JPH02277007A - 導波路端面の研磨方法 - Google Patents

導波路端面の研磨方法

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JPH02277007A
JPH02277007A JP1099796A JP9979689A JPH02277007A JP H02277007 A JPH02277007 A JP H02277007A JP 1099796 A JP1099796 A JP 1099796A JP 9979689 A JP9979689 A JP 9979689A JP H02277007 A JPH02277007 A JP H02277007A
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JP
Japan
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waveguide
polishing
substrate
face
end surface
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Pending
Application number
JP1099796A
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English (en)
Inventor
Kazunori Kurima
栗間 一典
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、L L N b Oa等からなる基板表面に
形成された導波路端面を研磨する方法に関する。
〔従来の技術〕
L iN b Oa等の強誘電体からなる基板上に導波
路を形成した場合には、基板端面に臨んだ導波路端面か
ら導波路内に効率良く光を入射するため、導波路端面を
光学研磨する必要がある。
従来、導波路端面の研出は、チタンTiの拡散等により
基板上に導波路を、形成した後、この基板を治具に固定
し、導波路が臨んでいる基板端面を研磨することによっ
て行なわれていた。かかる導波路端面の研磨方法は、例
えば、電子情報通信学会・集積光エレクトロニクス研究
会資料(1989,2,27)P、21春名氏によるr
LN基板結晶とプロセス技術に要求されるものはなにか
?−問題提起−」と題する論文、あるいは、日本応用物
理学会(Japan 5osiety o「^ppHc
d Physlc) ・第4回・ワークシsツブ・オン
・オプティカル・ファイバ・センサーズ(4thWor
kshop on 0ptical Fiber 5e
nsors )試料(1987,1,12・13)吉用
稔氏らによるWOFS4−12rピツ、グテール付先導
波路型センサの試作」と題する論文に示されている。
そして、導波路端面の研磨後、導波光を制御する目的か
ら、必要に応じて導波路上に金属電極が形成されていた
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、基板は肉薄で脆いことから、これを治具に固定
する際には、基板を表裏両面から挾み込むようにして治
具に固定しなければならない。この為、研磨中に基板が
治具に対してずれると基板表面すなわち導波路表面に傷
が付き、導波損失(伝播損失ともいう)が増大する原因
となっていた。
そこで、本発明は、上述の事情に鑑み、導波路の導波損
失を増加させることなく、導波路端面を研磨し得る導波
路端面の研磨方法を提供することを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
上述の目的を達成するため、本発明による導波路端面の
研磨方法においては、導波路が形成された基板の表面に
保護膜を形成した後、導波路が臨んでいる基板端面を研
磨することとしている。
〔作用〕
このように、導波路が形成された基板表面に保護膜を形
成しておくことによって、基板表面の傷付きが防止され
、導波路表面の傷付きが防止される。
また、保護膜を基板よりも屈折率が小さな誘電体より形
成しておくことによって、この保護膜を導波路と電極金
属との間に形成されるバッファ層として利用できる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について第1図〜第2図を参照し
つつ、説明する。
第1図は、本発明による導波路端面の研磨方法によって
、導波路の端面を研磨する場合の基板の断面を、その工
程順に示している。
まず、第1図(a)に示したように、LiNbO3から
形成された基板1の表面に、例えば、選択的に行なわれ
るチタン拡散法により埋込み型の導波路2が形成される
次に、同図(b)に示したように、導波路2が形成され
た基板1の表面にSiO□からなる保護膜3を、例えば
、プラズマCVDによって4000Aの厚さに形成する
そして、同図(C)に示したように、表面に保護膜3を
形成した基板1を2枚用意し、2枚の基板1を保護膜3
同士を向い合わせて重ねる。この状態のまま2枚の基板
1を、第2図に示した如くの研磨治具5に上下から挾み
込むよう4こして保持する。このとき、導波路2の端面
が臨んでいる基板端面が、研出治具5の正面から僅かに
突出するように、2枚の基板1を研磨治具5に保持する
このように、2枚の基板1を研磨治具5に保持したまま
、保持された基板1の端面を砥石(図示せず)によって
研磨する。
このように、2枚の基板1を重ね合わせておいて、その
端面を研磨することによって、基板端面と導波路2が形
成されている基板表面とが会する角部が研磨時に欠けた
り、研磨面が当該角部付近で丸まったりすることを防止
できる。
研磨終了後、基板を研磨治具5から取り外し、保護膜3
として形成したSiO2膜をそのままバッファ層として
利用し、第1図(d)に示したように、導波路2が形成
されている部分の上部にAu電極6を形成する。
なお、バッファ層はAu¥S極等の金属電極を導波路表
面に形成したこと(・金属クラツデイング)に伴う導波
損失を低減する目的で、導波路2と金属電極等との間に
挿入される誘電体膜で、基板1より屈折率が小さな誘電
体から形成されるものである。
上述のようにして、基板端面を研磨した後、基板端面及
び保護膜3表面を観察したところ、基板端面すなわち導
波路2の端面は良好に研磨されていた。また、保護膜3
の表面には、細かな擦り傷が確認されたが、保護膜3を
エツチングにより除去して観察したところ、基板1表面
に達するような深さの傷は存在していなかったことが確
認できた。
更に、Au?IS極6の形成の前後で導波路2の導波損
失を測定し、両者を比較したところ、Au電極6の形成
前後で導波損失に変化がないことが確認でき、S iO
2からなる保護膜3がバッファ層として問題なく機能す
ることが確かめられた。
上述した実施例においては、2枚の基板1を重ね合わせ
て研磨治具5に保持し、基板端面を研磨することとして
いるが、1枚の基板1を研磨治具5に保持して研磨する
こととしてもよいし、3枚以上の基板1を重ね合わせて
研磨治具5に保持して研磨することとしてもよい。なお
、複数枚の基板1を重ね合わせる場合には、保護膜3の
表面が重ね合わせた基板の最上面若しくは最下面になら
ないように、すなわち、他の基板1の裏面若しくは他の
保護膜3の表面と向かい合うように重ね合わせることが
望まし°い。
なお、上述した実施例は、導波路として埋込み型の三次
元光導波路(チャンネル導波路ともいう)を基板上に形
成し、その端面研磨に本発明を適用したものであるが、
本発明は、リッジ型の三次元導波路の端面研磨にも適用
可能であるし、二次元先導波路(スラブ導波路ともいう
)の端面研磨にも適用可能である。ただし、リッジ型の
三次元導波路の端面研磨に、本発明を適用する場合には
、基板上に保護膜を形成する際、その表面が平坦となる
ように形成する必要がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本2発明による導波路端面の研磨
方法によれば、基板表面に形成した保護膜によって、導
波路端面の研磨中における導波路表面の傷付きを防止で
きる。
また、保護膜を基板よりも屈折率が小さな誘電体より形
成しておくことによって、この保護膜を導波路と電極金
属との間に形成されるバッファ層としてそのまま利用で
゛きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による導波路端面の研磨方法によって、
基板上に形成された導波路の端面を研磨する場合の基板
の断面を、その工程順に示した断面図、第2図は導波路
が形成された基板を保持する研磨治具を示した斜視図で
ある。 1・・・基板、2・・・導波路、3・・・保護膜、5・
・・研磨軸、6・・・Au電極。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、基板表面に形成された導波路端面の研磨方法であっ
    て、導波路が形成された基板の表面に保護膜を形成した
    後、前記基板の端面を研磨して前記導波路端面を研磨す
    ることを特徴とする導波路端面の研磨方法。 2、前記保護膜は、前記基板よりも屈折率が小さな誘電
    体より形成されていることを特徴とする請求項1記載の
    導波路端面の研磨方法。
JP1099796A 1989-04-19 1989-04-19 導波路端面の研磨方法 Pending JPH02277007A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100454105B1 (ko) * 2002-08-09 2004-10-26 전자부품연구원 리튬니오베이트 광도파로 소자 연마를 위한 지그와 홀더
KR100766413B1 (ko) * 2006-05-12 2007-10-12 국방과학연구소 집적광학소자의 제조방법

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