JPH02267948A - 真空装置 - Google Patents

真空装置

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Publication number
JPH02267948A
JPH02267948A JP1089346A JP8934689A JPH02267948A JP H02267948 A JPH02267948 A JP H02267948A JP 1089346 A JP1089346 A JP 1089346A JP 8934689 A JP8934689 A JP 8934689A JP H02267948 A JPH02267948 A JP H02267948A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
chamber
stage
electrode
preparation
Prior art date
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Pending
Application number
JP1089346A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Hisa
義浩 久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP1089346A priority Critical patent/JPH02267948A/ja
Publication of JPH02267948A publication Critical patent/JPH02267948A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ウェハホルダーの温度調整機構と、ロード
ロック機構を有する真空装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第2図は従来の真空装置を示す断面図、第3図は第2図
の装置においてウェハからの信号電極取り出し法を示す
成膜室若しくは分析室の断面図である。図において、(
1)は成膜室若しくは分析室、(2)は準備室、(3)
は成膜室若しくは分析室(1)と準備室(2)を真空分
離するゲートバルブ、(4)は成膜室若しくは分析室(
1)と準備室(2)をそれぞれ排気する真空ポンプ、(
5)は準備室(2)と真空ポンプ(4)を真空分離する
バルブ、(6)はウェハ導入口、(7)はウェハホルダ
(8)を準備室(2)から成膜室若しくは分析室(1)
へ移動させるための直線導入機、(9)はウェハ、00
はウェハホルダ(8)を固定し、かつ湿度コントロール
するためのステージ、9時はウェハステージ頭を加熱す
るためのヒータ、(2)はウェハステージC1Oを冷却
するための冷媒を導入するための冷却口、α]はN、導
入口、α弔は電極ワイヤ、a5はコネクタ、ut9は外
部電極である。
次に動作1こついて説明する。まず、成膜時若しくは分
析時以外は成膜室若しくは分析室を超高真空(10”t
orr以下)に保持するために、ゲートバルブ(3)を
閉じ、真空ポンプ(4)により真空排気されている。ウ
ェハ(9)導入時は、まずバルブ(5)を閉じ準備室(
2)と、真空ポンプ(4)を真空分離する。次に準備室
(2)内にN、導入口α4よりN2ガスを導入し、準備
室(2)内を大気圧にする。更にウェハ導入口(6)を
開き、ウェハホルダ(8)上にウェハ(9)をセットす
る。
ウェハ(9)をセット後はウェハ導入口(6)を閉じバ
ルブ(5)を開き、準備室(2)を真空排気する。準備
室(2)が所定の真空度に達した後にゲートバルブ(3
)を開く。その後、ウェハホルダ(8)を直線導入機(
7)により準備室(2)から成膜室若しくは分析室(1
)へ移動し、成膜室若しくは分析室(1)内のステージ
αQにセットする。次に直線導入機(7)を成膜室若し
くは分析室(1)から鉗き抜き、ゲートバルブ(3)を
閉じる。最後辺ステージ(10内のヒータαυ又は、冷
却口Q2を用いて、ステージ00を加熱又は冷却してウ
ェハ(9)の温度を変更する。
ウェハ(9)から電極を取り出す場合、第3図に示すよ
うな構造になる。ウェハ(旬とコネクタ(へ)を電極ワ
イヤ似)によって電気的に接続する。コネクタ叫は成膜
室若しくは分析室(1)に取付けられた外部電極qQに
よって外部に導かれる。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の真空装置は以上のように構成されているので、ウ
ェハホルダとステージの密着性が悪く、ステージの温度
を変えても、ウェハの温度が十分に追従しないというこ
と及び準備室と成膜室若しくは分析室がゲートバルブに
より、遮断されるので、コネクタを接続するために、ウ
ェハホルダの挿入するに当って位置精度が必要となり、
直線導入機の構造と、操作が複雑になり、またウェハホ
ルダとステージの密着性も悪くなることが考えられる。
更にコネクタをうまく作らないと断線の原因となったり
、微小電流測定時の漏れ電流、また、高周波測定時の不
具合の原因となるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ステージの温度変化に対して、ウェハの温度
が十分に追従できると共に、ウェハから容易に高信頼性
の電極を取り出すことができ、またステージ冷却のため
の冷媒輸送方法が簡単な真空装置を得ることを目的とす
る。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る真空装置は、成膜室若しくは分析室と、
準備室の間に直列にゲートバルブを2つ設け、そのゲー
トバルブ間に、ヒータ電極、冷媒導入用の冷却口及びウ
ェハへの電極取出し口を設け、冷却口からステージまで
の冷媒輸送パイプにフレキシブルチューブを用いたもの
である。
〔作用〕
この発明における真空装置は、ウェハホルダを用いずに
直接ステージにウェハをセットできるため、ウェハの温
度コントロールが容易に精度良く行え、かつウェハから
の電極の取り出しが容易で信頼性の高い測定が可能にな
る。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図は真空装置を示す断面図である。図において、(1)
〜(7)、(9)〜α4は第2図及び第3図の従来例に
示したものと同等であるので説明を省略する。a復は中
継端子α力とウェハ(9)を電気的に接続する電極ワイ
ヤ、(ト)は成膜室若しくは分析室(1)と準備室(2
)を真空分離するゲートバルブ、α印はステージQOを
固定するための固定ステージ、(イ)は中継端子σ力か
ら装置外部へ導出する電気ケーブルである。
次に動作について説明する。まず、成膜時若しくは分析
時以外は、成膜室若しくは分析室(1)は超高真空(1
0” torr以下)に保持するために、ステージαq
は、成膜室若しくは分析室(1)内にあり、ゲートバル
ブ(ト)が閉じ、ゲートバルブ(3)は開いている。ま
た準備室(2)内壁に水分などが吸着しないように、ウ
ェハ導入口(6)が閉でバルブ(5)を部にし、準備室
(2)を排気している。
ウェハ(9)の導入はまづ、ゲートバルブ(ト)を開け
、ステージαQを直線導入機(7)を用いて準備室(2
)側に移動し、ゲートバルブ(3)を閉じ、バルブ(5
)を閉じる。次にN2導入口(至)を開いて準備室(2
)内をN、ガスにより大気圧にする。ウェハ(9)はウ
ェハ導入口(6)から導入しステージσQに固定する。
その後ウェハ導入口(6)と、N2導入口a4を閉じ、
バルブ(5)を開いて準備室(2)内を排気する。準備
室(2)内が高真空になった後、ゲートバルブ(3)を
開いてステージaoを成膜室若しくは分析室(1)側へ
移動し、ゲートバルブ(ト)を閉じる。
以上でウェハ(9)の成膜室若しくは分析室(1)内へ
の導入が完了し、次にウェハ(9)上に各種の膜の成膜
を行う。なお、成膜室若しくは分析室(1)は成膜・分
析、更に成膜分析両用に使っても良い。
成膜後のウェハ(9)の取り出しは、ウェハ導入時と同
様の操作を行えば良い。
なお、上記実施例はN2導入口αaが準備室(2)に付
いている場合について説明したが、ゲートバルブα均と
ゲートバルブ(3)間への大気の流入を防ぐために、ゲ
ートバルブ(ト)、(3)間に設けても良い。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、成膜室若しくは分析
室と、準備室の間に直列にゲートバルブを二つ設け、そ
れらのゲートバルブ間にステージの温度調整機構及び信
号電極を設けたので、ウェハ温度の加熱精度が高く、ま
た信頼性の高い電気信号を取り出せる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による真空装置を示す断面
図、第2図は従来の真空装置を示す断面図、第3図は第
2図の装置においてウェハからの信号電極取り出し法を
示す成膜室若しくは分析室の断面図である。 図において、(1月よ成膜室若しくは分析室、(2)は
準備室、(3)、α枠はゲートバルブ、(4)は真空ポ
ンプ、(5月よバルブ、(6)はウェハ導入口、(7)
は直線導入機、(9)はウェハ、α0はステージ、θυ
はヒータ、(ロ)は冷却口、Q3はN2導入口、Hは電
極ワイヤ、α力は中継端子、aツはゲートバルブ、0り
は固定ステージ、(イ)は電気ケーブルである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. プロセス室と準備室を備えた真空装置において、準備室
    からプロセス室への導入部に、直列にゲートバルブを2
    つ設け、各ゲートバルブの間に冷媒導入口と、電気信号
    導入、取出し端子を設けたことを特徴とする真空装置。
JP1089346A 1989-04-07 1989-04-07 真空装置 Pending JPH02267948A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1089346A JPH02267948A (ja) 1989-04-07 1989-04-07 真空装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1089346A JPH02267948A (ja) 1989-04-07 1989-04-07 真空装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02267948A true JPH02267948A (ja) 1990-11-01

Family

ID=13968147

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1089346A Pending JPH02267948A (ja) 1989-04-07 1989-04-07 真空装置

Country Status (1)

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JP (1) JPH02267948A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5913978A (en) * 1995-04-20 1999-06-22 Tokyo Electron Ltd. Apparatus and method for regulating pressure in two chambers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5913978A (en) * 1995-04-20 1999-06-22 Tokyo Electron Ltd. Apparatus and method for regulating pressure in two chambers

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