JPH02268430A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH02268430A JPH02268430A JP1090956A JP9095689A JPH02268430A JP H02268430 A JPH02268430 A JP H02268430A JP 1090956 A JP1090956 A JP 1090956A JP 9095689 A JP9095689 A JP 9095689A JP H02268430 A JPH02268430 A JP H02268430A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、プラズマ処理装置に関する。
（従来の技術）
プラズマ処理装置例えば平行平板型プラズマエツチング
装置では、例えば上部電極にＲＦパワーを印加し、ウェ
ハを支持した下部電極を接地し、この両電極間にエツチ
ングガスを導入すると共にプラズマを誘起し、ウェハの
エツチング処理を実施している。
装置では、例えば上部電極にＲＦパワーを印加し、ウェ
ハを支持した下部電極を接地し、この両電極間にエツチ
ングガスを導入すると共にプラズマを誘起し、ウェハの
エツチング処理を実施している。
そして、下部電極上に載置される被処理体は、その周辺
部がリング状のクランパー部材によって前記下部電極と
の間に挾持されることで支持されるでいる。
部がリング状のクランパー部材によって前記下部電極と
の間に挾持されることで支持されるでいる。
（発明が解決しようとする課題）
上記のような装置にてエツチングを行うに際しては、そ
のエツチング特性として被エツチング層のエツチングレ
ートを向上することが要求されている。このエツチング
レートを向上させるためには、上部電極、下部電極間に
誘起されるプラズマを閉じこめるフォーカス度を上げ、
被エツチング材に集中するようにすれば良い。
のエツチング特性として被エツチング層のエツチングレ
ートを向上することが要求されている。このエツチング
レートを向上させるためには、上部電極、下部電極間に
誘起されるプラズマを閉じこめるフォーカス度を上げ、
被エツチング材に集中するようにすれば良い。
しかし、本発明者らが測定した結果、プラズマ中で生成
されたイオンが被エツチング材以外の部位にリークして
いることが判明し、このためプラズマのフォーカス度が
悪化していた。
されたイオンが被エツチング材以外の部位にリークして
いることが判明し、このためプラズマのフォーカス度が
悪化していた。
そこで、本発明の目的とするところは、プラズマに臨む
位置にあって、被処理体の周辺に存在するクランパー部
材が、被処理体を載置する電極によって帯電することを
防止し、もってプラズマを被処理体に集中させて処理レ
ート例えばエツチングレート又はデポジションレート等
を向上することができるプラズマ処理装置を提供するこ
とにある。
位置にあって、被処理体の周辺に存在するクランパー部
材が、被処理体を載置する電極によって帯電することを
防止し、もってプラズマを被処理体に集中させて処理レ
ート例えばエツチングレート又はデポジションレート等
を向上することができるプラズマ処理装置を提供するこ
とにある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、プラズマ処理容器内に配置した対向電極の一
方側で被処理体を支持し、この被処理体の周辺部をクラ
ンパー部材により上記電極との間に挾持してプラズマ処
理を行うプラズマ処理装置において、 上記被処理体を支持する電極および上記クランパー部材
が当接する箇所に、誘電率の小さい絶縁部材を介在させ
たことを特徴とする。
方側で被処理体を支持し、この被処理体の周辺部をクラ
ンパー部材により上記電極との間に挾持してプラズマ処
理を行うプラズマ処理装置において、 上記被処理体を支持する電極および上記クランパー部材
が当接する箇所に、誘電率の小さい絶縁部材を介在させ
たことを特徴とする。
（作 用）
上記プラズマ処理装置では、被処理体の周辺に存在する
クランパー部材の電極との対向部を、被処理体を載置す
る電極に対して誘電率の小さい絶縁部材によって確実に
絶縁されているため、このクランパー部材上記電極によ
って電位を帯びることを確実に防止できる。
クランパー部材の電極との対向部を、被処理体を載置す
る電極に対して誘電率の小さい絶縁部材によって確実に
絶縁されているため、このクランパー部材上記電極によ
って電位を帯びることを確実に防止できる。
従って、被処理体の周辺に電極電位を帯びた部材がない
ことから、プラズマ処理容器内に誘起されるプラズマは
フォーカスされて被処理体に集中し、この結果被処理体
のエツチングレートあるいはデポジションレート等の処
理レートを向上することができる。
ことから、プラズマ処理容器内に誘起されるプラズマは
フォーカスされて被処理体に集中し、この結果被処理体
のエツチングレートあるいはデポジションレート等の処
理レートを向上することができる。
（実施例）
以下、本発明をプラズマエツチング装置に適用した一実
施例について、図面に基づき具体的に説明する。
施例について、図面に基づき具体的に説明する。
第１図において、このプラズマエツチング装置は、対向
して配置された上部電極１０及び下部電極３０とを有し
、上記下部電極３０上に被エツチング材であるウェハ４
２を搭載し、かつ、上記上部電極１０及び下部電極３０
の間に、ＲＦ電源４０によって３８０ ＫｔｌｚのＲＦ
パワーを印加するようにしている。そして、上記上部電
極１０を介してエツチングガスを導入し、上部電極１０
及び下部電極３０の間にプラズマを生成することで、前
記ウェハ４２のエツチングを行うようにしている。
して配置された上部電極１０及び下部電極３０とを有し
、上記下部電極３０上に被エツチング材であるウェハ４
２を搭載し、かつ、上記上部電極１０及び下部電極３０
の間に、ＲＦ電源４０によって３８０ ＫｔｌｚのＲＦ
パワーを印加するようにしている。そして、上記上部電
極１０を介してエツチングガスを導入し、上部電極１０
及び下部電極３０の間にプラズマを生成することで、前
記ウェハ４２のエツチングを行うようにしている。
上記上部電極１０は、フランジ状に形成された導電性の
クーリング部材１２を有し、このクーリング部材１２に
前記ＲＦ電源４０からのケーブルが接続されている。
クーリング部材１２を有し、このクーリング部材１２に
前記ＲＦ電源４０からのケーブルが接続されている。
また、上記クーリング部材１２内には、穴が多数設けら
れた第１．第２の拡散板１４ａ、１４ｂが、スペーサ１
６ａ、１６ｂを介して平行に離間配置されている。さら
に、前記クーリング部材１２の開口部を覆うように、補
強板１８．アモルファス・シリコン電極２０が積層配置
されている。
れた第１．第２の拡散板１４ａ、１４ｂが、スペーサ１
６ａ、１６ｂを介して平行に離間配置されている。さら
に、前記クーリング部材１２の開口部を覆うように、補
強板１８．アモルファス・シリコン電極２０が積層配置
されている。
なお、前記アモルファス・シリコン電極２０の周辺を覆
うようにシールドリング２２が設けられ、アモルファス
・シリコン電極２０がプラズマに臨む開口径を規制して
いる。
うようにシールドリング２２が設けられ、アモルファス
・シリコン電極２０がプラズマに臨む開口径を規制して
いる。
前記下部電極３０は、円板状に突起した部分の上面に被
エツチング材であるウエノ＼４２を載置可能となってい
て、このウェハ４２の周辺部を下部電極３０との間で挟
持して固定するために、前記下部電極３０の周囲にはリ
ング状のクランパー部材３２が配置されている。なお、
前記下部電極３０は接地されている。
エツチング材であるウエノ＼４２を載置可能となってい
て、このウェハ４２の周辺部を下部電極３０との間で挟
持して固定するために、前記下部電極３０の周囲にはリ
ング状のクランパー部材３２が配置されている。なお、
前記下部電極３０は接地されている。
上記のような上部電極１０及び下部電極３０をそれぞれ
平行してチャンバー内に離間配置することによ、って、
平行平板型エツチング装置を構成している。
平行してチャンバー内に離間配置することによ、って、
平行平板型エツチング装置を構成している。
そして、本実施例の特徴的構成として、前記クランパー
部材３２は、第２図に示すように例えば表面がアルマイ
ト３２ｂによって処理されたＡ１３２ａで形成され、さ
らに下部電極３０と接触する側の表面は、誘電率が小さ
く、かつ、電気的絶縁性が高い絶縁材例えばテフロン（
デュポン社登録商標）３４にてコーティングされている
。
部材３２は、第２図に示すように例えば表面がアルマイ
ト３２ｂによって処理されたＡ１３２ａで形成され、さ
らに下部電極３０と接触する側の表面は、誘電率が小さ
く、かつ、電気的絶縁性が高い絶縁材例えばテフロン（
デュポン社登録商標）３４にてコーティングされている
。
次に、作用について説明する。
上記装置では、上部電極１０及び下部電極３０の間にＲ
Ｆ電源４０からのＲＦパワーを印加し、かつ、上部電極
１０を介してエツチングガスを導入することによって、
上記上部、下部電極１０゜３０間にプラズマを誘起し、
このプラズマ中で生成ｌ−たラジカルをウエノＸ４２表
面に付着させて化学的反応を起こし、かつ、プラズマ中
で分解したイオンを、上記平行平板電極間に形成される
で電界によって加速することにウエノＸ４２に衝突させ
、被エツチング材であるウェハ４２のエツチングを行っ
ている。そして、この種の平行平板型エツチングにより
、サイドエッチが減少した異方性工・ソチングを行うこ
とが可能となり、微細パターンのエツチングが実現でき
るようになっている。
Ｆ電源４０からのＲＦパワーを印加し、かつ、上部電極
１０を介してエツチングガスを導入することによって、
上記上部、下部電極１０゜３０間にプラズマを誘起し、
このプラズマ中で生成ｌ−たラジカルをウエノＸ４２表
面に付着させて化学的反応を起こし、かつ、プラズマ中
で分解したイオンを、上記平行平板電極間に形成される
で電界によって加速することにウエノＸ４２に衝突させ
、被エツチング材であるウェハ４２のエツチングを行っ
ている。そして、この種の平行平板型エツチングにより
、サイドエッチが減少した異方性工・ソチングを行うこ
とが可能となり、微細パターンのエツチングが実現でき
るようになっている。
ここで、ウェハ４２を下部電極に固定するために、ウェ
ハ４２の周辺を下部電極３０との間に挾持するリング状
のクランパー部材３２は、その下部電極３０と当接する
表面がテフロン３４によってコーティングされているの
で、下部電極３０と接触しても帯電することなく、電気
的に完全なフローティング状態を維持することができる
。
ハ４２の周辺を下部電極３０との間に挾持するリング状
のクランパー部材３２は、その下部電極３０と当接する
表面がテフロン３４によってコーティングされているの
で、下部電極３０と接触しても帯電することなく、電気
的に完全なフローティング状態を維持することができる
。
上記アルマイト３２ｂの電気的絶縁特性の一例としては
、 を積抵抗率、 ８ Ｘ １０９Ω” ｃｍ透電率（１Ｍ
Ｈｚ）； ６〜７ であるのに対し、上記テフロン３４の電気的絶縁誘電率
（ＩＭＨｚ）：２．１以下 であるので、本実施例のように、アルマイト３２ｂに加
えてさらにテフロン３４によってコーティングを施すこ
とで、下部電極３０との間での帯電を完全に防止してい
る。
、 を積抵抗率、 ８ Ｘ １０９Ω” ｃｍ透電率（１Ｍ
Ｈｚ）； ６〜７ であるのに対し、上記テフロン３４の電気的絶縁誘電率
（ＩＭＨｚ）：２．１以下 であるので、本実施例のように、アルマイト３２ｂに加
えてさらにテフロン３４によってコーティングを施すこ
とで、下部電極３０との間での帯電を完全に防止してい
る。
しだがって、プラズマは前記シールドリング２２によっ
て開口径が規制されたアモルファス・シリコン重極２０
と、電気的に絶縁されたリング状クランパー部材３２に
よってプラズマに臨む開口径が規制されたウェハ４２と
の間に確実にフォカスされ、プラズマをウェハ４２に集
中することができる。
て開口径が規制されたアモルファス・シリコン重極２０
と、電気的に絶縁されたリング状クランパー部材３２に
よってプラズマに臨む開口径が規制されたウェハ４２と
の間に確実にフォカスされ、プラズマをウェハ４２に集
中することができる。
このため、特に上記電極１０．３０間の電界によって加
速されるイオンによる物理的なエツチング作用がウェハ
４２に集中し、エツチングレートを大幅に向上すること
が可能となる。
速されるイオンによる物理的なエツチング作用がウェハ
４２に集中し、エツチングレートを大幅に向上すること
が可能となる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施がｒ＋Ｊ能であ
る。
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施がｒ＋Ｊ能であ
る。
クランパー部材３２と下部電極３０とを絶縁する部材と
しては、絶縁材をコーティングするものに限らず、絶縁
層として介在配置するもの等であってもよい。また、誘
電率の小さい電気的絶縁性の高い他の種々の絶縁材を使
用でき、必ずしも樹脂にぎらず、特に絶縁度が優れてい
るセラックス等が好適である。
しては、絶縁材をコーティングするものに限らず、絶縁
層として介在配置するもの等であってもよい。また、誘
電率の小さい電気的絶縁性の高い他の種々の絶縁材を使
用でき、必ずしも樹脂にぎらず、特に絶縁度が優れてい
るセラックス等が好適である。
また、クランパー部材３２と下部電極３０との間に介在
させる絶縁材の種類（電気的絶縁度が異なる）を変える
ことで、他のエツチング条件を変えずにエツチングレー
トを変化させることも可能である。
させる絶縁材の種類（電気的絶縁度が異なる）を変える
ことで、他のエツチング条件を変えずにエツチングレー
トを変化させることも可能である。
さらに、本発明は必ずしもプラズマエツチング装置に適
用、されるものに限らず、例えばプラズマＣＶＤ装置に
適用すれば、上記作用によりデポジションレートを向上
することができるなどプラズマ処理装置であれば何れで
もよい。
用、されるものに限らず、例えばプラズマＣＶＤ装置に
適用すれば、上記作用によりデポジションレートを向上
することができるなどプラズマ処理装置であれば何れで
もよい。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明によれば被処理材の周辺に
配置されるクランパー部材が、被処理体を載置する電極
と確実に絶縁されるので、プラズマのフォーカス度が向
上して被処理体にプラズマが集中し、被処理体のエツチ
ングレート、デポジションレート等の処理レートを向上
することができる。
配置されるクランパー部材が、被処理体を載置する電極
と確実に絶縁されるので、プラズマのフォーカス度が向
上して被処理体にプラズマが集中し、被処理体のエツチ
ングレート、デポジションレート等の処理レートを向上
することができる。
第１図は、本発明を適用したプラズマエツチング装置の
概略説明図、 第２図は、クランパー部材の断面図である。 １０・・・上部電極、３０・・・下部電極、３２・・・
クランパー部材、 ３４・・・絶縁材、 ４２・・・被処理体。
概略説明図、 第２図は、クランパー部材の断面図である。 １０・・・上部電極、３０・・・下部電極、３２・・・
クランパー部材、 ３４・・・絶縁材、 ４２・・・被処理体。
Claims (1)
- （１）プラズマ処理容器内に配置した対向電極の一方側
で被処理体を支持し、この被処理体の周辺部をクランパ
ー部材により上記電極との間に挾持してプラズマ処理を
行うプラズマ処理装置において、 上記被処理体を支持する電極および上記クランパー部材
が当接する箇所に、誘電率の小さい絶縁部材を介在させ
たことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1090956A JP2675613B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1090956A JP2675613B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02268430A true JPH02268430A (ja) | 1990-11-02 |
| JP2675613B2 JP2675613B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=14012941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1090956A Expired - Lifetime JP2675613B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2675613B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04356921A (ja) * | 1991-06-03 | 1992-12-10 | Fujitsu Ltd | ドライエッチング装置のウェハ保持盤 |
| JPH07221024A (ja) * | 1992-01-22 | 1995-08-18 | Applied Materials Inc | 真空蒸着装置 |
| FR2783970A1 (fr) * | 1998-09-25 | 2000-03-31 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif autorisant le traitement d'un substrat dans une machine prevue pour traiter de plus grands substrats et systeme de montage d'un substrat dans ce dispositif |
| JP2001527285A (ja) * | 1997-12-19 | 2001-12-25 | ラム リサーチ コーポレーション | フォーカスリングおよびそのための方法 |
| JP2002519860A (ja) * | 1998-06-26 | 2002-07-02 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理チャンバ内で開放プラズマを実質的に排除するためのフォーカスリング構成 |
| JP2005260011A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Hitachi High-Technologies Corp | ウエハ処理装置およびウエハ処理方法 |
| JP2010103431A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体素子の製造方法、半導体基板の加工方法及びドライエッチング装置 |
| JP6786026B1 (ja) * | 2020-04-06 | 2020-11-18 | 三菱電機株式会社 | 加湿装置および加湿方法 |
-
1989
- 1989-04-11 JP JP1090956A patent/JP2675613B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04356921A (ja) * | 1991-06-03 | 1992-12-10 | Fujitsu Ltd | ドライエッチング装置のウェハ保持盤 |
| JPH07221024A (ja) * | 1992-01-22 | 1995-08-18 | Applied Materials Inc | 真空蒸着装置 |
| JP2001527285A (ja) * | 1997-12-19 | 2001-12-25 | ラム リサーチ コーポレーション | フォーカスリングおよびそのための方法 |
| JP2002519860A (ja) * | 1998-06-26 | 2002-07-02 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理チャンバ内で開放プラズマを実質的に排除するためのフォーカスリング構成 |
| FR2783970A1 (fr) * | 1998-09-25 | 2000-03-31 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif autorisant le traitement d'un substrat dans une machine prevue pour traiter de plus grands substrats et systeme de montage d'un substrat dans ce dispositif |
| EP0993026A1 (fr) * | 1998-09-25 | 2000-04-12 | Commissariat A L'energie Atomique | Dispositif autorisant le traitement d'un substrat dans une machine prévue pour traiter de plus grands substrats et système de montage d'un substrat dans ce dispositif |
| JP2005260011A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Hitachi High-Technologies Corp | ウエハ処理装置およびウエハ処理方法 |
| JP2010103431A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体素子の製造方法、半導体基板の加工方法及びドライエッチング装置 |
| JP6786026B1 (ja) * | 2020-04-06 | 2020-11-18 | 三菱電機株式会社 | 加湿装置および加湿方法 |
| WO2021205506A1 (ja) * | 2020-04-06 | 2021-10-14 | 三菱電機株式会社 | 加湿装置および加湿方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2675613B2 (ja) | 1997-11-12 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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