JPH02273537A - 真空容器 - Google Patents
真空容器Info
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- JPH02273537A JPH02273537A JP9244889A JP9244889A JPH02273537A JP H02273537 A JPH02273537 A JP H02273537A JP 9244889 A JP9244889 A JP 9244889A JP 9244889 A JP9244889 A JP 9244889A JP H02273537 A JPH02273537 A JP H02273537A
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- JP
- Japan
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- vacuum container
- film
- vacuum
- coating
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- Pending
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- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Details Of Rigid Or Semi-Rigid Containers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は真空容器内面の被覆膜に関する。
(従来の技術)
従来、真空容器はパイレックス、ガラス、ステンレス
あるいはアルミニュウム合金等で形成されて成り、内面
にはとりたてて被覆膜が形成される事は無かった。
あるいはアルミニュウム合金等で形成されて成り、内面
にはとりたてて被覆膜が形成される事は無かった。
(発明が解決しようとする課題)
しかし、上記従来技術によると、真空容器からの水素ガ
ス放出により、真空度が向上しないと云う課題があった
。
ス放出により、真空度が向上しないと云う課題があった
。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、高い真空度
を得ることができる真空容器の内面被覆膜を提供する事
を目的とする。
を得ることができる真空容器の内面被覆膜を提供する事
を目的とする。
(課題を解決するための手段)
上記課題を解決するために、本発明は、真空容器に関し
、真空容器内面に窒化ホウ累膜叉はアルミナ膜又はダイ
ヤモンド膜を被覆する手段をとる。
、真空容器内面に窒化ホウ累膜叉はアルミナ膜又はダイ
ヤモンド膜を被覆する手段をとる。
(実施例)
以下、実施例により本発明を詳述する。
いま、真空容器ペルジャー内面に窒化ホウ素膜又はアル
ミナ膜又はダイヤモンド膜をスパッタ法文はCVD法で
1ミクロン乃至100ミクロン形成し、該ペルジャーを
用いた真空装置に於ては、ペルジャーからの水素放出が
保護膜により防止され、極めて高い真空度を得ることが
できる。
ミナ膜又はダイヤモンド膜をスパッタ法文はCVD法で
1ミクロン乃至100ミクロン形成し、該ペルジャーを
用いた真空装置に於ては、ペルジャーからの水素放出が
保護膜により防止され、極めて高い真空度を得ることが
できる。
尚、ペルジャー内面のみならず、真空容器内の他の器具
表面や台座表面あるいは配管内面にも窒化ホウ素膜やア
ルミナ膜又はダイヤモンド膜を形成することにより、−
層の高真空を得ること力5できることは云うまでもない
。
表面や台座表面あるいは配管内面にも窒化ホウ素膜やア
ルミナ膜又はダイヤモンド膜を形成することにより、−
層の高真空を得ること力5できることは云うまでもない
。
更に、ガス配管やバルブあるいはガスボンベ内面に孕化
ホウ累膜あるいはアルミナ膜あるいはダイヤモンド膜を
被覆することにより、アルゴンガス、窒素ガス、塩素ガ
ス等のガスで水素ガス以外での水素ガス混入を防止する
ことができる。
ホウ累膜あるいはアルミナ膜あるいはダイヤモンド膜を
被覆することにより、アルゴンガス、窒素ガス、塩素ガ
ス等のガスで水素ガス以外での水素ガス混入を防止する
ことができる。
(発明の効果)
本発明により、極めて高真空の真空装置が得られると共
に、ガス中への水素ガス混入も防止する効果がある。
に、ガス中への水素ガス混入も防止する効果がある。
以 ト
出願人 セ・イコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 真空容器内面には窒化ホウ酸膜またはアルミナ膜または
ダイヤモンド膜が被覆されて成る事を特徴とする真空容
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9244889A JPH02273537A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | 真空容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9244889A JPH02273537A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | 真空容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02273537A true JPH02273537A (ja) | 1990-11-08 |
Family
ID=14054688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9244889A Pending JPH02273537A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | 真空容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02273537A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014038314A1 (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-13 | 三菱重工業株式会社 | 常温接合装置および常温接合方法 |
-
1989
- 1989-04-12 JP JP9244889A patent/JPH02273537A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014038314A1 (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-13 | 三菱重工業株式会社 | 常温接合装置および常温接合方法 |
| JP2014050860A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 常温接合装置および常温接合方法 |
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