JPH02267754A - 磁気光学記録媒体 - Google Patents
磁気光学記録媒体Info
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- JPH02267754A JPH02267754A JP1089318A JP8931889A JPH02267754A JP H02267754 A JPH02267754 A JP H02267754A JP 1089318 A JP1089318 A JP 1089318A JP 8931889 A JP8931889 A JP 8931889A JP H02267754 A JPH02267754 A JP H02267754A
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- Japan
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- film
- recording
- temp
- coercive force
- gdtbfe
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9265—Special properties
- Y10S428/928—Magnetic property
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、重希土類−遷移金属非晶質合金薄膜を２層化
することにより高性能な記録・再生が行える磁気光学記
録媒体に関するものである。
することにより高性能な記録・再生が行える磁気光学記
録媒体に関するものである。
ＧｄＣｏやＴｂＦｅなどの重希土類−遷移金属非晶質合
金薄膜（以下、ＲＥ−ＴＭ膜と称す）は、磁気光学記録
に適した特性を有することから、光磁気ディスク装置の
記録媒体として使用されている。ＲＥ−ＴＭ膜は、記録
感度や記録密度に関しては十分な性能を示すことが知ら
れている。しかし、読み出し時（再生時）の信号対雑音
比に関しては、再生専用あるいは追記型として実用化さ
れている光記録材料の場合に比べてかなり劣っている。
金薄膜（以下、ＲＥ−ＴＭ膜と称す）は、磁気光学記録
に適した特性を有することから、光磁気ディスク装置の
記録媒体として使用されている。ＲＥ−ＴＭ膜は、記録
感度や記録密度に関しては十分な性能を示すことが知ら
れている。しかし、読み出し時（再生時）の信号対雑音
比に関しては、再生専用あるいは追記型として実用化さ
れている光記録材料の場合に比べてかなり劣っている。
磁気光学記録媒体の読み出し性能は、磁気光学効果、即
ち、カー回転角やファラデー回転角の大きさに依存して
いる。これまでにＲＥ−ＴＭ膜の磁気光学効果を増強す
るために、ＢｉやＳｎ等の元素添加が試みられている。
ち、カー回転角やファラデー回転角の大きさに依存して
いる。これまでにＲＥ−ＴＭ膜の磁気光学効果を増強す
るために、ＢｉやＳｎ等の元素添加が試みられている。
また、読み出し性能を向上させるために、磁気光学効果
の大きい材料を読み出し層とし、記録保持に適した材料
を記録層とする交換結合２層膜が知られている。
の大きい材料を読み出し層とし、記録保持に適した材料
を記録層とする交換結合２層膜が知られている。
上記の２層膜に要求される材料の磁気的性質を説明する
と以下の通りである。
と以下の通りである。
まず、記録層では、キュリ温度が適当で、かつ、高保磁
力が要求される。一方、読み出し層では、上記の磁気光
学効果が太き（、かつ、低保磁力が要求される。
力が要求される。一方、読み出し層では、上記の磁気光
学効果が太き（、かつ、低保磁力が要求される。
例えば、交換結合２層膜の例として特開昭６３１８５４
４がある。この場合、記録層としてＴｂＦｅＭ（ＭはＣ
ｒおよびＡｔから選ばれる１種の元素）が使用され、読
み出し層としてＧｄＦｅＣ０が使用されている。
４がある。この場合、記録層としてＴｂＦｅＭ（ＭはＣ
ｒおよびＡｔから選ばれる１種の元素）が使用され、読
み出し層としてＧｄＦｅＣ０が使用されている。
（発明が解決しようとする課Ｂ）
読み出し性能は、磁気光学効果、即ち、カー回転角やフ
ァラデー回転角が大きいほど向上する。
ァラデー回転角が大きいほど向上する。
磁気光学効果は、−ａに入射するレーザ光の波長に依存
する。
する。
しかし、上記従来の構成では、短波長領域の波長を有す
る入射レーザ光に対して、磁気光学効果が減少するので
カー回転角やファラデー回転角が小さくなり、読み出し
時の信号対雑音比が劣化する。また、短波長領域の波長
を有するレーザ光を使用して記録媒体の記録密度を向上
させることに関しては限界がある。従って、記録・再生
時に使用するレーザ光の波長が限定されるので、記録媒
体の材質も限定され、汎用性がなくなる等の問題点を有
している。
る入射レーザ光に対して、磁気光学効果が減少するので
カー回転角やファラデー回転角が小さくなり、読み出し
時の信号対雑音比が劣化する。また、短波長領域の波長
を有するレーザ光を使用して記録媒体の記録密度を向上
させることに関しては限界がある。従って、記録・再生
時に使用するレーザ光の波長が限定されるので、記録媒
体の材質も限定され、汎用性がなくなる等の問題点を有
している。
本発明に係る磁気光学記録媒体は、上記課題を解決する
ために、保磁力が大きく、かつ、キュリ温度が低い記録
特性に優れたＧｄＴｂＦｅ記録膜と、上記ＧｄＴｂＦｅ
記録膜面のレーザ光の入射側に、保磁力が小さく、キュ
リ温度が高（、かつ、磁気光学効果が大きい再生特性に
優れたＣ、ｄＮｄＦｅ読み出し膜とが２層膜化されて形
成されていることを特徴としている。
ために、保磁力が大きく、かつ、キュリ温度が低い記録
特性に優れたＧｄＴｂＦｅ記録膜と、上記ＧｄＴｂＦｅ
記録膜面のレーザ光の入射側に、保磁力が小さく、キュ
リ温度が高（、かつ、磁気光学効果が大きい再生特性に
優れたＣ、ｄＮｄＦｅ読み出し膜とが２層膜化されて形
成されていることを特徴としている。
上記の構成によれば、レーザ光の照射に伴い、ＣｄＴｂ
Ｆｅ記録膜によって情報が記録され、ＧｄＮｄＦｅ読み
出し膜によって記録された情報が読み出される。この時
、レーザ光の入射側からＧｄＮｄＦｅおよびＧｄＴｂＦ
ｅ記録膜が、この順に２層膜化されて形成されているの
で、ＣｄＴｂＦｅ記録膜からＧｄＮｄ Ｆ ｅ読み出し
膜へ量子力学的な交換結合作用によって実効的に交換結
合磁界が印加される。これに伴って、ＧｄＮｄ Ｆ ｅ
読み出し膜の保磁力が大きくなるので、記録した情報が
安定して保持できる。さらに、ＧｄＴｂＦｅ記録膜に記
録された情報は、外乱等による外部磁界に対しても非常
に安定した状態となる。
Ｆｅ記録膜によって情報が記録され、ＧｄＮｄＦｅ読み
出し膜によって記録された情報が読み出される。この時
、レーザ光の入射側からＧｄＮｄＦｅおよびＧｄＴｂＦ
ｅ記録膜が、この順に２層膜化されて形成されているの
で、ＣｄＴｂＦｅ記録膜からＧｄＮｄ Ｆ ｅ読み出し
膜へ量子力学的な交換結合作用によって実効的に交換結
合磁界が印加される。これに伴って、ＧｄＮｄ Ｆ ｅ
読み出し膜の保磁力が大きくなるので、記録した情報が
安定して保持できる。さらに、ＧｄＴｂＦｅ記録膜に記
録された情報は、外乱等による外部磁界に対しても非常
に安定した状態となる。
本発明の一実施例を第１図ないし第１８図に基づいて説
明すれば、以下の通りである。
明すれば、以下の通りである。
本発明に係る磁気光学記録媒体は、第１図に示すように
、レーザ光の入射側から基板１、第１窒化膜２、ＧｄＮ
ｄＦｅ読み出し膜３、ＧｄＴｂＦｅ記録膜４および第２
窒化膜５が、この順に形成されている。
、レーザ光の入射側から基板１、第１窒化膜２、ＧｄＮ
ｄＦｅ読み出し膜３、ＧｄＴｂＦｅ記録膜４および第２
窒化膜５が、この順に形成されている。
基板１は、例えば、ポリカーボネイトやガラスのような
透明な材質の基板を使用し、入射レーザ光を後述するＧ
ｄＮｄＦｅ読み出し膜３およびＧｄＴｂＦｅ記録膜４へ
照射させると共に、第１窒化膜２〜第２窒化膜５を保護
している。第１窒化膜２は、磁気光学効果によりカー回
転角が大きくなるような誘電体材質のものを使用し、読
み出し性能を良くするために設けられている。
透明な材質の基板を使用し、入射レーザ光を後述するＧ
ｄＮｄＦｅ読み出し膜３およびＧｄＴｂＦｅ記録膜４へ
照射させると共に、第１窒化膜２〜第２窒化膜５を保護
している。第１窒化膜２は、磁気光学効果によりカー回
転角が大きくなるような誘電体材質のものを使用し、読
み出し性能を良くするために設けられている。
ＧｄＮｄＦｅ読み出し膜（以下、単に読み出し膜と称す
）３は、第２図に示すようにＧｄＮｄ ＦｅのＧｄの組
成比であるＸがほぼ０． ２以下のものを使用すると、
波長７８０（ｎｍ）のレーザ光を光源とした場合、Ｎｄ
の組成比によっても若干界なるが、カー回転角θ８は０
． ４°程度と比較的大きいので、読み出し膜として優
れている。第２図には、Ｎｄの組成比であるｙが０．１
および０゜０４の場合についての特性が示されている。
）３は、第２図に示すようにＧｄＮｄ ＦｅのＧｄの組
成比であるＸがほぼ０． ２以下のものを使用すると、
波長７８０（ｎｍ）のレーザ光を光源とした場合、Ｎｄ
の組成比によっても若干界なるが、カー回転角θ８は０
． ４°程度と比較的大きいので、読み出し膜として優
れている。第２図には、Ｎｄの組成比であるｙが０．１
および０゜０４の場合についての特性が示されている。
また、第３図に示すように、波長４００（ｎｍ）のレー
ザ光を光源とした場合においても、カー回転角θ１の低
下が著しく小さいことは明らかである。第３図には、第
２図と同様にＮｄの組成比であるｙが０．１および０．
０４の場合についての特性が示されている。さらに、第
４図に示すように、ＧｄＮｄＦｅは可視光の光源の全波
長領域にわたって、カー回転角ｅｋは波長に依存せず、
はぼ一定である。一方、第４図から明らかなように、Ｇ
ｄＴｂＦｅは、短波長領域では波長が短くなるにつれて
そのカー回転角は低下する傾向にある。ところで、第６
図〜第８図に示すように、読み出し膜３のカー回転角θ
３の温度依存特性は、その組成比が変化しても同じよう
な特性となっている。
ザ光を光源とした場合においても、カー回転角θ１の低
下が著しく小さいことは明らかである。第３図には、第
２図と同様にＮｄの組成比であるｙが０．１および０．
０４の場合についての特性が示されている。さらに、第
４図に示すように、ＧｄＮｄＦｅは可視光の光源の全波
長領域にわたって、カー回転角ｅｋは波長に依存せず、
はぼ一定である。一方、第４図から明らかなように、Ｇ
ｄＴｂＦｅは、短波長領域では波長が短くなるにつれて
そのカー回転角は低下する傾向にある。ところで、第６
図〜第８図に示すように、読み出し膜３のカー回転角θ
３の温度依存特性は、その組成比が変化しても同じよう
な特性となっている。
以上より、ＧｄＮｄ Ｆｅを読み出し膜に採用すれば、
短波長の入射レーザ光の使用によって著しく記録密度が
向上する。たとえば、第２高調波発生素子（Ｓ、Ｈ，Ｇ
、）等の使用によって入射レーザ光の波長が、その波長
の半分の値になれば、記録密度は約４倍になる。
短波長の入射レーザ光の使用によって著しく記録密度が
向上する。たとえば、第２高調波発生素子（Ｓ、Ｈ，Ｇ
、）等の使用によって入射レーザ光の波長が、その波長
の半分の値になれば、記録密度は約４倍になる。
読み出し膜３の保磁力は、第５図に示すように、ＧｄＮ
ｄＦｅの組成比を変化させても、１ｋＯｅ程度と小さい
。ここで第５図には、Ｎｄの組成比ｙが、それぞれ０．
１および０．０４の場合の特性が示されている。また、
第６図〜第８図に示すように、読み出し膜３における保
磁力の温度依存性は、その組成比によって異なり、第７
図（Ｇｄｏ、ｚｏ６Ｎｄｏ、ｏ４ｓ Ｆ ｅｏ、ｔａｂ
）および第８図（Ｇ ｄＯ，ｚ＋Ｎｄｏ、ｏ４４Ｆ
ｅｏ、ｒ４ｈ ）では、キュリ温度の途中に補償温度が
存在している。一方、第６図（Ｇｄｏ、＋、＋ Ｎｄａ
、ｏ３ｅ Ｆ ｅｏ、ｔ７＋ ）では、温度補償が存在
せず、一般に保磁力が小さい。しかしながら、読み出し
膜３は、２層膜化により後述するＧｄＴｂＦｅ記録膜４
と量子力学的な交換結合作用によって交換結合されてい
るので、読み出し膜３の保磁力が小さくても、読み出し
膜としての機能が十分果たせることになる。
ｄＦｅの組成比を変化させても、１ｋＯｅ程度と小さい
。ここで第５図には、Ｎｄの組成比ｙが、それぞれ０．
１および０．０４の場合の特性が示されている。また、
第６図〜第８図に示すように、読み出し膜３における保
磁力の温度依存性は、その組成比によって異なり、第７
図（Ｇｄｏ、ｚｏ６Ｎｄｏ、ｏ４ｓ Ｆ ｅｏ、ｔａｂ
）および第８図（Ｇ ｄＯ，ｚ＋Ｎｄｏ、ｏ４４Ｆ
ｅｏ、ｒ４ｈ ）では、キュリ温度の途中に補償温度が
存在している。一方、第６図（Ｇｄｏ、＋、＋ Ｎｄａ
、ｏ３ｅ Ｆ ｅｏ、ｔ７＋ ）では、温度補償が存在
せず、一般に保磁力が小さい。しかしながら、読み出し
膜３は、２層膜化により後述するＧｄＴｂＦｅ記録膜４
と量子力学的な交換結合作用によって交換結合されてい
るので、読み出し膜３の保磁力が小さくても、読み出し
膜としての機能が十分果たせることになる。
即ち、交換結合作用による交換結合力によって読み出し
膜３の見かけの保磁力の絶対値Ｈ６は、近似的に次式（
１）で表すことができる。
膜３の見かけの保磁力の絶対値Ｈ６は、近似的に次式（
１）で表すことができる。
Ｈ，＝σｗ ／ （２ｘＭ、ｘｈ） ・＝・ （１）
ただし、σ、は２層膜の界面に生じる一種の磁壁のエネ
ルキ密度（ｅｒｇ／ｃ＋ｆｌ）を表し、Ｍ、は読み出し
膜３の飽和磁化（ｅｍｕ／ＣＴＡ）を表し、ｈは読み出
し膜３の膜厚を表している。
ただし、σ、は２層膜の界面に生じる一種の磁壁のエネ
ルキ密度（ｅｒｇ／ｃ＋ｆｌ）を表し、Ｍ、は読み出し
膜３の飽和磁化（ｅｍｕ／ＣＴＡ）を表し、ｈは読み出
し膜３の膜厚を表している。
例えば、σＷ ＝ １ （ｅｒｇ／ｃ＋Ｊ） 、ｈ＝５
００人とし、Ｍｌは第９図に基づいて１００ （ｅｍｕ
／ｃ＋ｆｌ）を越えない範囲でＭｓ ＝ ３０ （ｅｍ
ｕ／ｃ＋ｆｌ）として保磁力Ｈｃを（１）式から計算す
ると、Ｈｃは約６゜７ｋＯｅとなる。これは、記録する
情報の微小ビットを保持するのに十分な保磁力である。
００人とし、Ｍｌは第９図に基づいて１００ （ｅｍｕ
／ｃ＋ｆｌ）を越えない範囲でＭｓ ＝ ３０ （ｅｍ
ｕ／ｃ＋ｆｌ）として保磁力Ｈｃを（１）式から計算す
ると、Ｈｃは約６゜７ｋＯｅとなる。これは、記録する
情報の微小ビットを保持するのに十分な保磁力である。
ところで、読み出し膜３の組成比に関しては、第１０図
より、垂直磁化膜が得られる条件に基づいて好ましくは
、下記（２）（３）式を同時に満足する範囲に限定され
る。第１０図中の数値は、保磁力を表している。
より、垂直磁化膜が得られる条件に基づいて好ましくは
、下記（２）（３）式を同時に満足する範囲に限定され
る。第１０図中の数値は、保磁力を表している。
０、 １＜ｘ＜０．３ ・・・・・・（２）Ｑ＜ｙ
＜０．２５ ・・・・・・（３）ただし、Ｘおよ
びｙはＧｄｘ ＮａｙＦｅ＋−ｘ−ｙを満足し、ＸはＧ
ｄの組成比を表しており、ｙはＮｄの組成比を表してい
る。
＜０．２５ ・・・・・・（３）ただし、Ｘおよ
びｙはＧｄｘ ＮａｙＦｅ＋−ｘ−ｙを満足し、ＸはＧ
ｄの組成比を表しており、ｙはＮｄの組成比を表してい
る。
ＧｄＴｂＦｅ記録膜（以下、単に記録膜と称す）４は、
第１１図に示すように、５ｋＯｅ以上の高保磁力を有す
る膜が比較的容易に作成可能である。記録膜４の保磁力
の温度依存特性は、その組成比により異なり、第１２図
〜第１５図に示すように、いずれの場合も高保磁力を有
する特性となっており、記録膜として優れていることが
理解できる。ここで第１２図は、（Ｇｄｏ、ｓ Ｔｂｏ
、ｓ ）。、＋ａｓ Ｆｅｏ、ｇｓｓの保磁力の温度依
存性を表し、第１３図は、（Ｇ ｄｏ、ｓ Ｔ ｂｏ、
ｓ ） ０．１６９ Ｆ ｅｏ。
第１１図に示すように、５ｋＯｅ以上の高保磁力を有す
る膜が比較的容易に作成可能である。記録膜４の保磁力
の温度依存特性は、その組成比により異なり、第１２図
〜第１５図に示すように、いずれの場合も高保磁力を有
する特性となっており、記録膜として優れていることが
理解できる。ここで第１２図は、（Ｇｄｏ、ｓ Ｔｂｏ
、ｓ ）。、＋ａｓ Ｆｅｏ、ｇｓｓの保磁力の温度依
存性を表し、第１３図は、（Ｇ ｄｏ、ｓ Ｔ ｂｏ、
ｓ ） ０．１６９ Ｆ ｅｏ。
＋１ｆｆｌ の保磁力の温度依存性を表し、第１４図は
、（Ｇ ｄｏ、ｓ Ｔ ｂｏ、ｓ ） ｏ、＋ｓｚ Ｆ
ｅｏ、ａ＋ｓの保磁力の温度依存性を表し、第１５図
は、（ｃａｏ、ｓ’ｒｂｏ、ｓ ） ０．２３５ Ｆ
ｅｏ、ｒｂｓの保磁力の温度依存性を表している。
、（Ｇ ｄｏ、ｓ Ｔ ｂｏ、ｓ ） ｏ、＋ｓｚ Ｆ
ｅｏ、ａ＋ｓの保磁力の温度依存性を表し、第１５図
は、（ｃａｏ、ｓ’ｒｂｏ、ｓ ） ０．２３５ Ｆ
ｅｏ、ｒｂｓの保磁力の温度依存性を表している。
第１６図に示すように、キュリ温度は約１５０゜〜１７
０°の範囲で比較的高く、従って記録感度も良（なる。
０°の範囲で比較的高く、従って記録感度も良（なる。
また、第１６図に示すように、比較的長波長領域におい
ては、その組成比に関係なくカー回転角θアは、はぼ０
．４°と一定である。
ては、その組成比に関係なくカー回転角θアは、はぼ０
．４°と一定である。
ただし、第１６図は、光源波長が７８０ｎｍにおける特
性である。しかし、第４図に示すように、カー回転角は
短波長領域において比較的大きく低下しているいる。
性である。しかし、第４図に示すように、カー回転角は
短波長領域において比較的大きく低下しているいる。
記録膜４の組成比に関しては、第１７図および第１８図
より、記録された微小ビットの安定性から保磁力が１ｋ
Ｏｅ以上で、かつ、記録感度の観点からキュリ温度の範
囲が１００°Ｃ〜２００°Ｃという条件に基づいて、好
ましくは、下記（４）〜（６）式を同時に満足する範囲
に限定される。ただし、第１７図中の数値は保磁力を表
しており、保磁力が１０ｋＯｅを超える場合は〉１０で
表し、保磁力がＱ、１ｋｏｅより小さい場合はく０゜１
で表している。また、第１７図中の数値はキュリ温度を
表している。
より、記録された微小ビットの安定性から保磁力が１ｋ
Ｏｅ以上で、かつ、記録感度の観点からキュリ温度の範
囲が１００°Ｃ〜２００°Ｃという条件に基づいて、好
ましくは、下記（４）〜（６）式を同時に満足する範囲
に限定される。ただし、第１７図中の数値は保磁力を表
しており、保磁力が１０ｋＯｅを超える場合は〉１０で
表し、保磁力がＱ、１ｋｏｅより小さい場合はく０゜１
で表している。また、第１７図中の数値はキュリ温度を
表している。
０、ｔ＜ｙ＜ｏ、 ３５ ・・・・・・（４）０
〈Ｘｘｙく０．２５ ・・・・・・（５）０＜ （
１−ｘ）Ｘｙ＜０．２５ ・・・・・・（６）ただし
、Ｘおよびｙは（Ｇｄ、Ｔｂ１−、）、Ｆｅ ｌ−、を
満足し、ＸはＧｄの組成比を表し、ｙは（ＧｄＴｂ）の
組成比を表している。
〈Ｘｘｙく０．２５ ・・・・・・（５）０＜ （
１−ｘ）Ｘｙ＜０．２５ ・・・・・・（６）ただし
、Ｘおよびｙは（Ｇｄ、Ｔｂ１−、）、Ｆｅ ｌ−、を
満足し、ＸはＧｄの組成比を表し、ｙは（ＧｄＴｂ）の
組成比を表している。
上記の第２窒化膜５は、誘電体材質のものを使用し、読
み出し膜３および記録膜４を保護するために設けられて
いる。また、第２窒化膜５の材質としては誘電体の代わ
りにアルミニウム等の金属膜でも良い。
み出し膜３および記録膜４を保護するために設けられて
いる。また、第２窒化膜５の材質としては誘電体の代わ
りにアルミニウム等の金属膜でも良い。
上記の構成によれば、半導体レーザ光やＨｅ Ｎｅレー
ザ光が図示しない光学系により集光されてレーザスポッ
トになって基板１に照射されると、レーザスポットは第
１窒化膜２を通過して読み出し膜３および記録膜４へ到
達する。読み出し膜３上においてレーザスポットが照射
された部分の温度が、読み出し膜３のキュリ温度以上に
上昇すると、読み出し膜３の磁化が消失する。これに伴
って、２層膜間の交換結合作用による交換結合が消失す
る。この時、記録膜４に書き込みを容易にする図示しな
いバイアス磁界等が印加されると、上記の交換結合が消
失した領域に周囲とは磁気スピンの配向が反転した反転
磁区の核が発生し、それが広がって円筒磁区となり微小
ビットが形成される。
ザ光が図示しない光学系により集光されてレーザスポッ
トになって基板１に照射されると、レーザスポットは第
１窒化膜２を通過して読み出し膜３および記録膜４へ到
達する。読み出し膜３上においてレーザスポットが照射
された部分の温度が、読み出し膜３のキュリ温度以上に
上昇すると、読み出し膜３の磁化が消失する。これに伴
って、２層膜間の交換結合作用による交換結合が消失す
る。この時、記録膜４に書き込みを容易にする図示しな
いバイアス磁界等が印加されると、上記の交換結合が消
失した領域に周囲とは磁気スピンの配向が反転した反転
磁区の核が発生し、それが広がって円筒磁区となり微小
ビットが形成される。
そして、レーザ光照射の終了後、温度上昇した部分の温
度が降下して、読み出し膜３のキュリ温度直下の温度で
、記録膜４に形成された上記の微小ビットが、交換結合
作用により読み出し膜３へ転写されて記録が完成する。
度が降下して、読み出し膜３のキュリ温度直下の温度で
、記録膜４に形成された上記の微小ビットが、交換結合
作用により読み出し膜３へ転写されて記録が完成する。
再生時（読み出し時）は、直線偏光されたレーザ光を基
板１に照射すると、その反射光は磁気光学効果によって
、上記の磁気スピンの配向に従って偏光面が回転する。
板１に照射すると、その反射光は磁気光学効果によって
、上記の磁気スピンの配向に従って偏光面が回転する。
そこで図示しない検光子と組み合わせたフォトディテク
タを使用して、上記の反射光の光量変化を検出すること
により記録された情報が再生できる。
タを使用して、上記の反射光の光量変化を検出すること
により記録された情報が再生できる。
本発明に係る磁気光学記録媒体は、上記の構成に限定さ
れるものではなく、保護膜等の各種の補助膜が所望に応
じて任意に配設されても良い。例えば、上記の第２窒化
膜５のレーザ光の入射側と反対の面に反射膜を追加して
設けた構成でも良い。この場合、２層膜であるＧｄＮｄ
Ｆｅ読み出し膜３およびＧｄＴｂＦｅ記録膜４は、共に
レーザ光が透過するほど薄くされる。また、反射膜は光
を有効に利用するために設けられている。
れるものではなく、保護膜等の各種の補助膜が所望に応
じて任意に配設されても良い。例えば、上記の第２窒化
膜５のレーザ光の入射側と反対の面に反射膜を追加して
設けた構成でも良い。この場合、２層膜であるＧｄＮｄ
Ｆｅ読み出し膜３およびＧｄＴｂＦｅ記録膜４は、共に
レーザ光が透過するほど薄くされる。また、反射膜は光
を有効に利用するために設けられている。
本発明に係る磁気光学記録媒体は、以上のように、保磁
力が大きく、かつ、キュリ温度が低い記録特性に優れた
ＧｄＴｂＦｅ記録膜と、上記ＧｄＴｂＦｅ記録膜面のレ
ーザ光の入射側に、保磁力が小さく、キュリ温度が高く
、かつ、磁気光学効果が大きい再生特性に優れたＧｄＮ
ｄＦｅ読み出し膜とが２層膜化されて形成されている構
成である。
力が大きく、かつ、キュリ温度が低い記録特性に優れた
ＧｄＴｂＦｅ記録膜と、上記ＧｄＴｂＦｅ記録膜面のレ
ーザ光の入射側に、保磁力が小さく、キュリ温度が高く
、かつ、磁気光学効果が大きい再生特性に優れたＧｄＮ
ｄＦｅ読み出し膜とが２層膜化されて形成されている構
成である。
これにより、２層膜による量子力学的な交換結合作用に
よって交換結合力が増加し、記録感度および読み出し性
能が向上する。また、読み出し膜としてＧｄＮｄＦｅを
使用することにより、磁気光学効果の波長依存性が大幅
に軽減され、短波長領域の波長を有するレーザ光が光源
として使用可能となるので、記録密度が著しく向上する
と共に、特に短波長領域における読み出し時の信号対雑
音比が良くなる。これに伴って、記録・再生時に使用す
るレーザ光の波長が限定されなくなるので、光源の選択
の自由度が太き（なる等の効果を併せて奏する。
よって交換結合力が増加し、記録感度および読み出し性
能が向上する。また、読み出し膜としてＧｄＮｄＦｅを
使用することにより、磁気光学効果の波長依存性が大幅
に軽減され、短波長領域の波長を有するレーザ光が光源
として使用可能となるので、記録密度が著しく向上する
と共に、特に短波長領域における読み出し時の信号対雑
音比が良くなる。これに伴って、記録・再生時に使用す
るレーザ光の波長が限定されなくなるので、光源の選択
の自由度が太き（なる等の効果を併せて奏する。
第１図ないし第１８図は本発明の一実施例を示すもので
ある。 第１図は本発明に係る磁気光学記録媒体の構成を示す断
面図である。 第２図は長波長光源を使用した時の組成比とカー回転角
との関係を示す図である。 第３図は短波長光源を使用した時の組成比とカー回転角
との関係を示す図である。 第４図はＧｄＮｄＦｅおよびＧｄＴｂＦｅのカー回転角
の波長依存特性を示す図である。 第５図はＧｄＮｄＦｅの組成比と保磁力との関係を示す
図である。 第６図〜第８図は組成比の異なるＧｄＮｄＦｅにおける
保磁力の温度依存特性およびカー回転角の温度依存特性
を示す図である。 第９図はＧｄＮｄＦｅのＧｄ組成比と飽和磁化との関係
を示す図である。 第１０図はＧｄＮｄＦｅにおける組成比と垂直磁化膜の
形成との関係を示す図である。 第１１図はＧｄＴｂＦｅにおける組成比と保磁力との関
係を示す図である。 第１２図〜第１５図は組成比の異なるＧｄＴｂＦｅの保
磁力の温度依存特性を示す図である。 第１６図はＧｄＴｂＦｅにおけるＧｄの組成比とＴｂの
組成比とを等しくした時の重希土類の組成比と保磁力と
の関係および重希土類の組成比とキュリ温度との関係を
示す図である。 第１７図はＧｄＴｂＦｅにおける重希土類の組成比と保
磁力との関係を示す図である。 第１８図はＧｄＴｂＦｅにおける重希土類の組成比とキ
ュリ温度との関係を示す図である。 １は基板、２は第１窒化膜、３はＧｄＮｄＦｅ読み出し
膜、４はＧｄＴｂＦｅ記録膜、５は第２窒化膜である。 特許出願人 シャープ 株式会社図 にユ 度（０Ｃ） 誓 図 節１５ 囚 二片度 （０Ｃ）
ある。 第１図は本発明に係る磁気光学記録媒体の構成を示す断
面図である。 第２図は長波長光源を使用した時の組成比とカー回転角
との関係を示す図である。 第３図は短波長光源を使用した時の組成比とカー回転角
との関係を示す図である。 第４図はＧｄＮｄＦｅおよびＧｄＴｂＦｅのカー回転角
の波長依存特性を示す図である。 第５図はＧｄＮｄＦｅの組成比と保磁力との関係を示す
図である。 第６図〜第８図は組成比の異なるＧｄＮｄＦｅにおける
保磁力の温度依存特性およびカー回転角の温度依存特性
を示す図である。 第９図はＧｄＮｄＦｅのＧｄ組成比と飽和磁化との関係
を示す図である。 第１０図はＧｄＮｄＦｅにおける組成比と垂直磁化膜の
形成との関係を示す図である。 第１１図はＧｄＴｂＦｅにおける組成比と保磁力との関
係を示す図である。 第１２図〜第１５図は組成比の異なるＧｄＴｂＦｅの保
磁力の温度依存特性を示す図である。 第１６図はＧｄＴｂＦｅにおけるＧｄの組成比とＴｂの
組成比とを等しくした時の重希土類の組成比と保磁力と
の関係および重希土類の組成比とキュリ温度との関係を
示す図である。 第１７図はＧｄＴｂＦｅにおける重希土類の組成比と保
磁力との関係を示す図である。 第１８図はＧｄＴｂＦｅにおける重希土類の組成比とキ
ュリ温度との関係を示す図である。 １は基板、２は第１窒化膜、３はＧｄＮｄＦｅ読み出し
膜、４はＧｄＴｂＦｅ記録膜、５は第２窒化膜である。 特許出願人 シャープ 株式会社図 にユ 度（０Ｃ） 誓 図 節１５ 囚 二片度 （０Ｃ）
Claims (1)
- １．保磁力が大きく、かつ、キュリ温度が低い記録特性
に優れたＧｄＴｂＦｅ記録膜と、 上記ＧｄＴｂＦｅ記録膜面のレーザ光の入射側に、保磁
力が小さく、キュリ温度が高く、かつ、磁気光学効果が
大きい再生特性に優れたＧｄＮｄＦｅ読み出し膜とが２
層膜化されて形成されていることを特徴とする磁気光学
記録媒体
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1089318A JP2685888B2 (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 磁気光学記録媒体 |
| KR1019900004632A KR930002168B1 (ko) | 1989-04-07 | 1990-04-04 | 자기광 메모리 매체 |
| EP90303736A EP0391738B1 (en) | 1989-04-07 | 1990-04-06 | Magneto-optic memory medium |
| DE69015407T DE69015407T2 (de) | 1989-04-07 | 1990-04-06 | Magnetooptischer Aufzeichnungsträger. |
| US07/505,476 US5095350A (en) | 1989-04-07 | 1990-04-06 | Magneto-optic memory medium |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1089318A JP2685888B2 (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 磁気光学記録媒体 |
| CA002014158A CA2014158C (en) | 1989-04-07 | 1990-04-09 | Magneto-optic memory medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02267754A true JPH02267754A (ja) | 1990-11-01 |
| JP2685888B2 JP2685888B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=25674058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1089318A Expired - Fee Related JP2685888B2 (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 磁気光学記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5095350A (ja) |
| EP (1) | EP0391738B1 (ja) |
| JP (1) | JP2685888B2 (ja) |
| DE (1) | DE69015407T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995000950A1 (de) * | 1993-06-22 | 1995-01-05 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Magnetooptisches speicherschichtsystem, magnetooptisches speichersystem und schreibverfahren |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0487847A1 (en) * | 1990-11-26 | 1992-06-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium |
| DE4039919A1 (de) * | 1990-12-14 | 1992-06-17 | Basf Ag | Magnetooptische datenplatte mit korrosionsstabiler magnetooptischer doppelschicht |
| WO1993010530A1 (fr) * | 1991-11-22 | 1993-05-27 | Seiko Epson Corporation | Supports d'enregistrement magneto-optiques |
| DE69326525T2 (de) * | 1992-11-17 | 2000-01-27 | Mitsubishi Chemical Corp., Tokio/Tokyo | Magnetooptischer Aufzeichnungträger und Verfahren zur Aufzeichnung und Wiedergabe von optischer Information |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712428A (en) * | 1980-06-23 | 1982-01-22 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
| US4414650A (en) * | 1980-06-23 | 1983-11-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optic memory element |
| CA1185013A (en) * | 1981-01-14 | 1985-04-02 | Kenji Ohta | Magneto-optic memory medium |
| US4737947A (en) * | 1983-06-14 | 1988-04-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording medium having optomagnetic recording layer and optical recording layer with guide tracks of specific reflectance |
| JPS60117436A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-24 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS60162750A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-24 | Nippon Gakki Seizo Kk | 希土類磁石およびその製法 |
| US4922454A (en) * | 1984-10-30 | 1990-05-01 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Magneto-optical memory medium and apparatus for writing and reading information on and from the medium |
| EP0184034B1 (en) * | 1984-11-12 | 1991-01-16 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and method of producing same |
| DE3686530T2 (de) * | 1985-06-18 | 1993-04-08 | Daicel Chem | Aufzeichnungstraeger, versehen mit hochdichter information. |
| US4789606A (en) * | 1986-04-17 | 1988-12-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium |
| JPS62267950A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 磁気光学記録媒体 |
| JPH0772947B2 (ja) * | 1986-07-09 | 1995-08-02 | キヤノン株式会社 | 光磁気メモリ用媒体 |
| JPH0782674B2 (ja) * | 1986-11-06 | 1995-09-06 | キヤノン株式会社 | 光磁気メモリ用媒体 |
| JP2539398B2 (ja) * | 1986-11-12 | 1996-10-02 | 株式会社日立製作所 | 光磁気記録媒体 |
| US4876159A (en) * | 1988-03-14 | 1989-10-24 | Eastman Kodak Company | Magnetrooptical recording media and method of preparing them |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP1089318A patent/JP2685888B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-04-06 US US07/505,476 patent/US5095350A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-06 DE DE69015407T patent/DE69015407T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-06 EP EP90303736A patent/EP0391738B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995000950A1 (de) * | 1993-06-22 | 1995-01-05 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Magnetooptisches speicherschichtsystem, magnetooptisches speichersystem und schreibverfahren |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69015407D1 (de) | 1995-02-09 |
| EP0391738A2 (en) | 1990-10-10 |
| US5095350A (en) | 1992-03-10 |
| EP0391738B1 (en) | 1994-12-28 |
| DE69015407T2 (de) | 1995-05-04 |
| EP0391738A3 (en) | 1991-01-16 |
| JP2685888B2 (ja) | 1997-12-03 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |