JPH02266604A

JPH02266604A - 高周波増幅装置

Info

Publication number: JPH02266604A
Application number: JP1089218A
Authority: JP
Inventors: Akira Usui; 晶臼井; Kazuhiko Kubo; 一彦久保; Akira Mishima; 三島　昭
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1989-04-06
Filing date: 1989-04-06
Publication date: 1990-10-31

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、例えばテレビジョン受像機等に内蔵される
映像分野の高周波増幅装置に関するものである。

〔従来の技術〕

近年、例えばテレビジョン受像機に内蔵される高周波増
幅装置は、映像分野の発達につれて益々高性能化が要求
されている。

以下図面を参照しながら、従来の高周波増幅装置の一例
について説明する。

第３図に従来の高周波増幅装置の一例の回路図を示す。

この第３図の高周波増幅装置は、信号入力端子ＣからＶ
ＨＦ入力信号がゲートＧｌに供給されるデュアルゲート
タイプの高周波増幅用の電界効果トランジスタ１のドレ
インＤをスイッチング素子３とチョークコイル１０とを
この順に介してＶＨＦｔ源端子已に接続している。また
、信号入力端子ＢからＵＨＦ入力信号がゲートＧ１に供
給されるデュアルゲートタイプの高周波増幅用の電界効
果トランジスタ２のドレインＤをスイッチング素子４と
高周波コイル１４とチョークコイル１１とをこの順に介
してＵＨＦｔａ端子Ｆに接続している。

さらに、スイッチング素子３およびチョークコイルｌＯ
の接続点と高周波コイル１４およびチョークコイル１１
の接続点との間にコンデンサ１２′および抵抗１３′の
直列回路を接続している。

そして、高周波コイル１４およびスイッチング素子４の
接続点にＵ　Ｉ−１Ｆ・Ｖ　ＨＦ合成出力端子Ｇ′を設
け、Ｖ　ＨＦ信号選択時にスイッチング素子３を導通さ
せるとともにスイッチング素子４を遮断させ、ＵＨＦ信
号選択時にスイッチング素子４を導通させるとともにス
イッチング素子３を遮断させるようにしている。この場
合、スイッチング素子３．４であるスイッチングダイオ
ードの導通・遮断は、ｙ　ＨＦ　ｚ源端子ＥおよびＵＨ
ＦＨＦ電源端子中加する電源電圧を変化させることで制
御するようになっている。

具体的には、Ｖ　ＨＦ電源端子Ｅへの印加電圧を例えば
＋１２ＶにするとともにＵｌ−ＩＦ電電源端子への印加
電圧を例えばＯｖにすることで、スイッチング素子３を
導通させるとともにスイッチング素子４を遮断させる。

また、ＬＪＨＦ電源端子Ｆへの印加電圧を例えば＋１２
Ｖにするとともに■１■Ｆ電源端子Ｅへの印加電圧を例
えばＯＶにすることで、スイッチング素子４を導通させ
るとともにスイッチング素子３を遮断させる。上記にお
いて、ＶＨＦＨＦ電源端子上びＵＨＦＨＦ電源端子中加
する電ｌＩＩ電圧は、いずれか一方への印加電圧が例え
ば＋１２Ｖとなると、他方は必ずＯｖとなるように設定
されている。

なお、Ｚは電界効果トランジスタ】のゲートＧ２に接続
されたＡＧＣ信号入力端子、Ｙは電界効果トランジスタ
２のゲートＧ２に接続されたＡＧＣ信号入力端子である
。

５〜８はそれぞれ抵抗、９はコンデンサである。

以上のように構成された高周波増幅装置について、以下
にその動作を説明する。

まず、ＶＨＦ入力信号が信号入力端子Ｃに加えられ、Ｕ
ＨＦ入力信号が信号入力端子Ｂに加えられる。

まず、ＶＨＦ信号選択時は、Ｖ　ＨＦ電源端子Ｅへの印
加電圧が例えば＋１．２ＶになるとともにＵＨＦ１！ｔ
Ａ端子Ｆへの印加電圧が例えばＯｖになる。

この結果、スイッチング素子３が順バイアスとなって導
通し、スイッチング素子４が逆バイアスとなって遮断す
る。したがって、電界効果トランジスタｌのみが高周波
増幅動作を行い、Ｖ　Ｉ−Ｉ　Ｆ入力信号を増幅してな
る信号がスイッチング素子３とコンデンサ１２′、抵抗
１３’および高周波コイル１４からなる直列共振回路と
を通してＵＨＦ・ＶＨＦ合成出力端子Ｇ′へ送られるこ
とになる。

つぎに、ＵＨＦ信号選択時は、ＵＨＦＨＦ電源端子中印
加電圧が例えば＋１２ＶになるとともにＶＨＦｉ源端子
Ｅへの印加電圧が例えば０■になる。この結果、スイッ
チング素子４が順バイアスとなって導通し、スイッチン
グ素子３が逆バイアスとなって遮断する。したがって、
電界効果トランジスタ２のみが高周波増幅動作を行い、
ｔＪＨＦ入力信号を増幅してなる信号がスイッチング素
子４を通してＵ　ＨＦ　−Ｖ　ＨＦ合成出力端子Ｇ′へ
送られることになる。

しかしながら、上記のような構成では、Ｖ　ＨＦ入力信
号を選択した時に、コンデンサ１２′、び抵抗１３’お
よび高周波コイル１４からなる直列共振回路のｉｌｌｌ
ｌ性が第４図に示すようになり、４００ＭＨｚから４５
０Ｍｌ−１ｚ帯で領域Ｘのようなトランプが生ずるとい
う！！！題があった。

上記第３図の高周波増幅装置の問題点を解消できるもの
として以下に述べるような高周波増幅装置が提案されて
いる。

第５図に高周波増幅装置の提案例の回路図を示す。

第５図の高周波増幅装置は、信号入力端子ＣがらＶＨＦ
入力信号がゲートＧ、に供給されるデュアルゲートタイ
プの高周波増幅用の電界効果トランジスタ１のドレイン
Ｄをスイッチング素子３とチョークコイルｌＯとをこの
順に介してＶ　ＨＦ電源端子Ｅに接続している。この場
合、スイッチング素子３を構成するスイッチングダイオ
ードは、カソードを電界効果トランジスタ１のドレイン
Ｄに接続し、アノードをチョークコイルｉｏに接続して
いる。

また、信号入力端子ＢからＵ　ＨＦ人力信号がゲートＧ
、に供給されるデュアルゲートタイプの高周波増幅用の
電界効果トランジスタ２のドレインＤをスイッチング素
子４と空心コイルからなる高周波コイル１４とチョーク
コイル１１とをこの順に介してＵ　ＨＦ電ａ、端子Ｆに
接続している。この場合、スイッチング素子４を構成す
るスイッチングダイオードは、カソードを電界効果トラ
ンジスタ２のドレインＤに接続し、アノードを高周波コ
イル１４に接続している。

また、スイッチング素子３およびチョークコイル１０の
接続点に高周波コイル１５．１６とコンデンサ１７とを
この順に直列に接続し、高周波コイル１６とコンデンサ
１７との直列回路と並列にスイッチング素子２０を接続
している。この場合、スイッチング素子２０を構成する
スイッチングダイオードは、アノードを高周波コイル１
６に接続し、カソードをコンデンサ１７に接続している
。

そして、コンデンサ１７とスイッチング素子２０の接続
点とアースとの間に抵抗１３を接続し、コンデンサ１７
とスイッチング素子２０の接続点とチョークコイルｌＯ
および高周波コイル１５との接続点との間にコンデンサ
１２を接続し、コンデンサ１７とスイッチング素子２０
の接続点とチョークコイル１１および高周波コイル１４
の接続点との間にスイッチング素子１９およびコンデン
サ１８の並列回路を接続している。この場合、スイッチ
ング素子１９を構成するスイッチングダイオードは、ア
ノードをチョークコイル１１および高周波コイル１４の
接続点に接続し、カソードをコンデンサ１７とスイッチ
ング素子２ｏの接続点に接続している。

さらに、チョークコイル１１および高周波コイル１４の
接続点にＵＨＦ・Ｖ　ＨＦ合成出力端子Ｇを設けている
。

そして、ＶＨＦ信号選択時にスイッチング素子３．２０
を導通させるとともにスイッチング素子４．１９を遮断
させ、ＵＨＦ信号選択時にスイッチング素子４，１９を
導通させるとともにスイッチング素子３．２０を遮断さ
せるようにしている。

この場合、スイッチング素子３，４，１９．２０の導通
・遮断は、ＶＨＦＨＦ電源端子上びＵ　Ｉ（Ｆ電源端子
Ｆに印加する電源電圧を変化させることで制御するよう
になっている。具体的には、ＶＨＦｉｔ源端子Ｅへの印
加電圧を例えば＋１２ＶにするとともにＵＨＦ電源端子
Ｆへの印加電圧を例えばＯｖにすることで、スイッチン
グ素子３．２０を導通させるとともにスイッチング素子
４．１９を遮断させる。また、ＶＨＦＨＦ電源端子上印
加電圧を例えばＯＶにするとともにＵ　ＨＦ電源端子Ｆ
への印加電圧を例えば＋１２Ｖにすることで、スイッチ
ング素子３．２０を遮断させるとともにスイッチング素
子４，１９を導通させる。上記において、ＶＨＦＨＦ電
源端子上びＵＨＦ’ｌ源端子Ｆに印加する電源電圧は、
従来例と同様に、いずれか一方への印加電圧が例えば＋
１２Ｖとなると、他方は必ず０■となるように設定され
ている。

上記以外の構成は第４図の従来例と同様である。

まず、ＶＨＦ信号選択時は、ＶＨＦ電源端子Ｅへの印加
電圧が例えば＋１．２　ＶになるとともにＵＨＦ電源端
子Ｆへの印加電圧が例えばＯＶになる。

この結果、スイッチング素子３．２０が順バイアスとな
って導通し、スイッチング素子４，１９が逆バイアスと
なって遮断する。この場合、スイッチング素子３が導通
することで、電界効果トランジスタ１が作動してＶ　Ｈ
Ｆ入力信号の高周波増幅を行い、ＶＨＦ入力信号を増幅
してなる信号が高周波コイル１４〜１６とコンデンサ１
２．１？。

１８とからなる共振回路を介してＵＨＦ・Ｖ　ＨＦ合成
出力端子Ｇへ送られることになる。

また、スイッチング素子２０の導通およびスイッチング
素子１９の遮断により、高周波コイル１６およびコンデ
ンサ１７の直列回路が交流的に短絡されて高周波コイル
１４〜１６とコンデンサ１２゜１７．１８とからなる共
振回路の共振インダクタンス値が小さ（なり、これによ
って共振回路のトラップ周波数がＵＨＦ帯域に移る。

具体的に説明すると、上記のようにＶＨＦ信号を選択し
た状態では、スイッチング素子２０が導通し、スイッチ
ング素子１９が遮断しているため、ＶＨＦ経路およびＵ
　ＨＦ経路間の共振回路は、高周波コイル１６とコンデ
ンサ１７とが交流的にショートされて第６図ｆａｔの等
価回路で表され、ＶＨＦ信号経路に直列に挿入されるこ
とになる。この場合、この第６図（ａｌの等価回路では
、高周波コイル１５とコンデンサ１２との並列共振回路
の反共振点（周波数ｆ２）が５００ＭＨｚ帯になり、こ
の並列共振回路の誘導性部（インダクタンス部）とコン
デンサ１７＋１８とが直列共振を起こし、その共振点（
周波数ｒ、）が４３０ＭＨｚ帯になる。したがって、こ
の状態での共振回路のインピーダンスの周波数特性は、
第６図ｆｂ）に示すようになる。

また、このときの通過特性は、第６図（Ｃ）に示すよう
に、周波数ｆ　ｌ（４３０Ｍｌ１ｚ帯）にピークがあり
、周波数ｒ　２　　（５００Ｍｌｌｚ帯）にトラップが
ある特性になる。

この際、スイッチング素子４が遮断しているので、第２
の電界効果トランジスタ２は作動しない。

一方、ＵＨＦ信号選択時は、ＵＨＦ？ｔ＃Ｉ端子Ｆへの
印端子圧が例えば＋１２Ｖになるとともに■ＨＦ１１を
源端子Ｅへの印加電圧が例えばＯｖになる。

この結果、スイッチング素子４，１９が順バイアスとな
って導通し、スイッチング素子３，２０が逆バイアスと
なって遮断する。この場合、スイッチング素子４が導通
ずることで、電界効果トランジスタ２が作動してＵＨＦ
入力信号の高周波増幅を行い、ＵＨＦ入力信号を増幅し
てなる信号が高周波コイル１４〜１６とコンデンサ１２
，１．７゜１８とからなる共振回路を介してＵＨＦ・Ｖ
ＨＦ合成出力端子Ｇへ送られることになる。

また、スイッチング素子１９の導通およびスイッチング
素子２０の遮断により、高周波コイル１６およびコンデ
ンサ１７の直列回路の短絡が中止されて高周波コイル１
４〜１６とコンデンサ１２゜１７．１８とからなる共振
回路の共振インダクタンス値が大きくなり、これによっ
て共振回路のトラップ周波数がＶ　ＨＦ帯域に移る。

具体的に説明すると、上記のようにＵＨＦ信号を選択し
た状態では、スイッチング素子１９が導通し、スイッチ
ング素子２０が遮断しているため、前記共振回路は、第
７図ｔａｌの等価回路で表され、この回路がＵＨＦ（８
号経路とアースとの間に挿入されることになる。この第
７図＋ａｌの等価回路では、第２の電界効果トランジス
タ２の出力信号は、スイッチング素子４を通して第７図
（ａｌの等価回路の端子Ｔに人力される。この端子Ｔに
入力された信号は、高周波コイル１４を通してＶＨＦ−
ＵＨＦ合成出力端子Ｇへ送られる。このＶ　ＨＦ・ＵＨ
Ｆ合成出力端子Ｇには、第７図（δ）の等価回路に示し
たとおり、高周波コイル１５．１６の直列回路とコンデ
ンサ１２との並列共振回路とスイッチング素子３の逆バ
イアス容量ＣＸＩとで構成される直並列共振回路が接続
されることになる。したがって、この状態での共振回路
のインピーダンスの周波数特性は、第７図（ｂｌに示す
ように、周波数ｒ１（４３０ＭＩＩｚ帯）に共振点があ
り、周波数ｆ２（５００ＭＨｚ帯）に反共振点がある特
性になる。

したがって、このときの通過特性は、第７図（ｅ）に示
すように、周波数ｆ　）’　　（４３０Ｍｌ（ｚ帯）に
トラップがあり、周波数ｒ２　’　　（５００ＭＨｚ帯
）にピークがある特性になる。

この際、スイッチング素子３が遮断しているので、第２
の電界効果トランジスタ１は作動しない。

以上のように、ＶＨＦ入力信号の選択時には、高周波コ
イル１４〜１６とコンデンサ１２，１７゜１８とからな
る共振回路の共振インダクタンス値を小さ（し、そのト
ラップ周波数を高くしてＵＨＦ帯域へ移し、ＵＨＦ入力
信号の選択時には、高周波コイル１４〜１６とコンデン
サ１２．１？。

１８とからなる共振回路の共振インダクタンス（直を大
きくし、そのトラップ周波数を低くしてＶＨＦ帯域へ移
すことにより、ＶＨＦ入力信号選択時およびＵＨＦ人力
信号選択時ともに、Ｖ　ＨＦ　−ＵＨＦ合成出力端子Ｇ
からの出力信号の特性を改善して例えばダブルバランス
ミキサ回路への結合時における損失を少なくすることが
できる。すなわち、この提案例によれば、従来例で述べ
たＶＨＦ帯受信時の４００ＭＨｚから４５０　Ｍｌｌｚ
帯のトラップによる損失を軽減することができる。

以上のような装置においては、ＶＨＦ経路ではＶＨＦ帯
の放送波とＣＡＴＶ帯のスーパーハイバンドまで（９０
ＭＩｌｚ〜４６８　Ｍｌｌｚ）を受信することになって
いるので、ＶＨＦ経路での受信時に４００〜４５０ＭＨ
ｚ帯のトラップが信号伝達経路に挿入されると具合が悪
いが、その帯域外の５００ＭＨｚ帯のトラップであれば
問題はない、また、ＵＨＦ経路での受信時には、ＵＨＦ
帯域（４７０〜７７０Ｍｂ）にトランプが構成されると
具合が悪いが、４３０ＭＨｚ帯でのトラップは問題とは
ならない。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、この提案例の高周波増幅装置は、ＵＨＦ帯を選
択したときに、４８０ＭＨｚ帯の利得が大きくなりすぎ
、高周波増幅装置自体ならびに後段のミキサ回路におい
て２次歪を発生し、中間周波数を例えば９６０Ｍｂに設
定する場合には、特に影響が大きいという問題があった
。

この発明は、ミキサ回路への結合時における損失を少な
くすることができ、しかもＵＨＦ入力信号選択時におけ
る２次歪を軽減することができる高周波増幅装置を提供
するものである。

（課題を解決するための手段〕この発明の高周波増幅装置は、高周波人力信号をＶＨＦ
入力信号およびＵＨＦ入力信号の２系統に分配し、Ｖ　
ＨＦ入力信号およびＵＨＦ入力信号を個別に増幅して共
通に出力するようにしている。

このために、ＶＨＦ入力信号用の第１の増幅用トランジ
スタの一端を第１のスイッチング素子と第１のチョーク
コイルとをこの順に介して第１の電源に接続し、ＵＨＦ
人力信号用の第２の増幅用トランジスタの一端を第２の
スイッチング素子および第１の高周波コイルの直列回路
と第２のチョークコイルとをこの順に介して第２の電源
に接続している。

また、第１のスイッチング素子および第１のチョークコ
イルの接続点に第２の高周波コイルおよび第３のスイッ
チング素子の直列回路の一端を接続し、第２の高周波コ
イルおよび第３のスイッチング素子の直列回路の他端に
第４のスイッチング素子およびコンデンサの並列回路の
一端を接続するとともに、第２のチョークコイルと第２
のスイッチング素子および第１の高周波コイルの直列回
路との接続点に第４のスイッチング素子およびコンデン
サの並列回路の他端を接続している。

さらに、第２のスイッチング素子および第１の高周波コ
イルの直列回路と第２のチョークコイルとの接続点にＵ
ＨＦ・ＶＨＦ合成出力端子を設けている。

〔作　　　用〕

この発明の構成においては、Ｖ　ＨＦ入力信号選択時に
は、第１および第３のスイッチング素子を導通させると
ともに第２および第４のスイッチング素子を遮断させる
。この場合、第１のスイッチング素子が導通することで
、第１の増幅用トランジスタが作動してＶ　ＩＩ　Ｆ入
力信号が高周波増幅される。また、第３のスイッチング
素子の導通および第４のスイッチング素子の遮断により
、第２の高周波コイルと浮遊容量とからなる共振回路に
より３５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの周波数帯域でピーキ
ングがかかった通過特性となる。

一方、ＵＨＦ人力信号選択時には、第２および第４のス
イッチング素子を導通させるとともに第１および第３の
スイッチング素子を遮断させる。

この場合、第２のスイッチング素子が導通することで、
第２の増幅用トランジスタが作動してＵＨＦ入力信号が
高周波増幅される。また、第４のスイッチング素子の導
通および第３のスイッチング素子の遮断により、共振回
路が形成されなくなり、通過特性は平坦となる。

〔実　施　例〕

以下、この発明の実施例を図面を参照しながら説明する
。

第１図にこの発明の一実施例の高周波増幅装置の回路図
を示す。

第１図の高周波増幅装置は、信号入力端子ＣからＶＨＦ
入力信号がゲートＧｌに供給されるデュアルゲートタイ
プの高周波増幅用の第１の電界効果トランジスタ１のド
レインＤを第１のスイッチング素子３と第１のチョーク
コイル１０とをこの順に介してＶＨＦＨＦ電源端子上続
している。この場合、スイッチング素子３を構成するス
イッチングダイオードは、カソードを電界効果トランジ
スタｌのドレインＤに接続し、アノードをチョークコイ
ル１０に接続している。

また、信号入力端子ＢからＵＨＦ入力信号がゲートＧ、
に供給されるデュアルゲートタイプの高周波増幅用の第
２の電界効果トランジスタ２のドレインを第２のスイッ
チング素子４と空心コイルからなる第１の高周波コイル
１４と第２のチョークコイル１１とをこの順に介してυ
ＨＦ電源端子Ｆに接続している。この場合、スイッチン
グ素子４を構成するスイッチングダイオードは、カソー
ドを電界効果トランジスタ２のドレインに接続し、アノ
ードを高周波コイル１４に接続している。

また、スイッチング素子３およびチョークコイルｌＯの
接続点に第２の高周波コイル１５および第３のスイッチ
ング素子２Ｇの直列回路の一端を接続している。この場
合、スイッチング素子３およびチョークコイルｌＯの接
続点に高周波コイル１５の一端を接続し、高周波コイル
１５の他端にスイッチング素子２０を構成するスイッチ
ングダイオードのアノードを接続している。

そして、高周波コイル１５およびスイッチング素子２０
の直列回路の他端とアースとの間に抵抗１３を接続し、
高周波コイル１５およびスイッチング素子２０の直列回
路の他端とチョークコイル１１および高周波コイル１４
の接続点との間に第４のスイッチング素子１９およびコ
ンデンサ１８の並列回路を接続している。この場合、ス
イッチング素子１９を構成するスイッチングダイオード
は、アノードをチョークコイル１１および高周波コイル
１４の接続点に接続し、カソードを高周波コイル１５お
よびスイッチング素子２０の直列回路の他端に接続して
いるａｃｘ２は浮遊容量である。

さらに、チョークコイル１１および高周波コイル１４の
接続点にＵ　ＨＦ・ＶＨＦＨＦ合成出力端子膜けている
。

そして、Ｖ）ＩＦ信号選択時にスイッチング素子３．２
０を導通させるとともにスイッチング素子４．１９を遮
断させ、ＵＨＦ信号選択時にスイッチング素子４．１９
を導通させるとともにスイッチング素子３．２０を遮断
させるようにしている。

この場合、スイッチング素子３，４，２０．１９の導通
・遮断は、ＶＨＦＨＦ電源端子上びＵＨＦ電源端子Ｆに
印加する電源電圧を変化させることで制御するようにな
っている。具体的には、ＶＨＦＨＦ電源端子上印加電圧
を例えば＋１２ＶにするとともにＵＨＦ電源端子Ｆへの
印加電圧を例えばＱＶにすることで、スイッチング素子
３．２０を導通させるとともにスイッチング素子４，１
９を遮断させる。また、ＶＨＦＨＦ電源端子上印加電圧
を例えばＯｖにするとともにＵＨＦ電源端子Ｆへの印加
電圧を例えば＋１２Ｖにすることで、スイッチング素子
３．２０を遮断させるとともにスイッチング素子４，１
９を導通させる。上記において、ＶＨＦＨＦ電源端子上
びＵＨＦｉ源端子Ｆに印加する電源電圧は、いずれか一
方への印加電圧が例えば＋１２Ｖとなると、他方は必ず
ＱＶとなるように設定されている。

上記以外の構成は第３図の従来例と同様である。

まず、ＶＨＦ信号選択時は、Ｖ）ＩＦ電電源端子への印
加電圧が例えば＋１２ＶになるとともにＵＨＦ電源端子
Ｆへの印加電圧が例えば０■になる。

この結果、スイッチング素子３，２０が順バイアスとな
って導通し、スイッチング素子４．１９が洋バイアスと
なって遮断する。この場合、スイッチング素子３が導通
することで、電界効果トランジスタｌが作動してＶＨＦ
入力信号の高周波増幅を行い、ＶＨＦ入力信号を増幅し
てなる信号が高周波コイル１４．１５とコンデンサ１８
とからなる回路を介してＬＩＨＦ　−ＶＨＦ合成出力端
子Ｇへ送られることになる。

また、スイッチング素子２０の導通およびスイッチング
素子１９の遮断により、高周波コイル１５と浮遊容ＩＣ
ｘ□とが直列共振回路を構成し、その共振周波数が３５
０〜４５０ＭＨｚ帯にあるので、通過特性に３５０　Ｍ
ｌｌｚ〜４５０　ＭＨｚ帯にピーキングがかかることに
なり、従来例のような４５０ＭＨｚ帯のトラップは生じ
ない。

一方、ＵＨＦ信号選択時は、ＵＨＦ電源端子Ｆへの印加
電圧が例えば＋１２ＶになるとともにＶＨＦｉｔ源端子
Ｅへの印加電圧が例えばＯＶになる。

この結果、スイッチング素子４，１９がｌｉ［バイアス
となって導通し、スイッチング素子３．２０が逆バイア
スとなって遮断する。この場合、スイッチング素子４が
導通することで、電界効果トランジスタ２が作動してＵ
ＨＦ入力信号の高周波増幅を行い、ＵＨＦ入力信号を増
幅してなる信号が高周波コイル１４．１５およびコンデ
ンサ１８とからなる回路を介してＵＨＦ・ＶＨＦ合成出
力端子Ｇへ送られることになる。

また、スイッチング素子１９の導通およびスイッチング
素子２０の遮断により、Ｖ　ＨＦ　−Ｕ　ＨＦ合成出力
端子Ｇには、スイッチング素子２ｏの逆バイアス容量と
浮遊容量Ｃｘ□との直列容量がアースとの間に接続され
るのみとなり、通過特性が第２図に示すようなトラップ
のない平坦な特性となる。

以上のように、ＶＨＦ入力信号の選択時には、高周波コ
イル１５と浮遊容量との共振で通過特性が３５０　ＭＨ
ｚ〜４５０　ＭＨｚの周波数帯域でピーキングがかかっ
た特性となって従来例のような４５０ＭＨｚ帯のトラッ
プがなくなり、またＵＨＦ入力信号の選択時には、共振
回路が形成されず、平坦な通過特性となる。したがって
、ＶＨＦ入力信号選択時およびＵＨＦ人力信号選択時と
もに、ＶＨＦ・ＵＨＦ合成出力端子からの出力信号の特
性を改善して例えばダブルバランスミキサ回路への結合
時における損失を少なくすることができる。すなわち、
この実施例によれば、ＶＨＦ帯受信時の４００ＭＨｚか
ら４５０ＭＨｚ帯のトラップによる損失を軽減すること
ができる。

〔発明の効果〕

この発明の高周波増幅ｖｔＩによれば、第１のスイッチ
ング素子および第１のチョークコイルの接続点に第２の
高周波コイルおよび第３のスイッチング素子の直列回路
の一端を接続し、第２の高周波コイルおよび第３のスイ
ッチング素子の直列回路の他端に第４のスイッチング素
子およびコンデンサの並列回路の一端に接続するととも
に、第２のスイッチング素子および第１の高周波コイル
の直列回路と第２のチョークコイルとの接続点に第４の
スイッチング素子およびコンデンサの並列回路の他端を
接続し、第２のスイッチング素子および第１の高周波コ
イルの直列回路と第２のチョークコイルとの接続点にＵ
ＨＦ・ＶＨＦ合成出力端子を設け、ＶＨＦ信号選択時に
第３のスイッチング素子を導通させるとともに第４のス
イ・７チング素子を遮断させ、ＵＨＦ信号選択時に第３
のスイソチング素子を遮断させるとともに第４のスイッ
チング素子を導通させるようにしたので、ＶＨＦ入力信
号の選択時には、第２の高周波コイルと浮遊容量との共
振で通過特性が例えば３５０Ｍ１ｌｚ〜４５０ＭＨｚの
周波数帯域でピーキングがかかった特性となって従来例
のような４５０Ｍ１ｌｚ帯のトラップがなくなり、また
ＵＨＦ入力信号の選択時には、共振回路が形成されず、
平坦な通過特性となる。したがって、ＶＨＦ入力信号選
択時およびＵＨＦ入力信号選択時ともに、ＶＨＦ−ＬＪ
ＨＦ合成出力端子からの出力信号の特性を改善してミキ
サ回路への結合時における損失を少なくすることができ
る。

また、ＵＨＦ入力信号の選択時における通過特性が平坦
であるため、ＵＨＦ人力信号の選択時において例えば４
８０　ＭＨｚ帯の利得が大きくなりすぎることはなく、
２次歪特性の優れた高周波増幅装置を得ることができる
。したがって、中間周波数を９６０ＭＨｚに設定しても
何ら不都合はない。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の高周波増幅装置の構成を
示す回路図、第２図は第１図の高周波増幅装置のＵＨＦ
帯選択時の共振回路の通過特性図、第３図は従来の高周
波増幅ｖ装置の回路図、第４図は第３図の従来例におけ
る共振回路の通過特性図、第５図は高周波増幅装置の提
案例の構成を示す回路図、第６図（Ｊｌ）は第１図の高
周波増幅装置のＶＨＦ帯選択時の共振回路の等価回路図
、第６図（ｂｌは同図（ａ）の共振回路のインピーダン
スの周波数特性図、第６図（Ｃ）は同図（ａｌの共振回
路の通過特性図、第７図（ａ）は第１図の高周波増幅装
置のＵＨＦ帯選択時の共振回路の等価回路図、第７図（
ｂｌは同図ｔａｌの共振回路のインピーダンスの周波数
特性図、第７図（Ｃ１は同図ｔａｌの共振回路の通過特
性図である。 ■・・・第１の電界効果トランジスタ、２・・・第２の
電界効果トランジスタ、３・・・第１のスイッチング素
子、４・・・第２のスイッチング素子、ｌＯ・・・第１
のチラークコイル、１１・・・第２の千援−クコイル、
１３・・・抵抗、１４・・・第１の高周波コイル、１５
・・・第２の高周波コイル、１８・・・コンデンサ、１
９・・・第４のスイッチング素子、２０・・・第３のス
イッチング素子、Ｅ・・・ＶＨＦ電源端子、Ｆ・・・Ｕ
ＨＦｔＨＦ電源端子・・ＵＨＦ−ＶＨＦ合成出力端子第
２図Ｂ第図岩図

Claims

【特許請求の範囲】

ＶＨＦ入力信号用の第１の増幅用トランジスタの一端を
第１のスイッチング素子と第１のチョークコイルとをこ
の順に介して第１の電源に接続し、ＵＨＦ入力信号用の
第２の増幅用トランジスタの一端を第２のスイッチング
素子および第１の高周波コイルの直列回路と第２のチョ
ークコイルとをこの順に介して第２の電源に接続し、前
記第１のスイッチング素子および前記第１のチョークコ
イルの接続点に第２の高周波コイルおよび第３のスイッ
チング素子の直列回路の一端を接続し、前記第２の高周
波コイルおよび前記第３のスイッチング素子の直列回路
の他端に第４のスイッチング素子およびコンデンサの並
列回路の一端を接続するとともに、前記第２のスイッチ
ング素子および第１の高周波コイルの直列回路と前記第
２のチョークコイルとの接続点に前記第４のスイッチン
グ素子およびコンデンサの並列回路の他端を接続し、前
記第２のスイッチング素子および第１の高周波コイルの
直列回路と前記第２のチョークコイルとの接続点にＵＨ
Ｆ・ＶＨＦ合成出力端子を設け、ＶＨＦ信号選択時に前
記第１および第３のスイッチング素子を導通させるとと
もに前記第２および第４のスイッチング素子を遮断させ
、ＵＨＦ信号選択時に前記第２および第４のスイッチン
グ素子を導通させるとともに前記第１および第３のスイ
ッチング素子を遮断させるようにしたことを特徴とする
高周波増幅装置。