JPH02268131A - ホスホニウム塩触媒を用いるアルドールおよびマイケル付加体の製造法 - Google Patents
ホスホニウム塩触媒を用いるアルドールおよびマイケル付加体の製造法Info
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- JPH02268131A JPH02268131A JP1089757A JP8975789A JPH02268131A JP H02268131 A JPH02268131 A JP H02268131A JP 1089757 A JP1089757 A JP 1089757A JP 8975789 A JP8975789 A JP 8975789A JP H02268131 A JPH02268131 A JP H02268131A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、医薬、農薬、ファインケミカル中間体として
重要なアルドールおよびマイケル付加体を、ホスホニウ
ム塩触媒の存在下に製造する方法に関する。
重要なアルドールおよびマイケル付加体を、ホスホニウ
ム塩触媒の存在下に製造する方法に関する。
ルイス酸としてＴｉＣ１，を用いて、エノールエーテル
とアルデヒドまたはアセタール類とを反応させる方法に
ついては、ＪＯｕｒｎａｌＯｆＡｍｅｒｉＣａｎＣｈｅ
ＩＩＩｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙｓ １９８３年、１０
５巻、４８３３頁、Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉ
ｅ 、Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｄｉｔｉｏｎ
Ｅｎｇｌｉｓｈ 。
とアルデヒドまたはアセタール類とを反応させる方法に
ついては、ＪＯｕｒｎａｌＯｆＡｍｅｒｉＣａｎＣｈｅ
ＩＩＩｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙｓ １９８３年、１０
５巻、４８３３頁、Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉ
ｅ 、Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｄｉｔｉｏｎ
Ｅｎｇｌｉｓｈ 。
１９８３年、２２巻、９８９頁、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏ
ｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ １９８４年、２５巻、７２９頁、
及びＣｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ 。
ｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ １９８４年、２５巻、７２９頁、
及びＣｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ 。
１９７４年、１５頁に記載されている。５ｎＣ１，、Ａ
ｌＣｌ２およびＢＣｌｆｆなどの強いルイス酸を反応基
質と等モル以上用いる反応に関しては、Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｎ＋１ｃａｌ ５ｏ
ｃｉｅｔｙｓ １９７４年、９６巻、７５０３頁、およ
び八ｎｇｅｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｅ Ｉｎｔｅｒｎ
ａｔｉｏｎａｌ ＥｄｉｔｉｏｎＥｎｇｌｉｓｈ 、
１９７７年、１６巻、８１７頁に記載されている。また
、ＺｎＣ１ｔ、ＢＦ３ ・０ＥｔＺを触媒量用いる反応
については、八ｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ 。
ｌＣｌ２およびＢＣｌｆｆなどの強いルイス酸を反応基
質と等モル以上用いる反応に関しては、Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｎ＋１ｃａｌ ５ｏ
ｃｉｅｔｙｓ １９７４年、９６巻、７５０３頁、およ
び八ｎｇｅｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｅ Ｉｎｔｅｒｎ
ａｔｉｏｎａｌ ＥｄｉｔｉｏｎＥｎｇｌｉｓｈ 、
１９７７年、１６巻、８１７頁に記載されている。また
、ＺｎＣ１ｔ、ＢＦ３ ・０ＥｔＺを触媒量用いる反応
については、八ｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ 。
１９６３年、１４巻、１１５頁およびＡｎｇｅｗａｎｄ
ｔｅ ＣｈｅｍｉｅＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｄ
ｉｔｉｏｎ Ｅｎｇｌｉｓｈ 、 １９６９年、８巻、
２９５頁に記載されている。
ｔｅ ＣｈｅｍｉｅＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｄ
ｉｔｉｏｎ Ｅｎｇｌｉｓｈ 、 １９６９年、８巻、
２９５頁に記載されている。
しかしながら、ＴｔＣｌａ 、５ｎＣ１ａ 、ＡＩＣｈ
、ＢＣＩｓ等の取扱の厄介なルイス酸を反応基質と等
モル使用しなければならないことは、反応操作、反応後
の金属処理の面、および経済的にも不利である。
、ＢＣＩｓ等の取扱の厄介なルイス酸を反応基質と等
モル使用しなければならないことは、反応操作、反応後
の金属処理の面、および経済的にも不利である。
また、ＺｎＣ１ｚ 、Ｂｈ ・０Ｅｔｔの場合は、触媒
量で反応は充分進行するが、反応の制御が困難で副反応
生成物が多く、目的のアルドール付加体の収率が低くな
るという問題点がある。
量で反応は充分進行するが、反応の制御が困難で副反応
生成物が多く、目的のアルドール付加体の収率が低くな
るという問題点がある。
ルイス酸を用いるエノールエーテルと不飽和アルデヒド
あるいは不飽和アセクールとの反応は、ルイス酸として
ＴｉＣｌ４、ＴｉＣ１４−Ｔｉ（０−ｉｓｏｐｒｏｐｙ
＋）４を用いるＡｎｇｅｈａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｅ
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｄｉｔｉｏｎ Ｅｎｇ
ｌｉｓｈ 、１９７７年、１６巻、８１７頁およびＢｕ
ｌｌｅｔｉｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ ｏ
ｆ Ｊａｐａｎ、１９７６年、４９巻、７７９頁記載の
方法が知られているが、上記アルドール反応の場合と同
様の問題点がある。
あるいは不飽和アセクールとの反応は、ルイス酸として
ＴｉＣｌ４、ＴｉＣ１４−Ｔｉ（０−ｉｓｏｐｒｏｐｙ
＋）４を用いるＡｎｇｅｈａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｅ
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｄｉｔｉｏｎ Ｅｎｇ
ｌｉｓｈ 、１９７７年、１６巻、８１７頁およびＢｕ
ｌｌｅｔｉｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ ｏ
ｆ Ｊａｐａｎ、１９７６年、４９巻、７７９頁記載の
方法が知られているが、上記アルドール反応の場合と同
様の問題点がある。
上記何れのルイス酸もアミンを含む反応基質を用いると
、アミンにより中和され反応が進行しなくなる。さらに
上記ルイス酸使用の場合、反応溶媒にも制約があり、ジ
オキサン、ＴＨＦ等のエーテル系溶媒では反応が進行せ
ず、芳香族系溶媒ではアルデヒド、アセタールが溶媒と
反応することもある。
、アミンにより中和され反応が進行しなくなる。さらに
上記ルイス酸使用の場合、反応溶媒にも制約があり、ジ
オキサン、ＴＨＦ等のエーテル系溶媒では反応が進行せ
ず、芳香族系溶媒ではアルデヒド、アセタールが溶媒と
反応することもある。
本発明は、アミンを含む反応基質を用いても、また、反
応基質に対して溶解度の高いエーテル系溶媒を使用して
も上記の問題点のないアルドール付加体、マイケル付加
体の製造法を提供する。
応基質に対して溶解度の高いエーテル系溶媒を使用して
も上記の問題点のないアルドール付加体、マイケル付加
体の製造法を提供する。
本発明は、（１）一般式 ＪＲ：Ｒ，’ＰｚＯＸｚ（Ｉ
） （式中、Ｒ１，ＲＺおよびＲ３は、炭素数１〜工０の直
鎖状、分岐状、あるいは環状のアルキル基またはフェニ
ル基または炭素数１〜４の直鎖状あるいは分岐状のアル
キル置換基を有するフェニル基を示し、Ｘはトリフルオ
ロメタンスルホニル基を示す。）で示されるホスホニウ
ム塩触媒の存在下に、 （式中、Ｒ“およびＲ５は水素または炭素数１〜１０の
直鎖状、分岐状、あるいは環状のアルキル基であり、ヘ
テロ原子を含んでいてもよい。Ｒ＆は炭素数１〜１０の
直鎖状あるいは分岐状のアルキル基、または−３１（Ｃ
Ｈ，）、Ｒ”を示す。Ｒ″はメチル、エチル、ｔ−ブチ
ル、およびフェニル基を示す。Ｒ７は水素または炭素数
１〜１０の直鎖状あるいは分岐状のアルキル基、フェニ
ル基または炭素数１〜１０の直鎖状あるいは分岐状のア
ルキル置換基を有するフェニル基、炭素数１〜１０の直
鎖状あるいは分岐状のアルコキシ基を示す。
） （式中、Ｒ１，ＲＺおよびＲ３は、炭素数１〜工０の直
鎖状、分岐状、あるいは環状のアルキル基またはフェニ
ル基または炭素数１〜４の直鎖状あるいは分岐状のアル
キル置換基を有するフェニル基を示し、Ｘはトリフルオ
ロメタンスルホニル基を示す。）で示されるホスホニウ
ム塩触媒の存在下に、 （式中、Ｒ“およびＲ５は水素または炭素数１〜１０の
直鎖状、分岐状、あるいは環状のアルキル基であり、ヘ
テロ原子を含んでいてもよい。Ｒ＆は炭素数１〜１０の
直鎖状あるいは分岐状のアルキル基、または−３１（Ｃ
Ｈ，）、Ｒ”を示す。Ｒ″はメチル、エチル、ｔ−ブチ
ル、およびフェニル基を示す。Ｒ７は水素または炭素数
１〜１０の直鎖状あるいは分岐状のアルキル基、フェニ
ル基または炭素数１〜１０の直鎖状あるいは分岐状のア
ルキル置換基を有するフェニル基、炭素数１〜１０の直
鎖状あるいは分岐状のアルコキシ基を示す。
アルキル基およびアルコキシ基は、環状のものでも、ま
たへテロ原子を含んでいてもよい。）で示されるエノー
ルエーテルと、 一般式 Ｒ９ＣＨＯ（ＩＩＩ） （式中、Ｒ９は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状、ある
いは環状のアルキル基、炭素数２〜１５の直鎖状、分岐
状、あるいは環状のアリール基、または炭素数１〜１５
で多環状のものも含むアリル基を示す。アルキル基、ア
リール基、アリル基何れもヘテロ原子を含んでいてもよ
い。）で示されるアルデヒドまたは、 一般式 ＲｌｏＣＨ（ＯＲ”） ｔ （ＩＶ
）（式中、Ｒ”は水素、炭素数１〜１５の直鎖状、分岐
状、あるいは環状のアルキル基、炭素数２〜１５の直鎖
状、分岐状、あるいは環状のアリール基、または炭素数
１〜１５で多環状のものも含むアリル基、または炭素数
１〜６の直鎖状、分岐状のアルコキシ基を示す０、アル
キル基、アリール基、アリル基何れもヘテロ原子を含ん
でいてもよい。
たへテロ原子を含んでいてもよい。）で示されるエノー
ルエーテルと、 一般式 Ｒ９ＣＨＯ（ＩＩＩ） （式中、Ｒ９は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状、ある
いは環状のアルキル基、炭素数２〜１５の直鎖状、分岐
状、あるいは環状のアリール基、または炭素数１〜１５
で多環状のものも含むアリル基を示す。アルキル基、ア
リール基、アリル基何れもヘテロ原子を含んでいてもよ
い。）で示されるアルデヒドまたは、 一般式 ＲｌｏＣＨ（ＯＲ”） ｔ （ＩＶ
）（式中、Ｒ”は水素、炭素数１〜１５の直鎖状、分岐
状、あるいは環状のアルキル基、炭素数２〜１５の直鎖
状、分岐状、あるいは環状のアリール基、または炭素数
１〜１５で多環状のものも含むアリル基、または炭素数
１〜６の直鎖状、分岐状のアルコキシ基を示す０、アル
キル基、アリール基、アリル基何れもヘテロ原子を含ん
でいてもよい。
Ｒｌ ｌは炭素数１〜６の直鎖状、分岐状のアルキル基
、アリル基を示し、それらはへテロ原子を含んでいても
よい。）で示されるアセタール類とを溶媒中で反応させ
ることを特徴とするアルドール付加反応生成物の製造法
および、 （２）上記一般式（１）で示されるホスホニウム塩触媒
の存在下に、一般式（ｎ）で示されるエノールエーテル
と、 ／ Ｉ３ （式中、ＲＩＳおよびＲＩＳは炭素数１〜１０の直鎖状
、分岐状のアルキル基または炭素数１〜１５のアリル基
を示す。ＲＩＳおよびＲＩ４は水素、炭素数１〜１０の
直鎖状、分岐状のアルキル基を示す。
、アリル基を示し、それらはへテロ原子を含んでいても
よい。）で示されるアセタール類とを溶媒中で反応させ
ることを特徴とするアルドール付加反応生成物の製造法
および、 （２）上記一般式（１）で示されるホスホニウム塩触媒
の存在下に、一般式（ｎ）で示されるエノールエーテル
と、 ／ Ｉ３ （式中、ＲＩＳおよびＲＩＳは炭素数１〜１０の直鎖状
、分岐状のアルキル基または炭素数１〜１５のアリル基
を示す。ＲＩＳおよびＲＩ４は水素、炭素数１〜１０の
直鎖状、分岐状のアルキル基を示す。
上記アルキル基およびアリル基はへテロ原子を含んでい
てもよい。）で示される不飽和ケトン、または、 （式中、Ｒ”およびＲ”は炭素数１〜１０の直鎖状、分
岐状のアルキル基または炭素数１〜１５のアリル基を示
す、Ｒ”およびＲ１１＋は水素、炭素数１〜１０の直鎖
状、分岐状のアルキル基を示す。
てもよい。）で示される不飽和ケトン、または、 （式中、Ｒ”およびＲ”は炭素数１〜１０の直鎖状、分
岐状のアルキル基または炭素数１〜１５のアリル基を示
す、Ｒ”およびＲ１１＋は水素、炭素数１〜１０の直鎖
状、分岐状のアルキル基を示す。
Ｒ１０は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状のアルキル基を
示す。上記アルキル基、アリル基はへテロ原子を含んで
いてもよい。）で示される不飽和アセタールとを溶媒中
で反応させることを特徴とするマイケル付加反応生成物
の製造法に関する。
示す。上記アルキル基、アリル基はへテロ原子を含んで
いてもよい。）で示される不飽和アセタールとを溶媒中
で反応させることを特徴とするマイケル付加反応生成物
の製造法に関する。
本発明は、反応溶媒中でホスホニウム塩触媒の存在下、
アルキルエノールエーテル、シリルエノールエーテル、
あるいはケテンシリルアセクールと、（１）アルデヒド
あるいはアセタール類を混合反応させアルドール付加生
成物を、（２）不飽和ケトンあるいは不飽和アセタール
を混合反応させマイケル付加生成物を製造する方法に関
する。
アルキルエノールエーテル、シリルエノールエーテル、
あるいはケテンシリルアセクールと、（１）アルデヒド
あるいはアセタール類を混合反応させアルドール付加生
成物を、（２）不飽和ケトンあるいは不飽和アセタール
を混合反応させマイケル付加生成物を製造する方法に関
する。
本発明における一般式（１）で示されるホスホニウム塩
触媒とは、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ
ｓ １９８９年、３０巻、４９５頁に記載されている（
Ｃｂ Ｈｓ） ｈＰ２０ （ＣＦｓＳＯｘ）ｚの合成
法と同様に、ホスフィンオキシトと無水トリフルオロメ
タンスルホン酸とから合成することができる。
触媒とは、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ
ｓ １９８９年、３０巻、４９５頁に記載されている（
Ｃｂ Ｈｓ） ｈＰ２０ （ＣＦｓＳＯｘ）ｚの合成
法と同様に、ホスフィンオキシトと無水トリフルオロメ
タンスルホン酸とから合成することができる。
ホスフィンオキシトの具体例としては、トリメチルホス
フィンオキシト、トリエチルホスフィンオキシト、トリ
プロピルホスフィンオキシド、トリイソプロピルホスフ
ィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシト、トリー
１−メチルプロピルホスフィンオキシト、トリー２−メ
チルプロピルホスフィンオキシト、トリス−１，１−ジ
メチルエチルホスフィンオキシト、トリペンチルホスフ
ィンオキシト、トリシクロペンチルホスフィンオキシド
、トリへキシルホスフィンオキシト、トリシクロヘキシ
ルホスフィンオキシド、トリベンジルホスフィンオキシ
ド、トリへブチルホスフィンオキシト、トリオクチルホ
スフィンオキシト、トリフェニルホスフィンオキシトお
よびトリトリルホスフィンオキシトが挙げられる。
フィンオキシト、トリエチルホスフィンオキシト、トリ
プロピルホスフィンオキシド、トリイソプロピルホスフ
ィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシト、トリー
１−メチルプロピルホスフィンオキシト、トリー２−メ
チルプロピルホスフィンオキシト、トリス−１，１−ジ
メチルエチルホスフィンオキシト、トリペンチルホスフ
ィンオキシト、トリシクロペンチルホスフィンオキシド
、トリへキシルホスフィンオキシト、トリシクロヘキシ
ルホスフィンオキシド、トリベンジルホスフィンオキシ
ド、トリへブチルホスフィンオキシト、トリオクチルホ
スフィンオキシト、トリフェニルホスフィンオキシトお
よびトリトリルホスフィンオキシトが挙げられる。
本発明における反応溶媒としては、塩化メチレン、クロ
ロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、０−ジク
ロロベンゼン、ニトロベンゼン、ニトロメタン、二硫化
炭素、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジ
ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エ
チレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコー
ルジエチルエーテル、アセトニトリルおよびこれらの混
合溶媒が挙げられる。特に好ましい溶媒は、塩化メチレ
ンである。
ロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、０−ジク
ロロベンゼン、ニトロベンゼン、ニトロメタン、二硫化
炭素、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジ
ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エ
チレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコー
ルジエチルエーテル、アセトニトリルおよびこれらの混
合溶媒が挙げられる。特に好ましい溶媒は、塩化メチレ
ンである。
反応においては、触媒と反応基質との混合順序は特に反
応に影響を与えない。
応に影響を与えない。
アルデヒドあるいはアセタール類と混合反応させる時の
アルキルエノールエーテル、シリルエノールエーテル、
あるいはケテンシリルアセタールは、アルデヒドあるい
はアセタール類に対して０゜５〜２．０倍モル、特に、
０．７５〜１．５倍モルであることが好ましい。ホスホ
ニウム塩触媒の使用量は、アルデヒドあるいはアセクー
ル類に対して１．０〜０．００１倍モル、特に、０．２
〜０．０１倍モルであることが好ましい。
アルキルエノールエーテル、シリルエノールエーテル、
あるいはケテンシリルアセタールは、アルデヒドあるい
はアセタール類に対して０゜５〜２．０倍モル、特に、
０．７５〜１．５倍モルであることが好ましい。ホスホ
ニウム塩触媒の使用量は、アルデヒドあるいはアセクー
ル類に対して１．０〜０．００１倍モル、特に、０．２
〜０．０１倍モルであることが好ましい。
反応温度は通常−１００〜５０°Ｃ１好ましくは一８０
〜３０°Ｃである。５０°Ｃより温度が高いと目的物の
収率が低下し、−１００°Ｃより低いと、長い反応時間
を必要とする。反応時間は通常０゜１〜２０時間である
。
〜３０°Ｃである。５０°Ｃより温度が高いと目的物の
収率が低下し、−１００°Ｃより低いと、長い反応時間
を必要とする。反応時間は通常０゜１〜２０時間である
。
アルキルエノールエーテル、シリルエノールエーテル、
ケテンシリルアセクール、およびホスホニウム塩触媒は
加水分解をうけやすいので、反応系は無水状態に保たれ
ることが好ましい。
ケテンシリルアセクール、およびホスホニウム塩触媒は
加水分解をうけやすいので、反応系は無水状態に保たれ
ることが好ましい。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例１
オキソビス（トリブチルホスホニウム）トリフルオロメ
タンスルホネート２０．０■（０，０２８ミリモル）を
塩化メチレン１−に溶解させ、−７８°Ｃに冷却した。
タンスルホネート２０．０■（０，０２８ミリモル）を
塩化メチレン１−に溶解させ、−７８°Ｃに冷却した。
次に、ベンズアルデヒドジメチルアセクール６０．９■
（０，４００ミリモル）とトリメチルシリル−１−スチ
リルエーテル７６．９ａ＋ｇ （０，４００ミリモル）
の塩化メチレン２１ｒｄｌ溶液を滴下攪拌し、２時間後
に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え塩化メチレン抽出し
た。抽出溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下
で溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィーで精製して、
１．３−ジフェニル−３−メトキシプロパノン８６．２
ｍｇ （収率９０χ）を得た。
（０，４００ミリモル）とトリメチルシリル−１−スチ
リルエーテル７６．９ａ＋ｇ （０，４００ミリモル）
の塩化メチレン２１ｒｄｌ溶液を滴下攪拌し、２時間後
に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え塩化メチレン抽出し
た。抽出溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下
で溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィーで精製して、
１．３−ジフェニル−３−メトキシプロパノン８６．２
ｍｇ （収率９０χ）を得た。
実施例２
オキソビス（トリブチルホスホニウム）トリフルオロメ
タンスルホネート２０．００１ｇ （０，０２８ミリモ
ル）を塩化メチレンｌｄに溶解させ、−７８°Ｃに冷却
した。次に、ベンズアルデヒド４２．４ｍｇ （０，４
００ミリモル）とトリメチルシリル−１−（１−フェニ
ルプロペニル）エーテル８２．９ｍｇ （０，４００ミ
リモル）の塩化メチレン２ｄ溶液を滴下攪拌し、２時間
後に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え塩化メチレン抽出
した。抽出溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧
下で溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィーで精製して
、１．３−ジフェニル−２−メチル−３−（トリメチル
シリルオキシ）プロパノン１０４．１ｍｇ（収率８３χ
）を得た。
タンスルホネート２０．００１ｇ （０，０２８ミリモ
ル）を塩化メチレンｌｄに溶解させ、−７８°Ｃに冷却
した。次に、ベンズアルデヒド４２．４ｍｇ （０，４
００ミリモル）とトリメチルシリル−１−（１−フェニ
ルプロペニル）エーテル８２．９ｍｇ （０，４００ミ
リモル）の塩化メチレン２ｄ溶液を滴下攪拌し、２時間
後に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え塩化メチレン抽出
した。抽出溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧
下で溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィーで精製して
、１．３−ジフェニル−２−メチル−３−（トリメチル
シリルオキシ）プロパノン１０４．１ｍｇ（収率８３χ
）を得た。
実施例３
オキソビス（トリブチルホスホニウム）トリフルオロメ
タンスルホネート２０．０ｇ （０，０２８ミリモル）
を塩化メチレンＬｍｌに溶解させ、−７８°Ｃに冷却し
た。次に、ベンズアルデヒド４２．４ｍｇ （０，４０
０ミリモル）と０−メチル−〇−ジメチルーＬ−ブチル
シリルケテンアセクール７５．３ｍｇ （０，４００ミ
リモル）の塩化メチレン２ｄ溶液を滴下攪拌し、５時間
後に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え塩化メチレン抽出
した。抽出溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧
下で溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィーで精製して
、３−（ジメチル−ｔ−ブチルシリルオキシ）ベンゼン
プロピオン酸メチルエステル８９．５ｍｇ （収率７６
χ）を得た。
タンスルホネート２０．０ｇ （０，０２８ミリモル）
を塩化メチレンＬｍｌに溶解させ、−７８°Ｃに冷却し
た。次に、ベンズアルデヒド４２．４ｍｇ （０，４０
０ミリモル）と０−メチル−〇−ジメチルーＬ−ブチル
シリルケテンアセクール７５．３ｍｇ （０，４００ミ
リモル）の塩化メチレン２ｄ溶液を滴下攪拌し、５時間
後に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え塩化メチレン抽出
した。抽出溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧
下で溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィーで精製して
、３−（ジメチル−ｔ−ブチルシリルオキシ）ベンゼン
プロピオン酸メチルエステル８９．５ｍｇ （収率７６
χ）を得た。
実施例４
オキソビス（トリブチルホスホニウム）トリフルオロメ
タンスルホネート２０．０ｍｇ （０，０２８ミリモル
）を塩化メチレン１ｍｌに溶解させ、−７８°Ｃに冷却
した。次に、４−メトキシベンズアルデヒドジメチルア
セクール７２．９ｍｇ （０，４００ミリモル）と１−
メトキシスチレン５３．７＋ｎｇ （０，４００ミリモ
ル）の塩化メチレン２ｍｌ溶液を滴下攪拌し、６時間後
に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え塩化メチレン抽出し
た。抽出溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下
で溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィーで精製して、
１，１．３−トリメトキシ−１−フェニル−３−（４″
−メトキシフェニル）プロパン１０５．０ｍｇ （収率
８３χ）を得た。
タンスルホネート２０．０ｍｇ （０，０２８ミリモル
）を塩化メチレン１ｍｌに溶解させ、−７８°Ｃに冷却
した。次に、４−メトキシベンズアルデヒドジメチルア
セクール７２．９ｍｇ （０，４００ミリモル）と１−
メトキシスチレン５３．７＋ｎｇ （０，４００ミリモ
ル）の塩化メチレン２ｍｌ溶液を滴下攪拌し、６時間後
に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え塩化メチレン抽出し
た。抽出溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下
で溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィーで精製して、
１，１．３−トリメトキシ−１−フェニル−３−（４″
−メトキシフェニル）プロパン１０５．０ｍｇ （収率
８３χ）を得た。
実施例５
オキソビス（トリブチルホスホニウム）トリフルオロメ
タンスルホネート２０．０■（０，０２８ミリモル）を
塩化メチレンｌＩｎ１に溶解させ、−７８°Ｃに冷却し
た。次に、シクロヘキセノン３８．５■（０，４００ミ
リモル）と１−トリメチルシリルスチリルエーテル７６
．９ｍｇ （０，４００ミリモル）の塩化メチレン２蔵
溶液を滴下攪拌し、６時間後に炭酸水素ナトリウム水溶
液を加え塩化メチレン抽出した。抽出溶液を無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去し、薄層クロ
マトグラフィーで精製して、α−（３−トリメチルシリ
ルオキシ−２−シクロへキセニル）アセトフェノン６６
．９■（収率５８ｚ）を得た。
タンスルホネート２０．０■（０，０２８ミリモル）を
塩化メチレンｌＩｎ１に溶解させ、−７８°Ｃに冷却し
た。次に、シクロヘキセノン３８．５■（０，４００ミ
リモル）と１−トリメチルシリルスチリルエーテル７６
．９ｍｇ （０，４００ミリモル）の塩化メチレン２蔵
溶液を滴下攪拌し、６時間後に炭酸水素ナトリウム水溶
液を加え塩化メチレン抽出した。抽出溶液を無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去し、薄層クロ
マトグラフィーで精製して、α−（３−トリメチルシリ
ルオキシ−２−シクロへキセニル）アセトフェノン６６
．９■（収率５８ｚ）を得た。
実施例６
オキソビス（トリブチルホスホニウム）トリフルオロメ
タンスルホネート２０．０■（０，０２８ミリモル）を
塩化メチレン１ｍｌに溶解させ、−７８°Ｃに冷却した
。次に、シクロへキセノンジメチルアセクール５６．９
■（０，４００ミリモル）と１−メトキシスチレン５３
．７ｍｇ （０，４００ミリモル）の塩化メチレン２ｍ
１溶液を滴下攪拌し、６時間後に炭酸水素ナトリウム水
溶液を加え塩化メチレン抽出した。抽出溶液を減圧下で
溶媒を留去し、テトラヒドロフラン４ｄとＩＮ−塩酸４
−を加え１時間攪拌した。炭酸水素ナトリウム水溶液を
加えテトラヒドロフラン抽出後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥し、減圧下で溶媒を留去し、薄層クロマトグラフ
ィーで精製して、３−ベンゾイルメチルシクロへキサノ
ン４４．４ｍｇ（収率５１χ）を得た。
タンスルホネート２０．０■（０，０２８ミリモル）を
塩化メチレン１ｍｌに溶解させ、−７８°Ｃに冷却した
。次に、シクロへキセノンジメチルアセクール５６．９
■（０，４００ミリモル）と１−メトキシスチレン５３
．７ｍｇ （０，４００ミリモル）の塩化メチレン２ｍ
１溶液を滴下攪拌し、６時間後に炭酸水素ナトリウム水
溶液を加え塩化メチレン抽出した。抽出溶液を減圧下で
溶媒を留去し、テトラヒドロフラン４ｄとＩＮ−塩酸４
−を加え１時間攪拌した。炭酸水素ナトリウム水溶液を
加えテトラヒドロフラン抽出後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥し、減圧下で溶媒を留去し、薄層クロマトグラフ
ィーで精製して、３−ベンゾイルメチルシクロへキサノ
ン４４．４ｍｇ（収率５１χ）を得た。
実施例７〜ｌＯ
実施例１と同様な操作で反応を行い第１表のような結果
を得た。
を得た。
実施例１１〜１５
実施例２と同様な操作で反応を行い第２表のような結果
を得た。
を得た。
実施例１６〜２６
実施例３と同様な操作で反応を行い第３表のような結果
を得た。
を得た。
実施例２７〜３０
実施例５と同様な操作で反応を行い第４表のような結果
を得た。
を得た。
（以下余白）
Claims (2)
- （１）一般式 Ｒ＾１＿２Ｒ＾２＿２Ｒ＾３＿２Ｐ＿２
ＯＸ＿２（ I ）（式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２およびＲ＾３
は、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状、あるいは環状の
アルキル基またはフェニル基または炭素数１〜４の直鎖
状あるいは分岐状のアルキル置換基を有するフェニル基
を示し、Ｘはトリフルオロメタンスルホニル基を示す。 ）で示されるホスホニウム塩触媒の存在下に、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｒ＾４およびＲ＾５は水素または炭素数１〜１
０の直鎖状、分岐状、あるいは環状のアルキル基であり
、ヘテロ原子を含んでいてもよい。Ｒ＾６は炭素数１〜
１０の直鎖状あるいは分岐状のアルキル基、または−Ｓ
ｉ（ＣＨ＿３）＿２Ｒ＾■を示す。Ｒ＾■はメチル、エ
チル、ｔ−ブチル、およびフェニル基を示す。Ｒ＾７は
水素または炭素数１〜１０の直鎖状あるいは分岐状のア
ルキル基、フェニル基または炭素数１〜１０の直鎖状あ
るいは分岐状のアルキル置換基を有するフェニル基、炭
素数１〜１０の直鎖状あるいは分岐状のアルコキシ基を
示す。 アルキル基およびアルコキシ基は、環状のものでも、ま
たヘテロ原子を含んでいてもよい。）で示されるエノー
ルエーテルと、 一般式 Ｒ＾９ＣＨＯ（III） （式中、Ｒ＾９は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状、あ
るいは環状のアルキル基、炭素数２〜１５の直鎖状、分
岐状、あるいは環状のアリール基、または炭素数１〜１
５で多環状のものも含むアリル基を示す。アルキル基、
アリール基、アリル基何れもヘテロ原子を含んでいても
よい。）で示されるアルデヒドまたは、 一般式 Ｒ＾１＾０ＣＨ（ＯＲ＾１＾１）＿２ （IV）
（式中、Ｒ＾１＾０は水素、炭素数１〜１５の直鎖状、
分岐状、あるいは環状のアルキル基、炭素数２〜１５の
直鎖状、分岐状、あるいは環状のアリール基、または炭
素数１〜１５で多環状のものも含むアリル基、または炭
素数１〜６の直鎖状、分岐状のアルコキシ基を示す。ア
ルキル基、アリール基、アリル基何れもヘテロ原子を含
んでいてもよい。 Ｒ＾１＾１は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状のアルキル
基、アリル基を示し、それらはヘテロ原子を含んでいて
もよい。）で示されるアセタール類とを溶媒中で反応さ
せることを特徴とするアルドール付加反応生成物の製造
法。 - （２）特許請求の範囲第１項における一般式（ I ）で
示されるホスホニウム塩触媒の存在下に、一般式（II）
で示されるエノールエーテルと、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ） （式中、Ｒ＾１＾２およびＲ＾１＾５は炭素数１〜１０
の直鎖状、分岐状のアルキル基または炭素数１〜１５の
アリル基を示す。Ｒ＾１＾３およびＲ＾１＾４は水素、
炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状のアルキル基を示す。 上記アルキル基およびアリル基はヘテロ原子を含んでい
てもよい。）で示される不飽和ケトン、または、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（VI） （式中、Ｒ＾１＾６およびＲ＾１＾９は炭素数１〜１０
の直鎖状、分岐状のアルキル基または炭素数１〜１５の
アリル基を示す。Ｒ＾１＾７およびＲ＾１＾８は水素、
炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状のアルキル基を示す。 Ｒ＾２＾０は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状のアルキル
基を示す。上記アルキル基、アリル基はヘテロ原子を含
んでいてもよい。）で示される不飽和アセタールとを溶
媒中で反応させることを特徴とするマイケル付加反応生
成物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1089757A JPH02268131A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | ホスホニウム塩触媒を用いるアルドールおよびマイケル付加体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1089757A JPH02268131A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | ホスホニウム塩触媒を用いるアルドールおよびマイケル付加体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02268131A true JPH02268131A (ja) | 1990-11-01 |
Family
ID=13979597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1089757A Pending JPH02268131A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | ホスホニウム塩触媒を用いるアルドールおよびマイケル付加体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02268131A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006188456A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Kanto Denka Kogyo Co Ltd | 含フッ素ケテンシリルアセタールを用いたマイケル付加体の製造方法 |
| CN111990400A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-11-27 | 浙江工业大学 | 一种二芳基戊烷类化合物在除草剂中的应用 |
-
1989
- 1989-04-11 JP JP1089757A patent/JPH02268131A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006188456A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Kanto Denka Kogyo Co Ltd | 含フッ素ケテンシリルアセタールを用いたマイケル付加体の製造方法 |
| CN111990400A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-11-27 | 浙江工业大学 | 一种二芳基戊烷类化合物在除草剂中的应用 |
| CN111990400B (zh) * | 2020-07-29 | 2021-07-23 | 浙江工业大学 | 一种二芳基戊烷类化合物在除草剂中的应用 |
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