JPH02265290A - 半導体レーザ素子用キャップ - Google Patents
半導体レーザ素子用キャップInfo
- Publication number
- JPH02265290A JPH02265290A JP8570289A JP8570289A JPH02265290A JP H02265290 A JPH02265290 A JP H02265290A JP 8570289 A JP8570289 A JP 8570289A JP 8570289 A JP8570289 A JP 8570289A JP H02265290 A JPH02265290 A JP H02265290A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- cap
- laser device
- window
- oscillation
- Prior art date
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体レーザの発振戻り光による発振光の雑
音を低減させる光アイソレータに関し、詳しくは、半導
体レーザ素子を覆うキャップに関するものである。
音を低減させる光アイソレータに関し、詳しくは、半導
体レーザ素子を覆うキャップに関するものである。
(従来の技術)
現在、コンパクトディスクやレーザーディスクのレーザ
発振には、半導体レーザ装置が用いられている。発振さ
れたレーザ光の内幾分かは、レンズやデバイス内の反射
によって、レーザ発振素子に戻ってくる。この戻り光は
、モードホッピングを引き起こし、半導体レーザ光の発
振を不安定にしてしまう。
発振には、半導体レーザ装置が用いられている。発振さ
れたレーザ光の内幾分かは、レンズやデバイス内の反射
によって、レーザ発振素子に戻ってくる。この戻り光は
、モードホッピングを引き起こし、半導体レーザ光の発
振を不安定にしてしまう。
ところで、一般に使用されている半導体レーザ装置は、
構造的に発振素子を外部環境から守るため、ガラス窓付
きのキャップによって封止されている。発振の不安定を
防止する目的で、半導体レーザ装置の窓にアイソレータ
を重ねて、これにより、戻り光雑音を低減することがで
き、性能が優れた半導体レーザ装置が得られる。
構造的に発振素子を外部環境から守るため、ガラス窓付
きのキャップによって封止されている。発振の不安定を
防止する目的で、半導体レーザ装置の窓にアイソレータ
を重ねて、これにより、戻り光雑音を低減することがで
き、性能が優れた半導体レーザ装置が得られる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、この様に構成した場合には、レーザ装置
自体が大きなものになってしまい不都合であった。
自体が大きなものになってしまい不都合であった。
そこで、本発明の技術課題は、このファラデー回転素子
を取り付けたときに生じる半導体レーザ装置の大型化を
防ぐ半導体レーザ素子用キャップを提供することにある
。
を取り付けたときに生じる半導体レーザ装置の大型化を
防ぐ半導体レーザ素子用キャップを提供することにある
。
(課題を解決するための手段)
本発明によれば、半導体レーザ素子を覆い保護すると共
にレーザ光出射用の窓を有するキャップにおいて、前記
キャップを永久磁石で構成すると共に、段窓にファラデ
ー回転素子を取り付けたことを特徴とする半導体レーザ
素子用キャップが得られる。
にレーザ光出射用の窓を有するキャップにおいて、前記
キャップを永久磁石で構成すると共に、段窓にファラデ
ー回転素子を取り付けたことを特徴とする半導体レーザ
素子用キャップが得られる。
(作 用)
原理的に、半導体レーザの発振素子に戻ってくる戻り光
は、雑音防止のために完全遮断することが望ましいが、
シングルモード発振においては、発振偏波に対して直交
する偏波を持つ戻り光であれば、雑音発生の原因とはな
らない。したがって、偏光結晶を持つ光アイソレータを
用いずに、ファラデー回転素子のみを用いれば十分に戻
り光雑音を低減することができることになる。
は、雑音防止のために完全遮断することが望ましいが、
シングルモード発振においては、発振偏波に対して直交
する偏波を持つ戻り光であれば、雑音発生の原因とはな
らない。したがって、偏光結晶を持つ光アイソレータを
用いずに、ファラデー回転素子のみを用いれば十分に戻
り光雑音を低減することができることになる。
本発明においては、キャップ材に永久磁石を用い、レー
ザ出射用の窓に、ファラデー回転素子を取り付けること
により、戻り光は、ファラデー回転素子により回転され
、発振偏波に対して直交する偏波となり、光雑音発生を
防止する。
ザ出射用の窓に、ファラデー回転素子を取り付けること
により、戻り光は、ファラデー回転素子により回転され
、発振偏波に対して直交する偏波となり、光雑音発生を
防止する。
したがって、光アイソレータを従来のレーザ装置の出射
用の窓に重ねて取付けたものよりも、構成が簡単になる
ことから、光アイソレータ付きの半導体レーザ装置自体
の小型化をもたらすと共に、生産性が大幅に向上され、
安定した光アイソレーション特性を有する半導体レーザ
装置が生産できるようになる。
用の窓に重ねて取付けたものよりも、構成が簡単になる
ことから、光アイソレータ付きの半導体レーザ装置自体
の小型化をもたらすと共に、生産性が大幅に向上され、
安定した光アイソレーション特性を有する半導体レーザ
装置が生産できるようになる。
(実施例)
本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
第1図を参照して本発明の第1の実施例に係る半導体レ
ーザ素子用キャップの作製方法を説明する。
ーザ素子用キャップの作製方法を説明する。
外径8.7龍、内径4.7tara、長さ3.0mmの
円筒状のサマリウムコバルト磁石3をレーザ発振光の進
行方向に沿う方向に磁界印加するように磁化し、半導体
レーザ装置の、キャップ材に用いた。
円筒状のサマリウムコバルト磁石3をレーザ発振光の進
行方向に沿う方向に磁界印加するように磁化し、半導体
レーザ装置の、キャップ材に用いた。
接着はトールシールを用いて半導体レーザ素子5を台座
4に固定された支持台7に取付けた。
4に固定された支持台7に取付けた。
窓材のガーネット膜の磁気飽和を効率よく行うため、0
.51111の厚さのスペーサ2を介して、ガーネット
膜1を接着した。ただし、ここで使用したガーネット膜
1はGGG基板付きであるため、半導体レーザ発振側に
ガーネット膜が位置するように設置した。この基板付き
ガーネット膜1において、両面対空気、波長0.78μ
鑓の無反射コートを施した。
.51111の厚さのスペーサ2を介して、ガーネット
膜1を接着した。ただし、ここで使用したガーネット膜
1はGGG基板付きであるため、半導体レーザ発振側に
ガーネット膜が位置するように設置した。この基板付き
ガーネット膜1において、両面対空気、波長0.78μ
鑓の無反射コートを施した。
この様にして製作したファラデー回転素子付きの半導体
レーザ装置を用いて、発振光に対する反射光の比率によ
って、どの程度の戻り光雑音が防止できるかを調査した
。この時の半導体レーザ装置の出力は、波長0.78μ
量で、ガーネット膜の挿入損失を考慮して5■Vとした
(素子出力は3 mW>。
レーザ装置を用いて、発振光に対する反射光の比率によ
って、どの程度の戻り光雑音が防止できるかを調査した
。この時の半導体レーザ装置の出力は、波長0.78μ
量で、ガーネット膜の挿入損失を考慮して5■Vとした
(素子出力は3 mW>。
測定結果は、ファラデー回転素子付きであれば、1.0
%の戻り光に対しても一140dB以下のRIN特性を
示し、安定な出力が得られることが分かった。
%の戻り光に対しても一140dB以下のRIN特性を
示し、安定な出力が得られることが分かった。
第2図は本発明の第2の実施例を示す斜視図及び断面図
である。
である。
第2図(a)及び第2図(b)において、半導体レーザ
素子用キャップは、第1の実施例と同様に台座に固定さ
れ、支持台に取付けられている半導体レーザ素子を台座
に固定された構成を有する。
素子用キャップは、第1の実施例と同様に台座に固定さ
れ、支持台に取付けられている半導体レーザ素子を台座
に固定された構成を有する。
この半導体レーザ素子用キャップは、外径6.7關、内
径4.7mm、長さ3.0mmの円筒状のサマリウムコ
バルト磁石3をレーザ発振光の進行方向に沿う方向に磁
界印加するように磁化し、内側にGGG基板付きガーネ
ット膜1が取り付けられている。
径4.7mm、長さ3.0mmの円筒状のサマリウムコ
バルト磁石3をレーザ発振光の進行方向に沿う方向に磁
界印加するように磁化し、内側にGGG基板付きガーネ
ット膜1が取り付けられている。
ここで使用したガーネット膜1は、第1の実施例と同様
にGGG基板la付きであるため、半導体レーザ発振側
にガーネット膜が位置するように設置した。第2の実施
例に係る半導体レーザ索子用キャップを用いたレーザ装
置も、第1の実施例と同様に安定な出力が得られること
が分かった。
にGGG基板la付きであるため、半導体レーザ発振側
にガーネット膜が位置するように設置した。第2の実施
例に係る半導体レーザ索子用キャップを用いたレーザ装
置も、第1の実施例と同様に安定な出力が得られること
が分かった。
[発明の効果・]
以上説明したとおり、本発明によれば、ファラデー回転
素子を取付けたときに生じる半導体レーザ索子の大型化
を防止できる半導体レーザ用キャップを提供することが
できる。
素子を取付けたときに生じる半導体レーザ索子の大型化
を防止できる半導体レーザ用キャップを提供することが
できる。
第1図は本発明の第1の実施例に係るキャップを用いた
半導体レーザ装置の外観を示す図、第2図(a)は本発
明の第2の実施例に係るキャップを用いた半導体レーザ
装置の外観を示す斜視図、第2図(b)は第2図(a)
の断面図である。 図中、1は両面対空気の無反射コートのなされたガーネ
ット厚膜、]aはGGG基板、2はステンレス製のスペ
ーサ、3はマグネット、4は半導体レーザ素子を固定し
ている台座、5は半導体レーザ素子、6はレーザ光、7
は支持台、8は窓である。 第1図
半導体レーザ装置の外観を示す図、第2図(a)は本発
明の第2の実施例に係るキャップを用いた半導体レーザ
装置の外観を示す斜視図、第2図(b)は第2図(a)
の断面図である。 図中、1は両面対空気の無反射コートのなされたガーネ
ット厚膜、]aはGGG基板、2はステンレス製のスペ
ーサ、3はマグネット、4は半導体レーザ素子を固定し
ている台座、5は半導体レーザ素子、6はレーザ光、7
は支持台、8は窓である。 第1図
Claims (1)
- 1、半導体レーザ素子を覆い保護すると共にレーザ光出
射用の窓を有するキャップにおいて、前記キャップを永
久磁石で構成すると共に、該窓にファラデー回転素子を
取り付けたことを特徴とする半導体レーザ素子用キャッ
プ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8570289A JPH02265290A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 半導体レーザ素子用キャップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8570289A JPH02265290A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 半導体レーザ素子用キャップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265290A true JPH02265290A (ja) | 1990-10-30 |
Family
ID=13866155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8570289A Pending JPH02265290A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 半導体レーザ素子用キャップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02265290A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6262324A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-19 | Nec Corp | 光アイソレ−タ |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP8570289A patent/JPH02265290A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6262324A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-19 | Nec Corp | 光アイソレ−タ |
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