JPH0227700A - 低エミツタンスリング - Google Patents
低エミツタンスリングInfo
- Publication number
- JPH0227700A JPH0227700A JP17504088A JP17504088A JPH0227700A JP H0227700 A JPH0227700 A JP H0227700A JP 17504088 A JP17504088 A JP 17504088A JP 17504088 A JP17504088 A JP 17504088A JP H0227700 A JPH0227700 A JP H0227700A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deflection
- achromatic
- magnet
- emittance
- magnets
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子加速器の一種である電子蓄積リングに係
り、特に、高輝度シンクロトロン放射光装置に好適な低
エミツタンスの電子蓄積リングに関する。
り、特に、高輝度シンクロトロン放射光装置に好適な低
エミツタンスの電子蓄積リングに関する。
（従来の技術〕
従来の低エミツタンスの電子蓄積リングについては、ニ
ュークリア インスツルメンツ アンドメソッド イン
フィジックス リサーチ ェ−２４６（１９８６年）
第４頁から第１１頁（Ｎｕｃｌｅａｒ Ｉｎｓｔｒｕｍ
ｅｎｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｉｎ Ｐｈｙｓｉ
ｃｓＲｅｓｅａｒｃｈ Ａ２４６（１９８６）Ｉ’Ｐ４
−１１）において論じられている。
ュークリア インスツルメンツ アンドメソッド イン
フィジックス リサーチ ェ−２４６（１９８６年）
第４頁から第１１頁（Ｎｕｃｌｅａｒ Ｉｎｓｔｒｕｍ
ｅｎｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｉｎ Ｐｈｙｓｉ
ｃｓＲｅｓｅａｒｃｈ Ａ２４６（１９８６）Ｉ’Ｐ４
−１１）において論じられている。
低エミツタンスの電子蓄積リングのラティス（磁石の配
列）は、ＦＯＤＯタイプ、 Ｃｈａｓｍａｎ−Ｇｒｅｅ
ｎタイプ、あるいはＴ Ｂ Ａ （Ｔｒｉｐｌｅ Ｂｅ
ｎｄ Ａｃｈｒｏｍａｔ）タイプが知られているが、い
ずれも偏向部の長さは等しい。一部、例外的ではあるが
、前述した文献に記載されたＦＯＤＯタイプのラティス
では、偏向部の長さが異なる二種類の偏向磁石が用いら
れている、しかし、この場合、片側の直線部のエネルギ
分散関数７がＯである、いわゆる、アクロマテイツク偏
向部がその他の偏向部に比べて畏くなっている。
列）は、ＦＯＤＯタイプ、 Ｃｈａｓｍａｎ−Ｇｒｅｅ
ｎタイプ、あるいはＴ Ｂ Ａ （Ｔｒｉｐｌｅ Ｂｅ
ｎｄ Ａｃｈｒｏｍａｔ）タイプが知られているが、い
ずれも偏向部の長さは等しい。一部、例外的ではあるが
、前述した文献に記載されたＦＯＤＯタイプのラティス
では、偏向部の長さが異なる二種類の偏向磁石が用いら
れている、しかし、この場合、片側の直線部のエネルギ
分散関数７がＯである、いわゆる、アクロマテイツク偏
向部がその他の偏向部に比べて畏くなっている。
上記従来技術では、非アクロマテイツク偏向部に基づく
低エミツタンス特性が軽視されており、同じダイナミッ
クアパーチャ、及び、８ｉ幅依存のチューンシフト特性
のもとで、効率の良い低エミツタンス化がなされていな
いという問題があった。
低エミツタンス特性が軽視されており、同じダイナミッ
クアパーチャ、及び、８ｉ幅依存のチューンシフト特性
のもとで、効率の良い低エミツタンス化がなされていな
いという問題があった。
本発明の目的は、ダイナミックアパーチャ及び振幅依存
のチューンシフト特性を損なうことなく。
のチューンシフト特性を損なうことなく。
効率良くエミツタンスを低くするリングを提供すること
にある。
にある。
上記目的は、ラティスの偏向部をアクロマテイツク偏向
部、及び、非アクロマテイツク偏向部で構成し、非アク
ロマテイツク偏向部をアクロマテイツク偏向部より長く
することにより達成される。
部、及び、非アクロマテイツク偏向部で構成し、非アク
ロマテイツク偏向部をアクロマテイツク偏向部より長く
することにより達成される。
電子蓄積リングの平衡エミツタンスε０は、放射励起、
及び、放射減衰の釣り合いで決まり、ラティスの偏向部
のラティス特性部に依存し、次式％式％ 〈〉、＆寥 ：偏向部での平均値 α、β、ν：ツウイスパラメータ η ：エネルギ分散関数 ｑ′ ：ηの軌道方向の勾配 ｍｏＣ” ζ ：偏向部の中心軌道の曲率半径 Ｊｘ ：水平方向のダンピング パーティション ナン
バー（ｄａ＋ｉｐｉｎｇ Ｐａｒｔｉｔｉｏｎ ｎｕｍｂｅｒ） ここで、＜ Ｈ＞ −ａ ｘは、 ＜ Ｈ＞−ａｘ ＝ζｈ、θ３ ・・・・・・（
２）と書ける。ここに、θは偏向部の偏向角を表わす。
及び、放射減衰の釣り合いで決まり、ラティスの偏向部
のラティス特性部に依存し、次式％式％ 〈〉、＆寥 ：偏向部での平均値 α、β、ν：ツウイスパラメータ η ：エネルギ分散関数 ｑ′ ：ηの軌道方向の勾配 ｍｏＣ” ζ ：偏向部の中心軌道の曲率半径 Ｊｘ ：水平方向のダンピング パーティション ナン
バー（ｄａ＋ｉｐｉｎｇ Ｐａｒｔｉｔｉｏｎ ｎｕｍｂｅｒ） ここで、＜ Ｈ＞ −ａ ｘは、 ＜ Ｈ＞−ａｘ ＝ζｈ、θ３ ・・・・・・（
２）と書ける。ここに、θは偏向部の偏向角を表わす。
ここで、非アクロマテイツク偏向部のり、は、アクロマ
テイツク偏向部に比べて、１／３の最小値を得ることが
できる。非アクロマテイツク偏向部とアクロマテイツク
偏向部の数の比をｎｔ： ｎｚとおくと、エミツタンス
ε０は。
テイツク偏向部に比べて、１／３の最小値を得ることが
できる。非アクロマテイツク偏向部とアクロマテイツク
偏向部の数の比をｎｔ： ｎｚとおくと、エミツタンス
ε０は。
ｎ１θ１＋ｎｚθ２
ここに、
θｌ ニアクロマティック偏向部の偏向角θ２ ：非ア
クロマテイツク偏向部の偏向角である。
クロマテイツク偏向部の偏向角である。
従って、θ２〉θ１の方がエミツタンスε０を効率よく
小さくすることができる。
小さくすることができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
電子蓄積リングを構成するラティスは、−周にわたって
複数の周期をもち、第１図にはその一周期のラティスの
みを示している。このラティスは、電子を偏向させる二
個のアクロマテイツク偏向磁石１１と一個の非アクロマ
テイツク偏向磁石１２゜及び、電子軌道１００を水平及
び垂直方向に収束させる四極磁石２１，２２，２３，３
１，３２゜３３等により構成される。
複数の周期をもち、第１図にはその一周期のラティスの
みを示している。このラティスは、電子を偏向させる二
個のアクロマテイツク偏向磁石１１と一個の非アクロマ
テイツク偏向磁石１２゜及び、電子軌道１００を水平及
び垂直方向に収束させる四極磁石２１，２２，２３，３
１，３２゜３３等により構成される。
この場合、アクロマテイツク偏向磁石１１を非アクロマ
テイツク偏向磁石１２より長くする。
テイツク偏向磁石１２より長くする。
本実施例によれば、比較的短い周期で効率良くエミツタ
ンスを下げることができる。
ンスを下げることができる。
次に、本発明の他の実施例を第２図により説明する。
一周期をなすラティスは、二個のアクロマテイツク偏向
磁石１１と、二個の非アクロマテイツク偏向磁石１２．
及び、電子軌道を水平方向に収束させる四極磁石３１，
３２，３３、垂直方向に収束させる四極磁石２１，２２
．等により構成される。そして、これら二種類の四極磁
石が交互に配置されたＦＯＤＯタイプのラティスを形成
する。
磁石１１と、二個の非アクロマテイツク偏向磁石１２．
及び、電子軌道を水平方向に収束させる四極磁石３１，
３２，３３、垂直方向に収束させる四極磁石２１，２２
．等により構成される。そして、これら二種類の四極磁
石が交互に配置されたＦＯＤＯタイプのラティスを形成
する。
本実施例によれば、比較的短い周期で、第一図の実施例
に比べ、さらに効率良くエミツタンスを下げることがで
き、四極磁石も少なくて済む。
に比べ、さらに効率良くエミツタンスを下げることがで
き、四極磁石も少なくて済む。
本発明によれば、ダイナミックアパーチャ（電子の水平
・垂直面内の安定周回領域）、及び、振幅依存のチュー
ンシフトの特性を損なうことなく。
・垂直面内の安定周回領域）、及び、振幅依存のチュー
ンシフトの特性を損なうことなく。
効率良くエミツタンスを小さくすることができる。
第１図は本発明の一実施例の説明図、第２図は本発明の
他の実施例の説明図である。 １１・・・アクロマテイツク偏向磁石、１２・・・非ア
クロマテイツク偏向磁石、２１，２２．２３・・・水平
方向収束用四極磁石、３１，３２．３３・・・垂直方向
収束用四極磁石、１００・・・電子軌道。
他の実施例の説明図である。 １１・・・アクロマテイツク偏向磁石、１２・・・非ア
クロマテイツク偏向磁石、２１，２２．２３・・・水平
方向収束用四極磁石、３１，３２．３３・・・垂直方向
収束用四極磁石、１００・・・電子軌道。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、偏向磁石と四極磁石等から成る電子加速器において
、 前記偏向磁石をアクロマテイツク及び非アクロマテイツ
クの二種類で構成し、前記非アクロマテイツク偏向磁石
の軌道方向の長さを前記アクロマテイツク偏向磁石より
長くしたことを特徴とする低エミツタンスリング。 ２、特許請求の範囲第１項において、 二個の前記アクロマテイツク偏向磁石の間に一個の前記
非アクロマテイツク偏向磁石を設けたことを特徴とする
低エミツタンスリング。 ３、特許請求の範囲第１項において、 二個の前記アクロマテイツク偏向磁石の間に二個の前記
非アクロマテイツク偏向磁石を設けたことを特徴とする
低エミツタンスリング。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17504088A JPH0227700A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 低エミツタンスリング |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17504088A JPH0227700A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 低エミツタンスリング |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227700A true JPH0227700A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=15989164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17504088A Pending JPH0227700A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 低エミツタンスリング |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0227700A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008503037A (ja) * | 2004-06-16 | 2008-01-31 | ゲゼルシャフト フュア シュヴェリオーネンフォルシュング ミット ベシュレンクテル ハフツング | イオンビームによる放射線治療のための粒子加速器 |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP17504088A patent/JPH0227700A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008503037A (ja) * | 2004-06-16 | 2008-01-31 | ゲゼルシャフト フュア シュヴェリオーネンフォルシュング ミット ベシュレンクテル ハフツング | イオンビームによる放射線治療のための粒子加速器 |
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