JPH02264468A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02264468A JPH02264468A JP1085978A JP8597889A JPH02264468A JP H02264468 A JPH02264468 A JP H02264468A JP 1085978 A JP1085978 A JP 1085978A JP 8597889 A JP8597889 A JP 8597889A JP H02264468 A JPH02264468 A JP H02264468A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- film
- region
- color filter
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、固体撮像装置の製造方法に関し、特に、固
体撮像装置の光電変換素子用保護膜の製造方法に関する
。
体撮像装置の光電変換素子用保護膜の製造方法に関する
。
[従来の技術]
第2A図ないし第2C図は、従来の固体撮像装置のカラ
ーフィルタを形成する製造プロセスを示す断面図である
。
ーフィルタを形成する製造プロセスを示す断面図である
。
第2C図を参照して、固体撮像装置は、半導体基板1と
、半導体基板1の主表面上に形成されたフォトダイオー
ド2と、各々のフォトダイオード2を分離するための分
離酸化膜3と、フォトダイオード2とアルミ遮光膜5と
を絶縁するために半導体基板1上に設けられた絶縁膜4
と、絶縁膜4上に設けられたアルミ遮光膜5と、アルミ
遮光膜5を保護するためにアルミ遮光膜5上に設けられ
た保護膜6と、保護膜6の上に設けられたカラーフィル
タとを含む。
、半導体基板1の主表面上に形成されたフォトダイオー
ド2と、各々のフォトダイオード2を分離するための分
離酸化膜3と、フォトダイオード2とアルミ遮光膜5と
を絶縁するために半導体基板1上に設けられた絶縁膜4
と、絶縁膜4上に設けられたアルミ遮光膜5と、アルミ
遮光膜5を保護するためにアルミ遮光膜5上に設けられ
た保護膜6と、保護膜6の上に設けられたカラーフィル
タとを含む。
次に、製造プロセスについて説明する。まず、第2A図
に示すように、半導体基板1の主表面上にフォトダイオ
ード2および分離酸化膜3を形成する。その後、半導体
基板1上に絶縁膜4およびアルミ遮光膜5ならびに保護
膜6を形成する。次に、第2B図に示すように、機能領
域20以外の絶縁膜4および保護膜6を除去する。その
後、第2C図に示すように、除去されなかった保護膜6
上にカラーフィルタ7を形成する。なお、領域21はス
クライブラインを示す。
に示すように、半導体基板1の主表面上にフォトダイオ
ード2および分離酸化膜3を形成する。その後、半導体
基板1上に絶縁膜4およびアルミ遮光膜5ならびに保護
膜6を形成する。次に、第2B図に示すように、機能領
域20以外の絶縁膜4および保護膜6を除去する。その
後、第2C図に示すように、除去されなかった保護膜6
上にカラーフィルタ7を形成する。なお、領域21はス
クライブラインを示す。
上記の例では、機能領域20とスクライブライン21の
境界部において、カラーフィルタ7の膜厚が不均一にな
る。したがって、この境界部分のカラーフィルタに光が
入射した場合と、機能領域21の中心部分のカラーフィ
ルタフに光が入射した場合とで、光の状態が相違する。
境界部において、カラーフィルタ7の膜厚が不均一にな
る。したがって、この境界部分のカラーフィルタに光が
入射した場合と、機能領域21の中心部分のカラーフィ
ルタフに光が入射した場合とで、光の状態が相違する。
このため、分光特性の平面内のばらつきが大きくなると
いう問題点がある。
いう問題点がある。
また、従来他の例として、公開特許公報(A)昭62−
299070に示される方法がある。第3A図ないし第
3C図は、固体撮像装置のカラーフィルタを形成する従
来の他の例の製造プロセスを示す断面図である。これら
の図は、公開特許公報(A)昭62−299070に示
される図である。第3C図を参照して、固体撮像装置は
、半導体基板1と、半導体基板1の主表面上に形成され
たフォトダイオード2と、半導体基板1上に形成された
フォトダイオード2の保護のための保護膜11と保護膜
11上に形成されたカラーフィルタ7とを含む。製造プ
ロセスにおいて、まず、第3A図に示すように、半導体
基板1の主表面上にフォトダイオード2が形成される。
299070に示される方法がある。第3A図ないし第
3C図は、固体撮像装置のカラーフィルタを形成する従
来の他の例の製造プロセスを示す断面図である。これら
の図は、公開特許公報(A)昭62−299070に示
される図である。第3C図を参照して、固体撮像装置は
、半導体基板1と、半導体基板1の主表面上に形成され
たフォトダイオード2と、半導体基板1上に形成された
フォトダイオード2の保護のための保護膜11と保護膜
11上に形成されたカラーフィルタ7とを含む。製造プ
ロセスにおいて、まず、第3A図に示すように、半導体
基板1の主表面上にフォトダイオード2が形成される。
その後、半導体基板1上に保護膜11が形成され、スク
ライブライン21の部分の保護膜11が除去される。次
に、第3B図に示すように、保護膜11が除去されたス
クライブライン21の部分に高分子樹脂10を充填する
。その後、第3C図に示すように、保護膜11と高分子
樹脂10の上にカラーフィルタ7が形成される。
ライブライン21の部分の保護膜11が除去される。次
に、第3B図に示すように、保護膜11が除去されたス
クライブライン21の部分に高分子樹脂10を充填する
。その後、第3C図に示すように、保護膜11と高分子
樹脂10の上にカラーフィルタ7が形成される。
[発明が解決しようとする課題]
前述のように、第3A図ないし第3C図に示される従来
の他の例では、高分子樹脂10で、スクライブライン2
1を充填することにより、カラーフィルタ7の膜厚を均
一化する方法が示されている。しかし、この方法による
と、固体撮像装置の製造プロセスにおいて、新たに高分
子樹脂10を形成するための工程を追加する必要があり
、製造工程が増加するという課題がある。
の他の例では、高分子樹脂10で、スクライブライン2
1を充填することにより、カラーフィルタ7の膜厚を均
一化する方法が示されている。しかし、この方法による
と、固体撮像装置の製造プロセスにおいて、新たに高分
子樹脂10を形成するための工程を追加する必要があり
、製造工程が増加するという課題がある。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされ
たもので、固体撮像装置の製造プロセスにおいて、新た
に工程を増やすことなく、保護膜の膜厚を均一にするこ
とによって、分光特性を向上する固体撮像装置の製造方
法を提供することを目的とする。
たもので、固体撮像装置の製造プロセスにおいて、新た
に工程を増やすことなく、保護膜の膜厚を均一にするこ
とによって、分光特性を向上する固体撮像装置の製造方
法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明にかかる固体撮像装置の製造方法は、主表面上
に、複数の光電変換素子が形成された第1の領域と、分
離されるべき第2の領域とを含む基板上に、第1の領域
上および第1の領域と間隔を隔てて第1の領域に隣接し
た第2の領域の一部の上に第1の保護膜を形成するステ
ップと、第1の保護膜上および第2の領域の第1の保護
膜が形成されない領域上に第2の保護膜を形成するステ
ップとを含む。
に、複数の光電変換素子が形成された第1の領域と、分
離されるべき第2の領域とを含む基板上に、第1の領域
上および第1の領域と間隔を隔てて第1の領域に隣接し
た第2の領域の一部の上に第1の保護膜を形成するステ
ップと、第1の保護膜上および第2の領域の第1の保護
膜が形成されない領域上に第2の保護膜を形成するステ
ップとを含む。
[作用]
この発明における固体撮像装置の製造方法では、第1の
保護膜が、分離されるべき第2の領域の一部上にも形成
されるので、新たに工程を増やすことなく、第2の保護
膜の膜厚の均一化が図れる。
保護膜が、分離されるべき第2の領域の一部上にも形成
されるので、新たに工程を増やすことなく、第2の保護
膜の膜厚の均一化が図れる。
[発明の実施例]
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
A図ないし第1C図は、この発明の一実施例を示す固体
撮像装置のカラーフィルタを形成するための製造プロセ
スの断面図である。第1C図を参照して、固体撮像装置
は、半導体基板1と、半導体基板1の主表面上に形成さ
れたフォトダイオード2と、各々のフォトダイオード2
を分離するための分離酸化膜3と、フォトダイオード°
2とアルミ遮光膜5との絶縁のために半導体基板1上に
設けられた絶縁膜4と、絶縁膜4上に設けられたアルミ
遮光膜5と、アルミ遮光膜5を保護するためにアルミ遮
光膜5上に設けられた保護膜6と、機能領域20と隙間
8を隔てて設けられた擬似絶縁膜9aおよび9bと、保
護膜6および擬似保護膜9b上ならびにスクライブライ
ン21上に形成されたカラーフィルタ7とを含む。
A図ないし第1C図は、この発明の一実施例を示す固体
撮像装置のカラーフィルタを形成するための製造プロセ
スの断面図である。第1C図を参照して、固体撮像装置
は、半導体基板1と、半導体基板1の主表面上に形成さ
れたフォトダイオード2と、各々のフォトダイオード2
を分離するための分離酸化膜3と、フォトダイオード°
2とアルミ遮光膜5との絶縁のために半導体基板1上に
設けられた絶縁膜4と、絶縁膜4上に設けられたアルミ
遮光膜5と、アルミ遮光膜5を保護するためにアルミ遮
光膜5上に設けられた保護膜6と、機能領域20と隙間
8を隔てて設けられた擬似絶縁膜9aおよび9bと、保
護膜6および擬似保護膜9b上ならびにスクライブライ
ン21上に形成されたカラーフィルタ7とを含む。
次に、製造プロセスについて説明する。まず、第1A図
に示すように、半導体基板1の主表面上に、フォトダイ
オード2および分離酸化膜3を形成する。その後、半導
体基板1上に、絶縁膜4およびアルミ遮光膜5ならびに
保護膜6を形成する。
に示すように、半導体基板1の主表面上に、フォトダイ
オード2および分離酸化膜3を形成する。その後、半導
体基板1上に、絶縁膜4およびアルミ遮光膜5ならびに
保護膜6を形成する。
次に、第1B図に示すように、スクライブライン21の
領域において、擬似絶縁膜9aおよび擬似保護膜9bを
除いて、絶縁膜4および保護膜6をドライエツチング法
により除去する。その後、第1C図に示すように、ドラ
イエツチング法により除去されなかった保護膜6および
擬似保護膜9a上ならびにスクライブライン21の半導
体基板1上に、カラーフィルタ7を形成する。
領域において、擬似絶縁膜9aおよび擬似保護膜9bを
除いて、絶縁膜4および保護膜6をドライエツチング法
により除去する。その後、第1C図に示すように、ドラ
イエツチング法により除去されなかった保護膜6および
擬似保護膜9a上ならびにスクライブライン21の半導
体基板1上に、カラーフィルタ7を形成する。
上記のように、本実施例では、擬似絶縁膜9aおよび擬
似保護膜9bが、機能領域20の絶縁膜4および保護膜
6と一定の隙間を隔てて形成される。したがって、従来
から問題であった機能領域20とスクライブライン21
の境界領域での、カラーフィルタ7の膜厚の不均一が解
消され、かつ、均一な膜厚のカラーフィルタ7を形成す
ることができる。なお、上記の隙間8は、カラーフィル
タの材料の粘度が200cpにおいて、10μm以下の
幅であれば、均一な膜厚のカラーフィルタ7を得ること
が可能である。
似保護膜9bが、機能領域20の絶縁膜4および保護膜
6と一定の隙間を隔てて形成される。したがって、従来
から問題であった機能領域20とスクライブライン21
の境界領域での、カラーフィルタ7の膜厚の不均一が解
消され、かつ、均一な膜厚のカラーフィルタ7を形成す
ることができる。なお、上記の隙間8は、カラーフィル
タの材料の粘度が200cpにおいて、10μm以下の
幅であれば、均一な膜厚のカラーフィルタ7を得ること
が可能である。
また、擬似絶縁膜9aおよび擬似保護膜9bは、機能領
域20の絶縁膜4および保護膜6と同一の製造工程で形
成される。したがって、従来のように新たに工程を追加
する必要がなく、製造能力の向上が図れる。
域20の絶縁膜4および保護膜6と同一の製造工程で形
成される。したがって、従来のように新たに工程を追加
する必要がなく、製造能力の向上が図れる。
[発明の効果]
以上のように、この発明によれば、分離されるべき第2
の領域の一部上にも第1の保護膜を形成するので、新た
に工程を増やすことなく、第2の保護膜が均一化され、
固体撮像装置の分光特性の向上が図れる。
の領域の一部上にも第1の保護膜を形成するので、新た
に工程を増やすことなく、第2の保護膜が均一化され、
固体撮像装置の分光特性の向上が図れる。
第1A図ないし第1C図は、本発明の一実施例による固
体撮像装置のカラーフィルタを形成するための製造プロ
セスの断面図、第2A図ないし第20図は、従来の固体
撮像装置のカラーフィルタを形成するための製造プロセ
スの断面図、第3八図ないし第3C図は、従来の固体撮
像素子のカラーフィルタを形成するための製造プロセス
の断面図である。 図において、1は半導体基板、2Jよフォトダイ。 オード、4は絶縁膜、6は保護膜、7はカラーフィルタ
、8は隙間、9aは擬似絶縁膜、9bは擬似保護膜、2
0は機能領域、21はスクライブラインである。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
体撮像装置のカラーフィルタを形成するための製造プロ
セスの断面図、第2A図ないし第20図は、従来の固体
撮像装置のカラーフィルタを形成するための製造プロセ
スの断面図、第3八図ないし第3C図は、従来の固体撮
像素子のカラーフィルタを形成するための製造プロセス
の断面図である。 図において、1は半導体基板、2Jよフォトダイ。 オード、4は絶縁膜、6は保護膜、7はカラーフィルタ
、8は隙間、9aは擬似絶縁膜、9bは擬似保護膜、2
0は機能領域、21はスクライブラインである。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 主表面上に、複数の光電変換素子が形成された第1の領
域と、分離されるべき第2の領域とを含む基板上に設け
られる固体撮像装置の製造方法であって、 前記第1の領域上および前記第1の領域と間隔を隔てて
前記第1の領域に隣接した前記第2の領域の一部の上に
第1の保護膜を形成するステップと、 前記第1の保護膜上および前記第2の領域の前記第1の
保護膜が形成されない領域上に第2の保護膜を形成する
ステップとを含む固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1085978A JPH02264468A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1085978A JPH02264468A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02264468A true JPH02264468A (ja) | 1990-10-29 |
Family
ID=13873802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1085978A Pending JPH02264468A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02264468A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0721220A3 (en) * | 1995-01-06 | 1997-07-16 | Canon Kk | Image pickup element and image pickup device |
| JP2008140952A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5236442U (ja) * | 1975-09-04 | 1977-03-15 | ||
| JPS58103913U (ja) * | 1982-01-09 | 1983-07-15 | 熊崎 雅章 | 車輌用日よけ装置 |
| JPS63169312U (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-04 |
-
1989
- 1989-04-05 JP JP1085978A patent/JPH02264468A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5236442U (ja) * | 1975-09-04 | 1977-03-15 | ||
| JPS58103913U (ja) * | 1982-01-09 | 1983-07-15 | 熊崎 雅章 | 車輌用日よけ装置 |
| JPS63169312U (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-04 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0721220A3 (en) * | 1995-01-06 | 1997-07-16 | Canon Kk | Image pickup element and image pickup device |
| US5698892A (en) * | 1995-01-06 | 1997-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup element and image pickup device having scribe lines composed of two portions with different layer structure |
| JP2008140952A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6808960B2 (en) | Method for making and packaging image sensor die using protective coating | |
| US11646336B2 (en) | Image sensor | |
| KR20000041461A (ko) | 개선된 이미지센서 제조방법 | |
| US20050082627A1 (en) | CMOS image sensor and manufacturing method thereof | |
| CN114695407B (zh) | 减少串扰的像素阵列基板及制造方法 | |
| JPH02264468A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| KR100226598B1 (ko) | 고체 촬상장치 및 그 제조방법 | |
| KR20010005046A (ko) | 광감도 개선을 위한 이미지센서 제조방법 | |
| JP2008166779A (ja) | イメージセンサー及びその製造方法 | |
| KR20050066756A (ko) | 이미지 센서 | |
| US6998595B2 (en) | Color filter configuration for a silicon wafer to be diced into photosensitive chips | |
| CN213483754U (zh) | 前照式图像传感器 | |
| KR100670536B1 (ko) | 마이크로렌즈 상부에 평탄화 산화층을 갖는 이미지센서 | |
| US9853083B2 (en) | Method for fabricating an image-sensor structure | |
| JP2630407B2 (ja) | 電荷結合素子 | |
| KR20010004173A (ko) | 이미지 센서의 제조 방법 | |
| JPH10209410A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JP5510053B2 (ja) | リニアセンサ用カラーフィルタの製造方法 | |
| CN101339265B (zh) | 彩色滤光片,和安装有彩色滤光片的光学传感器,及其制造方法 | |
| KR100718779B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| JP3003875B2 (ja) | フォトセンサの製造方法 | |
| JPH0338063A (ja) | カラー固体撮像素子及びその製造方法 | |
| KR100226776B1 (ko) | 고체 촬상 소자의 제조 방법 | |
| JPH02228070A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPS6391603A (ja) | 固体カラ−撮像デバイスおよびその製造方法 |