透されアンダーバン
プメタル２に付着する。そのため、メッキレジスト３が
厚くても、また開口穴４・・・のピッチが小さく微細パ
ターンであっても、精度よくメッキを施すことができ、
良好に外部電極を形成することができる。
なお、この発明は上述した実施例に限定されることなく
、種々応用変形が可能である１例えば、ウェハ１に噴き
付ける液体は必ずしもメッキ液１１である必要はなく、
メッキ液１１の溶液等であってもよい、また、噴射ノズ
ル１５はカップ１４の内壁に設ける必要はなく、底部に
複数設けてもよい。さらに、ポンプＰ＋ 、Ｐ２ は２
つ設ける必要はなく、切換弁を設けて噴射ノズル１５側
とカップ１４側とに切り変えるようにすれば、１つのポ
ンプのみですむ。
、種々応用変形が可能である１例えば、ウェハ１に噴き
付ける液体は必ずしもメッキ液１１である必要はなく、
メッキ液１１の溶液等であってもよい、また、噴射ノズ
ル１５はカップ１４の内壁に設ける必要はなく、底部に
複数設けてもよい。さらに、ポンプＰ＋ 、Ｐ２ は２
つ設ける必要はなく、切換弁を設けて噴射ノズル１５側
とカップ１４側とに切り変えるようにすれば、１つのポ
ンプのみですむ。
Ｃ発明の効果］
以上詳細に説明したように、この発明のウェハへのメッ
キ方法によれば、メッキを施す１ｉｊに、ｔめ、電極メ
ッキ部分を除いてメッキレジストが被覆されたウェハに
メッキ液等の液体を噴き付けることにより、電極メッキ
部分内に存在する空気を液体で取り除いて電極メッキ部
分を液体で濡れた状態に維持することができる。そのた
め、ウェハにメッキを施す際には、電極メッキ部分に空
気溜りが発生するのを確実に防ぐことができ、メッキレ
ジストが厚くても、また電極メッキ部分のピッチが小さ
く微細パターンであっても、確実にかつ良好にメッキを
施すことがでＪる。
キ方法によれば、メッキを施す１ｉｊに、ｔめ、電極メ
ッキ部分を除いてメッキレジストが被覆されたウェハに
メッキ液等の液体を噴き付けることにより、電極メッキ
部分内に存在する空気を液体で取り除いて電極メッキ部
分を液体で濡れた状態に維持することができる。そのた
め、ウェハにメッキを施す際には、電極メッキ部分に空
気溜りが発生するのを確実に防ぐことができ、メッキレ
ジストが厚くても、また電極メッキ部分のピッチが小さ
く微細パターンであっても、確実にかつ良好にメッキを
施すことがでＪる。
である。
ｌ・・・・・・ウェハ、２・・・・・・アンダーバンプ
メタル３・・・・・・メッキレジスト、４・・・・・・
１３７１日穴、１０・・・・・・メッキ装置、１１・・
・・・・メッキ液。
メタル３・・・・・・メッキレジスト、４・・・・・・
１３７１日穴、１０・・・・・・メッキ装置、１１・・
・・・・メッキ液。
特、４出願人
カソオ計ｎ機株式会ン１
代理人 弁理士 町 １）俊 正
Claims (1)
- 電極メッキ部分を除いてメッキレジストが被覆されたウ
ェハにメッキ液等の液体を噴き付けた後メッキすること
を特徴とするウェハへのメッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8470989A JPH02263994A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | ウエハへのメッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8470989A JPH02263994A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | ウエハへのメッキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02263994A true JPH02263994A (ja) | 1990-10-26 |
Family
ID=13838194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8470989A Pending JPH02263994A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | ウエハへのメッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02263994A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63224241A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63237445A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-04-05 JP JP8470989A patent/JPH02263994A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63224241A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63237445A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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