JPH02268255A - Apparatus for inspecting fluorescence characteristic - Google Patents
Apparatus for inspecting fluorescence characteristicInfo
- Publication number
- JPH02268255A JPH02268255A JP8947989A JP8947989A JPH02268255A JP H02268255 A JPH02268255 A JP H02268255A JP 8947989 A JP8947989 A JP 8947989A JP 8947989 A JP8947989 A JP 8947989A JP H02268255 A JPH02268255 A JP H02268255A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- distribution
- photoluminescence
- lifetime
- fluorescence
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 59
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 30
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 11
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 claims description 6
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 claims description 4
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000002798 spectrophotometry method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
Description
本発明は、試料の螢光特性を検査するための装置に係り
、特に、発光ダイオード(LED) 、レーザダイオー
ド(LD) 、電界効果トランジスタ(FET) 、フ
ォトダイオード(PD) 、光学電気集積素子(OEI
C)、集積素子(IC)等に使用されるGa ASウェ
ハ等の半導体ウェハの品質を評価する際に用いるのに好
適な、試料から発生するフォトルミネッセンスの空間的
な強度分布像及び寿命分布像を得ることが可能な螢光特
性検査装置に関するものである。The present invention relates to an apparatus for inspecting the fluorescent properties of a sample, and in particular to a light emitting diode (LED), a laser diode (LD), a field effect transistor (FET), a photodiode (PD), an opto-electrical integrated device ( OEI
C) Spatial intensity distribution image and lifetime distribution image of photoluminescence generated from a sample suitable for use in evaluating the quality of semiconductor wafers such as Ga AS wafers used in integrated devices (ICs) etc. This invention relates to a fluorescent property testing device that can obtain the following characteristics.
LED、LDlFET、PD、OE IC,IC等の製
造に用いられるQa ASウェハの品質は、これらの製
造業者にとって最大の問題であり、現状では決して安心
できるものではない。
一般に、半導体結晶に禁止帯幅よりも大きなエネルギー
を持つ光ビームを照射して価電子帯から電子を励起する
と、励起された電子が再結合でエネルギーを失う過程で
螢光が1!測され、この発光が7オトルミネツセンスと
呼ばれている。このフォトルミネッセンスにおける螢光
の寿命は、結晶の品質、表面処理、表面の歪、疵等によ
っても決まる。従って、研磨→エツチングと加工工程が
進むに従って、表面の再結合中心が減少し、螢光寿命が
長くなる場合もある。これは、表面再結合速度を見てい
ることに相当する。−殻内には、螢光寿命が変化するの
は、結晶の品質、結晶欠陥、表面状態、表面処理等の影
響のためであり、これらの状況が良好な、即ち品質の良
いウェハは、第13図に実線Aで示す如く螢光寿命が長
くなるのに対して、品質の低いウェハは、同じく第13
図に実線Bで示す如く、螢光寿命が短くなっている。
従って、Ga ASウェハの品質評価に際しては、その
螢光寿命を測定することが重要である。
又、GaASウェハの品質は、螢光寿命だけでなく、螢
光効率(量子効率、螢光の絶対値即ち螢光強度)も重要
である。通常は、第13図に示すように、螢光効率と寿
命は相関があるが、そうでない場合もあり得るので、螢
光強度を測ることも重要である。The quality of Qa AS wafers used to manufacture LEDs, LDIFETs, PDs, OE ICs, ICs, etc. is the biggest issue for these manufacturers, and the current situation is far from reliable. In general, when a semiconductor crystal is irradiated with a light beam with energy greater than the forbidden band width to excite electrons from the valence band, fluorescence occurs as the excited electrons lose energy through recombination. This luminescence is called 7 otoluminescence. The lifetime of the fluorescence in this photoluminescence is also determined by the quality of the crystal, surface treatment, surface distortion, flaws, etc. Therefore, as the processing process progresses from polishing to etching, the number of recombination centers on the surface decreases and the lifetime of the fluorescence may become longer. This corresponds to looking at the surface recombination rate. - Inside the shell, the fluorescence lifetime changes due to the effects of crystal quality, crystal defects, surface condition, surface treatment, etc., and wafers with good conditions, that is, good quality, As shown by the solid line A in Figure 13, the fluorescent life becomes longer, but the wafers of lower quality also
As shown by the solid line B in the figure, the lifetime of the fluorescent light is shortened. Therefore, when evaluating the quality of Ga AS wafers, it is important to measure their fluorescence lifetime. Furthermore, for the quality of a GaAS wafer, not only the fluorescence lifetime but also the fluorescence efficiency (quantum efficiency, absolute value of fluorescence, that is, fluorescence intensity) is important. Usually, as shown in FIG. 13, there is a correlation between fluorescence efficiency and lifetime, but this may not always be the case, so it is also important to measure the fluorescence intensity.
しかしながら、フォトルミネッセンスを利用して結晶の
品質を調べるための従来の装置は、試料に波長λ1の連
続光(DC光)を照射し、発生する波長λ2(〉λ1)
のフォトルミネッセンスの強度分布から、試料の評価を
行うものであった。
又、モード同期パルスレーザ又は半導体レーザのパルス
光を試料に当て、サンプリング型ストリークカメラを用
りて、発生したフォトルミネッセンスの螢光寿命を測定
する技術も提案されている。
しかしながら、測定結果は単一の測定点についてのみ又
単一波長についてしか得られないので、試料を移動して
各点の測定を行うのに時間がかかる等の問題点を有して
いた。
本発明は、前記従来の問題点を解消するべくなされたも
ので、試料から発生するフォトルミネッセンスの螢光強
度及び螢光寿命、又はその相関の空間的な分布像を高速
で得ることが可能な螢光特性検査装置を提供することを
課題とする。However, conventional equipment for examining the quality of crystals using photoluminescence irradiates a sample with continuous light (DC light) of wavelength λ1, and generates a wavelength of λ2 (>λ1).
The sample was evaluated based on the intensity distribution of photoluminescence. Furthermore, a technique has been proposed in which a sample is irradiated with pulsed light from a mode-locked pulsed laser or a semiconductor laser, and the fluorescence lifetime of the generated photoluminescence is measured using a sampling streak camera. However, since measurement results can only be obtained for a single measurement point or for a single wavelength, there are problems such as it takes time to move the sample and measure each point. The present invention was made to solve the above-mentioned conventional problems, and it is possible to quickly obtain a spatial distribution image of the fluorescence intensity and fluorescence lifetime of photoluminescence generated from a sample, or the correlation thereof. An object of the present invention is to provide a fluorescent property testing device.
本発明は、螢光特性検査゛装置において、第1図にその
基本構成を例示する如く、スリット状又は複数の光ビー
ムによって試料10を励起するためのパルス光[12と
、該パルス光源12の光を試料10に照射する照射光学
系14と、試料1oの測定位置を移動するための移動手
段(図ではステージ16)と、試料10から発生するフ
ォトルミネッセンスを抽出して検出器(20)に導く集
光光学系18と、前記パルス光源12に同期して、前記
フォトルミネッセンスの時間強度波形に関する情報を2
次元的に読出して、複数の測定点における情報を並列的
に検出するためのストリークカメラ20と、試料測定位
置を移動しながら並列的に検出した、複数の測定点にお
ける前記時間強度波形に関する情報を解析、処理して、
フォトルミネッセンスの空間的な強度分布、寿命分布又
はその相関分布を求める信号処理装置22とを備えるこ
とにより、前記課題を達成したものである。
又、例えば第2図に示す如く、前記ストリークカメラ2
0の前に分光手段(26)を設け、分光方向(λ方向)
と垂直な方向に掃引して、測定点からのフォトルミネッ
センスの時間分解分光を行い、多波長の空間的な強度分
布、寿命分布又はその相関分布が並列的に求められるよ
うにしたものである。この場合、試料を励起するパルス
光はスポット状でもよい。
又、例えば第3図に示す如く、前記ストリークカメラ2
0の前に走査可能な分光手段(26)を設け、分光方向
に掃引して、複数の測定点におけるフォトルミネッセン
スの所定波長毎の空間的な強度分布、寿命分布又はその
相関分布が並列的に求められるようにしたものである。
又、前記ストリークカメラのストリーク管を、スリット
状に形成された光電面又は加速電極を持つ構造として、
ストリークカメラの入射スリット及びリレーレンズを不
要としたものである。
[作用及び効果]
本発明にかかる螢光特性検査装置では、パルス光源12
を用いてスリット状又は複数の光ビームにより試料10
を励起し、該パルス光源12に同期して、ストリークカ
メラ20を2次元的に読出すことにより、試料中から発
生するフォトルミネッセンスの、複数の測定点における
時間強度波形に関する情報を並列的に検出し、試料測定
位置を移動しながら並列的に検出した、複数の測定点に
おける該時間強度波形に関する情報を解析、処理して、
フォトルミネッセンスの空間的な強度分布及び寿命分布
、又はその相関分布を求めるようにしている。従って、
試料の螢光強度及び寿命の両者を高速で同時に測定する
ことができ、Ga Asウェハ等の品質を正確に評価す
ることが可能となる。更に、該螢光強度及び寿命又はそ
の相関の空間的な分布像が得られるので、局所的な欠陥
等も容易に検査することができる。
又、例えば第2図に示す如く、前記ストリークカメラ2
0の前に分光手段(分光器26)を設け、分光方向と垂
直な方向に掃引するようにした場合には、測定点からの
フォトルミネッセンスの時間分解分光を行って、多波長
の空間的な強度分布、寿命分布又はその相関分布を並列
的に求めることが可能となり、特に、波長によって螢光
寿命が異なる試料を検査する際に好適である。
更に、例えば第3図に示す如く、前記ストリークカメラ
2oの前に走査可能な分光手段(26)を設けて分光方
向に掃引するようにした場合には、複数の測定点におけ
るフォトルミネッセンスの所定波長毎の空間的な強度分
布、寿命分布又はその相関分布を並列的に得ることが可
能となる。
又、前記ストリークカメラのストリーク管が、スリット
状に形成された光電面又は加速電極を持つ構造とした場
合には、ストリークカメラの入射スリット及びリレーレ
ンズを不要とすることができる。
即ち、通常、ストリークカメラは、ストリーク管の直前
に、入射スリットとリレーレンズで構成される入力光学
系が配されている。この入力光学系の目的は、入射光を
スリット状に切り出して、ストリーク管の光電面上に入
射光のスリット光を結像するためのものである。一方、
USP4630925には、ストリークカメラを用いて
時間分解分光測光を行う装置で、分光器の入力をピンホ
ールスリットとし、入力光学系なしで、試料のある点か
らの螢光の時間−波長の輝度変化を測定する技術が開示
されている。この方法の場合、面状の光電面を前提とし
、分光器の入力スリットをピンホールとして、分光器の
結像系により、ストリーク管の光電面上に波長分解され
た入射光のスリット像を結像することにより、入力光学
系なしで前記の測定を可能としている。しかしながら、
分光器のスリットをピンホールとすると試料の1点の測
定しかできない。そこで、例えば特公昭58−5800
5に示唆されている如く、分光器のスリットをピンホー
ルとせず、ストリーク管の光電面又は加速電極をスリッ
ト状に形成することによって、入力光学系を省略するこ
とができる。この場合には、入力光学系を省略して試料
の多点の測定を同時に行うことができる。
【実施例]
以下図面を参照して、半導体ウェハ評価装置に適用した
、本発明に係る螢光特性検査装置の実施例を詳細に説明
する。
本発明の第1実施例は、第1図に示した如く、スリット
状の光によってQa As半導体ウェハ等の試料10を
励起するためのパルス光源12と、該パルス光源12の
光を試料10に照射する照射光学系14と、前記パルス
光源12に対する試料10の位置を微細にはスリット光
長手方向と垂直な方向に、粗くはスリット光長手方向に
移動させることによって、前記試料10の測定位置(パ
ルス光照射位置)を移動するためのステージ16と、試
料10から発生するフォトルミネッセンスを抽出して検
出器に導くための、ビームスプリッタ18A、フォトル
ミネッセンスの波長成分を抽出するためのフィルタ18
B及びレンズ18Gを含む集光光学系18と、前記パル
ス光a112の出力をトリガ信号として、前記フォトル
ミネッセンスの時間強度波形(以下、螢光波形と称する
)に関する情報を2次元的に読出すためのストリークカ
メラ20と、前記ステージ16を移動することによって
、試料測定位置を移動しながら並列的に検出した、スリ
ット状に並んだ複数の測定点(第4図参照)における前
記螢光波形に関する情報を解析、処理して、フォトルミ
ネッセンスの空間的な強度分布、寿命分布又はその相関
分布を求める信号処理装置22と、該信号処理装置22
によって得られた空間的な強度分布像、寿命分布像又は
その相関分布像を表示する表示装置24とから構成され
ている。
前記パルス光8!12としては、例えば波長600〜6
80 nIn程度でパルス幅50 psec程度のパル
ス光を安定して発撮可能なレーザダイオード(LD)を
用いることができる。該パルス光源12からトリガ信号
を得る方法としては、例えばパルス光源12のパルス光
を分岐し、その一方の光をアバランシュフォトダイオー
ド(APD)等の高速フォトダイオードで電気信号に変
換して、ストリークカメラ20のトリガ信号とすること
ができる。
前記ストリークカメラ20は、第5図に基本的な構成を
示す如く、例えば入射スリット板30及びレンズ32か
らなる入力光学系を介して、入射光をストリーク管34
の光電面36に当てて電子に変換し、偏向電極38の間
を光電子が通過する際に高速掃引することによって、時
間的に変化する入射光強度を螢光面42上の位置におけ
る輝度変化として測定するものである。図において、4
0は、螢光面42の直前で光電子を増倍するためのマル
チチャンネルプレート(MCP)である。
このようにして出力螢光面42上に現れた像はストリー
ク像と呼ばれ、これを例えば第1図に示した如く、ビジ
コンやCOD等を使用したテレビカメラ50でmeした
後、この出力像の時間軸方向に沿った明るさの分布を定
量することによって、被測定光の強度の経時変化を知る
ことができる。
具体的には例えばテレビカメラ50の出力をアナログ/
デジタル<A/D)変換器52でA/D変換し、−時記
憶装置54に保持した後、前記信号処理装置22に出力
する。
前記ストリークカメラ20により、スリット状に並んだ
各測定点毎に、例えば第6図に示すような螢光波形を並
列に得て、これから得られた測定点毎の螢光強度及び寿
命を、測定点に対応させて2次元的にプロットすること
により、空間的な強度分布像及び寿命分布像が迅速に得
られる。
本実施例においては、スリット光の長さを測定範囲と一
致させているので、通常、スリット光長手方向への試料
移動は不要である。なお、更に広い範囲を測定する場合
は、ステージをスリット光の長手方向及び垂直方向に粗
く移動させることもできる。
前記信号処理装置22における螢光波形に関する情報の
解析及び処理は、次のようにして行われる。
即ち、前出第6図に示したような螢光波形に基づいて、
まず螢光強度1 (t )が1/e (約37%)とな
る迄の時間である螢光寿命τを求める。
具体的には、螢光寿命でか1種類である場合には、前記
螢光波形の縦軸を対数で表わした波形は第7図に示す如
くとなるので、この波形に対して、次式に示すような式
を当て填めて、例えば最小二乗法等により一番近い係数
項A及び寿命τを求める。
1 (t ) −A −exp(−t /τ) ・
(1)又、螢光寿命が複数(τ1、τ2、τ3、・・・
)ある場合には、螢光波形を対数で表わした波形は第8
図に示す如くとなるので、これに対応させて、次式に示
すような式を当て填めることによって、各螢光寿命τ1
、τ2、τ3、・・・を求めることができる。
I(t)−Aj exp(−t/r1)+A2 ・e
xp(−t /τ2)
+A3 ・eXI)(−t /τ3)
+・・・ ・・・・・・・・・(2)一方、螢
光の(全)強度は、前記波形の全面積(第7図及び第8
図に斜線で示す)に相当するので、前記波形の値I (
t )を全範囲に亘って積分するか、又は、次式を用い
て、螢光寿命を求める際に求められた定数Ai及び螢光
寿命τiから計算によって求めることができる。
fI(t)=、A+τ1+A2τ2+A3τ3+・・・
・・・・・・・・・(3)このようにして
求められた螢光寿命及び螢光強度が、前記表示装置24
に空間的分布像として表示される。螢光寿命の表示像の
一例を第9図に示す。この第9図においては、螢光寿命
τの分布が、例えば濃淡によって表わされている。
なお、螢光強度及び寿命を画像化するに際しては、白黒
濃度で表示する他、カラー画像で色を変えて表示したり
、あるいは3次元表示を行うことも可能である。又、螢
光寿命に、第2吹成分τ2、第3火成分τ3もある場合
には、例えば1次成分て1のみを緑でマツピングし、1
次及び2次成分τ1、τ2を赤でマツピングし、1次、
2次及び3次成分τ1、τ2、τ3を黄でマツピングす
ることができる。又、1次成分τ1を赤とし、2次成分
τ2を緑とし、3次成分τ3を青とし、順次重ねること
によって、結果的に、1次成分で1を赤、2次成分τ2
を黄、3次成分τ3を白で表示することも可能である。
更に、画像表示に際しては、適宜スムージング処理を行
って、見易くすることも可能である。
又、信号処理装置22は、異なる強度分布像及び寿命分
布像の間での相関、例えば比を求める等の演算を行い、
演算結果(即ち相関分布像)につき表示することもでき
る。
次に、第10図を参照して、本発明の第2実施例を詳細
に説明する。
この第2実施例は、前記第1実施例と同様の、パルス光
ai12もしくはスポット状の光源と、照射光学系14
と、ステージ16と、集光光学系18と、ストリークカ
メラ20と、信号処理装置22と、表示装置24と、テ
レビカメラ50と、A/D変換器52と、−時記憶装置
52とを備えた半導体ウェハ評価装置において、更に、
前記ストリークカメラ20の間に、信号処理装置22で
制御され、試料1oから発生するフォトルミネッセンス
を分光する分光器26を設け、第2図に示した如く、ス
トリークカメラ20で分光方向と垂直な方向に掃引して
、測定点からのフォトルミネッセンスの時間分解分光を
行い、多波長の空間的な強度分布像及び寿命分布像が得
られるようにしたものである。この場合、1回の測定点
は1点となるが、多波長それぞれの寿命を並列的に測定
することができる。
第2図において、26Aは、結像面に配置される分光器
26の入射スリット、3oは、ストリークカメラ20の
入射スリット、38は同じく偏向電極、42は同じく螢
光面である。
この第2実施例によれば、多波長の情報を同時に測定す
ることができ、例えば第11図に示す如く、波長によっ
て螢光寿命が異なる場合であっても、波長毎の螢光寿命
τ1、τ2を正確に求めることができる。
この第2実施例においては、波長情報を含む螢光波形が
直ちに得られるので、分光器26における波長走査は不
要である。
次に、本発明の第3実施例を詳細に説明する。
この第3実施例は、前記第2実施例と同様の半導体ウェ
ハ評価装置において、第3図に示した如く、前記ストリ
ークカメラ20で分光方向に掃弓して、複数の測定点に
おける波長毎の空間的な強度分布像及び寿命分布像又は
その相関分布像が並列的に得られるようにしたものであ
る。
他の点に関しては、第2実施例と同様であるので、詳細
な説明は省略する。
なお、前記実施例においては、いずれも、試料10の測
定位置を移動するための移動手段として、1次元方向も
しくは2次元方向に移動するステージ16が用いられて
いたが、試料測定位置を移動するための移動手段はこれ
に限定されない。例えば、試料10がベルトコンベア等
の上を流れている場合には、1つの移動手段を省略する
ことができる。又、機械的な走査手段によらず、パルス
光を電気光学的に偏向して走査する構成としてもよい。
又、第12図に示す第4実茄例の如く、パルス光源12
とは別の落射照明光源80を設けて、例えばレンズ80
Aを介して試料10を照射し、この反射光をミラー82
A及びレンズ82CでTVカメラ84に導き、TVカメ
ラ84で反射画像を銀像し、A/D変換器86でA/D
変換後、信号処理装置22に入力し、これを画像メモリ
(図示省略)に記憶し、表示装置24上に画像を表示し
て、試料10上のパルス光の位置の確認や、測定領域の
状態をモニタすることもできる。
又、この反射画像と、フォトルミネッセンスの寿命分布
画像、強度分布画像等を重ねて表示することも可能であ
る。
又、前記落射照明光if!80に試料10の吸収波層に
合わせた波長フィルタ80Bを設け、試料10を全面照
射して、その時発止するフォトルミネッセンス像を、所
定の波長フィルタ82Bを介して、前記TVカメラ84
によりlid像し、2次元のフォトルミネッセンス強度
分布を求めることも可能である。
更に、試料10の裏面側に透明照明のための光源90.
レンズ90A、90C及び波長フィルタ90Bを設け、
試料の透過光による画像を前記TVカメラ84又は高速
光検出器20により取得して、フォトルミネッセンスの
寿命、強度分布画像等と比較することも可能である。こ
の時、高速光検出器20の前に設けられた分光手段60
により試料10の非線形性による第2高調波(SHG)
成分を抽出し、試料10を走査して非線形光学特性画像
を得ることもできる。
又、前記実施例においては、いずれも、本発明が半導体
ウェハの欠陥を検査するための半導体ウェハ評価装置に
適用されていたが、本発明の適用範囲はこれに限定され
ず、誘電体、螢光面、薬剤、紙、生体検査等、他の螢光
特性を検査するための装置にも同様に適用できることは
明らかである。The present invention provides a fluorescence characteristic testing apparatus, the basic configuration of which is illustrated in FIG. An irradiation optical system 14 that irradiates the sample 10 with light, a moving means (stage 16 in the figure) for moving the measurement position of the sample 1o, and a detector (20) that extracts photoluminescence generated from the sample 10. A condensing optical system 18 for guiding and synchronizing with the pulsed light source 12 collects information regarding the time-intensity waveform of the photoluminescence.
A streak camera 20 for reading out dimensionally and detecting information at a plurality of measurement points in parallel, and information about the time-intensity waveform at a plurality of measurement points detected in parallel while moving the sample measurement position. Analyze, process,
The above object has been achieved by including a signal processing device 22 for determining the spatial intensity distribution, lifetime distribution, or correlation distribution thereof of photoluminescence. Further, for example, as shown in FIG. 2, the streak camera 2
A spectroscopic means (26) is provided in front of 0, and the spectroscopic direction (λ direction)
This method performs time-resolved spectroscopy of photoluminescence from a measurement point by sweeping in a direction perpendicular to the wavelength, and the spatial intensity distribution of multiple wavelengths, lifetime distribution, or their correlation distribution can be obtained in parallel. In this case, the pulsed light that excites the sample may be in the form of a spot. Further, as shown in FIG. 3, for example, the streak camera 2
A scanning spectroscopic means (26) is provided in front of the 0, and is swept in the spectral direction to measure the spatial intensity distribution, lifetime distribution, or correlation distribution thereof for each predetermined wavelength of photoluminescence at a plurality of measurement points in parallel. It was made so that people could ask for it. Further, the streak tube of the streak camera has a structure having a photocathode or an accelerating electrode formed in a slit shape,
This eliminates the need for the entrance slit and relay lens of the streak camera. [Operations and Effects] In the fluorescent property testing device according to the present invention, the pulsed light source 12
sample 10 with a slit shape or multiple light beams using
By exciting the pulsed light source 12 and reading the streak camera 20 two-dimensionally in synchronization with the pulsed light source 12, information regarding the time-intensity waveform of photoluminescence generated in the sample at a plurality of measurement points is detected in parallel. and analyzes and processes information regarding the time-intensity waveforms at multiple measurement points, which are detected in parallel while moving the sample measurement position,
The spatial intensity distribution and lifetime distribution of photoluminescence or their correlation distribution are determined. Therefore,
Both the fluorescence intensity and lifetime of a sample can be measured simultaneously at high speed, making it possible to accurately evaluate the quality of GaAs wafers and the like. Furthermore, since a spatial distribution image of the fluorescence intensity and lifetime or their correlation can be obtained, local defects etc. can be easily inspected. Further, for example, as shown in FIG. 2, the streak camera 2
If a spectroscopic means (spectrometer 26) is installed in front of 0 and sweeps in a direction perpendicular to the direction of spectroscopy, time-resolved spectroscopy of photoluminescence from the measurement point is performed to obtain spatial multi-wavelength spectroscopy. It becomes possible to obtain the intensity distribution, lifetime distribution, or their correlation distribution in parallel, which is particularly suitable when inspecting samples whose fluorescence lifetimes differ depending on the wavelength. Furthermore, as shown in FIG. 3, for example, if a scanning spectroscopic means (26) is provided in front of the streak camera 2o to sweep in the spectroscopic direction, the predetermined wavelength of photoluminescence at a plurality of measurement points can be It becomes possible to obtain spatial intensity distributions, lifetime distributions, or their correlation distributions in parallel. Further, when the streak tube of the streak camera has a structure having a photocathode or an accelerating electrode formed in the shape of a slit, the entrance slit and relay lens of the streak camera can be made unnecessary. That is, in a streak camera, an input optical system consisting of an entrance slit and a relay lens is usually arranged immediately in front of the streak tube. The purpose of this input optical system is to cut out the incident light into a slit shape and form an image of the slit light of the incident light on the photocathode of the streak tube. on the other hand,
USP 4,630,925 describes a device that performs time-resolved spectrophotometry using a streak camera, and uses a pinhole slit as the input of the spectrometer to measure the time-wavelength luminance change of fluorescence from a certain point on the sample without an input optical system. Techniques for measuring are disclosed. This method assumes a planar photocathode, uses the input slit of the spectrometer as a pinhole, and uses the imaging system of the spectrometer to form a slit image of the wavelength-resolved incident light on the photocathode of the streak tube. By imaging, the above-mentioned measurement is possible without an input optical system. however,
If the slit of the spectrometer is a pinhole, only one point on the sample can be measured. Therefore, for example,
5, the input optical system can be omitted by forming the photocathode or accelerating electrode of the streak tube in the shape of a slit instead of using the slit of the spectrometer as a pinhole. In this case, it is possible to omit the input optical system and measure multiple points on the sample simultaneously. [Example] Hereinafter, an example of a fluorescent property inspection apparatus according to the present invention applied to a semiconductor wafer evaluation apparatus will be described in detail with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the first embodiment of the present invention includes a pulsed light source 12 for exciting a sample 10 such as a QaAs semiconductor wafer with slit-shaped light, and a pulsed light source 12 for exciting a sample 10 such as a QaAs semiconductor wafer with light from the pulsed light source 12. The measurement position of the sample 10 ( a stage 16 for moving the pulsed light irradiation position), a beam splitter 18A for extracting photoluminescence generated from the sample 10 and guiding it to the detector, and a filter 18 for extracting the wavelength component of the photoluminescence.
B and a condensing optical system 18 including a lens 18G and the output of the pulsed light a112 as a trigger signal to two-dimensionally read out information regarding the time-intensity waveform of the photoluminescence (hereinafter referred to as a fluorescence waveform). Information regarding the fluorescence waveform at a plurality of measurement points arranged in a slit shape (see FIG. 4) detected in parallel while moving the sample measurement position by moving the streak camera 20 and the stage 16. a signal processing device 22 that analyzes and processes the photoluminescence to determine the spatial intensity distribution, lifetime distribution, or correlation distribution thereof; and the signal processing device 22
The display device 24 displays a spatial intensity distribution image, a lifetime distribution image, or a correlation distribution image thereof obtained by the above. The pulsed light 8!12 has a wavelength of 600 to 6, for example.
A laser diode (LD) that can stably emit pulsed light of about 80 nIn and a pulse width of about 50 psec can be used. A method for obtaining a trigger signal from the pulsed light source 12 is, for example, by branching the pulsed light from the pulsed light source 12 and converting one of the lights into an electrical signal using a high-speed photodiode such as an avalanche photodiode (APD). There may be 20 trigger signals. The streak camera 20, as shown in its basic configuration in FIG.
By applying the photoelectrons to the photocathode 36 and converting them into electrons, and sweeping the photoelectrons at high speed as they pass between the deflection electrodes 38, the time-varying incident light intensity is converted into a brightness change at a position on the fluorescent surface 42. It is something to be measured. In the figure, 4
0 is a multi-channel plate (MCP) for multiplying photoelectrons immediately in front of the fluorescent surface 42. The image that appears on the output fluorescent surface 42 in this way is called a streak image, and as shown in FIG. By quantifying the brightness distribution along the time axis direction, it is possible to know the change in the intensity of the measured light over time. Specifically, for example, the output of the television camera 50 is converted into an analog/
The signal is A/D converted by a digital<A/D) converter 52, stored in a -time storage device 54, and then output to the signal processing device 22. Using the streak camera 20, fluorescence waveforms as shown in FIG. 6 are obtained in parallel at each measurement point arranged in a slit shape, and the fluorescence intensity and lifespan obtained for each measurement point are measured. By plotting two-dimensionally in correspondence with points, spatial intensity distribution images and lifetime distribution images can be quickly obtained. In this embodiment, since the length of the slit light is made to match the measurement range, it is usually not necessary to move the sample in the longitudinal direction of the slit light. In addition, when measuring an even wider range, the stage can be roughly moved in the longitudinal direction and perpendicular direction of the slit light. Analysis and processing of information regarding the fluorescence waveform in the signal processing device 22 is performed as follows. That is, based on the fluorescence waveform as shown in FIG. 6 above,
First, the fluorescence lifetime τ, which is the time until the fluorescence intensity 1 (t) becomes 1/e (approximately 37%), is determined. Specifically, if there is only one type of fluorescence life, the waveform expressed logarithmically on the vertical axis of the fluorescence waveform will be as shown in Figure 7, so for this waveform, the following equation can be used. By applying the equation shown in , the nearest coefficient term A and the life τ are determined by, for example, the method of least squares. 1 (t) −A −exp(−t/τ) ・
(1) Also, there are multiple fluorescent lifetimes (τ1, τ2, τ3,...
) In some cases, the logarithmic waveform of the fluorescence waveform is
As shown in the figure, by correspondingly applying the following equation, each fluorescent life τ1
, τ2, τ3, . . . can be obtained. I(t)-Aj exp(-t/r1)+A2 ・e
xp(-t/τ2) +A3 ・eXI)(-t/τ3) +... ・・・・・・・・・(2) On the other hand, the (total) intensity of the fluorescence is the total area of the waveform ( Figures 7 and 8
(shown with diagonal lines in the figure), the value of the waveform I (
t) over the entire range, or can be calculated from the constant Ai and the fluorescence lifetime τi obtained when determining the fluorescence lifetime using the following equation. fI(t)=, A+τ1+A2τ2+A3τ3+...
(3) The fluorescence life and fluorescence intensity thus determined are displayed on the display device 24.
is displayed as a spatial distribution image. An example of a display image of the fluorescent life is shown in FIG. In FIG. 9, the distribution of the fluorescence lifetime τ is represented by, for example, shading. When visualizing the fluorescence intensity and lifespan, in addition to displaying in black and white density, it is also possible to display a color image with different colors, or to perform three-dimensional display. In addition, if there are also a second blowing component τ2 and a third blowing component τ3 in the fluorescent life, for example, only the first component 1 is mapped in green, and 1
Mapping the next and second order components τ1 and τ2 in red, the first order,
The secondary and tertiary components τ1, τ2, and τ3 can be mapped in yellow. Also, by making the first-order component τ1 red, the second-order component τ2 green, and the third-order component τ3 blue, and sequentially overlapping them, as a result, the first-order component 1 is red, and the second-order component τ2 is
It is also possible to display the third-order component τ3 in yellow and the third-order component τ3 in white. Furthermore, when displaying an image, it is possible to perform appropriate smoothing processing to make it easier to see. Further, the signal processing device 22 performs calculations such as calculating a correlation between different intensity distribution images and lifetime distribution images, for example, calculating a ratio.
It is also possible to display the calculation results (ie, the correlation distribution image). Next, a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. This second embodiment uses a pulsed light ai 12 or a spot light source and an irradiation optical system 14 similar to the first embodiment.
, a stage 16, a condensing optical system 18, a streak camera 20, a signal processing device 22, a display device 24, a television camera 50, an A/D converter 52, and a -time storage device 52. In the semiconductor wafer evaluation device, further,
A spectroscope 26 that is controlled by a signal processing device 22 and separates photoluminescence generated from the sample 1o is provided between the streak cameras 20, and as shown in FIG. The time-resolved spectroscopy of the photoluminescence from the measurement point is performed by sweeping the light to obtain a multi-wavelength spatial intensity distribution image and lifetime distribution image. In this case, the number of measurement points is one, but the lifetime of each of multiple wavelengths can be measured in parallel. In FIG. 2, 26A is an entrance slit of the spectrometer 26 disposed on the imaging plane, 3o is an entrance slit of the streak camera 20, 38 is a deflection electrode, and 42 is a fluorescent surface. According to this second embodiment, information on multiple wavelengths can be measured simultaneously. For example, even if the fluorescence lifetime differs depending on the wavelength, as shown in FIG. 11, the fluorescence lifetime τ1 for each wavelength, τ2 can be determined accurately. In this second embodiment, since a fluorescence waveform containing wavelength information is immediately obtained, wavelength scanning in the spectrometer 26 is not necessary. Next, a third embodiment of the present invention will be described in detail. In the third embodiment, in a semiconductor wafer evaluation apparatus similar to the second embodiment, as shown in FIG. 3, the streak camera 20 sweeps in the spectral direction, and the A spatial intensity distribution image, a lifetime distribution image, or a correlation distribution image thereof can be obtained in parallel. Since other points are the same as those in the second embodiment, detailed explanation will be omitted. In each of the above embodiments, the stage 16 that moves in a one-dimensional direction or two-dimensional direction was used as a moving means for moving the measurement position of the sample 10. The means of transportation for this purpose is not limited to this. For example, if the sample 10 is flowing on a belt conveyor or the like, one moving means can be omitted. Alternatively, instead of using mechanical scanning means, a configuration may be adopted in which the pulsed light is electro-optically deflected and scanned. Further, as in the fourth example shown in FIG. 12, the pulsed light source 12
An epi-illumination light source 80 separate from the lens 80 is provided, for example.
The sample 10 is irradiated through the mirror 82, and this reflected light is sent to the mirror 82.
A and a lens 82C lead to a TV camera 84, the TV camera 84 converts the reflected image into a silver image, and an A/D converter 86 converts the reflected image into an A/D converter.
After conversion, it is input to the signal processing device 22, stored in an image memory (not shown), and displayed on the display device 24 to confirm the position of the pulsed light on the sample 10 and the state of the measurement area. can also be monitored. Further, it is also possible to display this reflection image and a photoluminescence lifetime distribution image, an intensity distribution image, etc. in an overlapping manner. Moreover, the epi-illumination light if! A wavelength filter 80B matching the absorption layer of the sample 10 is provided at 80, and the entire surface of the sample 10 is irradiated, and the photoluminescence image generated at that time is transmitted to the TV camera 84 through a predetermined wavelength filter 82B.
It is also possible to create a lid image and obtain a two-dimensional photoluminescence intensity distribution. Furthermore, a light source 90 for transparent illumination is provided on the back side of the sample 10.
Lenses 90A, 90C and wavelength filter 90B are provided,
It is also possible to obtain an image of the transmitted light of the sample using the TV camera 84 or the high-speed photodetector 20 and compare it with the photoluminescence lifetime, intensity distribution image, etc. At this time, the spectroscopic means 60 provided in front of the high-speed photodetector 20
The second harmonic (SHG) due to the nonlinearity of sample 10 is
It is also possible to extract the components and scan the sample 10 to obtain a nonlinear optical characteristic image. Furthermore, in each of the above embodiments, the present invention was applied to a semiconductor wafer evaluation device for inspecting semiconductor wafers for defects, but the scope of application of the present invention is not limited to this, and is applicable to dielectrics, fluorescent materials, etc. It is clear that the present invention is equally applicable to devices for testing other fluorescent properties such as light surfaces, drugs, paper, biological tests, etc.
第1図は、本発明に係る螢光特性検査装置の第1実施例
の構成を示すブロック線図、
第2図は、本発明の第2実施例の要部構成を示す斜視図
、
第3図は、本発明の第3実施例の要部構成を示す斜視図
、
第4図は、第1実施例における試料表面上の測定点の一
例を示す平面図、
第5図は、本発明で用いられるストリークカメラの基本
的な構成を示す断面図、
第6図は、励起光と螢光波形の一例を示す線図、第7図
及び第8図は、螢光寿命を求める方法を説明するための
線図、
第9図は、螢光寿命の空間的な分布の表示例を示す平面
図、
第10図は、本発明の第2実施例の構成を示すブロック
線図、
第11図は、第2、第3実施例によって測定可能な螢光
寿命の波長依存性の例を示す線図、第12図は、本発明
の第4実施例の構成を示すブロック線図、
第13図は、半導体ウェハの品質と螢光波形の関係の例
を示す線図である。
10も・・試料、
12・・・パルス光源、
14・・・照射光学系、
16・・・X−Yステージ、
18・・・集光光学系、
18B・・・フィルタ、
20・・・ストリークカメラ、
22・・・信号処理装置、
26・・・分光器。FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a first embodiment of a fluorescent property testing device according to the present invention; FIG. 2 is a perspective view showing the configuration of main parts of a second embodiment of the present invention; The figure is a perspective view showing the configuration of main parts of the third embodiment of the present invention, FIG. 4 is a plan view showing an example of measurement points on the sample surface in the first embodiment, and FIG. A cross-sectional view showing the basic configuration of the streak camera used; Fig. 6 is a diagram showing an example of excitation light and fluorescence waveforms; Figs. 7 and 8 explain a method for determining the fluorescence lifetime. FIG. 9 is a plan view showing an example of displaying the spatial distribution of fluorescence lifetime; FIG. 10 is a block diagram showing the configuration of the second embodiment of the present invention; FIG. , a diagram showing an example of the wavelength dependence of fluorescence lifetime that can be measured by the second and third embodiments, FIG. 12 is a block diagram showing the configuration of the fourth embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 2 is a diagram showing an example of the relationship between semiconductor wafer quality and fluorescence waveform. 10...Sample, 12...Pulse light source, 14...Irradiation optical system, 16...X-Y stage, 18...Condensing optical system, 18B...Filter, 20...Streak Camera, 22... Signal processing device, 26... Spectrometer.
Claims (4)
起するためのパルス光源と、 該パルス光源の光を試料に照射する照射光学系と、 試料の測定位置を移動するための移動手段と、試料から
発生するフォトルミネッセンスを抽出して検出器に導く
集光光学系と、 前記パルス光源に同期して、前記フォトルミネッセンス
の時間強度波形に関する情報を2次元的に読出して、複
数の測定点における情報を並列的に検出するためのスト
リークカメラと、 試料測定位置を移動しながら並列的に検出した、複数の
測定点における前記時間強度波形に関する情報を解析、
処理して、フォトルミネッセンスの空間的な強度分布、
寿命分布又はその相関分布を求める信号処理装置と、 を含むことを特徴とする螢光特性検査装置。(1) A pulsed light source for exciting a sample with a slit-shaped or multiple light beams, an irradiation optical system for irradiating the sample with light from the pulsed light source, and a moving means for moving the measurement position of the sample. , a condensing optical system that extracts photoluminescence generated from a sample and guides it to a detector; and a condensing optical system that two-dimensionally reads out information regarding the time-intensity waveform of the photoluminescence in synchronization with the pulsed light source, and detects the photoluminescence at a plurality of measurement points. a streak camera for detecting information in parallel at multiple measurement points;
Processing the spatial intensity distribution of photoluminescence,
A signal processing device for determining a lifetime distribution or a correlation distribution thereof; A fluorescence characteristic testing device comprising:
分光手段を設け、分光方向と垂直な方向に掃引して、測
定点からのフォトルミネッセンスの時間分解分光を行い
、多波長の空間的な強度分布、寿命分布又はその相関分
布を並列的に求めることを特徴する螢光特性検査装置。(2) In claim 1, a spectroscopic means is provided in front of the streak camera, and performs time-resolved spectroscopy of photoluminescence from a measurement point by sweeping in a direction perpendicular to the spectroscopic direction, and spatially intensifies multiple wavelengths. A fluorescence characteristic testing device characterized by determining distribution, lifetime distribution, or their correlation distribution in parallel.
走査可能な分光手段を設け、分光方向に掃引して、複数
の測定点におけるフォトルミネッセンスの所定波長毎の
空間的な強度分布、寿命分布又はその相関分布を並列的
に求めることを特徴とする螢光特性検査装置。(3) In claim 1, a scanning spectroscopic means is provided in front of the streak camera, and the spectroscopic means sweeps in the spectroscopic direction to determine the spatial intensity distribution, lifetime distribution, or lifetime distribution of photoluminescence at a plurality of measurement points for each predetermined wavelength. A fluorescence characteristic testing device characterized by obtaining the correlation distribution in parallel.
トリークカメラのストリーク管が、スリット状に形成さ
れた光電面又は加速電極を持つことを特徴とする螢光特
性検査装置。(4) A fluorescence characteristic testing device according to any one of claims 1 to 3, wherein the streak tube of the streak camera has a photocathode or an accelerating electrode formed in a slit shape.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8947989A JP2688040B2 (en) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | Fluorescence characteristic inspection device |
| GB9007810A GB2231958A (en) | 1989-04-07 | 1990-04-06 | Measuring fluorescence characteristics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8947989A JP2688040B2 (en) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | Fluorescence characteristic inspection device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02268255A true JPH02268255A (en) | 1990-11-01 |
| JP2688040B2 JP2688040B2 (en) | 1997-12-08 |
Family
ID=13971873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8947989A Expired - Fee Related JP2688040B2 (en) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | Fluorescence characteristic inspection device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2688040B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001094919A1 (en) * | 2000-06-08 | 2001-12-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for measuring fluorescence, apparatus for measuring fluorescence and apparatus for evaluating sample using it |
| JP2006201133A (en) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Olympus Corp | Device for measuring fluorescence lifetime |
| JP2011185844A (en) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Fujifilm Corp | Ph measuring method, abnormal region detection method, biosubstance analyzing method, and respective devices |
| CN115667888A (en) * | 2020-05-19 | 2023-01-31 | 柯尼卡美能达株式会社 | Fluorescent fingerprint image acquisition device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4630925A (en) | 1982-11-01 | 1986-12-23 | Hamamatsu Corp. | Compact temporal spectral photometer |
| JP5858005B2 (en) | 2008-08-07 | 2016-02-10 | 株式会社リコー | Display system |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP8947989A patent/JP2688040B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001094919A1 (en) * | 2000-06-08 | 2001-12-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for measuring fluorescence, apparatus for measuring fluorescence and apparatus for evaluating sample using it |
| US6897953B2 (en) | 2000-06-08 | 2005-05-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for measuring fluorescence, apparatus for measuring fluorescence and apparatus for evaluating sample using it |
| JP2006201133A (en) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Olympus Corp | Device for measuring fluorescence lifetime |
| JP2011185844A (en) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Fujifilm Corp | Ph measuring method, abnormal region detection method, biosubstance analyzing method, and respective devices |
| CN115667888A (en) * | 2020-05-19 | 2023-01-31 | 柯尼卡美能达株式会社 | Fluorescent fingerprint image acquisition device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2688040B2 (en) | 1997-12-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB2231958A (en) | Measuring fluorescence characteristics | |
| US6791099B2 (en) | Laser scanning wafer inspection using nonlinear optical phenomena | |
| US7330268B2 (en) | Spectral imaging apparatus and methodology | |
| KR101813315B1 (en) | Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging | |
| US5301006A (en) | Emission microscope | |
| KR102165794B1 (en) | Determining information for defects on wafers | |
| US4031398A (en) | Video fluorometer | |
| JP3836426B2 (en) | Method and apparatus configuration for optically grasping characteristic characteristic values depending on wavelength of illuminated sample | |
| KR20130138214A (en) | Defect inspection and photoluminescence measurement system | |
| JP2004506191A (en) | Method and apparatus for characterizing the wavelength dependence of an illuminated sample | |
| JP2011513740A (en) | Time-resolved spectroscopic analysis method and system using photon mixing detector | |
| US6043882A (en) | Emission microscope and method for continuous wavelength spectroscopy | |
| JPH0750331A (en) | Evaluation apparatus and method for semiconductor light emitting device | |
| JP2019020362A (en) | Spectrofluoro-photometer, and spectrofluorometric measurement and image capturing method | |
| JP2525894B2 (en) | Fluorescence characteristic inspection device for semiconductor samples | |
| CA2576510A1 (en) | Multiple-color monochromatic light absorption and quantification of light absorption in a stained sample | |
| JP2023537295A5 (en) | ||
| KR102712716B1 (en) | Inspection device using both white light and excitation light | |
| JP2803443B2 (en) | Surface inspection method and device | |
| US5578833A (en) | Analyzer | |
| JP6599018B2 (en) | Image acquisition system and image acquisition method | |
| JP2688040B2 (en) | Fluorescence characteristic inspection device | |
| JP2525893B2 (en) | Fluorescence characteristic inspection device | |
| CN102621111B (en) | For method and the device of scanning microscopy imaging sample | |
| JP5117966B2 (en) | Sample analyzer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |