JPH02264925A - 液晶素子およびその製造方法ならびに液晶素子の用途 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、液晶素子およびその製造方法ならびに液晶素
子の用途に関する。

発明の技術的背景 従来、ＯＡ機器などの表示デイバイスとして最も広範に
使用されてきたのはＣＲＴデイバイスである。

このような表示デイバイスを有するＯＡ機器などの分野
においては、近年、機器の小型軽量化、あるいは表示デ
イバイスの大画面化および薄型化などに対する要望が高
まってきている。このためそれぞれの用途あるいは要望
に対応させて、従来から用いられているＣＲＴデイバイ
スの代わりに、種々の新たな表示デイバイスが開発され
ている。

このような表示デイバイスとしては、たとえば、液晶デ
イスプレィ、プラズマデイスプレィ、ＬＥＤデイスプレ
ィ、ＥＬデイスプレィおよびＥＣＤデイスプレィなどが
ある。

これらの表示デイバイスのうち、液晶デイスプレィは、
基本的には液晶化合物を用いたスイッチング素子に電気
信号を与えて、この電気信号に対応させてスイッチング
素子中の液晶化合物の状態を変化させることにより光の
透過性を制御して電気信号を画面上に顕在化させるデイ
バイスである。

そして、このような液晶デイバイスは上述のＯＡ機器の
液晶デイスプレィだけでなく、例えばディジタルウォッ
チあるいは携帯ゲーム機などの表示デイバイスとして既
に実用化されている。また、近時、小型テレビジョンな
どの動画用の表示デイバイスとしても使用され始めてい
る。

このような液晶化合物を用いた表示デイバイスは、ＴＮ
　（ツイストネマチック）モードによって駆動させるこ
とができる。このＴＮモードは、液晶化合物のネマチッ
ク相における分子の誘電異方性を利用して表示を行なう
方式であり、外部から印加される電界の２乗に比例した
エネルギーによって表示デイバイスが駆動する（ｆ−Ｅ
２）。

しかしながら、この方式を採用した場合、表示されてい
る画像を変えるためには、素子中における液晶化合物の
分子の位置を変える必要があるために、駆動時間が長く
なり、液晶化合物の分子位置を変えるために必要とする
電圧、すなわち消費電力も大きくなるという問題点があ
る。さらに、このようなスイッチング素子においては、
スイッチングしきい値特性があまり良好でないため、高
速で分子位置を変えて切り替え動作を行なおうとすると
、非表示画像部にまでもれ電圧がかかり、表示デイバイ
スのコントラストが著しく低下することがある。

このように従来のＴＮモードによる表示方式には、特に
大型画面用表示デイバイスあるいは小型デジタルテレビ
ジョンなどのような動画用の表示デイバイスとしては適
当な表示方式であるとは言えない面がある。

また、上記のようなＴＮモードにおけるスイッチングし
きい値特性などを改良したＳＴＮ　（スーパーツイスト
ネマチック）モードを利用した表示デイバイスが使用さ
れている。このようなＳＴＮモードを利用することによ
り、スイッチングしきい値特性が改善されるため、表示
デイバイスのコントラストが向上する。

しかしながら、この方法も誘電異方性を利用している点
ではＴＮモードと変わりなく、従ってスイッチング時間
が長いため、大画面用表示デイバイスあるいは小型デジ
タルテレビジョンなどのような動画用の表示デイバイス
として使用した場合にはＴＮモードを利用した表示デイ
バイスと同様の傾向を示す。

これに対し、１９７５年、Ｒ，Ｂ、Ｍｅｙｅｒらは、彼
らが合成した有機化合物が強誘電性を示すことを見出し
た。さらに、１９８０年に、彼等は、上記のような強誘
電性液晶化合物をギャップの小さなセル中に充填した素
子を光スイツチング素子、すなわち表示デイバイスとし
て用いうる可能性を示唆した。

上記のような強誘電性液晶化合物を用いたスイッチング
素子は、ＴＮモードあるいはＳＴＮモードを利用したス
イッチング素子とは異なり、液晶化合物の分子の配向方
向を変えるだけでスイッチング素子として機能させるこ
とができるため、スイッチング時間が非常に短縮される
。さらに、強誘電性液晶化合物のもつ自発分極（Ｐｓ）
と電界強度（Ｅ）とにより与えられるＰｓＸＥの値が液
晶化合物の分子の配向方向を変えるための実効エネルギ
ー強度であるので、消費電力も非常に少なくなる。そし
て、このような強誘電性液晶化合物は、印加型界の方向
によって二つの安定状態、すなわち双安定性を持つので
、スイッチングのしきい値特性も非常に良好であり、動
画用の表示デイバイスなどとして用いるのに特に適して
いる。

ところで、このような強誘電性液晶化合物を光スイツチ
ング素子などに使用する場合、強誘電性液晶化合物には
、例えば動作温度範囲が常温付近あるいはそれ以下にあ
ること、動作温度幅が広いこと、スイッチング速度が大
きい（速い）ことおよびスイッチングしきい値電圧が適
正な範囲内にあることなど多くの特性が要求される。殊
にこれらのうちでも、動作温度範囲は強誘電性液晶化合
物を実用化する際に特に重要な特性である。

しかしながら、これまで知られている強誘電性液晶化合
物においては、例えば、Ｒ，Ｂ、Ｍｅｙｅｒｅｔ　ａｔ
の論文［ジャーナル・デφフィジーク（Ｊ。

ｄｅ　Ｐｈｙｓ、）　３６巻Ｌ−６９頁、１９７５年］
、田口雅明、原田隆正の論文［第１１回液晶討論会予稿
集１６８頁、１９８５年］に記載されているように、一
般に動作温度が高く、また室温付近で作動する強誘電性
液晶化合物であっても動作温度幅およびその他の特性が
充分でないなど、強誘電性液晶化合物として実用上満足
できるものは得られていない。

発明の目的 本発明は、特に液晶物質の配向性に優れ、しかもコント
ラストが大きく、動作温度範囲が室温付近ないしそれ以
下にあり、動作温度幅が広く、スイッチング速度が大き
く、消費電力が少ないなど、液晶物質特性に優れた液晶
素子およびその製造方法ならびに液晶素子の用途を提供
することを目的としている。

発明の概要 本発明に係る液晶零子は、２枚の基板と、該２枚の基板
によって構成される間隙とからなるセル、および該セル
の間隙に充填された液晶物質より構成される液晶素子に
おいて、 少なくとも一方の基板の液晶物質と対面する面にポリイ
ミドからなる配向制御膜が設けられており、 そして、該液晶物質が、下記式［Ａ］で表わされる化合
物を含むことを特徴としている。

ＣＰ　ａ　　　　　・・・［Ａ］ ただし、式［Ａ］において、Ｒは炭素数６〜１８のアル
キル基、炭素数６〜１８のアルコキシ基、および炭素数
６〜１８のハロゲン化アルキル基よりなる群から選ばれ
る一種類の基であり、ｍは１〜１０の整数であり、Ｃ１
は不整炭素原子を表わす。

本発明に係る液晶素子の製造方法は、２枚の基板と、該
２枚の基板によって構成される間隙とからなるセル、お
よび該セルの間隙に充填された液晶物質より構成される
液晶素子を製造するに際し、少なくとも一方の基板の液
晶物質と対面する面にポリイミドからなる配向制御膜が
設けられているセルを用い、該セルの間隙に、上記式［
Ａ］で表わされる化合物を含む液晶物質を充填した後、
該セルを該液晶物質が等方相を示す温度以上の温度から
２℃／分以下の降温速度で液晶を示す温度以下の温度に
冷却することを特徴としている。

また、本発明に係る液晶表示装置および電気光学表示装
置は、上記の液晶素子を用いることを特徴としている。

本発明の液晶素子は、特に液晶物質分子の配向性に優れ
、しかもコントラストが大きく、動作温度範囲が室温付
近ないしそれ以下にあり、動作温／［が広く、スイッチ
ング速度が大きく、消費電力が少ないなど、液晶物質特
性に優れている。

本発明の液晶素子を、上記のような方法で製造すると、
特に液晶物質の配向性が向上し、従ってコントラスト比
が大きく、動作温度範囲が室温付近ないしそれ以下にあ
り、動作温度幅が広く、スイッチング速度が大きく、消
費電力が少ないなど、液晶特性に優れた液晶素子が得ら
れる。

発明の詳細な説明 以下、本発明に係る液晶素子およびその製造方法ならび
に液晶素子の用途について具体的に説明する。

まず、本発明に係る液晶素子について説明する。

本発明に係る液晶素子の断面の一例を第１図に示す。

本発明に係る液晶素子は、第１図に示すように、基本的
には、２枚の透明基板（以下、単に基板ともいう）　１
ａ、ｌｂとこの２枚の基板１ａ、　ｌｂによって構成さ
れる間隙２とからなるセル３、およびこのセルの間隙２
に充填された液晶物質４より構成されている。

この基板１ａ、　ｌｂは、少なくとも一方が透明である
ことが必要であり、通常は、基板として、ガラスあるい
はポリカーボネート等の透明プラスチック等が使用され
る。

このような基板１ａ、　ｌｂが液晶物質と対面する面に
は、通常は、゛酸化インジウムースズ等からなる電極５
ａ、５ｂが設けられている。そして、本発明においては
、基板として、上記のような基板上に透明電極が一体的
に形成された透明電極基板を使用することもできる。

本発明の液晶素子において、上記のような基板の液晶物
質に接する少なくとも一方の面には配向制御膜が設けら
れている。したがって、本発明において、配向制御膜は
基板の一方に設けられていればよいが、両者に配向制ｒ
１ａ膜が設けられていることが好ましい。第１図には、
配向制御膜が二枚設けられた態様が示されおり、この配
向制御膜は８ａ、８ｂで示されている。

そして、本発明において、配向制御膜は、ポリイミドで
ある。したがうて、本発明において、配向制御膜が一枚
の場合には、この−枚の配向制御膜がポリイミドからな
り、また、二枚の配向制御膜を有する場合には、少なく
とも一方がポリイミドからなり、好ましくは両者がポリ
イミドからなる。

ポリイミドとしてはイミド結合を含む高分子であればよ
く、フィルム形成が可能であることが好ましい。ポリイ
ミドの具体的な例としては、宇部興産■製ユービレック
スーＲ１日産化学工業■製サンエバー１３０、日本合成
ゴム■製ＪＩＡ−２８、日本ポリイミド特製ケルイミド
６０１、日立化成工業■製ＨＬ−１１００などがある。

但し上記に具体例を挙げたがこれらに限定されるわけで
はない。

このように、ポリイミドはイミド結合を含む高分子を主
成分とする樹脂であるが、本発明で用いられる配向制御
膜には、ポリイミドの特性を損なわない範囲内でポリア
ミド等の他の樹脂を含んでいてもよく、またイミド構成
単位以外の他の構成単位を含む樹脂であってもよい。

配向制御膜の一方がポリイミド以外の物質で形成されて
いる場合に、このポリイミド以外の配向制御膜は有機材
料から形成されていてもよく、無機材料から形成されて
いてもよい。

有機材料から形成された配向制御膜としては、例えば、
ポリビニルアルコール、ポリアミドイミド、ポリエステ
ル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩
化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン
、シロキサンポリイミド、セル自−ス樹脂、メラミン樹
脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂、導電性ポリマーなどの
樹脂類からなる膜を挙げることができる。さらに、配向
制御膜は、例えば環化ゴム系フォトレジスト、フェノー
ルノボラック系フォトレジスト、あるいはポリメチルメ
タクリレート、エポキシ化１．４−ポリブタジェンなど
の電子線フォトレジストの硬化体であってもよい。また
配向制御膜は、無機材料から形成されていてもよく、こ
の場合に無機配向制御膜を形成する素材の例としては、
ＳｉｎＳＧｅｍ。

Ａｇ２Ｏ３、Ｙ　ＯＳｚ「０　、ＭｇＦ２．Ｃｅ　Ｆ　
ａを挙げることができる。

このような配向制御膜は、基板の液晶と接する面に、上
記のような樹脂を例えばスピンコード法などにより塗布
する方法、このように塗布した後に加熱処理する方法、
樹脂フィルムを貼着する方法、感光性樹脂を塗布した後
、エネルギー線を照射して硬化させる方法、無機材料を
蒸着する方法等のように使用する材料に対応させて種々
の方法を採用して形成することができる。

このような配向制御膜の厚さは、通常 ０゜００５〜０．２５μｍ１好ましくは０．０１〜０．
１５μｍの範囲内にある。

そして、本発明においては、上記のような配向制御膜は
、それぞれの基板の液晶物質に接する面の上に、一方の
配向制御膜の規制力によって配向される液晶物質と他方
の配向制御膜の規制力によって配向される液晶物質とが
、略平行で、かつ方向が実質的に逆になるように二枚の
配向制御膜が設けられていることが好ましい。すなわち
、配向制御膜の液晶物質に対する配向方向が実質的に逆
平行となるように配向されていることが好ましい。この
配向制御膜６ａ、８ｂは、液晶物質を配向させるとの作
用を有している。従って、このように配向制御膜を逆平
行に配置して液晶物質を配向処理すると、セル内に注入
された液晶物質の初期配向性が向上して、コントラスト
等に優れた液晶素子等が得られる。

さらに、本発明において、配向制御膜は、配向処理され
ていることが好ましい。ここで、配向処理とは、液晶分
子を所定の方向に配向させるための処理のことをいい、
例えばポリイミドは、布などで一方向にこするなどして
行なうラビングすることにより、配向処理することがで
きる。

本発明で使用されるセルは、上記のように配向制御膜６
ａ、６ｂが形成された二枚の基板１ａ＋　ｔｂによって
液晶物質を充填する間隙２が形成されている。このよう
な間隙２は、例えば基板１ａ、ｌｂを、その周囲にスペ
ーサ８を介して配置することにより形成することができ
る。このようにスペーサ８を配置することにより、液晶
物質を充填するための間隙２を確保することができると
共に、液晶物質の漏洩を防止することもできる。なお、
間隙２は、上記のような側壁を形成するスペーサーを用
いて形成することができると共に、液晶物質中に所定の
粒子径を有する粒子（内部スペーサ）を配合することに
より形成することもできる。

このようにして形成される間隙の幅は、通常１．５〜７
μｍ１好ましくは１．８〜５μｍの範囲内にある。

なお、本発明の液晶素子においては、例えば光導電膜、
光遮断膜、光反射膜などの各種薄膜が基板と反対側の配
向制御膜上に設けられていてもよい。

本発明の液晶素子においては、上記のようなセルの間隙
２に液晶物質が充填されている。

本発明において使用される液晶物質は、下記式［Ａ］で
表わされる液晶化合物を含んでいる。特に本発明におい
ては、式［Ａ］で表わされる液晶化合物を単独で使用す
ることもできるが、上記の式［Ａ］で表わされる液晶化
合物を少なくともも一種類含む液晶組成物であることが
好ましい。

０Ｐ３　　　・・・　［Ａ］ ただし、式［Ａ］において、Ｒは炭素数６〜１８のアル
キル基、炭素数６〜１８のアルコキシ基および炭素数６
〜１８のハロゲン化アルキル基よりなる群から選ばれる
１種の基である。またｍは１〜６の整数であり、Ｃ＊は
不整炭素原子を表わす。

上記式［Ａ］において、Ｒが炭素数６〜１８のアルキル
基である場合には、このようなアルキル基としては、直
鎖状、分枝状および脂環状のいずれの形態であってもよ
いが、Ｒが直鎖状のアルキル基であるカルボン酸エステ
ルの分子は、分子がまっ直ぐに伸びた剛直構造をとるた
め、優れた液晶性を示す。このような直鎖状のアルキル
基の具体的な例としては、ヘキシル基、ヘプチル基、オ
クチル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、オ
クタデシル基などを挙げることができる。

また、Ｒが炭素数６〜１８のハロゲン化アルキル基であ
る場合、ハロゲン化アルキル基の例としては、上記のよ
うなアルキル基の水素原子の少なくとも一部が、Ｆ、Ｃ
ｊｌ、Ｂｒ、■などのハロゲン原子で置換された基を挙
げることができる。

また、Ｒが炭素数６〜１８のアルコキシ基である場合に
は、このようなアルコキシ基の例としては、上記のよう
なアルキル基を有するアルコキシ基を挙げることができ
る。このようなアルコキシ基の具体的な例としては、ヘ
キソキシ基、ヘプトキシ基、オクチルオキシ基、デシル
オキシ基、ドデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、
オクタデシルオキシ基を挙げることができる。

上記のようなＲを有する化合物のうちアルコキシ基を有
する化合物が特に優れた液晶性を示す。

上記式［Ａ］においてｍは１〜１０の整数である。従っ
て上記式［Ａ］において、 Ｆ３ で表わされる基としては、 ｍが１である ｍが５である Ｐ　ａ などが挙げられ、これらの内ではｍが４〜６である化合
物が液晶化合物として有用であり、特にｍが５である下
記のような基を有する化合物が液晶化合物として最も有
用である。

■ Ｆ ｐ　３ 上記の不整炭素原子は、エステル結合でフェニレン基と
結合している。

式［Ａ］において、上記のフェニレン基としては、０−
フェニレン基、−フェニレン基、ｐ−フェニレン基を挙
げることができる。特にカルボン酸工ステル化合物は、
分子自体が直線状になることが好ましく、このため、フ
ェニレン基としては、ｐ−フェニレン基が好ましい。

このフェニレン基は、エチレン基を介してナフチレン基
と結合している。

このナフチレン基としては、ｌ、４−ナフチレン基、１
．８−ナフチレン基、１．７−ナフチレン基、１．８−
ナフチレン基、２．５−ナフチレン基、２．６−ナフチ
レン基、２．７−ナフチレン基等を挙げることができる
。特にカルボン酸エステル化合物は、分子自体が直線状
になることが好ましく、このため、ナフチレン基として
は２．６−ナフチレン基が好ましい。

なお、このナフチレン基は、例えば、炭素数１〜３程度
のアルキル基などを有していてもよく、このような置換
基を有することによってこのカルボン酸エステル化合物
の液晶特性が低下することはない。

このナフチレン基の他の一方の結合手は、上記のＲと結
合している。

上記式［Ａ］で表わされるカルボン酸エステル化合物と
しては、具体的には、例えば次式［１］〜［４］で表わ
される化合物を挙げることができる。

上記のカルボン酸エステル化合物のうち、次式（■）で
表わされる化合物の相転移温度を表１に示す。なお、表
１において、Ｓｓ　Ｃ”はカイラルスメクチックＣ相、
Ｓ■Ａは、スメクチック°Ａ相Ｉｓｏは等方性液体を表
わす。

［■］ 表１ 上記のようなカルボン酸エステル化合物は、公知の合成
技術を利用して製造することができる。

たとえば、上記のカルボン酸エステル化合物は、以下に
示す合成経路に従って合成することができｎ−、ＣＩＯ
Ｈｚｔ＜Ｏゝｃｏ　−Ｃ）ｌ−Ｏ−ＣＯＯＣＨ３る。

（■） すなわち、たとえば、６−デシルオキシナフタレン−２
−カルボン酸のようなアルコキシナフタレン−カルボン
酸に水素化リチルムアルミニウムのような水素化剤を作
用させることによりＢ−デシルオキシ−２−ヒドロキシ
メチルナフタレン（１）のようなアルコキシナフタレン
のヒドロキシ化合物を得る。

このヒドロキシ化合物（１）と活性二酸化マンガンのよ
うな酸化剤とを反応させることにより６−デシルオキシ
ナフタレン−２−アルデヒド（■）のようなアルコキシ
ナフタレンアルデヒドを得る。

一方、ｐ−トルイル酸と、Ｎ−ハロコハク酸イミドなど
のハロゲン化剤とをジベンゾイルパーオキサイドのよう
な反応開始剤の存在下に反応させることにより４−（ハ
ロメチル）安息香酸（ＩＩＩ）のようなハロゲン化物を
得る。

このハロゲン化物（Ｉ［Ｉ）とメタノールのようなアル
コールとのエステル化反応により、４−（ハロメチル）
安息香酸アルキルエステル（ＩＶ）を得る。

この４−（ハロメチル）安息香酸アルキルエステル（Ｉ
Ｖ）とトリフェニルホスフィンとを反応させることによ
り、（アルコキシカルボニルベンジル）トリフェニルホ
スホニウムハライドのようなハライド（Ｖ）を得る。

そして、前記した６−デシルオキシナフタレン２−アル
デヒド（ＩＩ）のようなアルコキシナフタレンアルデヒ
ドと、（アルコキシカルボニルベンジル）トリフェニル
ホスホニウムハライド（Ｖ）のようなハライドとを反応
させることにより、ビニレン基でフ土二しン基とナフチ
レン基とが結合された式（Ｖ［）で表わされるシス−ト
ランス異性体混合物（Ｖ［）を得る。

このシス−トランス異性体混合物（Ｖｌ）と水素とを、
パラジウム−カーボンなどの水素化触媒の存在下に接触
させて、シス−トランス異性体混合物（Ｖｌ）の中心付
近にあるビニレン基を水素化して式（■）で表わされる
化合物を得る。

この化合物（■）と１−トリフロロメチルへキサノール
−１のような不整炭素原子を有するα−トリフロロメチ
ルアルコールとを反応させることにより本発明で使用さ
れるカルボン酸エステル化合物（■）を得ることができ
る。

例えば上記のようにして得られた式［Ａ］で表わされる
カルボン酸エステル化合物が光学活性を有する場合には
、このカルボン酸エステル化合物はζ強誘電性液晶化合
物としての特性を示すようになる。

上記のようなカルボン酸エステル化合物中には、室温付
近ないし氷点下の温度でスメクチック相を示す化合物が
多い。

従来、液晶化合物を単独で使用した場合に、この化合物
２０℃以下の温度でスメチック相を示す液晶化合物はほ
とんど知られていない。

そして、このようなカルボン酸エステル化合物を含有す
る液晶組成物は、スメクチック相を示す温度が低いだけ
でなく、このような液晶組成物を用いて製造された光ス
イツチング素子は、高速応答性にも優れている。

本発明で用いれる液晶組成物は、上記のようなカルボン
酸エステル化合物を少なくとも一種類含有している。

本発明で使用される液晶組成物においては、上記のカル
ボン酸エステル化合物［Ａ］を、例えば、カイラルスメ
クチック液晶組成物の主剤あるいは、他のスメクチック
相を示す化合物を主剤とする液晶組成物の助剤として使
用する。

また、本発明で用いられるカルボン酸エステル化合物の
ように強誘電性を示す液晶化合物は、電圧を印加するこ
とにより、光スイツチング現象を起こすので、この現象
を利用することにより、応答性のよい表示装置を作製す
ることができる（例えば特開昭５６−１０７２１６号公
報、特開昭５９−１１８７４４号公報参照）。

そして、このような表示装置に使用される強誘電性液晶
化合物は、カイラルスメクチックＣ（目、カイラルスメ
クチックＦ相、カイラルスメクチックＧ相、カイラルス
メクチックＨ相、カイラルスメクチックＩ相、カイラル
スメクチックＪ相、カイラルスメクチックに相のいずれ
かの相を示す化合物であるが、カイラルスメクチックＣ
相（ＳＬＩＣ＊相）以外ではこのような液晶化合物を用
いた表示素子は一般に応答速度が小さいため、従来では
応答速度の大きいカイラルスメクチックＣ相で駆動させ
ることが実用上有利であるとされていた。

しかしながら、本発明者らが既に提案したようなスメク
チックＡ相における表示素子の駆動法（特願昭６２−１
５７８０８号明細書参照）を利用することにより、強誘
電性液晶組成物は、カイラルスメクチックＣ相だけでな
くスメクチックＡ相で使用することができる。従って、
上記のようなカルボン酸エステル化合物を含有している
本発明の液晶組成物を用いることにより、液晶素子の液
晶温度が広くなり、さらに電気光学対応性が高速化する
。

表２に上記のようなカルボン酸エステル化合物を用いる
ことにより、液晶組成物の相転移温度が低下する例を示
す。表２に示すように、カルボン酸エステル化合物とし
て、（＋）６−デシルオキシ２−　［２−（４−（（１
−）リフロロメチル）へブチル）オキシカルボニル）フ
ェニル］エチルーナフタレンを使用し、この化合物を用
いることにより（Ｂ）として表記した液晶物質 ＣＨＯ＋Ｃ００＋Ｃ０Ｏ−ＡＩｌ の相転移温度が低下する。具体的には、Ｃｒｙ　−８ｍ
　Ｃ”の相転移温度は２７℃から一３０℃に低＊　− 下し、さらにＳ■ＣＳａ＋Ａの相転移温度は、３０℃か
ら１５℃に低下し、またＳｍＡ−１ｓｏの相転移温度は
５８℃から３６℃に低下する。

本発明で使用される液晶組成物において、上述のように
カルボン酸エステル化合物は、主剤として使用すること
もでき、また助剤として使用することもできる。すなわ
ち、本発明で使用される液晶組成物を使用する場合には
、上記式［Ａ］で表わされる液晶化合物の含有率は、用
いられる液晶化合物の特性、組成物の粘度、動作温度、
用途などを考慮して適宜設定することができる。特に液
晶組成物中における液晶物質の合計重量に対して、この
カルボン酸エステル化合物を１〜９９重量％の範囲、好
ましくは５〜７５重量％の範囲の量で用いることが望ま
しい。

また、上記式［Ａ］で表わされるカルボン酸エステル化
合物は、液晶組成物中に１種または２種以上配合されて
いてもよい。

本発明で使用される液晶組成物において、上記式［Ａ］
で表わされるカルボン酸エステル化合物と共に配合する
ことができるカイラルスメクチックＣ相を呈する化合物
の例としては、（＋）−４’−（２”−メチルブチルオ
キシ）フェニル−Ｂ−オクチルオキシナフタレン−２−
カルボン酸エステル、　４°〜デシルオキシフェニル− ルオキシ）ナフタレン−２−カルボン酸エステル、およ
び を挙げることができる。

さらに、上記のカイラルスメクチックＣ相を呈する化合
物以外の化合物で、上述の式［Ａ］で表わされるカルボ
ン酸エステル化合物を配合することにより、液晶組成物
を構成することができる液晶化合物の例としては、 ｃｏ　　ｏ＋ｃ＋＋−Ｎ＋ｃ４Ｈ　９、０　　Ｉ　　Ｏ
＋Ｃ　ＩＩ　−　Ｎ＋Ｃ　Ｎなどのシップ塩基系液晶化
合物、 などのアゾキシ系液晶化合物、 Ｃ　　Ｉｉ　　ｏ＋ｃｏｏ暑−Ｃ６１１□３ｃ　　ｕ　
　ｏ＋ｃｏｏ÷ＣＮ などの安息香酸エステル系液晶化合物、Ｃ５１１□１＋
ｃｏＯ＋Ｃ　Ｎ Ｃ　５Ｉｆ　１□＋Ｃ００日冗←ＯＣ　５Ｈ　１、など
のシクロへキシルカルボン酸エステル系液晶化合物、 Ｃ５１１□１べφ（ヒＯＮ などのビフェニル系液晶化合物、 Ｃ　５ＩＩ　１□は）（バ搬−〇Ｎ などのターフェニル系液晶化合物、 Ｃ５Ｈ１□べ心（誼つーＯＮ などのシクロヘキシル系液晶化合物 および などのピリジン系液晶化合物に代表されるネマチック系
の液晶化合物をはじめとして、さらに塩酸コレステリン
、ノナン酸コレステリンおよびオレイン酸コレステリン
などのコレステリック系の液晶化合物ならびに公知のス
メクチック系の液晶化合物を挙げることができる。

なお、上記の液晶物質中には、上記のカルボン酸エステ
ル化合物および他の液晶化合物に加えてさらに、たとえ
ば、電導性賦与剤および寿命向上剤など、通常の液晶組
成物に配合することができる添加剤を配合してもよい。

また色素の二色性を利用した駆動方式の液晶素子に使用
する場合には、二色性色素を配合することもできる。

本発明で用いられる液晶組成物は、上記のカルボン酸エ
ステル化合物ならびに所望により他の液晶および添加剤
を混合することにより製造することができる。

本発明の液晶素子は、基本的には、上記のようなセルの
間隙に上記のカルボン酸ニスエル化合物を含む液晶物質
を充填することにより製造することができる。

液晶物質は、通常、溶融状態になるまで加熱され、この
状態で内部が真空にされたセルの間隙に充填（注入）さ
れる。

このようにして液晶物質を充填した後、通常は、密封す
る。

次いで、このように密封されたセルを、セル内の液晶物
質が等方相を示す温度以上の温度に加熱し、その後、こ
の液晶物質が液晶相を示す温度にまで冷却する。

そして、この冷却の際の降温速度を２℃／分以下にする
こと赤好ましい。特にこの降温速度を０、１〜２．０℃
／分の範囲内にすることが好ましく、さらに０．１〜０
．５℃／分の範囲内にすることが特に好ましい。このよ
うにセルを冷却する際に、冷却速度を上記のようにする
ことにより、初期配向性に優れ、配向欠陥のないモノド
メインからなる液晶相を有する液晶素子が得られる。こ
こで初期配向性とは、液晶素子に電圧の印加等を行なっ
て液晶物質の配向ベクトルを変える前の液晶物質の配列
状態をいう。

このようにして得られた液晶素子は、コントラスト等が
著しく優れている。

本発明に係る液晶素子を用いて、例えばホワイトティラ
ー型カラー表示用デイバイス、コレステリックネマチッ
ク相転移型表示用デイバイス、ＴＮ型セルにおけるリバ
ースドメイン発生防止用デイバイス等の液晶表示装置、
および電気光学表示装置を製造することができる。

また、本発明に係る液晶素子のうち、スメクチックを呈
する液晶組成物が充填された液晶素子は、熱書き込み型
表示素子、レーザー書き込み型液晶表示素子などの記憶
型液晶表示素子として使用することができ、このような
液晶素子を用いて液晶表示装置あるいは電気光学表示装
置を製造することができる。

さらに強誘電性を有するカルボン酸エステル化合物を含
有する液晶組成物を用いることにより、上記のような用
途の他、光シヤツターや液晶プリンターなどの光スイ・
ンチング素子、圧電素子および焦電素子等の液晶素子と
して使用することができ、このような液晶素子を用いて
液晶表示装置あるいは電気光学表示装置を製造すること
ができる。

すなわち、本発明で使用される液晶物質を用いてカイラ
ルスメクチックＣ相を形成させると、カイラルスメクチ
ックＣ相は、双安定性を示す。したがって、２つの安定
状態間を電界反転させることにより、この液晶素子を用
いて光スイッチングおよび表示を行なうことができる。

また、このようなカイラルスメクチックＣ相を示す強誘
電性の液晶物質は自発分極を有するから、−変電圧を印
加すると電界消去後もメモリー効果を有する。そこでこ
のメモリー効果を利用すれば液晶素子に電圧を印加し続
ける必要がないので、このような液晶素子からなる表示
デイバイスでは消費電力の低減を図ることができる。さ
らに、この場合、表示デイバイスのコントラストは安定
し、しかも非常に鮮明になる。

また、このカイラルスメクチック液晶組成物（化合物）
を用いて得られたスイッチング素子は、分子の配向方向
を変えるだけでスイッチングが可能であり、この場合に
電界強度の一次項が駆動に作用するため、液晶素子を低
電圧で駆動させることができる。そして、このスイッチ
ング素子を用いれば、数十マイクロ秒以下の高速応答を
実現できるので、各素子の走査時間は大幅に短縮され、
走査線の多い大画面のデイスプレィ（液晶表示装置）を
製造することができる。しかも、このデイスプレィは、
室温あるいはそれ以下の低温においても作動するので、
温度コントロールのための補助手段を用いることなく、
容品に走査させることができる。

さらに、本発明の液晶素子に用いられる液晶物質は、双
安定性を示さないスメクチック゛Ａ相においても、電界
が加わると、誘起的に分子が傾くので、この性質を利用
して光スイッチングを行なうことができる。

強誘電性液晶化合物は、液晶物質の構造上からはカイラ
ルスメクチックＣ相、カイラルスメクチックＦ相、カイ
ラルスメクチックＣ相、カイラルスメクチックＨ相、カ
イラルスメクチック１相、カイラルスメクチックＪ相ま
たはカイラルスメクチックに相のいずれかの相を呈する
が、カイラルスメクチックＣ相（ＳＩＩＣ＊相）以外で
はこのような液晶化合物を用いた液晶素子は一般に応答
速度が小さいため、従来では応答速度の大きいカイラル
スメクチックＣ相で駆動させることが実用上有利である
とされていた。しかしながら、本発明者らが既に提案し
たようなスメクチックＡ相における表示素子の駆動法お
よびスメクチックＡ相で駆動させることができる表示素
子（特願昭６２−１５７８０８号）によれば、上記のよ
うなカイラルスメクチックＣ相のみならずスメクチック
人相でも駆動させることができる。

さらに、本発明の液晶素子に用いられる液晶物質は、カ
イラルスメクチックＣ相よりも高い秩序をもっているカ
イラルスメクチックＦ相などの液晶相においても、２つ
以上の安定状態を示すのでスメクチックＡ相の場合と同
様に光スイッチングを行なうことができる。

本発明の液晶素子を用いた表示方法の例とじては、具体
的には以下に示す方法を挙げることができる。

第１の方法は、本発明の液晶素子を２枚の偏光板の間に
介在させ、この液晶素子に外部電界を印加し、強誘電性
液晶化合物の配向ベクトルを変えることにより、２枚の
偏光板と強誘電性液晶化合物の複屈折とを利用して表示
を行なう方法である。

本発明の液晶素子を用いた第２の表示方法は、液晶物質
として、二色性色素が配合された液晶組成物を用い、色
素の二色性を利用する方法であり、この方法は、強誘電
性液晶組成物中の分子の配向方向を変えることにより色
素による光の吸収波長を変えて表示を行なう方法である
。この場合に使用する色素は通常二色性色素であり、こ
のような二色性色素の例としては、アゾ系色素、ナフト
キノン系色素、シアニン系色素およびアントラキノン系
色素等を挙げることができる。

なお、本発明に係る液晶素子は、上記の表示方法の他に
、通常利用されている表示方法で採用することもできる
。

また、本発明に係る液晶素子を用いて製造された液晶表
示装置および電気光学表示装置は、スタティック駆動、
単純マトリックス駆動および複合マトリックス駆動など
の電気アドレス表示、光アドレス表示、熱アドレス表示
ならびに電子ビームアドレス表示等の駆動方式により駆
動させることができる。

発明の効果 本発明の液晶素子は、トリフロロメチル基を有する新規
なカルボン酸エステル化合物を含む液晶物質を用い、配
向制御膜としてポリイミドを用いているため、コントラ
ストが特に大きく、しかも動作温度幅が広く、消費電力
が少なく、室温付近ないしそれ以下、たとえば氷点下の
温度でもスメクチック相において作動し、スイッチング
速度も大きい。

また、本発明では、前述したような方法で、液晶素子を
製造しているので、上記のように特に優れたコントラス
トを有する液晶素子を容易に製造することができる。

さらに、このような素子を用いて製造した液晶表示装置
あるいは電気光学表示装置においては、走査時間を大幅
に短縮することができるだけでな（、室温以下の温度で
使用することもできる。

また、本発明で用いられる液晶物質には自発分極を有す
るカルボン酸エステル化合物を含有することができるの
で、電界消去後もメモリー効果を持つデイバイスを得る
ことができる。

このようなデイバイスでは、消費電力が少なく、安定し
たコントラストが得られる。また低電圧駆動も可能であ
る。ごのようなデイバイスは、カルボン酸エステル化合
物のスメクチック相における双安定性を利用しているの
で、室温以下の温度で光スイッチングに好ましく用いら
れる。

次に本発明の実施例を示すが、本発明はこれらの実施例
に限定されるものではない。

合成例１ 式（■）で表わされるカルボン酸エステル化合物の合成 ＣＦ３　・・・（■） で表わされる化合物（＋）６−デシルオキシー２−［２
−＋４−（１−トリフロロメチル）ヘプチルオキシカル
ボニル）フェニル］エチルーナフタレン（■）の合成。

　　　　　　　　　第１段階 ６−デシルオキシ−２−ヒドロキシメチルナフタレン（
１）の合成 （シトＣＨＯＨ・・・（１） ｎ−Ｃｌ０Ｉｔ　２１０　　　　　　　２水素化リチウ
ムアルミニウム１．Ｏｆを無水ＴＨＦ５０ｍｌに懸濁し
た。この懸濁液に、アルゴン雰囲気下０℃で６−デシル
オキシナフタレン−２−カルボン酸１．　３４８ｇ　（
４ｍａ＋ｏｌ）の無水ＴＨＦ溶液１００　ｍｌを少しず
つ滴下した。滴下後、室温に昇温し２時間攪拌を行なっ
た。さらに、加熱し還流下で１時間反応を続行した。

上記のようにして１時間反応を行ない次いで放冷した後
、反応液をエーテル１５０　ｍｌで希釈し、水浴中、飽
和硫酸ナトリウム水溶液をゆっくりと加え、過剰のＬｉ
ＡΩＨ４を分解し反応を停止させた。

Ｌ　ｉＡ　Ｄ　Ｈ４の分解が終了すると、白色固形物が
沈澱した。この固形物をガラスフィルターを用いて濾別
し、濾液を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、低沸点物を留
去し粗生成物を得た。

この粗生成物をヘキサン／酢酸エチル混合溶媒［混合容
量比−５：１］から再結晶させて、６−デシルオキシ−
２−ヒドトキシメチルナフタレン（Ｉ）１．０８ｇを得
た。収率８５．８％ 第２段階 ６−デシルオキシナフタレン−２−アルデヒド（■）の
合成 このように得られた反応混合物を、濾過助剤としてセラ
イトを用いて濾別し、分取された濾液を濃縮し粗生成物
を得た。

この粗生成物をシリカゲル薄層クロマトグラフィー（溶
媒；へキサン／エーテル−３／１（容ｆｆ１））を用い
て精製すると、白色結晶として６−デシルオキシナフタ
レン−２−アルデヒド（ｍ）７２．２ｍｇが得られた。

収率８７％ 第３段階 ４−（ブロモメチル）安息香酸（ＩＩＩ）の合成ｐ−ト
ルイル酸（Ｈａ　Ｃ＋　Ｃ００ＩＩ　）　１３　、　６
　ｇヒドロキシメチルナフタレン８４ｓｇ（０，４３ミ
リモル）をクロロホルム１０ｍ１に溶解し、次いで活性
化二酸化マンガン２３５ｍｇ（２，５７ミリモル）の粉
末を加え、室温下激しく攪拌しながら１２時間酸化反応
を行なった。

リモル）を四塩化炭素１２５　ｍｌ中に懸濁し、強力な
攪拌下に加熱し還流下（油浴９３℃、内温７４℃）で２
時間反応を行なうことにより、黄色ミルク状の反応液が
得られた。

この反応液を水浴で冷却し、析出した結晶物を濾取し、
この結晶物をヘキサンを用いて洗浄した。

さらに、この結晶物を水で洗浄後、エタノールで再結晶
し、白色針状晶の４−（ブロモメチル）安息香酸（ＩＩ
Ｉ）１４．６ｇを得た。収率６７．７％第４段階 ４−（ブロモメチル）安息香酸メチルエステル（ＩＶ）
の合成 ［３ｒ−Ｃ１１□＋Ｃ００ＣＩ＋３　　　　　　・・・
（ＩＶ）４−（ブロモメチル）安息香酸（ｍ）とメタノ
ールとを酸性触媒下に加熱還流してエステル化するコト
ニより４−（ブロモメチル）安息香酸メチルを得た。

第５段階 （メチルオキシカルボニルベンジル）トリフェニルホス
ホニウムブロマイド（Ｖ）の合成りｒ−Ｐ”　Ｐｈ３−
Ｃ１１２−◎−ＣＯＯＣＩＩ３・・・（Ｖ）上記第４段
階で合成した４−（ブロモメチル）安息香酸メチルエス
テル（ＩＶ）２．６１Ｋ（１１，４ミリモル）とトリフ
ェニルホスフィン３．０ｇ　（１１，４５ミリモル）と
を、ベンゼン１００　ｍｌに溶解し、攪拌下に還流温度
まで昇温し、２時間反応を行なった。

その後、氷水を用いて冷却し、析出した結晶を吸引濾取
した。

得られた結晶をベンゼンから再結晶することにより白色
結晶のホスホニウム塩（Ｖ）２．４３ｇを得た。収゛率
４３％ 第６段階 （Ｖｒ）の合成 第２段階で得られたＢ−デシルオキシナフタレン　−２
−アルデヒド（■）４７５ｍｇ　（２，４７ミリモル）
ト、ホスホニウム塩（Ｖ）１２１５ｍｇ（２，４７ミリ
モル）を塩化メチレン１０ｍ１に溶解し、この溶液に水
酸化カリウム１４０　ｍｇ（２，５ミリモル）の０．５
ｍｌ水溶液を室温下に、少しずつ滴下した。

このように水酸化カリウムを滴下することによってトリ
フェニルホスフィンオキシトが生成し、反応液が乳白色
に懸濁した。滴下終了後、さらに２時間反応を続行した
。

反応終了後、濾過し、分取されたａ？＆を濃縮し、残査
をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、シス
−トランス混合物（Ｖｒ）を５１９＋ｎｇを得た。収率
５２％ なお、得られた反応物の一部を取り、ゲルパーミェーシ
ョンクロマトグラフィー（ＧＣ）で分析したところ、シ
ス形とトランス形との異性体構成比は４：ｌであった。

第７段階 （■）の合成 ｎ−Ｃ１０Ｈ２□ｏａ　ｃＨ２−ＣＨ２＋Ｃ００ＣＩ（
３＝・＜■）第６段階で合成したシス−トランス混合物
（Ｖ’ｌ）を、触媒として５％パラジウム−カーボン触
媒を使用し、溶媒としてエタノールを用いて室温下、常
圧で水素をバブリングしながら化合物（Ｖｌ）の中心部
にあるオレフィン性二重結合の水素化を行なった。Ｐｄ
−Ｃ触媒を濾過助材セライトを用いて除いた後、濾液を
濃縮したところ、エステル化合物（■）がほぼ定量的に
得られた。

収率１００％ 第８段階 （■）の合成 ＣＦ３・・・（■） 第７段階で得られたエステル化合物（■）４４６ｍｇ（
１ミリモル）、Ｒ〜１−トリフルオロメチルヘプタツー
ル３６８＋ｎｇ（２ミリモル）および１−ブトキシカリ
ウムｌ１ｍｇ（０，１ミリモル）をベンゼン２０ｍ１中
に入れ、還流下に２５時間反応させた。冷却後、不溶物
を濾別した後、ベンゼン層を水洗し、次いで濃縮した。

得られた濃縮物をカラムクロマトグラフィを用いて分離
することにより、白色の固体３６０ｍｇ（融゛点３７〜
３９°Ｃ）を得た。収率６０モル％ この固体のＦＤ−マススペクトルの値はＭ　／　ｅ−５
９９であった。

このようにして得られたカルボン酸エステル化合物（■
）のＮ　Ｍ　Ｒのチャートを第２図に示す。

上記のようにして合成した（＋）６−デシルオキシー２
−　［２−＋４−（１−トリフロロメチル）へブチルオ
キシカルボニル）フェニル］エチルーナフタレン（■）
の相転移温度をΔｐ１定した。結果を表３に示す。

液晶組成物の調製 次いで、上記のようにして得られた式（■）で表わされ
るカルボン酸エステル化合物と、次式（Ｂ）で表わされ
る化合物とを４３　：　５７の重量比で混合して液相組
成物を製造した。

Ｃ１１ト◎−ＣＯＯ４ＣＯＯ−Ａ　Ｉ　　　・・・（Ｂ
）この組成物の相転移温度を測定した。結果を表３に併
せて記載する。

さらに上記式（Ｂ）で表わされる化合物の相転移温度も
表３に併せて記載する。

実施例１ 第１図に示すように透明電極基板の内面に配向制御方向
が同一方向となるように２枚のラビングしたポリイミド
（日立化成工業■製ＰＩＱ−５４００）からなる配向制
御膜（厚さ２１５０人）が形成されているセルに、上記
合成例１で製造したカルボン酸エステル化合物（■）を
溶融し、セルの間隙を減圧状態にして注入した。

このようにして液晶物質を充填したセルを６０℃まで加
熱し、６０℃で５分間保持した後、１℃／分の速度で一
１０℃まで冷却して液晶素子を製造した。

得られた液晶素子のコントラストを測定したところ５で
あった。

セル条件（イ）外形寸法；たて２．５ＧｌｌＸ横２．２
ｃｍＸ厚さ１．５＋＋ｎ、 （ロ）基板；厚さ０．７關、基板材質 （ガラス） （ハ）基板間距離；２μｍ （ニ）側壁寸法：たて１，８ｃａＸ横 ０．１ｃｍＸ厚さ２ｍｍ 液晶の評価用に用いる上記のセルは以下の方法で作成し
た。ＩＴＯ透明電極膜付きのガラス基板上にポリイミド
塗布を行なった。すなわちポリイミド（日立化成工業■
製、ＰＩＱ−５４００）をスピンコード法によってＩＴ
Ｏ透明電極の上に塗布した。

ポリイミドはＮ−メチルピロリドンを溶媒として１．２
％に薄め２００　Ｏｒｐｍでスピンコードした。

これを３２５℃で３０分加熱し硬化させたところ１５０
〜２００Ａの膜厚のポリイミド膜が作成できた。この後
ポリイミド膜をナイロン布で一方向に擦ることにより液
晶配向性を与えた。

このようにして作成したポリイミド膜塗布済みガラス基
板を二枚重ね合わせて評価用セルを作成した。まずポリ
イミド膜を塗布したガラス基板の上に、二枚の基板の接
着とセルギャップを制御するためにエポキシ系接着剤を
シルク印刷により塗布した。エポキシ系接着ｍｌは接着
剤主剤（ＥＨＣ■製、ＬＣＢ−９０４８）　　硬化剤（
ＥＨＣ■製、ＬＣＢ−３１０Ｂ）とセルギャップ制御の
ためのビーズ（ＥＨＣ■製、ＧＰ−２０）を１３８：３
０：３に混合して用いた。二枚のガラス基板のうち一枚
にはエポキシ系接着剤を塗布し、互いにポリイミド膜が
向かい合うように貼合わせた。これを以下の硬化条件に
従っ、て硬化させた。すなわち５０℃−１５分、６０℃
−１５分、７０℃−１５分、８０℃−１５分、１２５℃
−３０分、１７０℃−６０分である。

このように作成したセルギヤ・ノブ約２μｍの評価用セ
ルを用いて液晶を評価した。

なお、本発明においてコントラストは直交する偏光子の
間に液晶素子を置き、この液晶素子を回転して得られる
明暗と暗時の透過光強度を測定してＩ　（明暗）／Ｉ　
（暗時）の比を算出し、求めた。

実施例２ 実施例１において、冷却速度を０．１℃／分に変えた以
外は実施例１と同様にして液晶素子を製造した。

この液晶素子のコントラストは９であった。

実施例３ 実施例１において、カルボン酸エステル化合物に代えて
、前記「液晶組成物の調製」で得られた組成物を用い、
冷却速度を０．１℃／分に変えた以外は実施例１と同様
として液晶素子を製造した。

この液晶素子のコントラストは１３であった。

実施例４ 実施例１において、冷却速度を１０℃／分に変えた以外
は実施例１と同様にして液晶素子を製造した。

得られた液晶素子のコントラストは１であり、降温速度
が高いためにコントラストが幾分低下する傾向が見られ
た。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の液晶素子の断面を概略的に示す図で
ある。 １ｍ、１ｂ・・・透明基板（ガラス、ポリカーボネート
などの透明プラスチック） ２・・・セルの間隙 ３・・・セル ４・・・液晶物質 ５ａ、５ｂ・・・電極（酸化インジウム−スズなど）ｅ
ａ、［ｌｂ・・・配向制御膜 ８・・・スペーサ 第２図は本発明で用いることができる液晶組成物に含ま
れているカルボン酸エステル化合物（■）のＮＭＲチャ
ートである。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）２枚の基板と、該２枚の基板によって構成される
   間隙とからなるセル、および該セルの間隙に充填された
   液晶物質より構成される液晶素子において、 少なくとも一方の基板の液晶物質と対面する面にポリイ
   ミドからなる配向制御膜が設けられており、 そして、該液晶物質が、下記式［Ａ］で表わされる化合
   物を含むことを特徴とする液晶素子；▲数式、化学式、
   表等があります▼・・・［Ａ］ ［ただし、式［Ａ］において、Ｒは炭素数６〜１８のア
   ルキル基、炭素数６〜１８のアルコキシ基、および炭素
   数６〜１８のハロゲン化アルキル基よりなる群から選ば
   れる一種類の基であり、ｍは１〜１０の整数であり、Ｃ
   ＾＊は不整炭素原子を表わす］。
2. （２）該ポリイミドからなる配向制御膜が、配向処理さ
   れた配向制御膜であることを特徴とする請求項第１項記
   載の液晶素子。
3. （３）式［Ａ］におけるＲが炭素数６〜１８のアルコキ
   シ基であり、ｍが５である請求項第１項記載の液晶素子
   。
4. （４）液晶物質が式［Ａ］で表わされる化合物を１〜９
   ９重量％含んだ液晶組成物である請求項第１項記載の液
   晶素子。
5. （５）２枚の基板と、該２枚の基板によって構成される
   間隙とからなるセル、および該セルの間隙に充填された
   液晶物質より構成される液晶素子を製造するに際し、 少なくとも一方の基板の液晶物質と対面する面にポリイ
   ミドからなる配向制御膜が設けられているセルを用い、
   該セルの間隙に、下記式［Ａ］で表わされる化合物を含
   む液晶物質を充填した後、該セルを該液晶物質が等方相
   を示す温度以上の温度から液晶を示す温度以下の温度に
   冷却することを特徴とする液晶素子の製造方法； ▲数式、化学式、表等があります▼・・・［Ａ］ ［ただし、式［Ａ］において、Ｒは炭素数６〜１８のア
   ルキル基、炭素数６〜１８のアルコキシ基、および炭素
   数６〜１８のハロゲン化アルキル基よりなる群から選ば
   れる一種類の基であり、ｍは１〜１０の整数であり、Ｃ
   ＾＊は不整炭素原子を表わす］。
6. （６）該セルを該液晶物質が等方相を示す温度以上の温
   度から２℃／分以下の降温速度で液晶を示す温度以下の
   温度に冷却することを特徴とする請求項第５項記載の液
   晶素子の製造方法；
7. （７）該配向制御膜が、配向処理された配向制御膜であ
   ることを特徴とする請求項第５項若しくは第６項記載の
   液晶素子の製造方法。
8. （８）請求項第１項ないし第４項のいずれかの項記載の
   液晶素子を用いた液晶表示装置。
9. （９）請求項第１項ないし第４項のいずれかの項記載の
   液晶素子を用いた電気光学表示装置。