JPH02269589A - 半導体ウエハのピックアップ装置 - Google Patents

半導体ウエハのピックアップ装置

Info

Publication number
JPH02269589A
JPH02269589A JP1330918A JP33091889A JPH02269589A JP H02269589 A JPH02269589 A JP H02269589A JP 1330918 A JP1330918 A JP 1330918A JP 33091889 A JP33091889 A JP 33091889A JP H02269589 A JPH02269589 A JP H02269589A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
semiconductor wafer
robot arm
flat
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1330918A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2842447B2 (ja
Inventor
Masayuki Moroi
政幸 諸井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US07/286,916 external-priority patent/US5052886A/en
Priority claimed from US07/287,367 external-priority patent/US4960298A/en
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of JPH02269589A publication Critical patent/JPH02269589A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2842447B2 publication Critical patent/JP2842447B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/78Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using vacuum or suction, e.g. Bernoulli chucks

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Sheets, Magazines, And Separation Thereof (AREA)
  • Manipulator (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、連続的な化学蒸着反応装置に係り、より詳細
には、このような反応装置に使用するための半導体ウェ
ハピックアップ装置の改良に係る。
従来の技術 連続的な化学蒸着反応装置は、半導体ウェハが連続的に
流れるスタンドアローン式の処理システムである。この
ようなシステムの基本的なサブシステムは、ウェハ取り
扱い系統、反応チャンバ、ガス流系統、冷却系統及び電
気系統を備えている。
ウェハ取り扱いシステムは、ウェハのローダ/アンロー
ダと、ウェハキャリアと、反応チャンバを通してウェハ
を移動するトラックとを備えている。半導体ウェハは、
既知の位置に配向され、ピックアップ装置かウェハをキ
ャリアに適切に配置し、キャリアが反応装置を通してイ
ンデックスされる。
基本的な反応及びそのプロセスは次の通りである。半導
体ウェハは、ウェハ取り扱い装置によって最初にピック
アップされる。次いで、ウェハはキャリアに装填される
前に配向され、キャリアはボートを通して反応装置の一
端に入り、種々のチャンバを通して次々に移動され、別
のポートを通して反応装置の他端から出る。
各半導体ウェハは平坦なエツジを有する円板であり、平
坦なエツジは、プロセス反応装置を通してウェハを搬送
する前にキャリアに配置するようにウェハを配向するの
に使用される。
反応装置は、物理的に閉じられないが、反応装置の各端
と各チャンバ間とにガスシールを有している。例えば、
反応装置は8個のチャンバを備えており、第1のチャン
バは窒素シールより成り、第2のチャンバは予熱チャン
バであり、次の4つのチャンバは蒸着チャンバであり、
次は冷却チャンバであり、そして最後のチャンバは窒素
シールである。
典型的なガス供給系統は、2つの異なった蒸着プロセス
に対してガスを供給し、これはいずれかの蒸着チャンバ
に送り込まれる。
各チャンバは、基体チャリアにより−1一部及び下部の
2つの部分に効果的に分割される。チャンバ間の接合+
iμは、ガスの流れ又はチャンバからの排気ガスにより
チャンバ同志を効果的に分離する。
発明の昂Y成 本発明は、配向された半導体ウェハを半導体キャリアに
配置すべく移動する装置であって、このキャリアは、例
えば、多チャンバの連!a化学蒸着反応装置及びサブシ
ステムに使用され、これらを通して基体が送られて、エ
ツチングや種々の蒸着プロセスを行なうものに関する。
半導体ウェハはロボットア・−ムによってウェハカセッ
トから取り出され、ロボットアームはピックアップ装置
を有していて、この装置は、ウェハのエツジを用いるこ
となくウェハの非処理側からウェハをピックアップし、
ス[・レスが及ぶ傾向をなくすと共に、ピックアップ装
置の寸法精度を排除するものである。ピックアップ装置
は、゛アップ方向及びダウン方向に自由に移動し、ウェ
ハの表面に平行方向に最初に係合する必要がなく、ウェ
ハにストレス又は圧力が加わるのを排除する。テーパ伺
(づされたポストが使用され、ウェハがピックアップさ
れてギヤリアに配置されるたびにピックアップ機構が同
じ場所又は位置に安住するようになっている。
ウェハは、キャリアに配置する前に、センタリングして
配向し、ウェハを破損することなくギヤリアに配置でき
るようになっていなければならない。この点については
、ウェハが平らな基準エツジに対して一般に丸み付けさ
れているので、平らなエツジはキャリア内の平らな配向
位置に対応するよう既知の位置になければならない。ウ
ェハの配向を行なうために、ウェハは、多数のテーパ付
けされたポストを有するセンタリング機構に配置される
。テーパ付けされたポストの少なくとも1つは、ウェハ
の平らな配向フラットが光学センサー1;に配置される
までウェハを回転するように曲げられる。テーパ(=J
けされたボスI・はウェハをセンタリングし、光学セン
サが配向フラットを位置決めし、ウェハがピックアップ
装置上でセンタリングされてピックアップされ、ウェハ
上の配向]ラットがキャリア」−のフラットと合致する
ようにウェハキャリアに配置される。
ピッグアップ装置の表面には、半導体ウェハを傷つけな
い材料、例えば、テフロンやデルリンのような商標で知
られている高分子量ポリエチレン材料が被覆される。
本発明及びその目的によってもたらされる技術的な進歩
は、添イ\j図面に関連した本発明の好ましい実施例の
以下の説明及び特許請求の範囲に記載された新規性から
明らかとなろう。
実施例 第1図は、本発明を用いた典型的な反応装置を示してい
る。複数のウェハカセット20は、ロボットアーム21
に隣接し且つそれに沿って配置され、そしてロボッi・
アーム2Iはトラック21aに沿って移動する。このト
ラックは、ロボットアーム2]が複数のウェハカセット
の各々に隣接して移動できるようにし、ロボットアーム
が各カセットの各ウェハをアクセスできるようにする。
ロボットアームはカセットからウェハを持ち1−げ、そ
してそれを反応装置への入口においてキャリア22に配
置する。反応装置/\の入口23は、反応装置内のガス
が反応装置から出るのを防止するためのシール継手であ
る。
入口23において、キャリアが反応装置に入る前に、真
空ピックアップアーム(図示せず)は、キャリアから蓋
を持ち上げて、ロボットアームが半導体ウェハをキャリ
アに配置できるようにする。
半導体がキャリアに配置されると、キャリアの蓋が戻さ
れ、キャリアは反応装置及びこれを作り」−げている複
数のチャンバを通してインデックスされる。
キャリアは、キャリアの長さと、各キャリア間の少なく
とも1つのスペーサバーとを用いて反応装置及びチャン
バを通してインデックスされる。
各キャリアが反応装置に向かってインデックスされると
、各手前のキャリアが次の反応チャンバへ移動される。
インデックス動作は連続的であり、ギヤリアは最後の反
応チャンバから出ると、反応装置の戻す路を通して反応
装置の出口開口へとインデックスされ、キャリアの蓋が
戻り蓋ピックアップ(図示せず)によって取り外される
。反応装置を通して延びるトラック33は、反応装置を
通してウェハキャリアを移動するのに用いられる。トラ
ック32aに取り付けられたロボットアーム32は、キ
ャリアから半導体ウェハを取り出し、そしてそれをウェ
ハカセット36に入れる。
反応装置は、複数の水晶反応チャンバ25に分割される
。反応チャンバ25は接合部25aによって接合され、
この接合部を通してプロセスガスが導入されそしてこの
接合部から使用済みのガスが排出される。
各反応チャンバの−にに配置されているのはヒータブロ
ック24であり、これは、反応チャンバを所望の温度′
に加熱するのに用いられる。ランプハウシングを冷却す
るための水は、接合部25a及びインレット26を経て
導入される。
各接合部25aは、反応チャンバからの排気ガスを取り
去るための少なくとも1つの排気管27を有している。
排気ガスは燃り′LLaI3経てガスバーナ30に向け
られる。
反応装置全体は包囲体37内に収容され、システムシュ
ラウド内からのガス/空気を循環及び排出するために空
気ダクト29が設けられている。
第2図は、開口45を有する半導体キャリア40を示し
ており、開口には半導体ウェハ45が配置される。ウェ
ハは1つのフラットエツジ42を有しており、これはウ
ェハをインデックス又は配向するのに用いられる。又、
開口45は、半導体ウェハのフラットエツジ42に合致
するためのフラットな側面43を有している。タブ44
は、開口45の底面から突出しており、半導体を開口に
保持すると共に、ウェハの処理側であるウェハの下面を
最大に露出させる。処理中にウェハの上面もしくは背面
をカバーするために蓋が用いられる。
第3図は、処理されるべき半導体ウェハをセンタリング
/配向装置に移動するためにロボットアームの端に使用
されるピックアップ機構を示している。この機構50は
、ロボットアーム5]、52の延長部に可動に取り(=
jけられており、部分52は位置設定ブロックであり、
テーパ付けされた穴52aを用いてボスト53の円錐部
53aが位置設定される。ピックアップ装置50は、2
つのボスト53を備えており、その各々の各端は般的に
円錐形状にチーパイ]けされる。2つのボスト53は千
:rfβプレート51aと下部ピックアップ装置54と
の間に取り(=1けられる。プレート51はスクリュー
57によってポスト53に固定される。ポストは、ねじ
切りされた穴(図示せず)によりピックアップ装置5/
lに接合されるか又は固定される。
ピックアップ装置50にはフィッティング55が取り付
けられており、これは真空源(図示せず)に取り(すけ
られると共に、ピックアップ装置54の底面にある真空
空胴56に向かって開いている。真空が加えられた状態
でピックアップ装置54が半導体装置58と接触するよ
うに下げられると、半導体ウェハ58は、ピックアップ
装置54の底面54. aに対して引っ張り−1−げら
れ、真空が取り去られるか又は開放されるまでそこに保
持される。半導体装置がピックアップ装置の底面に保持
される間には、例えば、それが装填面/カセッ1へから
後述するセンタリング/配向機描に向かって移動される
第4図は、ウェハにストレスをかけることなくウェハを
ビッグアップする操作を示しており、ウェハに対して真
空を引いて、ウェハをピックアップできるところを示し
ている。公知の反応システムにおいては、半導体ウェハ
は通常面が」−になるようにして処理され、従って、ウ
ェハはその而ではなくてエツジでピックアップしな(′
jればならない。
本発明において、ロホツ[・アームを下げて半導体ウェ
ハをピックアップするときには、ピックアップ装置の底
面か半導体ウェハ58の底面即ち非処理面と接触するよ
うになる。ロボットアームは下方に傾斜されているので
、底面54は半導体ウェハの面と係合するように平行に
移動しない。
半導体ウェハの面に過剰な圧力が加わらないようにする
と共に、底面54a全体が半導体ウェハの表面と接触で
きるようにするために、ボスト53はアーム51及び部
分52に固定されない。
ポスト53のテーパ付けされた端53aは、ロボットア
ーム部分51及び52のテーパ(=Jけされた穴52に
あって、アーム51が下げられて、表面54aが半導体
ウェハの表面と接触状態になると、アーム51は、半導
体ウェハ(こイ」前約な圧力を加えることなく短い距離
だけ下降し続ける。
ピックアップ装置50の動きはアーム51の動きと木質
的に独立しており、下面571. aを移動し続けて、
半導体ウェハの表面と平行になることができ、これによ
り、真空空胴56において真空を引いて、半導体ウェハ
をピックアップ装置の底面に保持しそして固定すること
かできる。
アーム5]が」−げられると、ポスト53のテーパ付け
された部分53aがビッグアップ装置をロボットアーム
51の喘において固定の既知の位置に配置し、それ故、
半導体を既知の位置に配置する。ピックアップ装置のこ
の正確な位置設定は、半導体ウェハを後で適切に配向す
る際に重要である。
ビッグアップ装置は2つのテーパ付(づされたボスト5
3を有するように示されているが、単のポストを使用し
てもよいし、例えば、3つのポストを使用してもよい。
ボストがテーパ付けされている限り、正確な位置設定が
行なわれる。
第5図、第6図及び第7図は、半導体ウェハをセンタリ
ングすると共にウェハの平らなエツジを見出ずためにピ
ックアップ装置と共に使用される装置を示している。第
5図は、センタリング/配向装置60の上面図である。
」=1:(10−ラ61a及びウェハ配向ローラ61を
イjする5つのローラがある。4つのローラ62はウェ
ハの平らな側部及び2つの光フアイバケーブル63に係
合する。
半導体ウェハはローラ61.61alに配置され、ウェ
ハのエツジが上部ローラ6 ]、 aのチーパイ」けさ
れた表面を下方にスライドし、配向ローラ61の表面に
のせられるようになる。ローラ61.6 ]、 aが回
転されると、半導体ウェハがセンタリングされ、半導体
の平らなエツジが光ファイバの光検出器63の端を露出
させるまで回転を続ける。この露出時に、ローラ61.
61aの回転が停止し、ローラ62はウェハの平らな側
部に係合する。
ローラ62はバネイ」勢されており、ウェハか回転する
ときに、ウェハの丸いエツジか装置60のエツジに向か
う位置でローラに係合するが、装置の下らな部分がロー
ラ62の位置まで回転するときには、それらがバネによ
って平らなエツジまで引っ張られる。ローラ02はスロ
ット6]aにおいて前後に移動する。光ファイバの端に
当たる光は、ウェハの平らなエツジか光ファイバ63及
び平らなエツジローラ62の位置にあることを指示する
第6図は、配向装置60の側面図であって、ローラ61
及び6]aのテーパ(=I’ 4づされた面と、ローラ
62の垂直側面とを示している。
第7図は、第5図の7−7線に沿って切り取った断面図
である。センタリング/配向装置60は、外部カバー6
9と、−1一部ベースプレート86ど、下部ベースプレ
ー1・75とを有している。ローラ61及び61aを回
転するための機構は、第7図の右側に詳細に示されてい
る。ローラは、シャフト68の上端に取り付けられてお
り、そしてシャフトは1一部及び下部ベアリング66に
取り付けられている。ローラはシャフト68の端に取り
付けられており、ローラテーブル65にのせられている
。プーリ71はブッシング70においてシャフト68の
下端に取り伺けられている。シャフト68はモータ/ギ
ア組合体85.76によって回転される。ギア76はプ
ーリ72を回転し、プーリはタイミングベルト?2aを
駆動し、そしてこのベルトはシャフト68−1−のプー
リ7Jを駆動する。
又、モータ85は、ギア77を経て駆動シャフト88を
1籾転する。駆動シャツ[・はベアリング87及び88
に取りイτ]けられている。
ウェハは、第5図及び第8図に示すように口G −う61へと下げられる。ウェハは、モータ84駆動シ
ヤフト83及びプーリ71.82と、駆動ベルト72 
’aとによって回転される。ウェハ」−のフラット部に
対する予めの位置はロケータ組立体AC内の光センサ6
3によって見出され、駆動モータ84を停止させる。半
導体ウェハ上のフラット部の最終的な位置は、駆動モー
タ85がギア66及び67を回転するときに決定され、
これらのギアは次いでカム91を回転し、フラットファ
インダ62を解除する。スプリング62Cは、フラット
ファインダ62をセンタリング装置の中心に向けて押し
やり、ウェハを正しく配向させる。同時に、ローラ61
. aは自由に回転し、摩擦を減少すると共に、ウェハ
を配向するのに長い回転時間又は短い回転時間が必要と
されるようにする。ウェハが配向されると、第3図及び
第4図に示されたロボットビッグアップ装置が半導体ウ
ェハをピッグアップしてウェハキャリアに配置できるよ
うにする。
第8図は、ローラ61によって支持されてローラ6Ia
間にセンタリングされた半導体ウェハ100を示してい
る。ローラ62は、その延びた位置652か実線で示さ
れており、そしてその弓っ込んだ位置が点線で示されて
いる。光ファイバの端は、ウェハの下で、第2の光フア
イバ位置63 bにおいて点線で示されている。第3図
及び第4図のピックアップ装置は、半導体装置100を
ピックアップし、そしてそれを第2図に示すキャリア4
0に配置する。
以1−の記載に関連して、以下の各項を開示する。
■3機械的もしくはロボットのアームの延長部に取り(
=Iけられる半導体ウェハ移動用ピックアップ装置にお
いて、 上部プレートと、 下部のピックアップヘッドと、 上端及び下端と真空空胴とを有する少なくとも1つの取
り付けポストとを具備し、I一部プレトはこの取り付け
ポストの上端に取り付けられ、下部ピックアップヘッド
は上記取り(=jけポストの下端に取り付けられ、そし
て取り付けポストはロボットアーム延長部に可動に取り
付けられ、」−記真空空胴は下部ピックアッププレート
内にあって、ロボットアームが下げられたときに、下部
ピックアップヘッドが半導体ウェハに係合するまでロボ
ットアーム延長部に平行に移動するようになっており、
そしてその係合時には、半導体ウェハに対するロボット
アーム延長部の向きに拘りなくピックアップヘッドを半
導体ウェハに平行に配置する方向に下部ピックアップヘ
ッドが移動するようにされたことを特徴とするピックア
ップ装置。
2.2つのポストがあって、上部プレートに取り付けら
れる端が円錐形状にされている上記1項に記載のピック
アップ装置。
3、ロボットアーム延長部は2つの丸い穴を有し、これ
を通して2つのポストの円錐部分が延びていて、その中
で可動にされている上記2項に記載のピックアップ装置
4、下部ピックアップヘッドが高分子量ポリエチレン材
料であり、半導体ウェハが移動中にそれに保持されたと
きに半導体ウェハを傷つけるないようになっている上記
1項に記載のピックアップ装置。
5、ピックアップヘッドは互いに平行な」二面及び下面
を有し、ピックアップl\ツ1くの下面には真空空胴が
形成され、ピックアップヘッドの上1石に向かって開い
ていて、それを通して真空が引っ張られる上記1項に記
載のピックアップ装置。
6、上記真空空胴の開口はピックアップヘッドの下面の
相当の部分を占め、ピックアップヘッドの下面の残りの
部分は、真空空胴間L1のエツジからピックアップヘッ
ドの」−面へと弧状に延びている上記5項に記載のピッ
クアップ装置。
7、半導体ウェハを移動するためのピックアップ装置で
、機械的又はロボットアームの延長部に取り付けられる
ピックアップ装置において、上部プレートと、 下部ピックアップヘッドと、 上端及び下端を有していて、」1端が円錐形状にされた
2つの取すイ【Jけポストと、真空空胴とを具備し、 」二部プレートは、2つの取り付けボス1−の」1端に
取り付けられており、 下部ピックアップヘッドは、2つの取り付けポストの下
端に取り付けられており、 2つの取り付けポストは、ロボットアーム延長部の2つ
の丸い穴を通してロボットアーム延長部に可動に取り付
けられ、そして 」1記真空空胴は下部ピックアッププレートにあって、
ロボットアームが下げられたときに、下部ピックアップ
ヘッドが半導体ウェハに係合するまでロボットアーム延
長部に平行に移動するようになっており、係合時に、下
部ピックアップヘッドは、半導体ウェハに対してロボッ
トアーム延長部の向きに拘りなく半導体ウェハに平行に
ピックアップヘッドを位置設定する方向に移動すること
を特徴とするビッグアップ装置。
8、下部ピックアップヘッドは、半導体ウェハが移動中
にそれに保持されたときに半導体ウェハが傷つかないよ
うに高分子量材料で形成される」1記7項に記載のピッ
クアップ装置。
9、ピックアップヘッドは、互いに平行な上面及び下面
を有し、ピックアップヘッドの下面には真空空胴が形成
され、これは、真空が引かれるピックアップヘッドの上
面に向かって開いている上記7項に記載のピックアップ
装置。
10、半導体ウェハを移動するためのビッグアップ装置
で、機械的又はロボットのアームの延長部に取り(qけ
られるピックアップ装置において、]一部プレートと、
下部ピックアップヘッドと、lx端及び下端を有してい
て上端が円錐形状にされた2つの取り(ifけポストと
、真空空胴とを具備し、上部プレートは2つの取り付け
ポストの上端に取すイ」けられ、下部ピックアップヘッ
ドは2つの取り付けポストの下端に取り(・」けられ、
2つの取すイ」けポストはロボットアーム延長部の2つ
の丸いテーパ付けされた穴を通してロボットアーム延長
部に可動に取り付けられて、半導体ウェハのピックアッ
プ中にそこから取り外すことができ、上記真空空胴は下
部ピックアッププレートにあって、ロボットアームが下
げられたときに、下部ピックアップヘッドが半導体ウェ
ハに係合するまでロボットアーム延長部に平行に移動す
るようになっており、その係合時に、下部ビッグアップ
ヘッドは、半導体ウェハに対するロボットアーム延長部
の向きに拘りなく半導体ウェハに平行にこのピックアッ
プヘッドを位置設定する方向に移動することを特徴とす
るピックアップ装置。
11、ロボットアーム延長部は、2つのテーパ付けされ
た穴を有する位置設定ブロックを備えており、これらの
穴には2つのポストの円錐部分が存在して半導体ウェハ
のピックアップ中にそこから移動できる上記10項に記
載のピックアップ装置。
12.1つのエツジに配向フラット部を有する半導体ウ
ェハをセンタリングして配向する装置において、 ハウジングと、 ハウジング上に延びる複数の回転するテーパ付けされた
ローラと、 」1記テーパ付けされたローラを回転するための少なく
とも1つの駆動モータと、 半導体ウェハ上の配向フラットエツジを検出するための
ホトセルとを具備することを特徴とする装置。
13、一対のフラットファインダローラを備えており、
これらは、半導体ウェハのフラットエツジがホトセル及
びフラットファインダローラに接近したときにフラット
エツジに対して引っ張られる前記12項に記載の装置。
14、半導体ウェハを配向するに必要な時間を短縮する
ための第2のホトセル及びフラットファインダローラを
備えている前記13項に記載の装置。
15、第2の駆動モータ及びカムを備え、ホトセルがフ
ラット部を検出したときに、上記少なくとも1つの駆動
モータが停止し、そして第2の駆動モータが」1記カム
を回転して、フラットファインダローラを半導体ウェハ
のフラッ[・エツジに弓き付けられるようにする」−記
13項に記載の装置。
16.1つのエツジに配向フラット部を有する半導体ウ
ェハをセンタリングして配向する装置において、 ハウジングと、 ハウジング上に延びる複数の回転するテーパ付けされた
ローラと、 上記テーパ付けされたローラを回転するための少なくと
も1つの駆動モータと、 半導体ウェハ上の配向フラットエツジを検出するための
ホトセルと、 半導体ウェハのフラットエツジがホトセル及びフラット
ファインダローラに隣接するときにフラットエツジに対
して引っ張られる一対のフラットファインダローラとを
具備することを特徴とする装置。
17、上記16項に記載の装置で半導体ウェハをセンタ
リングして配向する方法において、半導体ウェハをテー
パ付けされたローラまで下げ、 回転中に半導体ウェハをセンタリングし、半導体ウェハ
がホトセル上にくるまで上記テーパ付けされたローラ及
び半導体ウェハを連続的に回転し、 回転するウェハを停止し、そして 半導体のフラットエツジに対してフラットファインダロ
ーラを移動して、そのセンタリングされた配向を確立す
るという段階を具備することを特徴とする方法。
18、半導体ウェハ及びテーパ付けされたローラを1つ
のモータで回転し、そしてフラットファインダローラが
第2モータの動作によって半導体ウェハのフラット側部
と係合するように移動される上記17項に記載の方法。
19.1つのエツジに配向フラット部を有する半導体ウ
ェハをセンタリングして配向する装置において、 ハウジングと、 ハウジング」二に延びる複数の回転するテーパ付けされ
たローラと、 上記テーパ付けされたローラを回転するための少なくと
も1つの駆動モータと、 半導体ウェハ上の配向フラットエツジを検出するための
ホ[・セルと、 半導体ウェハのフラットエツジがホトセル及びフラット
ファインダローラに隣接するときにフラットエツジに対
して引っ張られる一対のフラットファインダローラと、 半導体ウェハを配向するに必要な時間を短縮するための
第2のホトセル及びフラットファインダローラとを具備
することを特徴とする装置。
20、第2の駆動モータ及びカムを具備し、ホトセルが
フラット部を検出したときに上記少なくとも1つの駆動
モータが停止し、第2の駆動モータが上記カムを回転し
て、フラットファインダローラが半導体ウェハのフラッ
トエツジに対して弓き付けられるようにした上記19項
に記載の装置。
21、ウェハへのストレスを排除するようにウェハのエ
ツジを用いることなく半導体ウェハをビッグアップする
ための装置であって、ロボットアーム内を」−下に移動
し、テーパ付けされたボストを用いることにより各たび
に同じ位置に休止するコースをたどり、テーパ付けされ
たモータ駆動ローラの円形の配列体により、フラットエ
ツジがホトセル上にくるまでウェハを回転することによ
り半導体ウェハのフラットエツジをセンタリングしそし
て見出し、ホトセル」−にきたときに、ファインダロー
ラがウェハをそのセンタリングされて配向された位置に
固定することを特徴とする装置。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係る典型的な連続化学蒸着反応装置
を示す図、 第2図は、配向フラット部を有する半導体キャリアの一
例を示す図、 第3図は、本発明の半導体ピックアップ装置を示す図、 第4図は、第3図の半導体ピックアップ装置を別の位置
で示す図、 第5図は、半導体ウェハのセンタリング/配向機構を示
す」―面図、 第6図は、第5図のセンタリング/配向機構の側面図、 第7図は、第5図のセンタリング/配向機構の側面断面
図、そして 第8図は、センタリング及び配向された半導体ウェハを
示す図である。 20・・・ウェハカセット 2]、32・・・ロボットアーム 21a、328.33・・・トラック 22・・・キャリア   23・・・入口24・・・ヒ
ータブロック 25・・・反応チャンバ 25a−−−接合i′f13 27・・・排気管 30・・・ガスバーナ 31・・・燃焼管   29・・・空気ダグト37・・
・包囲体 4o・・・半導体キャリア 45・・・聞[」 42・・・フラットエツジ 50・・・ピックアップ機構 5]、52・・・ロボットアーム 53・・ ・ボスh    53 a・ ・54・・・
下部ピックアップ装置 55・・・フィッティング 56・・・真空空胴 58・・・半導体ウェハ ・円側を部

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 機械的もしくはロボットのアームの延長部に取り付けら
    れる半導体ウェハ移動用ピックアップ装置において、 上部プレートと、 下部のピックアップヘッドと、 上端及び下端と真空空胴とを有する少なくとも1つの取
    り付けポストとを具備し、上部プレートはこの取り付け
    ポストの上端に取り付けられ、下部ピックアップヘッド
    は上記取り付けポストの下端に取り付けられ、そして取
    り付けポストはロボットアーム延長部に可動に取り付け
    られ、上記真空空胴は下部ピックアッププレート内にあ
    って、ロボットアームが下げられたときに、下部ピック
    アップヘッドが半導体ウェハに係合するまでロボットア
    ーム延長部に平行に移動するようになっており、そして
    その係合時には、半導体ウェハに対するロボットアーム
    延長部の向きに拘りなくピックアップヘッドを半導体ウ
    ェハに平行に配置する方向に下部ピックアップヘッドが
    移動するようにされたことを特徴とするピックアップ装
    置。
JP33091889A 1988-12-20 1989-12-20 半導体ウエハのピックアップ装置 Expired - Fee Related JP2842447B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US286916 1981-07-27
US07/286,916 US5052886A (en) 1988-12-20 1988-12-20 Semiconductor wafer orientation device
US287367 1988-12-20
US07/287,367 US4960298A (en) 1988-12-20 1988-12-20 Semiconductor wafer pick-up device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02269589A true JPH02269589A (ja) 1990-11-02
JP2842447B2 JP2842447B2 (ja) 1999-01-06

Family

ID=26964138

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33091889A Expired - Fee Related JP2842447B2 (ja) 1988-12-20 1989-12-20 半導体ウエハのピックアップ装置

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0375209B1 (ja)
JP (1) JP2842447B2 (ja)
DE (1) DE68919065T2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100558774B1 (ko) * 1997-07-15 2007-04-25 동경 엘렉트론 주식회사 위치결정장치및위치결정방법
JP2021102504A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 株式会社ジーテクト ディスタックフィーダのバキュームカップ構造体および搬送装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116169078B (zh) * 2023-01-17 2025-09-05 苏州桔云科技有限公司 切边晶圆传输装置的对中定位机构及切边晶圆传输装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6229713A (ja) * 1985-07-30 1987-02-07 Yamaha Motor Co Ltd ピストンの枢支部冷却装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60153788U (ja) * 1984-03-21 1985-10-14 シャープ株式会社 位置検知センサ付ロボツトハンド
US4648588A (en) * 1985-06-12 1987-03-10 Rca Corporation Articulated manipulation device
US4808059A (en) * 1986-07-15 1989-02-28 Peak Systems, Inc. Apparatus and method for transferring workpieces
US4828304A (en) * 1986-09-09 1989-05-09 Kabushiki Kaisha Yakult Honsha Vacuum adsorption hand
US4763941A (en) * 1987-06-11 1988-08-16 Unisys Corporation Automatic vacuum gripper

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6229713A (ja) * 1985-07-30 1987-02-07 Yamaha Motor Co Ltd ピストンの枢支部冷却装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100558774B1 (ko) * 1997-07-15 2007-04-25 동경 엘렉트론 주식회사 위치결정장치및위치결정방법
JP2021102504A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 株式会社ジーテクト ディスタックフィーダのバキュームカップ構造体および搬送装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE68919065D1 (de) 1994-12-01
EP0375209B1 (en) 1994-10-26
EP0375209A2 (en) 1990-06-27
EP0375209A3 (en) 1991-09-11
JP2842447B2 (ja) 1999-01-06
DE68919065T2 (de) 1995-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5052886A (en) Semiconductor wafer orientation device
US4960298A (en) Semiconductor wafer pick-up device
US5788448A (en) Processing apparatus
US5516732A (en) Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus
US4886412A (en) Method and system for loading wafers
JP5835722B2 (ja) 自動順位付け多方向直列型処理装置
US5259881A (en) Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus
JP2639459B2 (ja) モジューラ半導体ウェーハ移送及び処理装置
EP0287384A2 (en) Dial deposition and processing apparatus
JP2002517055A (ja) 基板取扱いおよび処理システムと方法
US6478532B1 (en) Wafer orienting and reading mechanism
KR20020015966A (ko) 수직열처리장치와 수직열처리장치의 제어방법 및피처리체를 운송하는 방법
KR20160010334A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US6206974B1 (en) Substrate processing system, interface apparatus, and substrate transportation method
WO1987006566A1 (en) Automatic wafer loading method and apparatus
EP0211292B1 (en) Molecular beam epitaxy apparatus
KR20050021863A (ko) 박막 작성 시스템
TWI818482B (zh) 基板處理裝置、教示資訊生成方法、教示組及基板型治具
JP3485990B2 (ja) 搬送方法及び搬送装置
US4498832A (en) Workpiece accumulating and transporting apparatus
JP3069575B2 (ja) 縦型熱処理装置
JPH02269589A (ja) 半導体ウエハのピックアップ装置
JP2003218018A (ja) 処理装置
US5074736A (en) Semiconductor wafer carrier design
JP3273694B2 (ja) 処理装置及び処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071023

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081023

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091023

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees