JPH0227258A - レジスト膜の密着強度測定方法 - Google Patents
レジスト膜の密着強度測定方法Info
- Publication number
- JPH0227258A JPH0227258A JP17788688A JP17788688A JPH0227258A JP H0227258 A JPH0227258 A JP H0227258A JP 17788688 A JP17788688 A JP 17788688A JP 17788688 A JP17788688 A JP 17788688A JP H0227258 A JPH0227258 A JP H0227258A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist film
- adhesion strength
- resist
- etched
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プリント回路基板を製造する際に利用するエ
ツチングのレジスト膜の密着強度の測定方法に関するも
のである。
ツチングのレジスト膜の密着強度の測定方法に関するも
のである。
絶縁性の基板表面に導体パターンを形成する回路基板の
製造方法としては、フォトリソグラフィ技術、スクリー
ン印刷技術等が用いられている。
製造方法としては、フォトリソグラフィ技術、スクリー
ン印刷技術等が用いられている。
そのうち最も一般的なのは、銅等の導体膜を回路パター
ンに応じてエツチングする方法である。
ンに応じてエツチングする方法である。
この方法においては、銅等の金属膜を形成した後、その
表面にレジスト膜を塗布し、マスクを通して露光、現像
して回路パターン部分にのみレジスト膜を残し、エツチ
ング液に浸漬して不要な金属膜を除去している。
表面にレジスト膜を塗布し、マスクを通して露光、現像
して回路パターン部分にのみレジスト膜を残し、エツチ
ング液に浸漬して不要な金属膜を除去している。
エツチングの精度などを上げるためには、レジスト膜が
基板表面すなわち金属膜に密着していることが必要であ
る。
基板表面すなわち金属膜に密着していることが必要であ
る。
従来、この密着の状態すなわち密着強度を測定する方法
としては、次のようなものがあった。
としては、次のようなものがあった。
第一は引っ張り(引き剥がし)強度の測定、せん断強度
の測定である。しかし、この方法では、プリント回路基
板用のレジストのような弱い材質の膜では、レジスト膜
自体の強度を測定してしまうことになり、密着力自体の
測定はできない。
の測定である。しかし、この方法では、プリント回路基
板用のレジストのような弱い材質の膜では、レジスト膜
自体の強度を測定してしまうことになり、密着力自体の
測定はできない。
また、モニターパターンのエツチングによって張綱のパ
ターンを見る方法もあるが、この場合には密着強度に起
因するのか、解像度に起因するかの判定が困難である。
ターンを見る方法もあるが、この場合には密着強度に起
因するのか、解像度に起因するかの判定が困難である。
また、マスク、露光条件、現像条件、エツチング条件等
によって変化するため、定量的にとらえることができず
、評価のための設備も必要とする。
によって変化するため、定量的にとらえることができず
、評価のための設備も必要とする。
(課題〕
本発明は、エツチング槽とエツチング液のみがあれば、
容易に密着強度が測定できる方法を提供するものである
。
容易に密着強度が測定できる方法を提供するものである
。
また、定量的に測定、比較の容易な方法を提供するもの
である。
である。
本発明は、基板表面に塗布したレジスト膜を所定の幅で
除去して溝を形成し、エツチング液に浸漬してエツチン
グの状況を測定することにより、上記の課題を解決する
ものである。
除去して溝を形成し、エツチング液に浸漬してエツチン
グの状況を測定することにより、上記の課題を解決する
ものである。
すなわち、基板上にエツチングされる膜を形成し、該膜
上にレジスト膜を形成したときのレジスト膜の強度測定
方法において、レジスト膜を所定の幅で除去してエツチ
ングされる膜を露出させ、基板を所定時間エツチング液
に漫清し、エツチングされる膜のエツチング量を測定す
ることによりレジスト膜の密着強度を判定することに特
徴を有するものである。
上にレジスト膜を形成したときのレジスト膜の強度測定
方法において、レジスト膜を所定の幅で除去してエツチ
ングされる膜を露出させ、基板を所定時間エツチング液
に漫清し、エツチングされる膜のエツチング量を測定す
ることによりレジスト膜の密着強度を判定することに特
徴を有するものである。
また、二枚以上の基板上にそれぞれエツチングされる膜
を形成し、該膜上にそれぞれレジスト膜を形成したとき
の密着強度を比較するレジスト膜の強度測定方法におい
て、それぞれのレジスト膜を同じ幅で除去してエツチン
グされる膜をそれぞれ露出させ、それぞれの基板を所定
時間エツチング液に浸漬し、エツチングされる膜のエツ
チング量を比較することによりレジスト膜の密着強度を
比較することに特徴を有するものである。
を形成し、該膜上にそれぞれレジスト膜を形成したとき
の密着強度を比較するレジスト膜の強度測定方法におい
て、それぞれのレジスト膜を同じ幅で除去してエツチン
グされる膜をそれぞれ露出させ、それぞれの基板を所定
時間エツチング液に浸漬し、エツチングされる膜のエツ
チング量を比較することによりレジスト膜の密着強度を
比較することに特徴を有するものである。
基板表面すなわち金属膜とレジスト膜の密着状態によっ
て、金属膜のエツチングされる量は変化する。密着強度
の大きいときにはエツチングされる量が少なくなり、逆
に弱い場合にはエツチングされる量が多くなる。
て、金属膜のエツチングされる量は変化する。密着強度
の大きいときにはエツチングされる量が少なくなり、逆
に弱い場合にはエツチングされる量が多くなる。
これを利用して、表面状態、レジストの種類あるいは膜
厚、塗布方法、そして金属材料の違いによる密着強度の
差異を判定することができ、比較も容易となる。
厚、塗布方法、そして金属材料の違いによる密着強度の
差異を判定することができ、比較も容易となる。
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明す
る。
る。
第1図から第4図までは、本発明の実施例を示し、それ
ぞれ(a)は平面図、(b)は正面断面図である。
ぞれ(a)は平面図、(b)は正面断面図である。
この例では、アルミナ基板上に銅の膜を形成している。
第1図のように、アルミナ基板10の表面に金属膜とし
て銅膜11を30ミクυンの厚みで形成する。その上に
、アクリル系紫外線硬化型のレジスト膜12を10ミ+
o:zの厚みで塗布し、硬化、乾燥させる。
て銅膜11を30ミクυンの厚みで形成する。その上に
、アクリル系紫外線硬化型のレジスト膜12を10ミ+
o:zの厚みで塗布し、硬化、乾燥させる。
次に、第2図のように、レジスト膜12に溝を幅125
ミクロンで形成した。レジスト膜12に形成する溝は、
下の銅膜11を露出させるように、厚み方向全体にわた
って除去することによって形成する。これによって、溝
の部分では、下地の銅膜11が露出する。
ミクロンで形成した。レジスト膜12に形成する溝は、
下の銅膜11を露出させるように、厚み方向全体にわた
って除去することによって形成する。これによって、溝
の部分では、下地の銅膜11が露出する。
上記のようにレジスト膜12に溝を形成した基板10を
、過硫酸アンモニウム20−t%を含む23”Cのエツ
チング液に浸漬した。これによって、銅膜11は露出し
た部分から徐々にエツチングされる。
、過硫酸アンモニウム20−t%を含む23”Cのエツ
チング液に浸漬した。これによって、銅膜11は露出し
た部分から徐々にエツチングされる。
所定時間エツチング液に浸漬した基板10の銅膜11は
、第4図のように、レジスト膜12の下側までエツチン
グされる。このエツチングされる量は、レジスト膜12
の密着強度によって異なる。
、第4図のように、レジスト膜12の下側までエツチン
グされる。このエツチングされる量は、レジスト膜12
の密着強度によって異なる。
上記のような基板において、銅の表面を脱脂、研磨した
ものと、無処理のものに、レジスト膜を形成し、溝を形
成してエツチング液に浸漬した。
ものと、無処理のものに、レジスト膜を形成し、溝を形
成してエツチング液に浸漬した。
浸漬を6時間、12時間続けた結果を測定した。処理し
たものは6時間後、レジスト膜の下側に溝の端部から約
0.2mmの幅で均一にエツチングされていた。それに
対して、無処理のものは、多いところでは約0 、8m
mもエツチングされており、しかもその量は均一でなか
った。また、12時間後では、処理したものが、0.4
〜0.6mmであったのに対し、無処理のものは0.6
〜1.2nv+となっていた。
たものは6時間後、レジスト膜の下側に溝の端部から約
0.2mmの幅で均一にエツチングされていた。それに
対して、無処理のものは、多いところでは約0 、8m
mもエツチングされており、しかもその量は均一でなか
った。また、12時間後では、処理したものが、0.4
〜0.6mmであったのに対し、無処理のものは0.6
〜1.2nv+となっていた。
上記のように、表面状態の差による3着力の差異がエツ
チング量の差となって現れるので、同じ条件で処理すれ
ば、密着力の比較を定量的に行うことも可能となる。
チング量の差となって現れるので、同じ条件で処理すれ
ば、密着力の比較を定量的に行うことも可能となる。
なお、基板、金属膜およびレジスト材料は上記のものに
限定されず、レジストを溶解しないエソンダ液を選定す
れば、各種材料に利用できる。更に、金属以外の膜上に
形成したレジスト膜の密着強度の測定にも応用できる。
限定されず、レジストを溶解しないエソンダ液を選定す
れば、各種材料に利用できる。更に、金属以外の膜上に
形成したレジスト膜の密着強度の測定にも応用できる。
また、エツチング液の温度、エツチング方法等を変えれ
ば、より短時間で判定することも可能となる。
ば、より短時間で判定することも可能となる。
上記の説明は、表面状態が異なる場合について例を示し
たが、レジストの種類、膜厚、塗布方法の違い、金属膜
の種類、形成方法等の違いによる密着強度の差を測定す
る場合等にも応用できる。
たが、レジストの種類、膜厚、塗布方法の違い、金属膜
の種類、形成方法等の違いによる密着強度の差を測定す
る場合等にも応用できる。
本発明によれば、エツチング液の侵入原理を応用してい
るため、格別の設備、測定器を必要とせず、容易に密着
力の測定、比較ができる。したがって、実験、試作等の
段階で利用価値が高く、また安価に測定できる。
るため、格別の設備、測定器を必要とせず、容易に密着
力の測定、比較ができる。したがって、実験、試作等の
段階で利用価値が高く、また安価に測定できる。
また、強度の弱い材料や薄い材料でも利用でき、解像度
等に影響されずに、密着力のみを測定できる。
等に影響されずに、密着力のみを測定できる。
さらに、溝の寸法を一定にすれば、エツチング面積によ
って定量的に比較することが可能となる。
って定量的に比較することが可能となる。
第1図から第4図までは本発明の実施例を示すもので、
それぞれ(a)は平面図、山)は正面断面図である。 10・・・・・・・・基板 11・・・・・・・・
金属(銅)膜12・・・・・・・・レジスト膜
それぞれ(a)は平面図、山)は正面断面図である。 10・・・・・・・・基板 11・・・・・・・・
金属(銅)膜12・・・・・・・・レジスト膜
Claims (8)
- (1)基板上にエッチングされる膜を形成し、該膜上に
レジスト膜を形成したときの該レジスト膜の密着強度測
定方法において、該レジスト膜を所定の幅で除去して該
エッチングされる膜を露出させ、該基板を所定時間エッ
チング液に浸漬し、該エッチングされる膜のエッチング
量を測定することにより該レジスト膜の密着強度を判定
することを特徴とするレジスト膜の密着強度測定方法。 - (2)該基板が絶縁基板であり、該エッチングされる膜
が金属膜である請求項第1項記載のレジスト膜の密着強
度測定方法。 - (3)二枚以上の基板上にそれぞれエッチングされる膜
を形成し、該膜上にそれぞれレジスト膜を形成したとき
のレジスト膜の密着強度比較測定方法において、該それ
ぞれのレジスト膜を同じ幅で除去して該エッチングされ
る膜をそれぞれ露出させ、該それぞれの基板を所定時間
エッチング液に浸漬し、該エッチングされる膜のエッチ
ング量を比較することにより該レジスト膜の密着強度を
比較することを特徴とするレジスト膜の密着強度測定方
法。 - (4)該基板が絶縁基板であり、該エッチングされる膜
が金属膜である請求項第3項記載のレジスト膜の密着強
度測定方法。 - (5)異なる表面状態の該エッチングされる膜上にレジ
スト膜を形成した請求項第3項記載のレジスト膜の密着
強度測定方法。 - (6)異なる組成のレジスト膜を形成した請求項第3項
記載のレジスト膜の密着強度測定方法。 - (7)厚みの異なるレジスト膜を形成した請求項第3項
記載のレジスト膜の密着強度測定方法。 - (8)組成の異なる金属膜上にレジスト膜を形成した請
求項第3項記載のレジスト膜の密着強度測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17788688A JPH0682120B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | レジスト膜の密着強度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17788688A JPH0682120B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | レジスト膜の密着強度測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227258A true JPH0227258A (ja) | 1990-01-30 |
| JPH0682120B2 JPH0682120B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=16038778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17788688A Expired - Lifetime JPH0682120B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | レジスト膜の密着強度測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682120B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100918642B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2009-09-25 | 주식회사 포스코 | 방향성 전기강판의 장력 절연피막의 코팅력을 측정하는방법 |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP17788688A patent/JPH0682120B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100918642B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2009-09-25 | 주식회사 포스코 | 방향성 전기강판의 장력 절연피막의 코팅력을 측정하는방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0682120B2 (ja) | 1994-10-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4080246A (en) | Novel etching composition and method for using same | |
| KR900002188B1 (ko) | 패턴의 현상방법 및 그 장치 | |
| JPH0227258A (ja) | レジスト膜の密着強度測定方法 | |
| US4370197A (en) | Process for etching chrome | |
| JP3015021B1 (ja) | 膨潤性薄膜評価方法および膨潤性薄膜用マイクロバランスシステム | |
| JPH01105538A (ja) | フォトレジストパターン形成方法 | |
| US3445168A (en) | Process and element for strain measurement | |
| JPH0669630A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| RU1824543C (ru) | Способ определени пористости полимерного покрыти | |
| Allen et al. | Surface textures and process characteristics of the electrolytic photoetching of annealed AISI 304 stainless steel in hydrochloric acid | |
| US3567593A (en) | Process of etching and electroplating printed circuits | |
| JPH1048202A (ja) | コンクリートの粗骨材面積率測定方法 | |
| EP1073126A2 (en) | Method for manufacturing a thermopile on an electrically insulating substrate | |
| JP3071443B2 (ja) | エッチングスピードのチェック方法 | |
| JPH01105536A (ja) | フォトレジストパターン形成方法 | |
| JP3146816B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| Tomicic | Adhesion measurements of positive photoresist on sputtered aluminium surface | |
| US5891749A (en) | Process for forming photoresist pattern in semiconductor device | |
| JPS6242421A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| US5501777A (en) | Method for testing solder mask material | |
| JPH0319540B2 (ja) | ||
| JPH06337524A (ja) | フォトレジストパターニング被膜の硬膜処理剤および硬膜処理方法 | |
| JPS6214229B2 (ja) | ||
| Tilsley et al. | New High‐resolution Dry Film Photoresist | |
| Deckert | Methods for evaluating adhesion of photoresist materials to semiconductor devices |