JPH02271523A - 横型拡散炉装置 - Google Patents
横型拡散炉装置Info
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- JPH02271523A JPH02271523A JP9177189A JP9177189A JPH02271523A JP H02271523 A JPH02271523 A JP H02271523A JP 9177189 A JP9177189 A JP 9177189A JP 9177189 A JP9177189 A JP 9177189A JP H02271523 A JPH02271523 A JP H02271523A
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- Japan
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- boat
- semiconductor substrate
- reaction tube
- reaction
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置の製造工程で用いる横型拡散炉装
置に関する。
置に関する。
（従来の技術）
近年、半導体装置の微細化・集積化が進む中で。
横型拡散炉装置においても熱酸化膜や不純物拡散に対す
る均一性の向上が要求されている。
る均一性の向上が要求されている。
第２図は、従来の横型拡散炉装置の概略断面図であり、
１は反応管、２はヒーター ３は反応ガス導入ノズル、
４はボート、５はカンチレバー６は反応管を密閉するた
めの蓋（以下キャップと略す）、７は半導体装置を形成
する半導体基板である。
１は反応管、２はヒーター ３は反応ガス導入ノズル、
４はボート、５はカンチレバー６は反応管を密閉するた
めの蓋（以下キャップと略す）、７は半導体装置を形成
する半導体基板である。
次に従来の横型拡散炉装置について、その動作を説明す
る。
る。
まず、半導体基板７を積載したボート４は１反応管１の
入口より反応管１の中央部へ導入され、キャップ６によ
って反応管１は密閉される。この時、反応ガスは反応ガ
ス導入ノズル３から導入されている。
入口より反応管１の中央部へ導入され、キャップ６によ
って反応管１は密閉される。この時、反応ガスは反応ガ
ス導入ノズル３から導入されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記従来の構成ではボート４はボート支
持棒５上に置かれており１反応ガス導入ノズル３から導
入された反応ガスに対し完全な円筒形ではない、さらに
、ボート４に積載された半導体基板７を反応管１の中心
線上に保持することは困難なため、反応ガスの流れは、
半導体基板７に対し均一ではない、また、ボート支持棒
５の輻射熱の存在により、半導体基板７の熱分布も均一
ではない、従って、半導体基板７に対し、熱酸化・不純
物拡散を行う場合に均一性の向上には問題があった。
持棒５上に置かれており１反応ガス導入ノズル３から導
入された反応ガスに対し完全な円筒形ではない、さらに
、ボート４に積載された半導体基板７を反応管１の中心
線上に保持することは困難なため、反応ガスの流れは、
半導体基板７に対し均一ではない、また、ボート支持棒
５の輻射熱の存在により、半導体基板７の熱分布も均一
ではない、従って、半導体基板７に対し、熱酸化・不純
物拡散を行う場合に均一性の向上には問題があった。
本発明は、上記従来の問題点を解決するものであり、半
導体装置の酸化膜や不純物拡散等の均一性が可能な横型
拡散炉装置を提供することを目的とするものである。
導体装置の酸化膜や不純物拡散等の均一性が可能な横型
拡散炉装置を提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記目的を達成するために、横型拡散炉装置は
、ボートの一端をボート支持棒の一端で支え、ボートの
下の反応ガスの流れや半導体基板の熱分布に悪影響を与
えるものがない構造を有しているものである。
、ボートの一端をボート支持棒の一端で支え、ボートの
下の反応ガスの流れや半導体基板の熱分布に悪影響を与
えるものがない構造を有しているものである。
（作 用）
したがって、本発明の横型拡散炉装置の構造により、ボ
ート支持棒に起因する反応ガスの流れの不均一や、半導
体基板の熱分布の不均一を防ぐことができるため、半導
体基板において熱酸化膜成長、不純物拡散の均一性を向
上させることができる。
ート支持棒に起因する反応ガスの流れの不均一や、半導
体基板の熱分布の不均一を防ぐことができるため、半導
体基板において熱酸化膜成長、不純物拡散の均一性を向
上させることができる。
（実施例）
第１図（ａ）は、本発明の一実施例における横型拡散炉
装置の概略断面図を示すものである。第１図（ａ）にお
いて、１は反応管、２はヒーター、３は反応ガス導入ノ
ズル、６はキャップ、７は半導体基板、これらは従来例
の構成と同じである。また、８は本発明によるボート、
９はボート支持棒である。
装置の概略断面図を示すものである。第１図（ａ）にお
いて、１は反応管、２はヒーター、３は反応ガス導入ノ
ズル、６はキャップ、７は半導体基板、これらは従来例
の構成と同じである。また、８は本発明によるボート、
９はボート支持棒である。
第１図（ｂ）は、ボート８とボート支持棒９の接続部分
の概略断面図である。第１図（ｂ）が示すように、ボー
ト８の突起部分をボート支持棒のクランク部１０ではさ
み込む形で支持されている。
の概略断面図である。第１図（ｂ）が示すように、ボー
ト８の突起部分をボート支持棒のクランク部１０ではさ
み込む形で支持されている。
次に、上記のように構成された横型拡散炉装置について
、その動作を説明する。まず、半導体基板を積載したボ
ート８はその一端をボート支持棒９の一端により支えら
れ１反応管１の入口よる反応管１の中央部へ導入され、
反応管１内の空間に保持され、キャップ６によって反応
管１は密閉される。この時、反応ガスは反応ガス導入ノ
ズル３から導入されている。上記のように本実施例によ
れば、ボート８はボート支持棒９の一端で支えられてい
るため、ボートの下に反応ガスの流れの不均一や、半導
体基板の熱分布の不均一の原因となるものが存在しない
、従って半導体基板において熱酸化膜成長や、不純物拡
散の均一性を向上させることができる０本実施例によれ
ば、半導体基板において熱酸化膜成長や、不純物拡散の
均一性として基板面内及び面内で±１％以内が実現でき
る。
、その動作を説明する。まず、半導体基板を積載したボ
ート８はその一端をボート支持棒９の一端により支えら
れ１反応管１の入口よる反応管１の中央部へ導入され、
反応管１内の空間に保持され、キャップ６によって反応
管１は密閉される。この時、反応ガスは反応ガス導入ノ
ズル３から導入されている。上記のように本実施例によ
れば、ボート８はボート支持棒９の一端で支えられてい
るため、ボートの下に反応ガスの流れの不均一や、半導
体基板の熱分布の不均一の原因となるものが存在しない
、従って半導体基板において熱酸化膜成長や、不純物拡
散の均一性を向上させることができる０本実施例によれ
ば、半導体基板において熱酸化膜成長や、不純物拡散の
均一性として基板面内及び面内で±１％以内が実現でき
る。
なお、実施例においてボート８とボート支持棒９は別々
のものとしたが、ボート８とボート支持棒９は一体型と
してもよい。
のものとしたが、ボート８とボート支持棒９は一体型と
してもよい。
（発明の効果）
本発明は、上記実施例から明らかなように、ボートの一
端をボート支持棒の一端で支え１反応管内の空間に保持
される構造を有することにより、反応ガスの流れ及び半
導体基板の熱分布が均一になるため、熱酸化膜及び不純
物拡散の均一性を向上させることのできる効果を有する
。
端をボート支持棒の一端で支え１反応管内の空間に保持
される構造を有することにより、反応ガスの流れ及び半
導体基板の熱分布が均一になるため、熱酸化膜及び不純
物拡散の均一性を向上させることのできる効果を有する
。
第１図（ａ）は本発明の一実施例における横型拡散炉装
置の概略断面図、第１図（ｂ）はボートとボート支持棒
の接続部分の概略断面図、第２図は従来の横型拡散炉装
置の概略断面図である。 １ ・・・反応管、 ２ ・・・ヒーター ３ ・・
・反応ガス導入ノズル、 ４，８・・・ボート、５・・
・カンチレバー、 ６ ・・・キャップ、７・・・半導
体基板、 ９・・・ボート支持棒、１０・・・ボート支
持棒クランク部。 特許出願人 松下電子工業株式会社 （ａ） 第 図 第 図
置の概略断面図、第１図（ｂ）はボートとボート支持棒
の接続部分の概略断面図、第２図は従来の横型拡散炉装
置の概略断面図である。 １ ・・・反応管、 ２ ・・・ヒーター ３ ・・
・反応ガス導入ノズル、 ４，８・・・ボート、５・・
・カンチレバー、 ６ ・・・キャップ、７・・・半導
体基板、 ９・・・ボート支持棒、１０・・・ボート支
持棒クランク部。 特許出願人 松下電子工業株式会社 （ａ） 第 図 第 図
Claims (1)
- 半導体基板を積載したボートの一端がボート支持棒の一
端で支持され、かつ反応管内壁に接することなく反応管
内に保持され、導入された反応ガスがボートの周囲から
流れ込みかつ流出する構造を有することを特徴とする横
型拡散炉装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9177189A JPH02271523A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 横型拡散炉装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9177189A JPH02271523A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 横型拡散炉装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02271523A true JPH02271523A (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=14035839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9177189A Pending JPH02271523A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 横型拡散炉装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02271523A (ja) |
-
1989
- 1989-04-13 JP JP9177189A patent/JPH02271523A/ja active Pending
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