JPH02275689A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH02275689A JPH02275689A JP9797089A JP9797089A JPH02275689A JP H02275689 A JPH02275689 A JP H02275689A JP 9797089 A JP9797089 A JP 9797089A JP 9797089 A JP9797089 A JP 9797089A JP H02275689 A JPH02275689 A JP H02275689A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザの構造に関し、特に高品質のレ
ーザ光を発振する素子を工数の少い製造方法で作製する
ための素子構造に関する。
ーザ光を発振する素子を工数の少い製造方法で作製する
ための素子構造に関する。
光ディスクやレーザ・プリンタ等の光源として用いられ
る半導体レーザには、出射された光ビームの形状が安定
な基本モードを有し、微小スポットに集光できることが
要求される。このために特に接合に水平方向の横モード
を制御するためにいくつかの構造がとられている。従来
、優れたもののひとつとして採られている構造の例（電
子情報通信学会、昭６２半導体・材料部門全国大会（熊
本）講演予稿集論文番号２９７）を第３図に示す、Ａ１
Ｇａ Ｉ ｎＰ系可視光半導体レーザによる例の光出射
端面の模式的構造図である。ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上
に（Ａｌ２．）、４ Ｇａ（、，６） ０．５Ｉｎｏ、
５Ｐクラッド層１０２，１０４、Ｇａ（１，５Ｉｎｏ５
Ｐ活性層１０３より成るダブルヘテロ構造が形成されて
おり、ｐ （Ａｌｏ、ｂ ＧａＯ，４）０．９ Ｉ ｎ
ｏ５Ｐクラッド層メサストライプ部１０７の両側が電流
ブロック層を兼ねる・ｎ−ＧａＡｓ光吸収層１０６とな
っている。さらに、これらの上にｐ−電極をとるための
ｐ −Ｑ ａ Ａ ｓキャップ層１０８が形成されてい
る。１０９はｐ型用電極、１１０はｎ型用電極である。
る半導体レーザには、出射された光ビームの形状が安定
な基本モードを有し、微小スポットに集光できることが
要求される。このために特に接合に水平方向の横モード
を制御するためにいくつかの構造がとられている。従来
、優れたもののひとつとして採られている構造の例（電
子情報通信学会、昭６２半導体・材料部門全国大会（熊
本）講演予稿集論文番号２９７）を第３図に示す、Ａ１
Ｇａ Ｉ ｎＰ系可視光半導体レーザによる例の光出射
端面の模式的構造図である。ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上
に（Ａｌ２．）、４ Ｇａ（、，６） ０．５Ｉｎｏ、
５Ｐクラッド層１０２，１０４、Ｇａ（１，５Ｉｎｏ５
Ｐ活性層１０３より成るダブルヘテロ構造が形成されて
おり、ｐ （Ａｌｏ、ｂ ＧａＯ，４）０．９ Ｉ ｎ
ｏ５Ｐクラッド層メサストライプ部１０７の両側が電流
ブロック層を兼ねる・ｎ−ＧａＡｓ光吸収層１０６とな
っている。さらに、これらの上にｐ−電極をとるための
ｐ −Ｑ ａ Ａ ｓキャップ層１０８が形成されてい
る。１０９はｐ型用電極、１１０はｎ型用電極である。
第３図に示した従来技術による構造では、ＧａＡｓ光吸
収Ｎ１０６により電流狭窄を行うため、導電型をｐ型ク
ラッド層と反転させねばならない。また、電極との接触
層であるキャップ層は、ｐ型クラッド層と同一の導電型
にせねばならない。かくてｎ型ＧａＡｓ光吸収層はｐ型
クラッド層メサストライプ１０７を避けて選択的に形成
せねばならす、またｐ型キャップＭ１０８は、ｐ型クラ
ッド層メサストライプ１０７と接触するように形成せね
ばならない。そのためには、ｐ型クラッド層までのダブ
ルヘテロ構造成長過程、ＧａＡＳ吸収層選択成長過程、
ＧａＡｓキャップ層成長過程のように３回の結晶成長過
程を経ることが必要で、また成長条件の制約の厳しい選
択成長を要することなど従来構造は製作過程が複雑でか
つ製造工数を要する構造であるという欠点かあった。
収Ｎ１０６により電流狭窄を行うため、導電型をｐ型ク
ラッド層と反転させねばならない。また、電極との接触
層であるキャップ層は、ｐ型クラッド層と同一の導電型
にせねばならない。かくてｎ型ＧａＡｓ光吸収層はｐ型
クラッド層メサストライプ１０７を避けて選択的に形成
せねばならす、またｐ型キャップＭ１０８は、ｐ型クラ
ッド層メサストライプ１０７と接触するように形成せね
ばならない。そのためには、ｐ型クラッド層までのダブ
ルヘテロ構造成長過程、ＧａＡＳ吸収層選択成長過程、
ＧａＡｓキャップ層成長過程のように３回の結晶成長過
程を経ることが必要で、また成長条件の制約の厳しい選
択成長を要することなど従来構造は製作過程が複雑でか
つ製造工数を要する構造であるという欠点かあった。
また、電流狭窄領域は光吸収層により一義的に決まるた
めに、電流注入幅と屈折率導波構造とを独立に制御する
ことが困難であり、雑音特性に優れた構造を提供するこ
とが困難であるという欠点を有している。
めに、電流注入幅と屈折率導波構造とを独立に制御する
ことが困難であり、雑音特性に優れた構造を提供するこ
とが困難であるという欠点を有している。
本発明の目的はこれらの問題点を解決し、横モード特性
や雑音特性の優れた高品買の出射光の得られる構造を工
数の少ない製造方法で作製することを可能とした半導体
レーザを提供することにある。
や雑音特性の優れた高品買の出射光の得られる構造を工
数の少ない製造方法で作製することを可能とした半導体
レーザを提供することにある。
本発明の半導体レーザは、第一導電型の基板上表面に、
一部のストライプ領域を除いて第二導電型反転層を形成
し、この基板上に第一導電型クラッド層、第一導電型或
いは固有型或いは第二導電型の活性層、第二導電型のク
ラッド層を順次形成したダブルヘテロ構造を形成し、第
二導電型のクラッド層は基板上のストライプ状領域とほ
ぼ合致した領域がメサ形状を有し、さらに第二導電型ク
ラット層上に第二導電型の光吸収層を形成したことを特
徴としている。この構成においてＡ、＆ＧａＩｎＰ系可
視光半導体レーザを得るには、第一導電型の基板をＧａ
Ａｓ、第一導電型のクラッド層を（ＡρｙＧａｘ−ｙ
） ｓ−ｙ Ｉ ｎｏ、５ Ｐ （０＜ｙ≦１）第一導
電型或いは固有型或いは第二導電型の活性層を（ＡＪ７
ｘ Ｇａ１−Ｘ ） ０．５ Ｉ ｎｏ５Ｐ （０≦ｘ
＜ １ ） ＋第二導電型のクラッド層を（ＡｉｙＧ
ａ＋−ｙ’） ０．５ Ｉ ｎｏ、Ｐ （０＜ｙ’≦１
）、第二導電型の吸収層をＧａＡｓとする。
一部のストライプ領域を除いて第二導電型反転層を形成
し、この基板上に第一導電型クラッド層、第一導電型或
いは固有型或いは第二導電型の活性層、第二導電型のク
ラッド層を順次形成したダブルヘテロ構造を形成し、第
二導電型のクラッド層は基板上のストライプ状領域とほ
ぼ合致した領域がメサ形状を有し、さらに第二導電型ク
ラット層上に第二導電型の光吸収層を形成したことを特
徴としている。この構成においてＡ、＆ＧａＩｎＰ系可
視光半導体レーザを得るには、第一導電型の基板をＧａ
Ａｓ、第一導電型のクラッド層を（ＡρｙＧａｘ−ｙ
） ｓ−ｙ Ｉ ｎｏ、５ Ｐ （０＜ｙ≦１）第一導
電型或いは固有型或いは第二導電型の活性層を（ＡＪ７
ｘ Ｇａ１−Ｘ ） ０．５ Ｉ ｎｏ５Ｐ （０≦ｘ
＜ １ ） ＋第二導電型のクラッド層を（ＡｉｙＧ
ａ＋−ｙ’） ０．５ Ｉ ｎｏ、Ｐ （０＜ｙ’≦１
）、第二導電型の吸収層をＧａＡｓとする。
なお、ＡｐＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザに限らず、
ＧａＩｎＰＡｓ系、ＡｌｌＧａＡｓ系、ＡＩ Ｇ ａ
Ｓｂ系、或いはＺｎ５ｅＳ系の材料を用いることもてき
る。
ＧａＩｎＰＡｓ系、ＡｌｌＧａＡｓ系、ＡＩ Ｇ ａ
Ｓｂ系、或いはＺｎ５ｅＳ系の材料を用いることもてき
る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
に本発明の第１の実施例を示す。光出射方向により見た
模式的側面図である。Ａ、ｆｆＧａＩｎＰ系可視光半導
体レーザにおける例を示す。
に本発明の第１の実施例を示す。光出射方向により見た
模式的側面図である。Ａ、ｆｆＧａＩｎＰ系可視光半導
体レーザにおける例を示す。
ｎ型ＧａＡｓ基板１の表面上幅７μｍ程度のストライプ
状領域を残して、その他の領域に選択的に亜鉛（Ｚｎ）
を拡散し、ｐ型のＧａＡｓ領域２とする。ρ型のＧａＡ
ｓ領域２を形成するためにはＺｎ以外の不純物、例えは
ベリリウム、カドミウムなどでもよく不純物種によらな
い。また、形成法も拡散以外のイオン注入法など、その
方法によらない。ｐ−ＧａＡｓ領域２の厚さは１μｒｎ
程度とする。この基板上に厚さ１μｍのｎ−（Ａｆｆｌ
Ｏ，４Ｇａ０．６ ） ａ、ｓ Ｉ ｎｏ５Ｐクラッド
層３、厚さ０．１μｍのＧａ、）、５ Ｉ ｎＯ，５Ｐ
活性層４、厚さ１μｍのｐ （Ａｆｆｌｏ４Ｇａｏ６）
ｏ、ｓ Ｉ ｎＯ，５Ｐクラッド層５を順次形成し、ダ
ブルヘテロ構造とする。形成法は有機金属熱分解気相エ
ピタキシャル法（ＭＯＶＰＥ法）、分子線エビタクシア
ル法（ＭＢＥ法）などが適した方法であるか、他の如何
なる方法によってもよい。次に、ｎ−ＧａＡｓ基板１上
のストライプ領域１０とほぼ一致させた領域に、ｐ（Ａ
、Ｒｏ４Ｇａ０．６ ）０．Ｉ ｎｏ、５Ｐのメサスト
ライプ７を形成する。形成法はフォトリングラフィ法に
よりｐくＡρ。４Ｇａ。６ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ５Ｐ
クラッド層５上ストライプ形成領域にのみレジスト膜で
マスクすることにより、それ以外の部分を塩酸・過酸化
水素混液をエツチング液としてエツチングによりクラッ
ド層厚さを０．３μｍ程度とする。メサストライプ形成
後、ｐ−クラッドＮ５上にｐ−ＧａＡｓキャップ層６を
厚さ２μｍ程度成長させる。成長法は、ＭＯＶＰＥ法、
ＭＢＥ法のほか液相エピタクシアル法（ＬＰＥ法）ハロ
ゲン輸送気相エビタクシアル法（ＨＴ−ＶＰＥ法）など
如何なる方法でもよい。さらにｎ型用電極８、ｎ型用電
極９を蒸着法などにより形成する。このように結晶成長
は２回の過程で済む。電流狭窄は基板表面により形成さ
れたＺｎ拡散による反転層２で行われ、レーザ発振光の
横モード制御はメサストライプ７の両側のｐ−ＧａＡｓ
キャップ層６を光吸収層とすることにより行う。
状領域を残して、その他の領域に選択的に亜鉛（Ｚｎ）
を拡散し、ｐ型のＧａＡｓ領域２とする。ρ型のＧａＡ
ｓ領域２を形成するためにはＺｎ以外の不純物、例えは
ベリリウム、カドミウムなどでもよく不純物種によらな
い。また、形成法も拡散以外のイオン注入法など、その
方法によらない。ｐ−ＧａＡｓ領域２の厚さは１μｒｎ
程度とする。この基板上に厚さ１μｍのｎ−（Ａｆｆｌ
Ｏ，４Ｇａ０．６ ） ａ、ｓ Ｉ ｎｏ５Ｐクラッド
層３、厚さ０．１μｍのＧａ、）、５ Ｉ ｎＯ，５Ｐ
活性層４、厚さ１μｍのｐ （Ａｆｆｌｏ４Ｇａｏ６）
ｏ、ｓ Ｉ ｎＯ，５Ｐクラッド層５を順次形成し、ダ
ブルヘテロ構造とする。形成法は有機金属熱分解気相エ
ピタキシャル法（ＭＯＶＰＥ法）、分子線エビタクシア
ル法（ＭＢＥ法）などが適した方法であるか、他の如何
なる方法によってもよい。次に、ｎ−ＧａＡｓ基板１上
のストライプ領域１０とほぼ一致させた領域に、ｐ（Ａ
、Ｒｏ４Ｇａ０．６ ）０．Ｉ ｎｏ、５Ｐのメサスト
ライプ７を形成する。形成法はフォトリングラフィ法に
よりｐくＡρ。４Ｇａ。６ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ５Ｐ
クラッド層５上ストライプ形成領域にのみレジスト膜で
マスクすることにより、それ以外の部分を塩酸・過酸化
水素混液をエツチング液としてエツチングによりクラッ
ド層厚さを０．３μｍ程度とする。メサストライプ形成
後、ｐ−クラッドＮ５上にｐ−ＧａＡｓキャップ層６を
厚さ２μｍ程度成長させる。成長法は、ＭＯＶＰＥ法、
ＭＢＥ法のほか液相エピタクシアル法（ＬＰＥ法）ハロ
ゲン輸送気相エビタクシアル法（ＨＴ−ＶＰＥ法）など
如何なる方法でもよい。さらにｎ型用電極８、ｎ型用電
極９を蒸着法などにより形成する。このように結晶成長
は２回の過程で済む。電流狭窄は基板表面により形成さ
れたＺｎ拡散による反転層２で行われ、レーザ発振光の
横モード制御はメサストライプ７の両側のｐ−ＧａＡｓ
キャップ層６を光吸収層とすることにより行う。
第２図に本発明の第２の実施例を示す。光出射方向から
見た模式的側面図である。ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板上
に幅３μｍのストライプ領域１０だけ残し、その他の領
域にベリリウム（Ｂｅ）をイオン注入し、ｐ反転させた
厚さ０．５μｍのＢｅイオン注入［１１を形成する。第
１の実施例のところで述べたようにｐ反転層をつくるた
めには、他の元素、他の形成方法によっても差し支えな
いが、狭ストライプを形成し、深い高濃度層を形成する
には、Ｂｅのような軽い元素をイオン注入することが適
している。次に厚さ１．０μｍのｎ−Ａｌ１．５ Ｉ
ｎｏ、５ Ｐクラッド層１２、厚さ０．０６μｍのアン
ドープ活性層４、厚さ０．３μｍのｐ−（ＡＪｌｏ４Ｇ
ａｏ、６） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ第１クラッド層
１３、厚さ０．５μｎのｐ−Ａｆｆｌ、）、５Ｉｎ。、
Ｐ第２クラッド層１４、厚さ０．１μｍのｐ−Ｇａ、）
、５ Ｉ ｎｏ、５ Ｐ １５を順次形成する。続いて
幅５μｍのメサストライプ領域７を残して、ｐＧａ（１
，５Ｉ ｎｏ、５ Ｐ層１５、Ｐ−ＡＪＩ（１，５Ｉｎ
０５Ｐ層１４をエツチングにより除去する。Ａ４組成の
異る二重のクラッド層１３．１４を用いることにより、
エツチングに選択性を持たせることができて、メサ構造
の形成が再現性よく容易にできる。また、ｐ側とｎ側の
クラッド層Ａ１組成を非対称にしたことにより、接合垂
直方向の光強度分布を最適化して高出力動作も可能とな
る。続いてｐ−ＧａＡｓキャップ層６を表面全面に約２
μｍの厚さで形成する。さらにｎ型用電極８、ｎ型用電
極９を形成して素子構造とする。電流注入幅を規定する
基板上ストライプ幅１０をメサストライプ幅７よりも狭
くすることにより、セルフパルセーション動作を生ザし
ぬ、低雑音の素子が実現できる。ｐ ＧａＱ、５ Ｉ
ｎ０９Ｐ層１５は、ＧａＡｓとＡｌ０．５ Ｉ ｎＱ、
５ Ｐ表面酸化防止層の役割をもつ。この構造は第１の
実施例で述べたと同様に２回の結晶成長で実現できる。
見た模式的側面図である。ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板上
に幅３μｍのストライプ領域１０だけ残し、その他の領
域にベリリウム（Ｂｅ）をイオン注入し、ｐ反転させた
厚さ０．５μｍのＢｅイオン注入［１１を形成する。第
１の実施例のところで述べたようにｐ反転層をつくるた
めには、他の元素、他の形成方法によっても差し支えな
いが、狭ストライプを形成し、深い高濃度層を形成する
には、Ｂｅのような軽い元素をイオン注入することが適
している。次に厚さ１．０μｍのｎ−Ａｌ１．５ Ｉ
ｎｏ、５ Ｐクラッド層１２、厚さ０．０６μｍのアン
ドープ活性層４、厚さ０．３μｍのｐ−（ＡＪｌｏ４Ｇ
ａｏ、６） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ第１クラッド層
１３、厚さ０．５μｎのｐ−Ａｆｆｌ、）、５Ｉｎ。、
Ｐ第２クラッド層１４、厚さ０．１μｍのｐ−Ｇａ、）
、５ Ｉ ｎｏ、５ Ｐ １５を順次形成する。続いて
幅５μｍのメサストライプ領域７を残して、ｐＧａ（１
，５Ｉ ｎｏ、５ Ｐ層１５、Ｐ−ＡＪＩ（１，５Ｉｎ
０５Ｐ層１４をエツチングにより除去する。Ａ４組成の
異る二重のクラッド層１３．１４を用いることにより、
エツチングに選択性を持たせることができて、メサ構造
の形成が再現性よく容易にできる。また、ｐ側とｎ側の
クラッド層Ａ１組成を非対称にしたことにより、接合垂
直方向の光強度分布を最適化して高出力動作も可能とな
る。続いてｐ−ＧａＡｓキャップ層６を表面全面に約２
μｍの厚さで形成する。さらにｎ型用電極８、ｎ型用電
極９を形成して素子構造とする。電流注入幅を規定する
基板上ストライプ幅１０をメサストライプ幅７よりも狭
くすることにより、セルフパルセーション動作を生ザし
ぬ、低雑音の素子が実現できる。ｐ ＧａＱ、５ Ｉ
ｎ０９Ｐ層１５は、ＧａＡｓとＡｌ０．５ Ｉ ｎＱ、
５ Ｐ表面酸化防止層の役割をもつ。この構造は第１の
実施例で述べたと同様に２回の結晶成長で実現できる。
成長を中心とする素子プロセスが簡略化されるために、
素子性能を損うことなく、素子製作に要する時間が従来
構造を較べて４分の１程度短縮できる。また第２の実施
例においては、従来構造と較べて戻り光により雑音を低
減でき、２％戻り売時ＲＩＮ値で１０ｄＢ／Ｈｚ程度小
さくなる。
素子性能を損うことなく、素子製作に要する時間が従来
構造を較べて４分の１程度短縮できる。また第２の実施
例においては、従来構造と較べて戻り光により雑音を低
減でき、２％戻り売時ＲＩＮ値で１０ｄＢ／Ｈｚ程度小
さくなる。
前述の実施例において、ｎ型とｐ型を入れかえたもので
も本発明を適用できることは言うまでもない。又、Ａｊ
！Ｇａ Ｉ ｎＰ系以外の材料、ＧａＩｎ Ｐ Ａ ｓ
系、Ａ、ＲＧａＳｂ系、Ａ、ＲＧａＡｓ系、Ｚｎ５ｅＳ
系、ＨｇＣｄＴｅ系、その他の材料の如何を訪わず本発
明は適用できる。
も本発明を適用できることは言うまでもない。又、Ａｊ
！Ｇａ Ｉ ｎＰ系以外の材料、ＧａＩｎ Ｐ Ａ ｓ
系、Ａ、ＲＧａＳｂ系、Ａ、ＲＧａＡｓ系、Ｚｎ５ｅＳ
系、ＨｇＣｄＴｅ系、その他の材料の如何を訪わず本発
明は適用できる。
この様に本発明により、横モード特性や雑音特性の優れ
た高品質のレーザ光を得られる構造の半導体レーザを従
来よりも少ない時間で容易に実現できる。
た高品質のレーザ光を得られる構造の半導体レーザを従
来よりも少ない時間で容易に実現できる。
第１図は本発明の第１の実施例を光出射方向よりみた模
式的側面図、第２図は本発明の第２の実施例の模式的側
面図、第３図は従来構造を光出射方向よりみた模式的側
面図である。 １．１０１−・・ｎ−ＧａＡｓ基板、２−・−Ｚ ｎ拡
散層、３，１０２−ｎ−（Ａ、Ｒｏ４Ｇａ（、，６）０
゜Ｉｎ（、，５Ｐクラッド層、１，１．０３・・・アン
ドープＧａＯ，５Ｉ ｎＯ，５Ｐ活性層、５，１０４・
ｐ−（ＡＪｏ、ｓ Ｇａ、）、６ ） ０．５１ ｎ
ｏ、５Ｐクラッド層、６，１０８−ｐ−ＧａＡｓキー＋
ｒ ツブ層、７・・・メサ・ストライプ領域、８，１０
９・・・ｐ型用電極、９，１１０・・・ｎ型用電極、ｌ
Ｏ・・・基板上ストライプ領域、１１・・・Ｂｅイオン
注入層、１２・・・Ａｆｆｌ、）、５ Ｉ ｎｏ、５
Ｐクラッド層、１３−ｐ−（Ａｊｏ、４ Ｇａ、）、６
） ０．５ Ｉ ｎｏ、５ Ｐ第一クラッド層、１４
＝−ｐ−Ａｆ□、５ Ｉ ｎ。、５ Ｐ第二クラッド層
、１５．１０５・・・ｐ Ｇａ０．５ Ｉ ｎＯ，５
Ｐ層、１０６ ＝−ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ光吸収層、１
０７−ｐ −（Ａｆｏ、ａ Ｇａ、）、４ ）ｏ、ｓ
Ｉ ｎａ、＋ｓ Ｐメサストライプ。
式的側面図、第２図は本発明の第２の実施例の模式的側
面図、第３図は従来構造を光出射方向よりみた模式的側
面図である。 １．１０１−・・ｎ−ＧａＡｓ基板、２−・−Ｚ ｎ拡
散層、３，１０２−ｎ−（Ａ、Ｒｏ４Ｇａ（、，６）０
゜Ｉｎ（、，５Ｐクラッド層、１，１．０３・・・アン
ドープＧａＯ，５Ｉ ｎＯ，５Ｐ活性層、５，１０４・
ｐ−（ＡＪｏ、ｓ Ｇａ、）、６ ） ０．５１ ｎ
ｏ、５Ｐクラッド層、６，１０８−ｐ−ＧａＡｓキー＋
ｒ ツブ層、７・・・メサ・ストライプ領域、８，１０
９・・・ｐ型用電極、９，１１０・・・ｎ型用電極、ｌ
Ｏ・・・基板上ストライプ領域、１１・・・Ｂｅイオン
注入層、１２・・・Ａｆｆｌ、）、５ Ｉ ｎｏ、５
Ｐクラッド層、１３−ｐ−（Ａｊｏ、４ Ｇａ、）、６
） ０．５ Ｉ ｎｏ、５ Ｐ第一クラッド層、１４
＝−ｐ−Ａｆ□、５ Ｉ ｎ。、５ Ｐ第二クラッド層
、１５．１０５・・・ｐ Ｇａ０．５ Ｉ ｎＯ，５
Ｐ層、１０６ ＝−ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ光吸収層、１
０７−ｐ −（Ａｆｏ、ａ Ｇａ、）、４ ）ｏ、ｓ
Ｉ ｎａ、＋ｓ Ｐメサストライプ。
Claims (1)
- 第１導電型の基板上表面に、一部のストライプ状領域を
除いて第二導電型反転層を形成し、この基板上に第一導
電型クラッド層、第一導電型或いは固有型或いは第二導
電型の活性層、第二導電型のクラッド層を順次形成した
ダブルヘテロ構造を形成し、第二導電型のクラッド層は
基板上のストライプ上領域とほぼ合致した領域がメサ形
状を有し、さらに、第二導電型クラッド層上に第二導電
型の光吸収層を形成したことを特徴とする半導体レーザ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9797089A JPH02275689A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9797089A JPH02275689A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02275689A true JPH02275689A (ja) | 1990-11-09 |
Family
ID=14206529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9797089A Pending JPH02275689A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02275689A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003524901A (ja) * | 2000-02-24 | 2003-08-19 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電磁線を放出するための半導体構造素子およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-04-17 JP JP9797089A patent/JPH02275689A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003524901A (ja) * | 2000-02-24 | 2003-08-19 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電磁線を放出するための半導体構造素子およびその製造方法 |
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