JPH02269740A - 中間分子量ポリイミド被覆 - Google Patents

中間分子量ポリイミド被覆

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JPH02269740A
JPH02269740A JP2047083A JP4708390A JPH02269740A JP H02269740 A JPH02269740 A JP H02269740A JP 2047083 A JP2047083 A JP 2047083A JP 4708390 A JP4708390 A JP 4708390A JP H02269740 A JPH02269740 A JP H02269740A
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bis
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dianhydride
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hexafluoropropane
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Rohitkumar H Vora
ロヒトクマー・エイチ・ヴォラ
Dinesh N Khanna
ディネシュ・エヌ・クハンナ
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Hoechst Celanese Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 友l旦豊豆1 本発明は、ヘキサフルオロイソプロピリデン基または1
−フェニル−2,2,2−トリフルオロエタン基を含有
する中間分子量の芳香族ポリイミド、およびこれらの製
法に関する。
L及立藍l ポリイミドは、約300℃以上のガラス転移温度を有す
るため、一般にこの技術分野では高温での用途に有用な
ものとしてよく知られている。そのような重合体は様々
な方法で製造することができるが、おそらく最も一般的
な方法は、ピロメリット酸二無水物(PMDA)のよう
な二無水物とジアミンとを反応させて可溶性ポリアミド
酸を形成し、その後これを等温的にまたは化学的手段で
環化してポリイミドを形成する2段階法であろう。
そのような方法は、ロジャーズの米国特許第3.356
.648号の実施例にあるような弗素化ポリイミドの製
造について用いられ、この特許の実施例11には、2.
2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)へキサフル
オロブロバンニ無水物および2.2−ビス(4−アミノ
フェニル)へキサフルオロプロパンからポリイミドを製
造する方法が記載されている6等モル量のジアミンおよ
び二無水物をジオキサン中で約18時間、室温にて攪拌
すると、ポリアミド酸が形成する。このポリアミド酸に
、無水酢酸および少量のベーターピコリンを加える。約
15分間攪拌した後、冷却せずに、混合物をガラスプレ
ート上に注いでゲルフィルムを形成させる。このゲルフ
ィルムをオーブン中で12時間加熱し、その後さらに2
時間250℃で加熱してポリイミドフィルムを形成させ
る。このようにして得たポリイミドフィルムは記載のよ
うにクロロホルム、ベンゼン、ジオキサンおよびアセト
ンに可溶性である。
他の弗素化ポリイミドについては、ロジャーズの米国特
許第3.959.350号に記載されている。この特許
の実施f!jsf rでは、等モル量の2.2−ビス(
3,4−ジカルボキシフェニル)へキサフルオロブロバ
ンニ無水物および4.4′−ジアミノジフェニルエーテ
ルをジメチルアセトアミド中で窒素雰囲気下、室温にて
混合することによって、弗素化ポリイミドを製造してい
る。ベーターピコリンおよび無水酢酸を加えることによ
って、ポリアミド酸中間体を相当するポリイミドに変え
る。
上記のようにして製造された弗素化ボイミドは、多くの
用途に必要とされる分子量、色および他のパラメーター
の点から見て、好ましい性質を有するものではない。従
ってこの分野ではさらに研究が進められてきた1例えば
、ランデイス等の米国特許第4.645.824号には
、クレゾール溶液による高分子量弗素化ポリイミドの製
法の記載がある。この特許には、約35,000までの
分子量の重合体が得られるポリイミドの製法が記載され
ている。
1988年7月12日付のUSPTOの米国特許出願第
217.929号には、2.2′−ビス(3,4−ジカ
ルボキシフェニル)へキサフルオロブロバンニ無水物お
よび2.2′−ビス(4−アミノフェニル)へキサフル
オロプロパンまたは2.2′−ビス(3−アミノフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパンの縮合生成物に基づく超高
分子量ポリイミドの合成法が記載されている。これらの
重合体はすぐれた機械的、電気的および光学的特性を示
すが、前記の特許に記載の重合体と同様に、特にミクロ
電子工学分野に関連する用途においては限界がある。
ポリイミド重合体の特に好ましい用途は、すぐれた熱酸
化安定性および良好な絶縁特性を有する重合体フィルム
を必要とするミクロ電子工学分野での用途である。その
ような用途には、米国特許第4,692.205号の実
施例に記載されているような用途を含めて、電子回路チ
ップおよび半導体デバイスの製造に使用される誘電中間
層および不動態被覆がある。そのようなデバイスは通常
、ポリイミド溶液の被覆をシリコンウェファ−の表面に
回転被覆法によって形成し、次に他の感光性または加工
層を施すことにより製造される。
そのようなチップの加工法では、これらのチップの加工
の際のエツチングおよび/またはベーキング工程に必要
とされる極めて高い温度(少なくとも200℃)にこれ
らをさらすことになる。
基板上に回転被覆する乾燥ポリイミドフィルムは、通常
約25〜約90ミクロン、好ましくは約35〜約60ミ
クロン、の均一な厚さのものであるのが理想的である。
一定の回転速度でそのような均一なフィルムの厚さにす
るには、ポリイミドの重量平均分子量によることが大き
い、比較的低分子量、例えば約50.000未満の分子
量、の重合体を使用した場合、回転被覆法に用いる重合
体溶液の粘度は非常に低くなり、その結果、約25ミク
ロンを越える均一な厚さのフィルムを得るのが難しくな
る。得られる薄いフィルムは比較的脆く、機械的および
絶縁特性が劣っている。比較的高い分子量、例えば約1
50%OOOを越える分子量、の重合体を使用した場合
、被覆溶液の粘度は非常に高くなり、重合体の溶解度は
比較的小さくなる。このような場合、重合体溶液はシリ
コンウェファ−の表面を均一に流れず、縦じわのあるで
こぼこした表面となる。そのような被覆ウェファ−を熱
処理すると、応力が高まり、冷却時にフィルムがウェフ
ァ−表面から持ち上がってしまう。
上記の欠点を避けるためには、ポリイミド重合体の平均
分子量(M w )を約80.000〜約135.00
0の比較的狭い範囲にして、約25〜約90ミクロン、
より好ましくは約35〜60ミクロンの範囲の調整可能
な厚さの乾燥被覆をより容易に得られるようにする。
そのような狭い範囲の分子量の重合体を合成するには、
文献に記載の標準的な方法、例えば米国特許第3,23
4.181号に記載のような、重合体鎖の末端にふたを
して(末端キャッピング)さらに分子量が増加するのを
防ぐ方法を用いつる。網台型ポリイミドの場合、伝統的
に使用されてきた末端キャッピング化合物は、縮合系ポ
リイミドの場合、無水フタル酸またはアニリンである0
分子量を調整した重合体はこの方法で得ることができる
が、それらの熱的性質が犠牲になる。
末端をキャップしたポリ不ミド重合体は段階的べ一キン
グ工程中、高温で急速に分解する。また、末端キャツピ
ング剤(end−capping agent)は水分
に対して不安定であるので、ある期間中に被覆溶液がゲ
ル化する可能性もある。末端キャツピング剤は空気中に
おいて高温で酸化不安定性であるため、被覆フィルムは
また濃いこはく色にもなる。
これらは末端をキャップした重合体の多くの欠点のうち
のほんのわずかなものである。
11JL豆11 本発明は、重合工程で末端キャツピング剤を使用する必
要のないそして単量体比を理論量に合うように変化させ
る必要のない1分子量および分子量分布が調整可能なポ
リアミド酸およびポリイミドの製法を提供するものであ
る9本発明の方法は、芳香族二無水物および芳香族ジア
ミン単量体[このうちの少なくとも1種は2つの芳香族
部分を結合する基(CF3−C−R)(式中、RはCF
3またはフェニルである)を含む」の混合物に、低温か
つ実質的に等温の溶液重合を行わせるものであり、溶剤
中の混合単量体の含有量は、重合工程中、約8〜約12
重量%の固体濃度に維持する。この方法は、ポリイミド
重合体の重量平均分子量が約80.000〜約135,
000、より好ましくは約90.000〜125.00
01ポリイミドの固有粘度(inherent vis
cosity)が約0.45〜約0.70そして多分散
度が約1. 7〜約2.6となるのに十分に長い時間お
よび均一な温度、一般に約35℃未満で行う。
日   ;   い  日 本発明のポリイミドは下記の構造: (式中、部分Aは少なくとも1つのベンゼン、ナフタレ
ンまたはポリ−フェニル核を含む4価の芳香族基であり
、部分Bは2価の芳香族基であり、そしてnは約100
〜約200、より好ましくは約120〜170の範囲の
整数である)の反復基よりなるものとして特徴づけられ
る。好ましい溶解度、熱および輻射安定性、電気絶縁性
、機械的特性および好ましい分子量を得るには、部分A
またはBの少なくとも1つまたは両方を式: (式中、Xは個々に水素、C8〜、アルキル、01〜、
アルコキシ、ハロゲン、ヒドロキシ、N O2、HC”
 CHzおよびHC=CHよりなる群から選ばれる置換
基である) の4価または2価部分から選び、式(1)中のAは対に
なったカルボニル基がそれぞれ環部分Aの隣接炭素原子
に付いている4価の基であり、より好ましくはAはフェ
ニレン、ナフタレンまたはビス−フェニレン系化合物あ
るいはこれらの化合物の混合物よりなり、これらの全て
は置換されていないかまたは芳香族環上に非妨害ハロゲ
ン、ヒドロキシ、No2.低級01〜6アルキル、C,
〜6アルコキシ、−HC=CH,および−CH=CH基
で置換されており、モしてnは、ポリイミドの固有粘度
が、重合体濃度0.5重量%の重合体のジメチルアセト
アミド溶液として25℃で測定したとき、約0.45〜
約0.70となるのに十分な数である0本発明の好まし
い具体例では、Xは水素である。
本発明の好ましいポリアミドは、芳香族ジアミンと芳香
族二無水物を反応させることにより製造され、これらの
単量体のうちの少なくとも1つは、2.2−ビス(3,
4−ジカルボキシフェニル)へキサフルオロプロパンニ
無水物;2.2−ビス(3−アミノフェニル)へキサフ
ルオロプロパン;2.2−ビス(4−アミノフェニル)
ヘキサフルオロプロパン;2−(3−アミノフェニル)
−2−(4−アミノフェニル)へキサフルオロプロパン
;2.2−へキサフルオロ−ビス[4(3−アミノフェ
ノキシ)フェニルコプロパン;2.2−へキサフルオロ
−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロ
パン;1.1−ビス=(4−アミノフェニル)−1−フ
ェニル−2,2,2−トリフルオロエタン;1.1−ビ
ス−[4−(1,2−ジカルボキシフェニル)〕−〕1
−フェニルー22.2−トリフルオロエタンニ無水物お
よびこれらの混合物よりなる群から選ばれる。
本発明のさらに好ましいポリアミドは、2.2−ビス(
3,4−ジカルボキシフェニル)へキサフルオロブロバ
ンニ無水物(eFDAとも呼ばれる)を式: %式%) (式中、Yは非置換あるいは非妨害ハロゲン、ヒドロキ
シ、C2〜6アルキルまたは01〜6アルコキシで環置
換されたフェニレン、ナフタレンまたはビス−フェニレ
ン系化合物の芳香族部分である)を有する芳香族ジアミ
ンと反応させることによって製造される。
本発明の最も好ましいポリイミドは、8 F−DAを弗
素含有ジアリールジアミン、例えば2.2−ビス(3−
アミノフェニル)へキサフルオロプロパン;2.2−ビ
ス(4−アミノフェニル)へキサフルオロプロパンまた
は2−(3−アミノフェニル)−2−(4−アミノフェ
ニル)へキサフルオロプロパンを反応させて式: (式中、nは前記の通りである) を有するポリイミドを得ることによって製造される。
本発明で使用するのに適したテトラカルボン酸二無水物
を以下に例示する: 1.2.4.5−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物; 1.2,3.4−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物; 1.4−ビス(2,3−ジカルボキシフェノキシ)ベン
ゼンニ無水物; 1.3−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ベン
ゼンニ無水物; 1.2.4.5−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物
; 1.2.5.6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物
; 1.4.5.8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物
; 2.3.6.7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物
; 2.6−シグロロナフタレンー、1.4.5.8−テト
ラカルボン酸二無水物; 2.7−シグロロナフタレンー1.4.5.8−テトラ
カルボン酸二無水物; 2.3.6.7−チトロラクロロナフタレンー1.4.
5.8−テトラカルボン酸二無水物;3.3’ 、4.
4’ −ジフェニルテトラカルボン酸二無水物; 2.2’ 3.3’−ジフェニルテトラカルボン酸二無
水物: 4.4′−ビス(3,4、−ジカルボキシフェノキシ)
ジフェニルニ無水物; ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水
物: 4.4′−ビス(2,3−ジカルボキシフェノキシ)ジ
フェニルエーテルニ無水物; 4.4′−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジ
フェニルエーテルニ無水物; ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水
物; 4.4′−ビス(2,3−ジカルボキシフェノキシ)ジ
フェニルスルフイドニ無水物; 4.4′〜ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジ
フェニルスルフイドニ無水物; ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水
物: 4.4′−ビス(2,3−ジカルボキシフェノキシ)ジ
フェニルスルホンニ無水物; 4.4′−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジ
フェニルスルホンニ無水物; 3.3’ 、4.4’ −ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物; 2.2’ 3.3’ −ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物; 2.3.3’ 、4’−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物; 4.4′−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ペ
ンゾフエノンニ無水物; ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタンニ無水物
: ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタンニ無水物
; 1.1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン
ニ無水物; 1.1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン
ニ無水物; 1.2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン
ニ無水物; 2.2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパ
ンニ無水物; 2.2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパ
ンニ無水物; 2.2−ビス[4−(2,3−ジカルボキシフェノキシ
)フェニル]プロパンニ無水物;2.2−ビス[4−(
3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニルコブロバン
ニ無水物;4−(2,3−ジカルボキシフェノキシ)−
4′−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニル
−2,2−ブロバンニ無水物; 2.2−ビス[4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ
−3,5−ジメチル)フェニル]ブロバン二無水物; 2.3.4.5−チオフェンテトラカルボン酸二無水物
; 2.3.4.5−ピロリジンテトラカルボン酸二無水物
; 2.3.5.6−ピラジンテトラカルボン酸二無水物; 1.8.9.10−フェナントレンテトラカルボン酸二
無水物; 3.4.9.10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物
; 2.2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)へキサ
フルオロブロバンニ無水物; 1.3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)へキサ
フル、オロプロパンニ無水物; 1.1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1−
フェニル−2,2,2−トリフルオロエタンニ無水物; 2.2−ビス[4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ
)フェニル]へキサフルオ口プロパンニ無水物; 1.1−ビス[4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ
)フェニル−2,2,2−1リフルオ口エタンニ無水物
;および 4.4′−ビス[2−(3,4−ジカルボキシフェニル
)へキサフルオロイソブロピルコジフェニルエーテルニ
無水物。
本発明で使用するのに適したジアミンを以下に例示する
: m−フェニレンジアミン; p−フェニレンジアミン; 1.3−ビス(4−アミノフェニル)プロパン;2.2
−ビス(4−アミノフェニル)プロパン;4.4′−ジ
アミノ−ジフェニルメタン;1.2−ビス(4−アミノ
フェニル)エタン;1.1−ビス(4−アミノフェニル
)エタン:2.2′−ジアミノ−ジエチルスルフィド;
ビス(4−アミノフェニル)スルフィド;2.4′−シ
アミージフェニルスルフィド;ビス(3−アミノフェニ
ル)スルホン;ビス(4−アミノフェニル)スルホン;
4.4′−ジアミノ−ジベンジルスルホキシド;ビス(
4−アミノフェニル)エーテル:ビス(3−アミノフェ
ニル)エーテル;ビス(4−アミノフェニル)ジエチル
シラン;ビス(4−アミノフェニル)ジフェニルシラン
;ビス(4−アミノフェニル)エチルホスフィンオキシ
ト; ビス(4−アミノフェニル)フェニルホスフィンオキシ
ト; ビス(4−アミノフェニル)−N−フェニルアミン; ビス(4−アミノフェニル)−N−メチルアミン;1.
2−ジアミノ−ナフタレン; 1.4−ジアミノ−ナフタレン; 1.5−ジアミノ−ナフタレン; 1.6−シアミツ−ナフタレン; 1.7−シアミツ−ナフタレン; 1.8−ジアミノ−ナフタレン; 2.3−ジアミノ−ナフタレン; 2.6−シアミツ−ナフタレン; 1.4−ジアミノ−2−メチル−ナフタレン;1.5−
ジアミノ−2−メチル−ナフタレン;1.3−ジアミノ
−2−フェニル−ナフタレン;4.4′−ジアミノ−ビ
フェニル; 3.3′−ジアミノ−ビフェニル; 3.3′−ジクロロ−4,4′−ジアミノ−ビフェニル
; 3.3′−ジメチル−4,4′−ジアミノ−ビフェニル
; 3.4′−ジメチル−4,4′−ジアミノ−ビフェニル
; 3.3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノ−ビフェニ
ル; 4.4′−ビス(4−アミノフェノキシ)−ビフェニル
; 2.4−ジアミノ−トルエン; 2.5−ジアミノ−トルエン; 2.6−シアミツ−トルエン; 3.5−ジアミノ−トルエン; 1.3−ジアミノ−2,5−ジクロロ−ベンゼン多′1
.4−ジアミノ−2,5−ジクロロ−ベンゼン1−メト
キシ−2,4−ジアミノ−ベンゼン;1.4−ジアミノ
−2−メトキシ−5−メチル−ベンゼン; 1.4−ジアミノ−2,3,5,6−チトラメチルーベ
ンゼン; 1.4−ビス(2−メトキシ−4−アミノ−ペンチル)
−ベンゼン; 1.4−ビス(1,1−ジメチル−5−アミノ−ペンチ
ル)ベンゼン; 1.4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン0−キ
シレンジアミン; m−キシレンジアミン; p−キシレンジアミン; 3.3′−ジアミノ−ベンゾフェノン;4.4′−ジア
ミノ−ベンゾフェノン;2.6−シアミツ−ピリジン: 3.5−ジアミノ−ピリジン: 1.3−ジアミノ−アダマンタン; 3.3′−ジアミノ−1,1,1′−ジアダマンタン; N−(3−アミノフェニル)−4−アミノベンズアミド
; 4−アミノフェニル−3−アミノベンゾエート;2.2
−ビス(4−アミノフェニル)へキサフルオロプロパン
; 2.2−ビス(3−アミノフェニル)へキサフルオロプ
ロパン; 2−(3−アミノフェニル) −2−(4−アミノフェ
ニル)へキサフルオロプロパン; 2.2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル
]ヘキサフルオロプロパン; 2.2−ビス[4−(2−クロロ−4−アミノフェノキ
シ)フェニルコヘキサフルオロプロパン;1.1−ビス
(4−アミノフェニル)−1−フェニル−2,2,2−
トリフルオロエタン;1.1−ビス[4−(4−アミノ
フェノキシ)フェニル]−1−フェニル−2,2,2−
トリフルオロエタン; 1.4−ビス(3−アミノフェニル)ブタ−1−エン−
3−イン; 1.3−ビス(3−7ミノフエニル)へキサフルオロブ
ロン; 1.5−ビス(3−アミノフェニル)デカフルオロペン
タン;およびこれらの混合物。
二無水物およびジアミン反応体、特に弗素を含有するこ
れらは、実質的に電子工学的に純粋であるのが好ましく
、電子工学等級と呼ばれている。
それらは一般に、少なくとも約98.5%の純度のジア
ミンまたは二無水物でなければならない。
上述のように、好ましくない末端キャッピング物質の使
用に頼ることなく、分子量が調整可能なポリアミド酸お
よびポリイミドをもたらす本発明の重要な特徴は、約8
〜約12%、最も好ましくは約10%の単量体固形分に
て溶剤中で単量体を重合することである。固形分が約8
%未満では、ポリイミドの分子量は、ミクロ電子工学の
用途に好ましい比較的薄い、非脆性回転被覆フィルムが
得られる理想的なMwの最低限である約80.000よ
り下の分子量になる。単量体固形分が約12%を越える
と、得られるポリイミドの分子量は理想的なMwの上限
である約135,000より高くなり、フィルムに縦じ
わを生じないフィルムまたは加熱時に応力が加わらない
フィルムを回転被覆することが困難となる0回転被覆工
程で最良の結果を得るには、基板上に回転被覆するブチ
ロラクトンとジグリムとの70/30(重量)溶剤混合
物中における重合体の25%溶液のブルックフィールド
粘度を、約700〜約1300センチボイズ、より好ま
しくは約800〜約1200センチボイズの範囲内にす
るのが好ましい、乾燥回転被覆フィルムの厚さおよび機
械的特性の両方に影響を及ぼす回転被覆溶液中の重合体
の濃度を高めることなく、低分子量重合体で粘度をこの
範囲内にすることは難しいことである。逆に、高分子量
重合体では、約1300センチボイズをはるかに越えた
そして2000センチポイズ以下またはそれ以上のブル
ックフィールド粘度を有する固形分25%の回転被覆溶
液となり、でこぼこした縦じわのある表面を生じる。滑
らかな被覆を得るためには、そのような高分子量溶液を
、約25ミクロンを越える厚さのフィルムになりにくい
程度にまで希釈する必要がある。
本発明の方法の別の利点は、約1,7〜約2゜6の非常
に狭い範囲の多分散度ファクター(d)を有する重合体
が得られることである。多分散度は、重合体の重量平均
分子量(M w )を重合体の数平均分子量(Mn)で
割ることによって判定する。多分散度ファクターが狭け
れば狭いほど、引っ張り強さ、伸び率および引っ張り弾
性率のような機械的特性そして光学的および電気的特性
がさらに高くなる。
本発明の重合工程で使用しつる溶剤は、官能基が二無水
物またはジアミン反応体と認めつるほどに反応しない、
そして二無水物またはジアミンのどちらか、好ましくは
両者が可溶性である有機溶剤、好ましくは無水のもので
ある。適した溶剤の例はN、N−ジアルキルカルボキシ
ルアミド溶剤、例えばN、N−ジメチルホルムアミドま
たはN5N−ヅメチリルアセトアミド;N−メチル−2
−ピロリドン;ガンマ−ブチロラクトン;ピリジン;ジ
グリム;および類似物ならびにこれらの溶剤の混合物で
ある。
本発明のポリイミドを製造する好ましい方法では、はぼ
等モル量の二無水物およびジアミンを用いる。ジアミン
をまず初めに重合溶剤媒体に溶解し、次に攪拌を続けな
がら二無水物を分けて徐々に加えるのが好ましい、全て
の単量体を加えた後、反応体の濃度は、溶液濃度が重量
で約8〜約12%、好ましくは約10%となるようにす
べきである。この濃度にするのに必要ならば、さらに溶
剤を加える1次に、冷却浴によって約35℃未満、好ま
しくは約20〜約30℃の温度に維持した混合物を攪拌
しながら、無水条件下で重合を行う。重合は、好ましい
分子量を有するポリアミド酸が形成するのに十分な時間
、通常は約8〜約20時間行う。その後、この技術分野
で公知の方法で、例えばイミド化が実質的に完了するま
でポリアミド酸溶液を加熱することにより、あるいは触
媒を用いであるいは用いずにポリアミド酸と脱水剤とを
合わせ、そして任意に、得られた混合物をイミド化が実
質的に完了するまで加熱することにより、ポリアミド酸
をポリイミドに変える。
その後、メタノールのようなアルコールで沈澱させるこ
とにより、ポリイミドを溶液から回収し、さらにメタノ
ールで洗浄する。
以下の実施例で本発明を説明する。
実施例1 三つロフラスコに攪拌機、冷却器、氷水浴および温度計
を取り付け、窒素雰囲気を満たした。このフラスコに、
33.40g (0,1モル)の電子工学等級の2.2
−ビス(4−アミノフェニル)へキサフルオロプロパン
(ここでは6F−ジアミンとも呼ぶ)を、500gの新
たに蒸留したN−メチルピロリドン(NMP)を入れた
。この混合物を数分間室温で攪拌して、透明でわずかに
黄色がかった溶液を得た0次に溶液を室温より少し下の
温度(約17℃)に冷却し、44.4gの電子工学等級
の2.2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)へキ
サフルオロブロバンニ無水物(ここでは6F−二無水物
とも呼ぶ)を等間隔および等量に分けて約15分間にわ
たって加えた。
無水物の添加は、溶液が25〜30℃に保たれるように
、反応混合物を静かに攪拌しながら、注意深く行わなけ
ればならない、6F−二無水物を加えた後、単量体の入
ったビーカーをさらに200gのNMPで洗浄し、NM
Pおよび残留単量体を反応混合物に加えて非揮発分濃度
10%の溶液を得た。約25〜30℃の均一な温度に維
持した混合物を約19時間静かに攪拌し、この後、形成
されたポリアミド酸の試料を粘度分析のために取り出し
た。この重合混合物へ、9.6gのベーターピコリンを
加え、十分に分散させた。ベーターピコリンを添加した
後、98.0gの無水酢酸を滴加し、混合物をさらに2
2時間(また25〜30℃の均一な温度で)静かに攪拌
して、環化を完了させた。上記および下記の方法はすべ
て乾燥窒素雰囲気中で行い、そして好ましくない影響を
避けるため反応体はすべて分けて加えた。同様に、反応
混合物の温度を全工程において適宜均一に保つことが重
要である;例えば、温度を局部的に上昇させると、環化
中であっても、反応混合物はゲル化し、適した重合体は
形成しない。
上記のように形成した重合体は、500gの重合体溶液
当たり2000m1のメタノールを使用して、メタノー
ルを反応液に加えることにより、すなわち逆沈澱させる
ことにより、メタノール溶液から沈澱させた。得られた
重合体はさらに新しいメタノールで洗浄した。(乾燥後
の)重合体およびポリアミド酸の性質を表1に示す。
実施例2 以下の材料を使用する他は、実施例1の手順を繰り返し
た: 6F−ジアミン 183.7g (0,55モル)6F
−:無水物 244.2g (0,55−Eル)新たに
蒸留したNMP       3852 g無水酢酸 
          550.0gベーターピコリン 
        55.Og反応時間および温度(約)
は以下の通りであるNMP1500g中での 反応体の混合    20分 単量体濃度10%での 重合時間   20時間 重合温度         20〜25℃環化時間  
         20時間環化温度        
 25〜30℃(乾燥後の)重合体およびポリアミド酸
中間体め性質を表1に示す。
実施例3 以下の材料を使用する他は、実施例1の手順を繰り返し
た: 6F−ジアミン  33.4g (0,1モル)6F−
二無水物  44.4g (0,1モル)新たに蒸留し
たNMP       700g無水酢酸      
     98.2gベーターピコリン       
 9.6g反応時間および温度(約)は以下の通りであ
るNMP中での反応体の混合    23分濃度10%
での重合時間    18時間重重合度       
   20〜25℃環化時間           2
3時間環化温度         25〜30℃(乾燥
後の)重合体およびポリアミド酸中間体の性質を表1に
示す。
上に示したように、ポリイミドの分子量特性を好ましい
ものに調整するためのそしてそのような好ましい分子量
特性のポリイミドを得るための本発明の重要な条件は、
約8〜約12重量%の、有機溶剤中の単量体濃度で重合
を行うことである。
実施例1〜3では、約10重量%の単量体/溶剤濃度で
重合を行った0次の比較実施例で、この範囲外の単量体
濃度で重合を行った場合に得られる重合体の性質を示す
比較実施例4 実施例1の手順を繰り返した。しかしながら、ここでは
、重合中に用いたNMP溶剤の量は、単量体濃度が約5
重量%であるものであった。以下の材料を使用した: 6F−ジアミン  33.4g (0,1モル)6F−
二無水物  44.4g(0,1モル)新たに蒸留した
NMP    1478.0g無水酢酸       
    98.0gベーターピコリン        
 9.8g反応時間および温度を以下に示す: NMP100Og中での 反応体の混合   20分 濃度5%での重合時間     18時間重重合度  
       20〜25℃環化時間        
   21時間環化温度         25〜30
℃(乾燥後の)重合体およびポリアミド酸中間体の性質
を表1に示す。
比較実施例5 実施例1の手順を繰り返した。しかしながら、ここでは
、重合中に用いたNMP溶剤の量は、単量体濃度が約1
5重量%であるものであった。以下の材料を使用した: 6F−ジアミン  33.4g (0,1モル)6F−
二無水物  44.4g (0,1モル)新たに蒸留し
たNMP     440.9g無水酢酸      
     94.3gベーターピコリン       
 9.4g反応時間および温度を以下に示す: NMP300g中テノ 反応体の混合  24分 濃度15%での重合時間    18時間重重合度  
       20〜25℃環化時間        
   22時間環化温度         25〜30
℃(乾燥後の)重合体およびポリアミド酸中間体の性質
を表1に示す。
比較実施例6 実施例1の手順を繰り返した。しかしながら、ここでは
、重合中に用いたNMP溶剤の量は、単量体濃度が約1
8重量%であるものであった。以下の材料を使用した: 6F−ジアミン 133.6g (0,4モル)6F−
二無水物 177.8g (0,4モル)新たに蒸留し
たNMP    1418.0g無水酢酸      
    393.5gベーターピコリン       
 39.4g反応時間および温度を以下に示す: NMP中での反応体の混合    20分濃度18%で
の重合時間    199時間重合温        
 20〜25℃環化時間           21時
間環化温度         25〜30℃(乾燥後の
)重合体およびポリアミド酸中間体の性質を表1に示す
比較実施例7 実施例1の手順を繰り返した。しかしながら、ここでは
、重合中に用いたNMP溶剤の量は、単量体濃度が約2
0重量%であるものであった。以下の材料を使用した: 6F−ジアミン 267.0g (0,8モル)6F−
二無水物 355.og(o、8モル)新たに蒸留した
NMP    2490.0g無水酢酸       
   795.0gベーターピコリン        
79.5g反応時間および温度を以下に示す: NMP中での反応体の混合    20分濃度20%で
の重合時間  15.5時間重合温度        
 20〜25℃環化時間           22時
間環化温度         25〜30℃(乾燥後の
)重合体およびポリアミド酸中間体の性質を表1に示す
重量平均分子量(Mw)または数平均分子量(Mn)の
いずれの分子量も、重合体のテトラヒドロフラン(TH
F)希釈溶液について行ったゲル透過グロマトグラフィ
−(GPC)により測定した。用いた実際の、装置は、
ウォーターズ(ミリボアー社)のプログラミング可能な
自動サンプラ、真空ポンプ、ヒーター付きグロマトグラ
フィーおよびソフトウェア(ヴアージョン1.1、高車
パートNO,T/N22301309−91)を組み入
れた馬車CR30Aデータ換算システムに接続した示差
屈折計よりなるものであった。
使用した屈折計はウォーターズモデル410であり、5
00オングストローム、1.000オングストローム、
10,000オングストロームおよび1001000オ
ングストロームの4種のグロマトグラフイー力ラム(ウ
ォーターズ社販売)を連続させてつないだ、システムは
、以下の分子量範囲の多数の入手可能なポリスチレンを
使用して目盛りを定めた: Ω」LΩ (ポリスチレン) 1        470.000 2        170.000 3         68.000 4         34.500 5          9.200 6          3.200 7          1.250 標準試料は基本的には単分散のものであり、実質的には
単一分子量よりなるものであ・る、このように目盛りを
定めたシステムを用い、重量平均分子m M w s数
平均分子量Mnおよび多分散度(d)すなわちM w 
/ M nを、上記実施例に従って製造した重合体につ
いて得た。
ガラス転移温度(Tg)は、60 c c/分の窒素雰
囲気で20℃/分にて操作するパーキン・エルマーDS
C−4熱量計を使用する差動走査熱量計により測定した
。この方法によるガラス転移温度は一般に、重合体の加
熱曲線の最初の変曲点の接線の交点として定義される。
熱f[f!に分析(TGA)は、パーキン・エルマー6
5−2分析器を用い、20℃/分で、80 c c/分
の空気速度にて行った。ここに示すTGA値は、5重量
%損失に対するものである;換言すると、5重量%の損
失が観察される温度を記録している。
表1のデータから明らかなように、約801000〜約
135.000の目標範囲内の重量平均分子量を有する
ポリイミドが、本発明の方法によって得られる。実施例
4におけるように単量体濃度を約8%未満に変えると、
あるいは実施例5〜7のように単量体濃度を約12%よ
り上にすると、重量平均分子量がそれぞれ目標単位より
下または上のポリイミド重合体が生じる。
本発明のポリイミドは、チップおよび半導体デバイスの
製造における誘電中間層および不動態被覆として使用す
るのに理想的である。ポリイミド溶液をシリコンウェフ
ァ−のような適当な基板上に回転被覆すると、溶剤を蒸
発させた後に均一で平らなフィルムを形成することがで
きる。このフィルムの厚さは約25〜約90ミクロンで
ある。
上記のように、本発明のポリイミドの分子量は、ブルッ
クフィールド粘度計(モデル LVT、スピンドル L
v #3)を使用し、70/30(重量)のブチロラク
トン/ジグリムの溶剤混合物中の25重量%重合体固形
分溶液として室温で測定したとき、約700〜約130
0センチボイズの範囲内のブルックフィールド粘度とな
るものである。同じ重合体の25重量%溶液は、用いる
溶剤系によって異なる見掛粘度の回転被覆溶液となる0
例えば、実施例1のポリイミドの25重量%溶液は、7
0/30ブチロラクトン/ジグリム中では約918cp
s、50150ブチロラクトン/プロピレングリコール
メチルエーテルアセテート中では1073cps、70
/30ジグリム/テトラヒドロフラン中では854cp
sおよび100%N−メチルピロリドン中では2483
cpsの平均ブルックフィールド粘度を示す。従って、
700〜1300センチボイズの好ましい範囲内のブル
ックフィールド粘度となる回転被覆溶剤を選ぶことによ
って、最良の回転被覆が得られることになる。
以下の実施例では、回転被覆したシリコンウェファ−の
製造について説明する。
実施例8 実施例1のポリイミド重合体を、ブチロラクトンとプロ
ピレングリコールメチルエーテルアセテートとの501
50溶剤混合物に溶解して、25重量%の重合体を含有
する溶液を形成した。この溶液の平均ブルックフィール
ド粘度は、LV−3プローブを使用するブルックフィー
ルド粘度計で室温にて測定して、1073センチボイズ
であった0回転被覆法を用いて、この重合体被覆溶液を
3インチの清浄なシリコウェファ−に塗布した。
被覆物は、表面積の約30%を覆うように、ウェファ−
の中心に静かに置いた。次に、ウェファ−を約30秒間
、約1、OOOrpmで回転させた。被覆したウェファ
−は、90℃にて15分間、160℃にて15分間、2
50℃にて15分間そして最後に350℃にて2時間、
段階的にべ一りして溶剤を除去した。冷却した後、均一
で縦じわのない被覆表面が得られた0重合体被覆の厚さ
は約30ミクロンであった。
実施例9 実施例3および6のポリイミドに基づく成形ディスクを
以下のように製造したご重合体の粉末試料を篩分けし、
真空オーブン中で200℃にて乾燥した。約Logの重
合体試料を200’Cに予備加熱した直径3インチのキ
ャビティ内に平らに広げた0次に、プランジャーを金型
キャビティに置き、熱盤を有する油圧プレスによって圧
力を型に加えた。約3時間にわたって型に加える圧力を
1000から5000psiに高めながら、型の温度を
200から350℃に徐々に加熱した9次に、型を冷却
し、型から冷却した重合体ディスクを取り出した。実施
例3の重合体の場合、重合体が約320℃(はぼそのガ
ラス転移温度)および圧力約2500psiにて型の割
れ目から流れ出すのが観察された。実施例6の重合体の
場合、約345℃の温度および約4500psiの圧力
となるまで、同様な流れは観察されなかった。
このことは、熱間加工に約350℃の温度および約50
00psiの圧力を必要とする相当する高分子量重合体
に較べて、比較的狭い中間の分子量を有する本発明の重
合体は、300〜320℃の比較的低い温度および25
00〜3000psiの圧力で容易に熱間加工可能であ
るという事実を示している。
本発明のポリイミドはN−メチルピロリドン(NMP)
  ジメチルアセトアミド(DMA c)、ジグリム、
メチルエチルケトン(MEK)、テトラヒドロフラン(
THF)  アセトン、クロロホルム、ブチロラクトン
(BLO) 、ジメチルスルホキシド(DMS) 、ジ
メチルホルムアミド(DMF) 、プロピレングリコー
ルメチルエーテル(PGME)等のような溶剤中で良好
な溶解特性を示す。
本発明のポリイミドはまた、改良された熱流動性を示し
、溶融延伸して繊維およびフィラメントを形成しうる。
一般的な有機溶剤中での溶解性がよいので、溶剤溶液か
らフィルムをキャストすることができる。そのようなフ
ィルムはプリント回路支持体、絶縁誘電中間層としてお
よび良好な誘電特性を有する強靭で高温安定性のフィル
ムが従来用いられてきた他の用途に使用しつる。
本発明のポリイミドは、圧縮成形または射出成形のよう
な標準的な方法を用いて、繊維、フィルム、安全マスク
、フロントガラス、電子回路基板、航空機の窓等のよう
な溶融加工製品にすることができる。ピストンリング、
弁座、ベアリングおよびシールに有用な内部潤滑性摩耗
面を製造する場合、これらをグラファイト、黒鉛繊維、
二硫化モリブデンまたはPTFEと共に配合しつる。
これらはまた、ガラス、グラファイトまたはホウ素繊維
と共に配合して、ジェットエンジン部品のような高強度
部品用の成形コンパウンドとすることができる。ポリイ
ミドはまた、摩擦材料と共に配合して、耐熱ブレーキ部
品用の成形コンパウンドとすることができ、あるいは高
速研削砥石用のダイアモンドのような研磨材と共に配合
してもよい。
これらのポリイミドは、線材およびケーブル外被、モー
タースロットライナーまたは軟質プリント回路基板とし
て有用なフィルムにキャストしつる。これらはアルミニ
ウムまたは二酸化珪素のような支持体上の被覆物として
使用しつる。これらはまた、マグネット線用の耐熱被覆
、各種電子部品用の浸漬被覆、ガラス、金属およびプラ
スチック支持体を覆う保護被膜、耐摩耗性被覆、および
ミクロ電子工学的加工に有用なフォトレジストを製造す
るのに有用である。
これらのポリイミドはまた、航空宇宙構造部材または電
子回路部品結合用の耐熱接着剤、ミクロ電子工学的用途
のために銀または金のような導電性充填剤と混合した導
電接着剤あるいはガラス、金属またはプラスチック支持
体用の接着剤の製造の際にも使用しつる。
本発明のポリイミドはまたワニス組成物または母材樹脂
として使用して、複合材料およびラミネートを製造する
ことができる。ワニス組成物または母材樹脂は、レード
ーム、プリント回路板、放射性廃棄物容器、タービンの
羽根、航空宇宙構造部材、あるいは耐熱性能、難燃性お
よびすぐれた電気特性を必要とする他の構造部材を製造
する場合の、ガラスまたは石英クロス、あるいはグラフ
ァイトまたはホウ素繊維の含浸に使用しつる。
一般に、本発明のポリイミドおよびポリアミド−酸先駆
物質は、1987年11月24日に出願した米国特許出
頭第124.704号に記載されているあらゆる用途に
使用しつる。
本発明の上記具体例は説明のためのものにすぎないこと
、そしてこの技術分野に熟知した人であれば本発明の範
囲内でこれらを変更することができることは無油のこと
である。従って、本発明はここに記載の具体例に限定さ
れるものではなく、特許請求の範囲によって限定される
ものである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ポリイミド重合体の有機溶剤溶液を形成し、この溶
    液を支持体表面に被覆し、そして被覆物を乾燥して有機
    溶剤を除去することよりなる支持体を被覆する方法であ
    つて、上記ポリイミド重合体は下記の構造: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、部分Aは少なくとも1つのベンゼン、ナフタレ
    ンまたはポリ−フェニル核を含む4価の芳香族基であり
    、部分Bは2価の芳香族基であり、そしてnは約100
    〜約200の範囲の整数である) の反復基を有することを特徴とし、上記ポリイミド重合
    体は以下の工程: (a)芳香族ジアミン単量体と芳香族二無水物単量体と
    の有機溶剤中のほぼ等モル混合物の分散液を、約8〜約
    12%の範囲の単量体固形分で形成する工程、但し、上
    記単量体の少なくとも1つは、2つの芳香族部分を結合
    する▲数式、化学式、表等があります▼ 基(RはCF_3またはフェニルである)を含有する、 (b)上記単量体混合物を等温重合条件にしてポリアミ
    ド酸を形成する工程、そして (c)上記ポリアミド酸を環化してポリイミドを形成す
    る工程、 によって製造し、上記重合工程は、ポリイミドの重量平
    均分子量(Mw)が約80、000〜約135、000
    となるのに十分な時間および均一な温度で行うものであ
    る、上記の方法。 2、Rが−CF_3である、請求項第1に記載の方法。 3、上記重合工程を、単量体末端キャッピング剤の不在
    下で行う、請求項第2に記載の方法。 4、上記芳香族ジアミン単量体または芳香族二無水物単
    量体のうちの少なくとも1つが、2,2−ビス(3,4
    −ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無
    水物;2,2−ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフル
    オロプロパン;2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘ
    キサフルオロプロパン;2−(3−アミノフェニル)−
    2−(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン;
    2,2−ヘキサフルオロ−ビス[4−(3−アミノフェ
    ノキシ)フェニル]プロパン;2,2−ヘキサフルオロ
    −ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロ
    パン;1,1−ビス(4−アミノフェニル)−1−フェ
    ニル−2,2,2−トリフルオロエタン;1,1−ビス
    [4−(1,2−ジカルボキシフェニル)]−1−フエ
    ニル−2,2,2−−トリフルオロエタン二無水物およ
    びこれらの混合物よりなる群から選ばれる、請求項第1
    に記載の方法。 5、上記芳香族二無水物単量体が2,2− ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロ
    プロパン二無水物である、請求項第4に記載の方法。 6、上記芳香族ジアミンが、2,2−ビス (3−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン;2,
    2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパ
    ンおよび2−(3−アミノフェニル)−2−(4−アミ
    ノフェニル)ヘキサフルオロプロパンよりなる群から選
    ばれる、請求項第5に記載の方法。 7、上記芳香族ジアミンが、2,2−ビス (4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパンである
    、請求項第6に記載の方法。 8、上記ポリイミド重合体の固有粘度が、重合体濃度0
    .5重量%の重合体のジメチルアセトアミド溶液として
    25℃で測定したとき、約0.45〜約0.70である
    、請求項第2に記載の方法。 9、上記単量体を約10重量%の濃度で溶剤に分散させ
    る、請求項第2に記載の方法。 10、上記ポリイミド重合体の重量平均分子量が約90
    ,000〜約125,000である、請求項第2に記載
    の方法。 11、上記被覆を、上記溶液を基板上に回転被覆するこ
    とによつて形成して、均一なフィルムを形成する、請求
    項第5に記載の方法。 12、上記ポリイミド重合体溶液のブルックフィールド
    粘度が、ブルックフィールド粘度計(LV#3スピンド
    ル)を使用し、重合体濃度25重量%の重合体のブチロ
    ラクトン/ジグリム溶剤70/30(重量)混合物溶液
    として室温で測定したとき、約700〜約1300セン
    チポイズである、請求項第11に記載の方法。 13、上記基板がシリコンウエフアーであ る、請求項第12に記載の方法。 14、請求項第13に記載の方法で製造した被覆シリコ
    ンウエフアー。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2040994A1 (en) * 1990-05-08 1991-11-09 David D. Ngo Photoimageable polyimide coating
DE112014005493B4 (de) 2013-12-31 2026-02-12 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Verbundwerkstofflager, umfassend eine Polyimidmatrix
TWI625226B (zh) * 2016-04-01 2018-06-01 律勝科技股份有限公司 可撓性透明聚醯亞胺積層板及其製造方法
WO2018226744A1 (en) 2017-06-07 2018-12-13 Kci Licensing, Inc. Peel and place dressing for negative -pressure treatment

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3356648A (en) * 1966-10-13 1967-12-05 Du Pont Polyamide-acids and polyimides from hexafluoropropylidine bridged diamine
US3959350A (en) * 1971-05-17 1976-05-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Melt-fusible linear polyimide of 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)-hexafluoropropane dianhydride
US4645824A (en) * 1985-11-25 1987-02-24 Hughes Aircraft Company Method of preparing high molecular weight polyimide, product and use

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