JPH02272505A - 光導波路デバイス - Google Patents

光導波路デバイス

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JPH02272505A
JPH02272505A JP9315189A JP9315189A JPH02272505A JP H02272505 A JPH02272505 A JP H02272505A JP 9315189 A JP9315189 A JP 9315189A JP 9315189 A JP9315189 A JP 9315189A JP H02272505 A JPH02272505 A JP H02272505A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical waveguide
crystal
thin film
lattice constant
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP9315189A
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English (en)
Inventor
Kazuhide Okawara
大川原　一秀
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光分岐／結合、光分波／合波、光変調、光切
換等を行うために用いられる光導波路デバイスに関する
。
〔従来の技術〕
従来、この種の光導波路デバイスとして。
Ｌ　ｉＮｂ　Ｏｓなどの強誘電体基板上に光導波路を形
成し。
光導波路に光を閉じ込めたまま、光導波路自体の形状や
光導波路間の干渉、さらに電気光学効果や音響光学効果
等を利用して２分岐／結合１分波／合波、変調、切換等
の機能を得るものが知られている。
強誘電体基板としては、　ＬｉＮｂ０　の他に°Ｌ　ｒ
　ＮｂＯ３よりも電気光学効果の大きなＫＴＰ　（ＫＴ
　ｒ　ＯＰＯ４）　も用いられており、第２図に示すよ
うに、　ＫＴＰ基板６に光導波路３を形成し、光導波路
３上に光導波路に電界を与えるための電極５がバッファ
層４を介して形成され、光導波路デバイスが構成される
。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、従来の光導波路デバイスでは、光導波路を強
誘電体基板上に熱拡散やイオン交換等の方法により形成
するため、基板には機械的強度が要求される。
また１強誘電体基板は、一般にＩｎＧａＡｓＰなど半導
体基板に比べて、電気光学効果が小さいため。
均質で面積が広く厚さも０．５　ｘｘ以上の結晶基板が
必要である。ところが１強誘電体基板の場合、良質で大
きな結晶が得にくくさらに材料として非常に高価なもの
になってしまうということ等の問題点がある。
一方、特に電気光学特性の優れたＫＴＰ　（ＫＴ　１０
ＰＯ４）の場合は、水熱法やフラックス法により育成さ
れているが、良質で大きな結晶を育成することが困難な
ため、光導波路の設計に制約を受けたり、デバイスが高
価なものになってしまうという問題点がある。
さらに、光導波路の形成には、数十μｍの厚さで十分で
あるのに機械的強度の点から０．５　ｍｍ以上という厚
さの結晶基板を用いるため光導波路デ・ぐイスが高価に
なってしまうという問題点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の光導波路デバイスでは、電気光学結晶ＫＴｉＯ
ＰＯがＫＴ　１ＯＰＯ４と格子定数のほぼ等しい基板結
晶上に液相エピタキシャル成長により薄膜状に育成され
、その電気光学結晶薄膜上に光導波路が形成されている
ことを特徴としている。
〔実施例〕
次に本発明について実施例によって説明する。
第１図を参照して、電気光学結晶ＫＴＰ　（ＫＴ　ｉ　
ＯＰｏ　４　）薄膜２は、　ＫＴＰと同系の結晶構造を
もち、格子定数のほぼ等しい基板結晶１に液相エピタキ
シャル成長により育成されており、この薄膜２上に光導
波路３がイオン交換や熱拡散によって形成されている。
光導波路３の上には、光導波路に電界を与えるだめの電
極５がバッファ層４を介して形成されている。バッファ
層４を必要とするのは、電極５による光（ＴＭモード）
の吸収を防ぐためであり。
二酸化ケイ素Ｓ　ｓ　Ｏ２やフ、化マグネンウムＭｇＦ
’２等が用いられる。
なお、電界方向や光の伝搬モードによっては。
バッファ層４必要としない場合もある。電極５は。
ｋｌ　、　Ｃｒ−Ａｕ　、　Ｔｉ−Ａｕ等が用いられる
。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明では、光導波路を形成する電
気光学結晶ＫＴ　Ｐ　（ＫＴ　ｉ　ＯＰＯ４）薄膜を結
晶板上に液相エピタキシャル成長により育成することに
より°、わずか数十μｍ程度の厚さで光導波路が形成で
きるばかりでなく、薄膜を成長させる基板結晶面の面積
を広くすることにより、これまで大きな結晶が育成でき
ずに制約を受けていた光導波路の設計にも自由度も増し
より安価に高性能な光導波路デバイスが作製できるとい
う効果がある。
第１図
【図面の簡単な説明】
第１図は２本発明による光導波路デバイスの一実施例を
示す断面図、第２図″は、従来の光導波路デバイスの例
を示す断面図である。 １・・・基板結晶、２・・・ＫＴＰ　（ＫＴ　１０Ｐ０
４）薄膜、３．・光導波路、４・・・バッファ層、５・
・・電極、６・・・ＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ４）。 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、電気光学結晶が該電気光学結晶と格子定数のほぼ等
    しい基板結晶上に薄膜状に育成され、前記電気光学結晶
    薄膜上に光導波路が形成されていることを特徴とする光
    導波路デバイス。
JP9315189A 1989-04-14 1989-04-14 光導波路デバイス Pending JPH02272505A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06300994A (ja) * 1993-04-13 1994-10-28 Nec Corp 導波形光デバイス
EP0640860A3 (en) * 1993-08-27 1995-08-30 Nec Corp Optical waveguide device.

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0640860A3 (en) * 1993-08-27 1995-08-30 Nec Corp Optical waveguide device.
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